CN214176057U - 一种led芯片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种LED芯片，所述LED芯片包括基板、外延层、第一电极结构、第二电极结构、反射层、第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层以及第一电极焊盘，其特征在于在反射层上依次形成第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层，且第二扩散阻挡层的反射率小于第一扩散阻挡层的反射率，第一扩散阻挡层的反射率小于反射层的反射率。一方面，在反射层上依次形成两层扩散阻挡层，有效地阻挡了反射层中的Ag向相邻层中迁移；另一方面，第二扩散阻挡层的反射率小于第一扩散阻挡层的反射率，第一扩散阻挡层的反射率小于反射层的反射率，进一步提高了LED芯片的光提取率，提高了LED芯片的亮度。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域，具体的，涉及一种LED芯片。
背景技术
LED由于具有发光效率高、寿命长、环保等优点，已经广泛应用在固态照明、显示、移动照明等领域。为了提高LED芯片的光提取率，目前常见的LED芯片结构是通过在电流阻挡层上制作周期性通孔结构，在此基础上形成一层反射层来实现。对于可见的光谱范围，Ag尤其适合作为用于反射膜层的材料，然而，Ag易受腐蚀，并且可能向相邻层中迁移，会影响器件的电学和化学属性，并破坏其功能性的LED特性。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型提出了一种LED芯片，在反射层上形成第一扩散阻挡层，接着在第一扩散阻挡层上形成第二扩散阻挡层，且第二扩散阻挡层的反射率小于第一扩散阻挡层的反射率，第一扩散阻挡层的反射率小于反射层的反射率。一方面，在反射层上依次形成两层扩散阻挡层，有效地阻挡了反射层中的Ag向相邻层中迁移；另一方面，第二扩散阻挡层的反射率小于第一扩散阻挡层的反射率，第一扩散阻挡层的反射率小于反射层的反射率，进一步提高了LED芯片的光提取率，提高了LED芯片的亮度。
为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提出了一种LED芯片，所述LED芯片包括：
基板，所述基板具有第一表面，以及与所述第一表面相对的第二表面；
外延层，形成在所述第一表面上方，所述外延层在所述第一表面上方形成周期性的凸起结构，所述凸起结构包括依次排列在所述第一表面上方的第一半导体层、有源层及部分第二半导体层；
第一电极结构，形成在所述凸起结构的第一半导体层的表面；
反射层，位于第一电极结构和所述基板之间，通过所述第一电极结构与所述第一半导体层电性连接；
第一扩散阻挡层，位于所述反射层和所述基板之间的，并且所述第一扩散阻挡层包绕所述反射层；
第二扩散阻挡层，位于第一扩散阻挡层和所述基板之间，并且所述第二扩散阻挡层至少部分覆盖所述第一扩散阻挡层；
第一电极焊盘，形成在所述基板第一表面的上方，所述第二扩散阻挡层同时形成在所述第一焊盘和所述基板之间，并且所述第一电极焊盘通过所述第二扩散阻挡层与所述第一半导体层连通；
第二电极结构，形成在所述第二半导体层和所述基板之间，所述第二电极结构延伸至所述凸起结构之间与所述第二半导体层连接。
可选的，所述第一电极结构还包括透明电极层，所述透明电极层形成在所述凸起结构的第一半导体层的表面，并与所述反射层连接。
可选的，所述LED芯片还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层形成在所述凸起结构除所述第一电极结构之外的表面及侧壁上，以及所述凸起结构之间的所述第二半导体层表面，所述反射层在所述电流阻挡层中形成贯通结构。
可选的，所述LED芯片还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第二扩散阻挡层和所述第二电极结构之间，以及所述电流阻挡层和所述第二电极结构之间。
可选的，所述电流阻挡层和所述第一半导体层之间还形成有透明电极层，所述透明电极层与所述反射层连接。
可选的，所述基板与所述第二电极结构之间还形成有键合层。
可选的，所述基板为导电基板，所述基板的第二表面形成有第二电极焊盘。
可选的，所述基板为绝缘基板，所述外延层的第二半导体层表面形成有第二电极焊盘。
可选的，所述反射层的反射率大于所述第一扩散阻挡层的反射率，所述第一扩散阻挡层的反射率大于所述第二扩散阻挡层的反射率。
可选的，所述反射层的材料为Ag或含Ag的合金。
可选的，所述反射层的厚度介于120nm～150nm。
可选的，所述第一扩散阻挡层的材料为TiW，所述第二扩散阻挡层的材料为Ti、Pt、Au、Cr或它们的复合结构。
可选的，所述第一扩散阻挡层的厚度介于40nm～60nm，所述第二扩散阻挡层的厚度介于490nm～510nm。
可选的，所述电流阻挡层中设置有多个通孔，所述通孔的孔径介于3μm～7μm，所述反射层在所述电通孔中形成所述贯通结构。
可选的，所述外延层中第二半导体层背离有源层的一面具有粗化结构。
可选的，所述LED芯片还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层形成在所述外延层和所述第一电极焊盘的侧壁，以及所述电流阻挡层背离所述基板的表面。
本实用新型的一种LED芯片，至少具有以下有益效果：
在反射层上形成第一扩散阻挡层，接着在第一扩散阻挡层上形成第二扩散阻挡层，两层扩散阻挡层有效地阻挡了反射层中的Ag向相邻层中迁移，防止LED的特性被破坏；此外，第二扩散阻挡层的反射率小于第一扩散阻挡层的反射率，第一扩散阻挡层的反射率小于反射层的反射率，进一步提高了LED芯片的光提取率，提高了LED芯片的亮度。
附图说明
图1显示为实施例一提供的LED芯片的结构示意图。
图2显示为图1中圆圈A所圈出结构的示意图。
图3显示为实施例一提供的LED芯片制作流程图。
图4显示为实施例一步骤S1形成的外延结构示意图。
图5显示为实施例一步骤S2形成的结构示意图。
图6显示为实施例一步骤S3形成的结构示意图。
图7显示为实施例一步骤S4形成的结构示意图。
图8显示为实施例一步骤S5形成的结构示意图。
图9显示为实施例二提供的LED芯片的局部图。
图10显示为实施例三提供的LED芯片的结构示意图。
元件标号说明
0 衬底 8 第一电极结构
1 基板 9 电流阻挡层
1001 基板的第一表面 90 通孔
1002 基板的第二表面 10 外延层
2 第二电极焊盘 100 凸起结构
3 键合层 101 第一半导体层
4 第二电极结构 102 有源层
5 绝缘层 103 第二半导体层
61 第一扩散阻挡层 11 第一电极焊盘
62 第二扩散阻挡层 12 绝缘保护层
7 反射层 A 圆圈A
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其它优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，虽图示中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
本实施例提供了一种LED芯片，如图1所示，所述LED芯片包括：基板1，所述基板具有第一表面1001，以及与所述第一表面相对的第二表面1002；外延层10，形成在所述第一表面1001上方，所述外延层10在所述第一表面1001上方形成周期性的凸起结构100，所述凸起结构100包括依次排列在所述第一表面上方的第一半导体层101、有源层102及部分第二半导体层103；第一电极结构8，形成在所述凸起结构100的第一半导体层101的表面；反射层7，位于第一电极结构和所述基板1之间，通过第一电极结构8与第一半导体层101电性连接；第一扩散阻挡层61，位于所述反射层7和所述基板1之间，并且所述第一扩散阻挡层61包绕所述反射层7；第二扩散阻挡层62，位于第一扩散阻挡层61和所述基板1之间，并且所述第二扩散阻挡层62至少部分覆盖所述第一扩散阻挡层61；第一电极焊盘11，形成在所述基板第一表面1001的上方，所述第二扩散阻挡层62同时形成在所述第一电极焊盘11和所述基板1之间，并且第一电极焊盘11通过所述第二扩散阻挡层62与所述第一半导体层101连通；第二电极结构4，形成在所述第二半导体层103和所述基板1之间，所述第二电极结构4延伸至所述凸起结构100之间与所述第二半导体层103连接。
作为示例，所述外延层10为氮化镓基外延层，形成在所述第一表面1001上方，所述外延层10在所述第一表面1001上方形成周期性的凸起结构100，所述凸起结构100包括依次排列在所述第一表面上方的第一半导体层101、有源层102及部分第二半导体层103。所述第一半导体层101为p型掺杂，例如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的p型掺杂物；所述第二半导体层103为n型掺杂，例如Si、Ge、或者Sn的n型掺杂物；所述有源层102为能够提供光辐射的材料，可以是单量子阱层或多量子阱层，在本实施例中，所述有源层102为多量子阱层。
作为示例，所述第一电极结构8形成在所述凸起结构100的第一半导体层101的表面，所述第一电极结构8包括透明导电层，所述透明导电层的材料可以选自ITO、WO3、IWO中的一种或几种，在本实施例中，所述透明导电层的材料为ITO。虽然未示出，但是可以理解的是，第一电极结构8还可以包括欧姆接触层等结构。
作为示例，所述反射层7位于第一电极结构8和所述基板1之间，与所述第一半导体层101连接。所述反射层7的材料可以是Al、Ti、Ni、Ag或其合金，厚度介于120nm～150nm，优选为150nm。优选的，所述反射层7的材料为Ag或含Ag的合金，Ag的反射率高，有利于提高芯片的出光效率。
作为示例，所述第一扩散阻挡层61位于所述反射层7和所述基板1之间，并且所述第一扩散阻挡层61包绕所述反射层7，即，如图2所示，第一扩散阻挡层61形成在反射层7的表面及两边的侧壁上包绕反射层7，防止反射层7中的Ag向相邻层中迁移。所述第一扩散阻挡层61的反射率小于所述反射层7的反射率，优选的，所述第一扩散阻挡层61的材料为TiW，第一扩散阻挡层61的厚度介于40nm～60nm，优选为50nm。
作为示例，所述第二扩散阻挡层62位于所述第一扩散阻挡层61和所述基板1之间，如图2所示，在本实施例中，所述第二扩散阻挡层62覆盖所述第一扩散阻挡层61，即，第二扩散阻挡层62形成在第一扩散阻挡层61的表面及两边的侧壁上覆盖第一扩散阻挡层61，进一步阻挡了所述反射层7中的Ag向相邻层中迁移。所述第二扩散阻挡层62的材料可以是Ti、Pt、Au、Cr或它们的复合结构，所述第二扩散阻挡层62的反射率小于所述第一扩散阻挡层61的反射率，有利于提高LED芯片的出光率。第二扩散阻挡层62的厚度介于490nm～510nm，优选为500nm。
作为示例，所述第一电极焊盘11形成在所述基板第一表面1001的上方。本实施例中，如图1所示，第二扩散阻挡层62同时形成在第一电极焊盘的下方，使得第一电极焊盘通过所述第二扩散阻挡层62与所述第一半导体层101连通。
作为示例，所述第二电极结构4形成在所述第二半导体层103和所述基板1之间，所述第二电极结构4延伸至所述凸起结构100之间与所述第二半导体层103连接。
作为示例，所述LED芯片还包括电流阻挡层9，所述电流阻挡层9形成在所述凸起结构100除所述第一电极结构8之外的表面及侧壁上，以及所述凸起结构100之间的所述第二半导体层103表面。第二电极结构4在相邻凸起结构100之间贯穿部分电流阻挡层，与第二半导体层连接。
如图2所示，形成在所述第一电极结构8的表面的所述电流阻挡层9具有多个通孔90，反射层同时形成在该通孔90中在所述电流阻挡层9中形成贯通结构，以连接第一电极结构8。所述电流阻挡层9可以使电流仅在所述通孔90中通过，有利于控制注入电流，提升电流扩展的均匀性，所述通孔90的孔径介于2μm～7μm，优选的，通孔90的孔径为5μm。所述电流阻挡层9的材料可以选自SiO2、Si3N4、SiC中的一种或几种，在本实施例中，所述电流阻挡层9为SiO2绝缘材料。所述电流阻挡层9的厚度范围介于300nm～450nm。
作为示例，所述LED芯片还包括绝缘层5，所述绝缘层5位于所述第二扩散阻挡层62和所述第二电极结构4之间，以及所述电流阻挡层9和所述第二电极结构4之间，使得第一电极结构和第二电极结构相互绝缘。所述绝缘层5可以是氧化物层、氮化物层、氧化硅层、氮化硅层或氮氧化硅层，在本实施例中，所述绝缘层5为氮化硅层。
作为示例，所述基板1与所述第二电极结构4之间还形成有键合层3。键合层3形成在第二电极结构的表面并且填充相邻凸起结构100之间的空隙，形成平面结构。键合层3与基板1相互键合。所述键合层3可以是单层结构也可以是多层结构。例如可以是包括依次层叠的Ti层、Ni层和Sn层的多层结构。
作为示例，所述基板1为导电基板，所述基板的第二表面1002形成有金属镀层，该金属镀层形成LED芯片的第二电极焊盘2，通过基板1和键合层3与第二电极结构连通。所述第二电极焊盘2也可以是多层结构，例如依次包括Ti层、Ni层、Pt层、Au层和Sn层的多层结构。
作为示例，所述LED芯片还包括绝缘保护层12，所述绝缘保护层12形成在所述LED芯片的表面上，具体来说，绝缘保护层12附着于电流阻挡层9背离基板1的表面、外延层10的侧壁及第一电极焊盘11的侧壁，从而露出第一电极焊盘11和第二半导体层103背离基板1的表面。所述绝缘保护层12可以是SiO2、SiNx、SiON或者它们的复合结构，在本实施例中，所述绝缘保护层12为SiNx，所述绝缘保护层12设置于所述LED芯片除所述第一电极焊盘11和所述第二电极焊盘2之外的表面上，大大提高了LED芯片的可靠性。
本实施例还提供了上述LED芯片的制作方法，如图3所示，所述LED芯片的制作方法包括以下步骤：
步骤S1：提供一衬底，在所述衬底表面生长外延层；
作为示例，如图4所示，提供一衬底0，所述衬底0可以是蓝宝石衬底或者SiC衬底，经过酸清洗及有机清洗去除表面金属氧化物及有机杂质，对所述衬底0图案化，并依次生长所述第二半导体层103、有源层102、和第一半导体层101。
作为示例，所述外延层10为氮化镓基外延层，所述第一半导体层101为p-GaN，所述第二半导体层103为n-GaN，所述有源层102为多量子阱层。
步骤S2：对所述外延层进行刻蚀，停止在部分N型半导体层，在外延层中形成周期排布的凸起结构，在所述凸起结构的第一半导体层表面形成第一电极结构；
作为示例，在第一半导体层上方形成图案化的掩膜层，如图5所示，在掩膜层的作用下，采用干法刻蚀对所述第一半导体层101、有源层102以及部分所述第二半导体层103，在外延层中形成周期排列的凸起结构100。
形成所述凸起结构100之后，作为示例，采用蒸镀、溅射、离子辅助蒸镀等沉积方式在在所述凸起结构100的第一半导体层表面制备形成第一电极结构8。所述第一电极结构8包括透明导电层，所述透明导电层的材料可以选自ITO、WO3、IWO中的一种或几种，在本实施例中，所述透明导电层的材料为ITO。虽然未示出，但是可以理解的是，第一电极结构8还可以包括欧姆接触层等结构。
步骤S3：在所述外延层表面形成电流阻挡层；
作为示例，采用等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等沉积方式，经过沉积、刻蚀在所述外延层10背离所述衬底0的一面形成所述电流阻挡层9，如图6所示。所述电流阻挡层9的材料可以选自SiO2、Si3N4、SiC中的一种或几种，在本实施例中，所述电流阻挡层9为SiO2绝缘材料。所述电流阻挡层9的厚度范围介于300nm～450nm。
步骤S4：在所述电流阻挡层上方依次形成反射层、第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层、绝缘层、第二电极结构及键合层；
作为示例，首先采用光刻工艺，旋涂光刻胶后采用湿法刻蚀在所述电流阻挡层9覆盖所述透明导电层8的区域制备多个间隔设置的通孔90，所述通孔90的孔径介于2μm～7μm，优选的，通孔90的孔径为5μm。
作为示例，在形成所述第一扩散阻挡层61之前，如图7所示，在所述电流阻挡层9上蒸镀形成反射层7，所述反射层7填充所述通孔90。所述反射层7的材料可以是Al、Ti、Ni、Ag或其合金，优选的，所述反射层7的材料为反射率较高的Ag或含Ag的合金。
接着，采用蒸发或溅射的方式在上述结构表面形成第一扩散阻挡层61和第二扩散阻挡层62。所述第一扩散阻挡层61包覆所述反射层7，所述第二扩散阻挡层62包覆所述第一扩散阻挡层61，有效防止所述反射层7中的Ag向相邻层中迁移，第一扩散阻挡层61的厚度介于40nm～60nm，优选为50nm，第二扩散阻挡层62的厚度介于490nm～510nm，优选为500nm；并且，所述第一扩散阻挡层61的反射率大于所述第二扩散阻挡层62的反射率，小于所述反射层7的反射率，有利于提高LED芯片的出光率，所述第一扩散阻挡层61的材料可以是TiW，所述第二扩散阻挡层62的材料可以是Ti、Pt、Au、Cr或它们的复合结构。
接着，在上述结构表面形成绝缘层5，所述绝缘层5可以是氧化物层、氮化物层、氧化硅层、氮化硅层或氮氧化硅层，在本实施例中，所述绝缘层5为氮化硅层。
最后，在上述结构表面形成第二电极结构4及键合层3。作为示例，首先刻蚀凸起结构100之间的绝缘层和电流阻挡层，至暴露出所述第二半导体层103，再沉积金属层形成所述第二电极结构4。在所述第二电极结构4的表面形成键合层3，所述键合层3填充相邻凸起结构100之间的空隙，形成平面结构。所述键合层3可以是单层结构也可以是多层结构，例如可以是包括依次层叠的Ti层、Ni层和Sn层的多层结构。
步骤S5：键合基板，在所述基板的第一表面形成第二电极焊盘；
如图8所示，通过所述键合层3键合所述基板1，键合方式可以为熔融键合或共晶键合。
作为示例，所述基板1为导电基板，所述基板的第二表面1002形成有金属镀层，该金属镀层形成LED芯片的第二电极焊盘2，通过基板1和键合层3与第二电极结构连通。所述第二电极焊盘2也可以是多层结构，例如依次包括Ti层、Ni层、Pt层、Au层和Sn层的多层结构。
步骤S6：去除生长衬底，刻蚀部分外延结构。
作为示例，采用激光剥离方法去除生长衬底0，刻蚀部分外延结构，使所述第二半导体层103朝上，去除部分外延结构后，暴露出部分第二扩散阻挡层62，并在其表面形成第一电极焊盘11，使所述第一电极焊盘11与所述电流阻挡层9电连接。
接着，在表面沉积一层绝缘保护层12，所述绝缘保护层12设置于所述LED芯片除所述第一电极焊盘11和所述第二电极焊盘2之外的表面上，所述绝缘保护层12可以是SiO2、Si3N4、SiON或者它们的复合结构，在本实施例中，所述绝缘保护层12为SiNx。
最后，可以选择干法刻蚀或湿法化学腐蚀方法对所述第二半导体层103进行粗化处理，形成图1所示的LED芯片。
在本实施例提供的LED芯片中，扩散阻挡层由两层不同的材料制成，在反射层上依次形成第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层，且第二扩散阻挡层的反射率小于第一扩散阻挡层的反射率，第一扩散阻挡层的反射率小于反射层的反射率。一方面，在反射层上依次形成两层扩散阻挡层，有效地阻挡了反射层中的Ag向相邻层中迁移；另一方面，第二扩散阻挡层的反射率小于第一扩散阻挡层的反射率，第一扩散阻挡层的反射率小于反射层的反射率，进一步提高了LED芯片的光提取率，提高了LED芯片的亮度。
实施例二
本实施例同样提供一种LED芯片，所述LED芯片包括：基板1，所述基板具有第一表面1001，以及与所述第一表面相对的第二表面1002；外延层10，形成在所述第一表面1001上方，所述外延层10在所述第一表面1001上方形成周期性的凸起结构100，所述凸起结构100包括依次排列在所述第一表面上方的第一半导体层101、有源层102及部分第二半导体层103；第一电极结构，形成在所述凸起结构100的第一半导体层101的表面；反射层7，位于第一电极结构和所述基板1之间，通过第一电极结构8与第一半导体层101电性连接；第一扩散阻挡层61，位于所述反射层7和所述基板1之间，并且所述第一扩散阻挡层61包绕所述反射层7；第二扩散阻挡层62，位于第一扩散阻挡层61和所述基板1之间，并且所述第二扩散阻挡层62至少部分覆盖所述第一扩散阻挡层61；第一电极焊盘11，形成在所述基板第一表面1001的上方，所述第二扩散阻挡层62同时形成在所述第一电极焊盘11和所述基板1之间，并且第一电极焊盘11通过所述第二扩散阻挡层62与所述第一半导体层101连通；第二电极结构4，形成在所述第二半导体层103和所述基板1之间，所述第二电极结构4延伸至所述凸起结构100之间与所述第二半导体层103连接。
本实施例的LED芯片与实施例一的LED芯片的相同之处，在此不再赘述。不同之处在于，如图9所示，所述扩散阻挡层中的第二扩散阻挡层62部分包覆第一扩散阻挡层61，即第一扩散阻挡层61除了与实施例一所述的电流阻挡层9、反射层7、第二扩散阻挡层62相连接外，还与所述绝缘层5相连接。在本实施例提供的LED芯片中，扩散阻挡层同样由两层不同的材料制成，且第二扩散阻挡层的反射率小于第一扩散阻挡层的反射率，第一扩散阻挡层的反射率小于反射层的反射率，有效地阻挡了反射层中的Ag向相邻层中迁移，同时也提高了LED芯片的光提取率，提高了LED芯片的亮度。
实施例三
本实施例同样提供一种LED芯片，所述LED芯片包括：基板1，所述基板具有第一表面1001，以及与所述第一表面相对的第二表面1002；外延层10，形成在所述第一表面1001上方，所述外延层10在所述第一表面1001上方形成周期性的凸起结构100，所述凸起结构100包括依次排列在所述第一表面上方的第一半导体层101、有源层102及部分第二半导体层103；第一电极结构，形成在所述凸起结构100的第一半导体层101的表面；反射层7，位于第一电极结构和所述基板1之间，通过第一电极结构8与第一半导体层101电性连接；第一扩散阻挡层61，位于所述反射层7和所述基板1之间，并且所述第一扩散阻挡层61包绕所述反射层7；第二扩散阻挡层62，位于第一扩散阻挡层61和所述基板1之间，并且所述第二扩散阻挡层62至少部分覆盖所述第一扩散阻挡层61；第一电极焊盘11，形成在所述基板第一表面1001的上方，所述第二扩散阻挡层62同时形成在所述第一电极焊盘11和所述基板1之间，并且第一电极焊盘11通过所述第二扩散阻挡层62与所述第一半导体层101连通；第二电极结构4，形成在所述第二半导体层103和所述基板1之间，所述第二电极结构4延伸至所述凸起结构100之间与所述第二半导体层103连接。
本实施例的LED芯片与实施例一的LED芯片的相同之处，在此不再赘述。不同之处在于，所述基板1为绝缘基板，此时第二电极焊盘2形成在基板第一表面1001上方，即，与第一电极焊盘11形成在所述基板的同侧，如图10所示，第二扩散阻挡层62同时形成在第二电极焊盘2的下方，使得第二电极焊盘通过所述第二扩散阻挡层与所述第一半导体层101连通。绝缘保护层12除了形成在电流阻挡层9背离基板1的表面、外延层10的侧壁及第一电极焊盘11的侧壁之外，还形成在第二电极焊盘2的侧壁处，从而露出第一电极焊盘11和第二电极焊盘2背离基板1的表面。本实施例提供的LED芯片同样可以有效阻挡反射层中的Ag向相邻层中迁移，同时提高LED芯片的光提取率，提高了LED芯片的亮度。
图10所示的LED芯片的第一扩散阻挡层61和第二扩散阻挡层62的位置关系与实施例一所示的相同，应该理解的是，二者的位置关系同样可以与实施例二所示的相同。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
Claims (15)
1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：
基板，所述基板具有第一表面，以及与所述第一表面相对的第二表面；
外延层，形成在所述第一表面上方，所述外延层在所述第一表面上方形成周期性的凸起结构，所述凸起结构包括依次排列在所述第一表面上方的第一半导体层、有源层及部分第二半导体层；
第一电极结构，形成在所述凸起结构的第一半导体层的表面；
反射层，位于第一电极结构和所述基板之间，通过所述第一电极结构与所述第一半导体层电性连接；
第一扩散阻挡层，位于所述反射层和所述基板之间，并且所述第一扩散阻挡层包绕所述反射层；
第二扩散阻挡层，位于第一扩散阻挡层和所述基板之间，并且所述第二扩散阻挡层至少部分覆盖所述第一扩散阻挡层；
第一电极焊盘，形成在所述基板第一表面的上方，所述第二扩散阻挡层同时形成在所述第一电极焊盘和所述基板之间，并且所述第一电极焊盘通过所述第二扩散阻挡层与所述第一半导体层连通；
第二电极结构，形成在所述第二半导体层和所述基板之间，所述第二电极结构延伸至所述凸起结构之间与所述第二半导体层连接。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极结构还包括透明电极层，所述透明电极层形成在所述凸起结构的第一半导体层的表面，并与所述反射层连接。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层形成在所述凸起结构除所述第一电极结构之外的表面及侧壁上，以及所述凸起结构之间的所述第二半导体层表面，所述反射层在所述电流阻挡层中形成贯通结构。
4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第二扩散阻挡层和所述第二电极结构之间，以及所述电流阻挡层和所述第二电极结构之间。
5.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层和所述第一半导体层之间还形成有透明电极层，所述透明电极层与所述反射层连接。
6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述基板与所述第二电极结构之间还形成有键合层。
7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述基板为导电基板，所述基板的第二表面形成有第二电极焊盘。
8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述基板为绝缘基板，所述外延层的第二半导体层表面形成有第二电极焊盘。
9.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述反射层的反射率大于所述第一扩散阻挡层的反射率，所述第一扩散阻挡层的反射率大于所述第二扩散阻挡层的反射率。
10.根据权利要求1或9所述的LED芯片，其特征在于，所述反射层的材料为Ag或含Ag的合金。
11.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述反射层的厚度介于120nm～150nm。
12.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一扩散阻挡层的厚度介于40nm～60nm，所述第二扩散阻挡层的厚度介于490nm～510nm。
13.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层中设置有多个通孔，所述通孔的孔径介于3μm～7μm，所述反射层在所述通孔中形成所述贯通结构。
14.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延层中第二半导体层背离有源层的一面具有粗化结构。
15.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层形成在所述外延层和所述第一电极焊盘的侧壁，以及所述电流阻挡层背离所述基板的表面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202023217520.8U CN214176057U (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 一种led芯片 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202023217520.8U CN214176057U (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 一种led芯片 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| CN214176057U true CN214176057U (zh) | 2021-09-10 |
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ID=77609656
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| CN202023217520.8U Active CN214176057U (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 一种led芯片 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN214176057U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024087087A1 (zh) * | 2022-10-27 | 2024-05-02 | 厦门三安光电有限公司 | 发光二极管及发光装置 |
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2020
- 2020-12-28 CN CN202023217520.8U patent/CN214176057U/zh active Active
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