CN102738331A - 垂直式发光二极管结构及其制作方法 - Google Patents

Abstract

一种垂直式发光二极管结构，包括半导体堆叠层、绝缘阻障层以及金属堆叠层。半导体堆叠层包括第一型半导体层、主动层与第二型半导体层，且主动层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。绝缘阻障层覆盖半导体堆叠层并具有开口，且开口暴露出半导体堆叠层。金属堆叠层堆叠于绝缘阻障层的开口内而与第二型半导体层实体连接。金属堆叠层包括欧姆接触层、反射层与导电阻障层，其中反射层位于欧姆接触层与导电阻障层之间，且欧姆接触层与第二型半导体层实体连接。一种垂直式发光二极管结构的制作方法亦被提出。本发明可有效地阻挡反射层的金属原子迁移，使垂直式发光二极管结构具有较佳的光电表现效益。

Description

垂直式发光二极管结构及其制作方法

技术领域

本发明涉及一种发光元件及其制作方法，且特别涉及一种垂直式发光二极管(VLED，vertical light-emitting diode)结构及其制作方法。

背景技术

近年来，由于发光二极管的发光效率不断提升，使得发光二极管在某些领域已渐渐取代日光灯与白热灯泡，例如需要高速反应的扫描器灯源、液晶显示器的背光源或前光源汽车的仪表板照明、交通号志灯，以及一般的照明装置等。一般常见的发光二极管是使用氮化物的半导体材料来形成，大多数如上所述的发光二极管是以磊晶方式形成于蓝宝石基板上。但由于蓝宝石基板为电绝缘体，便不能直接在蓝宝石基板上形成电极以驱动电流通过发光二极管。因此，电极分别直接接触p型半导体层与n型半导体层，以便完成发光二极管装置的制造。然而，此种电极结构与非导电性蓝宝石基板的本质却表示相当重大的装置运作限制，例如，必须在p层上形成一半透明接点(面)，以将电流自p电极散布至n电极。此半透明接点(面)因内部反射与吸收而减少了自装置发射的光强度；而且，p与n电极阻碍了光波并减少了来自装置的发光面积。

此外，蓝宝石基板是热量绝缘体(或热绝缘体)，且在装置运作期间所产生的热能并不能有效地散去，因此限制了装置可靠度。

为解决上述问题，已发展出垂直式发光二极管晶片，垂直式发光二极管晶片的两个电极分别在发光二极管外延层的两侧，由于图形化电极和全部的p型半导体层作为第二电极，使得电流几乎全部垂直流过发光二极管外延层，极少横向流动的电流，可以改善平面结构的电流分布问题，提高发光效率，也可以解决P极的遮光问题，提升发光二极管的发光面积。

然而，垂直式发光二极管的结构通常包括一反射层，然而，若未对反射层设置阻障层进行阻障时，反射层的金属原子便较容易地迁移至其他膜层中，造成元件寿命的降低，而影响发光二极管的电性表现。

发明内容

本发明提供一种垂直式发光二极管结构，其具有较佳的光电表现。

本发明另提供一种垂直式发光二极管结构的制作方法，其可制作出上述的垂直式发光二极管结构。

本发明的其他目的和优点可以从本发明所揭示的技术特征中得到进一步的了解。

为达上述之一或部分或全部目的或是其他目的，本发明的一实施例提出一种垂直式发光二极管结构，包括半导体堆叠层、绝缘阻障层以及金属堆叠层。半导体堆叠层包括第一型半导体层、主动层与第二型半导体层，且主动层位于第一型半导体层与第二型半导体层的间。绝缘阻障层覆盖半导体堆叠层并具有开口，且开口暴露出半导体堆叠层。金属堆叠层堆叠于绝缘阻障层的开口内而与第二型半导体层实管连接。金属堆叠层包括欧姆接触层、反射层与导电阻障层，其中反射层位于欧姆接触层与导电阻障层之间，且欧姆接触层与第二型半导体层实体连接。

在本发明的一实施例中，金属堆叠层的厚度大于绝缘阻障层于半导体堆叠层上的厚度，且反射层与欧姆接触层的厚度总和小于等于绝缘阻障层于半导体堆叠层上的厚度。

在本发明的一实施例中，绝缘阻障层于半导体堆叠层上的厚度大于等于0.3μm。

在本发明的一实施例中，反射层的厚度实质上介于0.15μm至0.5μm。

在本发明的一实施例中，导电阻障层的厚度实质上大于等于1μm。

在本发明的一实施例中，垂直式发光二极管结构还包括粘着层，设置于绝缘阻障层上。

在本发明的一实施例中，粘着层为导电粘着层，且导电粘着层为单层或多层。

在本发明的一实施例中，垂直式发光二极管结构还包括导电基板，覆盖于金属堆叠层上并与导电阻障层及粘着层实体连接。

本发明的一实施例另提出一种垂直式发光二极管结构的制作方法，其至少包括下列步骤。首先，形成未掺杂半导体层、第一型半导体层、主动层与第二型半导体层于基板上。接着，形成绝缘阻障层于基板上，以覆盖未掺杂半导体层、第一型半导体层、主动层与第二型半导体层。之后，形成图案化粘着层于第二型半导体层上方的部分绝缘阻障层上。接着，图案化绝缘阻障层，以形成暴露出第二型半导体层的开口。而后，形成金属堆叠层于开口所暴露的第二型半导体层上。接着，覆盖导电基板于金属堆叠层上，且导电基板与导电阻障层及粘着层实体连接。然后，移除基板、未掺杂半导体层以及部分绝缘阻障层，以暴露出第一型半导体层。接着，形成电极层于第一型半导体层上。

在本发明的一实施例中，形成金属堆叠层的方法包括依序堆叠欧姆接触层、反射层与导电阻障层于开口所暴露的第二型半导体层上。

在本发明的一实施例中，在形成电极层于第一型半导体层上的步骤之前，还包括粗糙化第一型半导体层的表面。

在本发明的一实施例中，形成金属堆叠层的厚度实质上大于形成绝缘阻障层的厚度。

在本发明的一实施例中，导电基板包括半导体基板与导电层，导电层配置于半导体基板上，且导电层与导电阻障层及粘着层实体连接。

在本发明的一实施例中，位于开口内的金属堆叠层与绝缘阻障层实体接触。

在本发明的一实施例中，位于开口内的金属堆叠层与绝缘阻障层保持间隙。

基于上述，本发明通过将金属堆叠层堆叠于绝缘阻障层的开口内，并使反射层的周边被绝缘阻障层所遮挡，以及使反射层位于欧姆接触层与导电阻障层之间，如此一来便可有效地阻挡反射层的金属原子迁移，而使垂直式发光二极管结构具有较佳的光电表现效益。另外，由于金属堆叠层的厚度为大于绝缘阻障层于半导体堆叠层上的厚度，而反射层与欧姆接触层的厚度总和为小于等于绝缘阻障层于半导体堆叠层上的厚度，因此还可有效地阻挡反射层的金属原子迁移。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A为本发明一实施例的垂直式发光二极管结构的剖面示意图。

图1B为本发明另一实施例的垂直式发光二极管结构的剖面示意图。

图2A至图2I为本发明一实施例的垂直式发光二极管结构的制作流程剖示图。

主要元件符号说明：

100、200：垂直式发光二极管结构

110：半导体堆叠层

120、230：绝缘阻障层

130、250：金属堆叠层

112、224：第一型半导体层

114、226：主动层

116、228：第二型半导体层

122、232：开口

132、252：欧姆接触层

134、254：反射层

136、256：导电阻障层

140：粘着层

210：基板

222：未掺杂半导体层

240：图案化粘着层

260：导电基板

262：半导体基板

264：导电层

270：电极层

H1、H2、H3：厚度

S1：间隙

S2：表面

具体实施方式

有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合附图的一较佳实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。

图1A为本发明一实施例的垂直式发光二极管结构的剖面示意图。请参考图1A，本实施例的垂直式发光二极管结构100包括一半导体堆叠层110、一绝缘阻障层120以及一金属堆叠层130。半导体堆叠层110包括一第一型半导体层112、一主动层114与一第二型半导体层116，且主动层114位于第一型半导体层112与第二型半导体层116之间。在本实施例中，第一型半导体层112例如是N型半导体层、主动层114例如是多重量子井层，而第二型半导体层116则可以是P型半导体层，此为举例说明，但不限于此。在其他实施例中，第一型半导体层112例如是P型半导体层、主动层114例如是多重量子井层，而第二型半导体层116则可以是N型半导体层，此部分视使用者的需求而定。另外，本实施例的半导体堆叠层110的材料是以氮化镓为举例说明，但不限于此。在其他实施例中，本实施例的半导体堆叠层110的材料亦可以是二元化合物(binary compound)，例如氮化铝、氮化镓、氮化铟；三元化合物(ternary compound)，例如氮化铝镓、氮化镓铟、氮化铝铟、砷化铝镓、砷化铟镓；及四元化合物(quaternary compound)氮化镓铟铝、磷化铝铟镓或上述组合。

反射层134的材质则可选用反射特性较佳的金属，例如银、铝、金、铜、铬和铂。另外，绝缘阻障层120覆盖半导体堆叠层110并具有一开口122，且开口122暴露出半导体堆叠层110，如图1A所示。在本实施例中，绝缘阻障层120的材质可以是采用无机材质或有机材质。具体而言，若绝缘阻障层120是采用无机材质时，其可为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝或上述的组合。而绝缘阻障层120若是采用有机材质时，则其可为光阻、苯并环丁烯(enzocyclobutane，BCB)、环烯类、聚酰亚胺类、聚酰胺类、聚酯类、聚醇类、聚环氧乙烷类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类、或上述的组合。本实施例的绝缘阻障层120是以二氧化硅或是氮化硅为例，但不限于此。

请继续参考图1A，金属堆叠层130堆叠于绝缘阻障层120的开口122内而与第二型半导体层116实体连接，且金属堆叠层130包括一欧姆接触层132、一反射层134与一导电阻障层136，其中反射层134位于欧姆接触层132与导电阻障层136之间，且欧姆接触层132与第二型半导体层116实体连接。在本实施例中，欧姆接触层132可以是采用镍/镉的金属堆叠层或是单层金属层，反射层134的材质则可选用反光特性较佳的银，而导电阻障层136则可以选用镍/铂、钛/铂、钛/镍的金属堆叠层或是为单层金属层。在其他实施例中，欧姆接触层132与导电阻障层136可以是单一层或是多层金属堆叠，且二者的材质亦可以选用如：金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物，或上述组合的材质，此部分视使用者的需求而定。

另外，金属堆叠层130的厚度H1较佳地为大于绝缘阻障层120于半导体堆叠层110上的厚度H2，而反射层134与欧姆接触层136的厚度总和H3较佳地为小于等于绝缘阻障层120于半导体堆叠层110上的厚度H2，如图1A所示。详细而言，本实施例主要是通过将金属堆叠层130堆叠于绝缘阻障层120的开口122内，以使反射层134的周边被绝缘阻障层120所遮挡，且由于反射层134亦位于欧姆接触层132与导电阻障层136之间，如此一来便可有效地阻挡反射层134的金属原子迁移(migration)。另外，本实施例的位于开口122内的金属堆叠层130是与绝缘阻障层120实管接触，如图1A所示，也就是反射层134会与绝缘阻障层120接触。

在本实施例中，绝缘阻障层120于半导体堆叠层110上的厚度较佳地为大于等于0.3μm，如此将可具有较佳的绝缘效果，以阻挡反射层134的金属原子向外迁移。此外，反射层134的厚度实质上较佳地可介于0.15μm至0.5μm，如此将可具有较佳的反光效益，而使垂直式发光二极管结构100可提供较佳的出光效益，但又不会造成材料的浪费，而可节省成本。另外，本实施例的导电阻障层136的厚度较佳地为大于等于1μm，如此一来，将可具有较佳的电性表现，如：导电性较佳。

在本实施例中，垂直式发光二极管结构100亦可包括有一粘着层140，其可设置于绝缘阻障层120上。具体而言，若垂直式发光二极管结构100具有粘着层140时，半导体堆叠层110可与一导电基板(未显示)电性连接，其中导电基板是覆盖于金属堆叠层130上并通通过粘着层140与导电阻障层136实体连接，此时，若在第一型半导体层的表面上设置有电极层(未标示)，便可形成一种垂直式发光二极管结构，此部分将于后续段落进行更为详细的描述。在本实施例中，粘着层140可为一导电粘着层，其中此导电粘着层可为单层或多层，而其材质可为钛/金的堆叠层或是其他金属材料的堆叠层或单层。

图1B为本发明另一实施例的垂直式发光二极管结构的剖面示意图。请同时参考图1A与图1B，本实施例的垂直式发光二极管结构200是采用与上述的垂直式发光二极管结构100的相同概念与结构，因此垂直式发光二极管结构200具有与上述的垂直式发光二极管结构100所提及的相同优点，在此便不再赘述。而垂直式发光二极管结构200与垂直式发光二极管结构100的不同处在于：位于开口122内的金属堆叠层130与绝缘阻障层120保持一间隙S1，也就是反射层134与绝缘阻障层120不会接触，此部分的间隙大小取决于使用者的设计与需求而定，原则上此间隙的宽度较佳地不要超过20μm。

图2A至图2I为本发明一实施例的垂直式发光二极管结构的制作流程剖示图。请先参考图2A，首先，形成一未掺杂半导体层222、一第一型半导体层224、一主动层226与一第二型半导体层228于一基板210上。在本实施例中，第一型半导体层222例如是P型半导体层、主动层224例如是多重量子井层，而第二型半导体层226则可以是N型半导体层，此部分视使用者的需求而定。另外，本实施例的未掺杂半导体层222、第一型半导体层224、主动层226与第二型半导体层228的材料是以氮化镓为举例说明，但不限于此，在其他实施例中，亦可选用氮化铝镓、氮化铝铟镓、磷化铝铟镓、砷化铝镓、砷化铟镓或上述组合。

另外，基板210可以是采用蓝宝石(sapphire)基板、碳化硅(SiC)基板、氧化锌(ZnO)基板、氮化铝、氮化镓、硅(Si)基板、磷化镓(GaP)基板或是砷化镓(GaAs)基板，其中本实施例以蓝宝石基板作为举例说明，但不仅限于此。在本实施例中，形成未掺杂半导体层222、第一型半导体层224、主动层226与第二型半导体层228于基板210的方法可以是采用金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition，MOCVD)法、分子束磊晶(molecular beam epitaxial，MBE)法或是其他适当的磊晶成长法。

接着，形成一绝缘阻障层230于基板210上，以覆盖未掺杂半导体层222、第一型半导体层224、主动层226与第二型半导体层226，如图2B所示。在本实施例中，形成绝缘阻障层230于基板210的方法例如是使用化学气相沈积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)，但不限于此，亦可使用其它适合的处理的方式，如：网版印刷、涂布、喷墨、能量源处理等。另外，绝缘阻障层220是采用无机材质时，其可为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝或上述的组合。而绝缘阻障层220若是采用有机材质时，则其可为光阻、苯并环丁烯、环烯类、聚酰亚胺类、聚酰胺类、聚酯类、聚醇类、聚环氧乙烷类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类、或上述的组合。本实施例的绝缘阻障层220是以二氧化硅或是氮化硅为例，但不限于此。

之后，形成一图案化粘着层240于第二型半导体层228上方的部分绝缘阻障层230上，如图2C所示。在本实施例中，形成图案化粘着层240的方法例如是利用微影蚀刻处理。举例而言，可先在绝缘阻障层230上全面形成一层或多层金属材料层(未显示)，接着，使用微影蚀刻处理以将金属材料层图案化为图案化粘着层240，如图2C所示。在本实施例中，图案化粘着层240可为单层或多层结构，且其材质可选用金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物、或上述组合的材质。本实施例以钛/金的叠层为例，但不限于此。

接着，图案化绝缘阻障层230，以形成一暴露出第二型半导体层228的开口232，如图2D所示。在本实施例中，图案化绝缘阻障层230的方式可以是采用微影蚀刻处理来完成。

而后，形成一金属堆叠层250于开口232所暴露的第二型半导体层228上，如图2E所示。在本实施例中，形成金属堆叠层250的方法包括依序堆叠一欧姆接触层252、一反射层254与一导电阻障层256于开口232所暴露的第二型半导体层250上。具体而言，形成金属堆叠层250于开口232所暴露的第二型半导体层228的方式可以是使用金属氧化化学气相沉积法、溅镀法(sputtering)、蒸镀法(evaporation)或其他适当的处理，依序形成多个金属层于第二型半导体层228。在本实施例中，欧姆接触层252可为镍/镉的金属堆叠层或是单层金属层，反射层254的材质可为反光特性较佳的银，而导电阻障层256可为镍/铂、钛/铂、钛/镍的金属堆叠层或是为单层金属层。

在其他实施例中，欧姆接触层252与导电阻障层256可以是单一层或是多层金属堆叠，且二者的材质亦可以选用如：金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物或上述的组合的材质，此部分视使用者的需求而定。需要注意的是，形成金属堆叠层250的厚度H1实质上要大于形成绝缘阻障层240的厚度H2，且反射层254与导电阻障层256的厚度总和H3较佳地为小于等于绝缘阻障层120于半导体堆叠层110上的厚度H2。

接着，覆盖一导电基板260于金属堆叠层250上，且导电基板260与导电阻障层256及粘着层240实体连接，如图2F所示。在本实施例中，导电基板260包括一半导体基板262与一导电层264，其中导电层264配置于半导体基板262上，且导电层264与导电阻障层256及粘着层240实体连接。另外，半导体基板262可为硅基板、砷化镓基板、磷化镓基板，但不限于此，其亦可为其他适当的基板。

然后，移除基板210、未掺杂半导体层230以及部分绝缘阻障层230，以暴露出第一型半导体层224，如图2G所示。在本实施例中，移除基板210、未掺杂半导体层230以及部分绝缘阻障层230的方式可以是选用雷射分离处理、研磨处理、湿式蚀刻、干式蚀刻处理或是其他适当的移除处理，此仅为举例说明，并不限于此。

接着，为了可使所制作出的垂直式发光二极管结构具有较佳的出光效益与品质，亦可在第一型半导体层的表面S2进行粗糙化处理，以于第一型半导体层224的表面S2上形成粗糙化的表面S2，如图2H所示。在本实施例中，粗糙化处理可以是选用湿式蚀刻、干式蚀刻处理或是其他适当的粗糙化处理，上述仅为举例说明，并不限于此。

接着，形成一电极层270于第一型半导体层224上，如图2I所示。在本实施例中，形成电极层270于第一型半导体层224的方式可以是使用金属氧化化学气相沉积法、溅镀法(sputtering)、蒸镀法(evaporation)或其他适当的处理。具体而言，可先在第一型半导体层224上全面形成一层或多层金属材料层(未显示)，接着，使用微影蚀刻处理以将金属材料层图案化为电极层270，如图2I所示。在本实施例中，电极层270可为单层或多层结构，且其材质可选用金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌、铬、铂等金属、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物、或上述组合的材质。本实施例以钛/金的叠层为例，但不限于此。至此便大致完成一种垂直式发光二极管结构的制作方法。

值得注意的是，图2A至图2I以位于开口232内的金属堆叠层250与绝缘阻障层230保持一间隙S1作为实施范例，但在其他可能的实施例中，亦可依据使用者的设计与需求，而使位于开口232内的金属堆叠层250与绝缘阻障层230实体接触，也就是无间隙S1。

综上所述，本发明的垂直式发光二极管结构及其制作方法至少具有下列优点。首先，通过将金属堆叠层堆叠于绝缘阻障层的开口内，并使反射层的周边被绝缘阻障层所遮挡，以及使反射层位于欧姆接触层与导电阻障层之间，如此一来便可有效地阻挡反射层的金属原子迁移，而使垂直式发光二极管结构具有较佳的光电表现效益。另外，由于金属堆叠层的厚度为大于绝缘阻障层于半导体堆叠层上的厚度，而反射层与欧姆接触层的厚度总和为小于等于绝缘阻障层于半导体堆叠层上的厚度，因此更可有效地阻挡反射层的金属原子迁移。

再者，由于绝缘阻障层于半导体堆叠层上的厚度较佳地可为大于等于0.3μm，如此可呈现出具有较佳的绝缘效果，以阻挡反射层的银原子向外迁移。此外，反射层的厚度实质上较佳地可介于0.15μm至0.5μm，如此将可表现出较佳的反光效益，而使垂直式发光二极管结构可提供较佳的出光效益，但又不会造成材料的浪费，从而可节省成本。

以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，不能以此限定本发明实施的范围，即凡依本发明申请专利范围及发明说明内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利涵盖的范围内。

Claims (17)

1.一种垂直式发光二极管结构，包括：

半导体堆叠层，包括第一型半导体层、主动层与第二型半导体层，该主动层位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；

绝缘阻障层，覆盖该半导体堆叠层并具有开口，且该开口暴露出该半导体堆叠层；以及

金属堆叠层，堆叠于该绝缘阻障层的该开口内而与该第二型半导体层实体连接，且该金属堆叠层包括欧姆接触层、反射层与导电阻障层，其中该反射层位于该欧姆接触层与该导电阻障层之间，且该欧姆接触层与该第二型半导体层实体连接。

2.根据权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其中该金属堆叠层的厚度大于该绝缘阻障层于该半导体堆叠层上的厚度，且该反射层与该欧姆接触层的厚度总和小于等于该绝缘阻障层于该半导体堆叠层上的厚度。

3.根据权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其中位于该开口内的该金属堆叠层与该绝缘阻障层实体接触。

4.根据权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其中位于该开口内的该金属堆叠层与该绝缘阻障层保持间隙。

5.根据权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其中该绝缘阻障层于该半导体堆叠层上的厚度大于等于0.3μm。

6.根据权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其中该反射层的厚度实质上介于0.15μm至0.5μm。

7.根据权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，其中该导电阻障层的厚度实质上大于等于1μm。

8.根据权利要求1所述的垂直式发光二极管结构，还包括粘着层，设置于该绝缘阻障层上。

9.根据权利要求8所述的垂直式发光二极管结构，其中该粘着层为导电粘着层，且该导电粘着层为单层或多层。

10.根据权利要求8所述的垂直式发光二极管结构，还包括导电基板，覆盖于该金属堆叠层上并与该导电阻障层及该粘着层实体连接。

11.一种垂直式发光二极管结构的制作方法，包括

形成未掺杂半导体层、第一型半导体层、主动层与第二型半导体层于基板上；

形成绝缘阻障层于该基板上，以覆盖该未掺杂半导体层、该第一型半导体层、该主动层与该第二型半导体层；

形成图案化粘着层于该第二型半导体层上方的部分该绝缘阻障层上；

图案化该绝缘阻障层，以形成暴露出该第二型半导体层的开口；

形成金属堆叠层于该开口所暴露的该第二型半导体层上；

覆盖导电基板于该金属堆叠层上，且该导电基板与该导电阻障层及该粘着层实体连接；

移除该基板、未掺杂半导体层以及部分该绝缘阻障层，以暴露出该第一型半导体层；以及

形成电极层于该第一型半导体层上。

12.根据权利要求11所述的垂直式发光二极管结构的制作方法，其中形成该金属堆叠层的方法包括：

依序堆叠欧姆接触层、反射层与导电阻障层于该开口所暴露的该第二型半导体层上。

13.根据权利要求11所述的垂直式发光二极管结构的制作方法，其中在形成该电极层于该第一型半导体层上的步骤之前，还包括：

粗糙化该第一型半导管层的表面。

14.根据权利要求11所述的垂直式发光二极管结构的制作方法，其中形成该金属堆叠层的厚度实质上大于形成该绝缘阻障层的厚度。

15.根据权利要求11所述的垂直式发光二极管结构的制作方法，其中该导电基板包括半导体基板与导电层，该导电层配置于该半导体基板上，且该导电层与该导电阻障层及该粘着层实体连接。

16.根据权利要求11所述的垂直式发光二极管结构的制作方法，其中位于该开口内的该金属堆叠层与该绝缘阻障层实管接触。

17.根据权利要求11所述的垂直式发光二极管结构的制作方法，其中位于该开口内的该金属堆叠层与该绝缘阻障层保持间隙。

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