CN108365056A - 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 - Google Patents
一种垂直结构发光二极管及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108365056A CN108365056A CN201711460134.1A CN201711460134A CN108365056A CN 108365056 A CN108365056 A CN 108365056A CN 201711460134 A CN201711460134 A CN 201711460134A CN 108365056 A CN108365056 A CN 108365056A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- gallium nitride
- nitride layer
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 207
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 11
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015269 MoCu Inorganic materials 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种垂直结构发光二极管及其制造方法，在生长衬底上形成掺杂氮化镓层，在掺杂氮化镓层上形成N型氮化镓层，在N型氮化镓层上形成多量子阱层，在多量子阱层上形成P型氮化镓层，在外延层上形成功能层，去除生长衬底，并将键合衬底与功能层键合，刻蚀掺杂氮化镓层，暴露出N型氮化镓层，并对暴露出的N型氮化镓层进行表面粗化处理，在N型氮化镓层上形成多层结构N型电极，该N型电极的顶层材质为Al。本发明在N型电极的顶层电极层采用铝材质，增强了LED晶片与荧光粉之间的粘附力，改善了荧光粉脱落的问题，减少了异常，提高了产品品质。
Description
技术领域
本发明涉及一种垂直结构发光二极管及其制造方法。
背景技术
LED芯片是一种固态的半导体发光器件，也称为LED发光二极管、LED芯片二极管、LED发光芯片，具有能耗低，体积小、寿命长，稳定性好，响应快，发光波长稳定等光电性能特点，是LED灯的核心组件，目前已经在照明、家电、显示屏、指示灯等领域有广范的应用。其主要功能是可以直接将电能转化为光能，LED芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一部分是N型半导体，在其中主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。
LED芯片有两种基本结构，横向结构（Lateral）和垂直结构（Vertical）。横向结构LED芯片的两个电极位于LED芯片的同一侧，电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极位于LED外延层的两侧，由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，减少了横向流动的电流，可以改善横向结构的电流分布问题，提高发光效率，也可以解决P极的遮光问题，提升LED的发光面积。基垂直结构LED具有散热好，能够承载大电流，发光强度高，耗电量小、寿命长等优点，在通用照明、景观照明、特种照明、汽车照明中被广泛应用。GaN基垂直结构LED是半导体器件的研究热点。
如图1所示，是典型的垂直结构LED晶片的结构示意图，衬底1上设置有功能层2，功能层上设置有外延层。功能层包含设置在衬底1上的阻挡层（Barrier）201，设置在阻挡层201上的反射层（REF）202，以及设置在反射层202上的欧姆接触层（ITO）203。外延层包含设置在欧姆接触层203上的P型氮化镓层（P-GaN）3，设置在P型氮化镓层3上的多量子阱层（MQW）4，以及设置在多量子阱层4上的N型氮化镓层（N-GaN）5。N型电极（N-Pad）6设置在N型氮化镓层5上。
N型电极结构一般采用金属或合金材料，可以设置为多层结构，最上层采用贵金属金（Au）。在白光封装工艺中，在LED晶片上涂布荧光粉需要使用硅胶（一种有机硅），有机硅与Au金属的黏附性较差，在后续工艺中易发生荧光粉涂层脱落的情况，降低了产品品质。
发明内容
本发明提供一种垂直结构发光二极管及其制造方法，增强了LED晶片与荧光粉之间的粘附力，改善了荧光粉脱落的问题，减少了异常，提高了产品品质。
为了达到上述目的，本发明提供一种垂直结构发光二极管制造方法，包含以下步骤：
步骤S1、在生长衬底上形成外延层；
外延层包含形成在生长衬底的掺杂氮化镓层，形成在掺杂氮化镓层上的N型氮化镓层，形成在N型氮化镓层上的多量子阱层，以及形成在多量子阱层上的P型氮化镓层；
步骤S2、在外延层上形成功能层；
步骤S3、去除生长衬底，并将键合衬底与功能层键合；
步骤S4、刻蚀掺杂氮化镓层，暴露出N型氮化镓层，并对暴露出的N型氮化镓层进行表面粗化处理；
步骤S5、在N型氮化镓层上形成多层结构N型电极，该N型电极的顶层材质为Al。
所述的形成多层结构N型电极的方法包含：
在N型氮化镓层上形成第一电极层，第一电极层的材质是Cr；
在第一电极层上形成第二电极层，第二电极层是金属Ti和金属Pt的叠层结构；
在第二电极层上形成第三电极层，第三电极层的材质是Au；
以及在第三电极层上形成顶层电极层，顶层电极层的材质是Al。
所述的顶层电极层的厚度为5～200Å，蒸镀速率为5～15 Å /S。
所述的形成功能层的方法包含：
在P型氮化镓层上形成欧姆接触层；
在欧姆接触层上形成反射层；
以及在反射层上形成阻挡层。
本发明还提供一种垂直结构发光二极管，包含：
键合衬底；
位于键合衬底上的功能层；
位于功能层上的外延层，该外延层包含位于功能层上的P型氮化镓层，位于P型氮化镓层上的多量子阱层，以及位于多量子阱层上的N型氮化镓层；
位于外延层上的多层结构N型电极，该N型电极的顶层材质为Al。
所述的功能层包含：
位于键合衬底上的阻挡层；
位于阻挡层上的反射层；
以及位于反射层上的欧姆接触层。
所述的N型电极包含：
位于N型氮化镓层上的第一电极层，第一电极层的材质是Cr；
位于第一电极层上的第二电极层，第二电极层是金属Ti和金属Pt的叠层结构；
位于第二电极层上的第三电极层，第三电极层的材质是Au；
以及位于第三电极层上的顶层电极层，顶层电极层的材质是Al。
所述的顶层电极层的厚度为5～200Å，蒸镀速率为5～15 Å /S。
本发明在N型电极的顶层电极层采用铝材质，增强了LED晶片与荧光粉之间的粘附力，改善了荧光粉脱落的问题，减少了异常，提高了产品品质。
附图说明
图1是背景技术中垂直结构LED的结构示意图。
图2是本发明提供的一种垂直结构发光二极管制造方法的流程图。
图3是本发明实施例中形成外延层的示意图。
图4是本发明实施例中提供的一种垂直结构发光二极管的结构示意图。
图5是本发明中N型电极的结构示意图。
具体实施方式
以下根据图2～图5，具体说明本发明的较佳实施例。
如图2所示，本发明提供一种垂直结构发光二极管制造方法，包含以下步骤：
步骤S1、在生长衬底8上形成外延层；
外延层包含形成在生长衬底8的掺杂氮化镓层9，形成在掺杂氮化镓层9上的N型氮化镓层5，形成在N型氮化镓层5上的多量子阱层4，以及形成在多量子阱层4上的P型氮化镓层3；
步骤S2、在外延层上形成功能层；
功能层包含形成在P型氮化镓层3上的欧姆接触层203，形成在欧姆接触层203上的反射层202，以及形成在反射层202上的阻挡层201；
步骤S3、去除生长衬底8，并将键合衬底1与功能层键合；
步骤S4、刻蚀掺杂氮化镓层9，暴露出N型氮化镓层5，并对暴露出的N型氮化镓层5进行表面粗化处理；
步骤S5、在N型氮化镓层5上形成多层结构N型电极6，该N型电极6的顶层电极层604的材质为铝（Al）。
进一步地，该顶层电极层604的厚度为5～200Å，蒸镀速率为5～15埃/秒（Å /S）。
在本发明的一个实施例中，如图3所示，首先提供一生长衬底8，生长衬底8 可以为蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底或图形化衬底。在该生长衬底8上形成外延层。采用MOCVD金属有机气相沉积/MBE分子束外延等生长方法在生长衬底8上依次形成掺杂氮化镓层9、N型氮化镓层5、多量子阱层4和P型氮化镓层3。
在P型氮化镓层3上形成功能层2。首先，在P型氮化镓层3上形成欧姆接触层203，欧姆接触层203的材料包含氧化铟锡（ITO）、氧化锌（ZnO）或掺铝氧化锌（AZO）等低电阻，高透光率的氧化物，可以通过溅射（Sputter）方式或者等离子辅助沉积（RPD）方式形成。继续在欧姆接触层203上形成反射层202，反射层202的材料包含银（Ag）、铝（Al）或铑（Rh）等高反射率金属。最后在欧姆接触层203上形成阻挡层201，所述阻挡层201的材料包含氧化硅（SiO2）、氧化铝（Al2O3）或氮化硅（SiN），可以通过CVD工艺进行沉积，然后经过光刻刻蚀工艺之后得到具有所需图形的阻挡层201。
提供一键合衬底1，键合衬底1的材质为Si、Cu 或MoCu 等导电且散热良好的衬底，将该键合衬底1与阻挡层201键合，并去除生长衬底8，可以采用激光剥离或化学剥离去除所述生长衬底8。
对掺杂氮化镓层9进行整面刻蚀或者图形化刻蚀，暴露出N型氮化镓层5。对暴露出的N型氮化镓层5进行表面粗化处理，增加N型氮化镓层5的表面积，进而增加出光的面积，从而提高垂直型LED 芯片结构的出光效率。这一粗化过程可以利用湿法刻蚀来完成，例如使用的刻蚀液可以是氢氧化钾（KOH）溶液、硫酸（H2SO4）溶液等。
在N型氮化镓层5上，采用电子枪蒸发金属镀膜机通过蒸镀工艺在N型氮化镓层5上形成N型电极6，N型电极6的上表面高于N型氮化镓层5的粗糙上表面以暴露出所述N型电极6。
N型电极6可以为多层结构，每层由不同的金属构成。如图5所示，在本实施例中，首先蒸镀第一电极层601，第一电极层601的材质是铬（Cr），接着在第一电极层601上蒸镀第二电极层602，第二电极层602是金属钛（Ti）和金属铂（Pt）的叠层结构，在该叠层结构中，可以交叠设置多层金属钛和金属铂，继续在第二电极层602上蒸镀第三电极层603，第三电极层603的材质是金（Au），最后在第三电极层603上蒸镀顶层电极层604，顶层电极层604的材质是铝（Al），Al层的蒸镀速率为100Å /S，厚度为10 Å。金属铝增强了LED晶片与荧光粉之间的粘附力，改善了荧光粉脱落的问题，减少了异常，提高了产品品质。
如图4所示，采用上述制造方法获得的垂直结构发光二极管的结构包含：
键合衬底1；
位于键合衬底1上的功能层2，该功能层进一步包含位于键合衬底1上的阻挡层201，位于阻挡层201上的反射层202，以及位于反射层202上的欧姆接触层203；
位于功能层2上的外延层，该外延层进一步包含位于欧姆接触层203上的P型氮化镓层3，位于P型氮化镓层3上的多量子阱层4，以及位于多量子阱层4上的N型氮化镓层5；
位于外延层上的N型电极6，该N型电极进一步包含位于N型氮化镓层5上的第一电极层601，位于第一电极层601上的第二电极层602，位于第二电极层602上的第三电极层603，以及位于第三电极层603上的顶层电极层604，第一电极层601的材质是铬（Cr），第二电极层602是金属Ti和金属Pt的叠层结构，第三电极层603的材质是金（Au），顶层电极层604的材质是铝（Al）。
本发明在N型电极的顶层电极层采用铝材质，增强了LED晶片与荧光粉之间的粘附力，改善了荧光粉脱落的问题，减少了异常，提高了产品品质。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (8)
1.一种垂直结构发光二极管制造方法，其特征在于，包含以下步骤：
步骤S1、在生长衬底上形成外延层；
外延层包含形成在生长衬底的掺杂氮化镓层，形成在掺杂氮化镓层上的N型氮化镓层，形成在N型氮化镓层上的多量子阱层，以及形成在多量子阱层上的P型氮化镓层；
步骤S2、在外延层上形成功能层；
步骤S3、去除生长衬底，并将键合衬底与功能层键合；
步骤S4、刻蚀掺杂氮化镓层，暴露出N型氮化镓层，并对暴露出的N型氮化镓层进行表面粗化处理；
步骤S5、在N型氮化镓层上形成多层结构N型电极，该N型电极的顶层材质为Al。
2.如权利要求1所述的垂直结构发光二极管制造方法，其特征在于，所述的形成多层结构N型电极的方法包含：
在N型氮化镓层上形成第一电极层，第一电极层的材质是Cr；
在第一电极层上形成第二电极层，第二电极层是金属Ti和金属Pt的叠层结构；
在第二电极层上形成第三电极层，第三电极层的材质是Au；
以及在第三电极层上形成顶层电极层，顶层电极层的材质是Al。
3.如权利要求2所述的垂直结构发光二极管制造方法，其特征在于，所述的顶层电极层的厚度为5～200Å，蒸镀速率为5～15 Å /S。
4.如权利要求1所述的垂直结构发光二极管制造方法，其特征在于，所述的形成功能层的方法包含：
在P型氮化镓层上形成欧姆接触层；
在欧姆接触层上形成反射层；
以及在反射层上形成阻挡层。
5.一种垂直结构发光二极管，其特征在于，包含：
键合衬底；
位于键合衬底上的功能层；
位于功能层上的外延层，该外延层包含位于功能层上的P型氮化镓层，位于P型氮化镓层上的多量子阱层，以及位于多量子阱层上的N型氮化镓层；
位于外延层上的多层结构N型电极，该N型电极的顶层材质为Al。
6.如权利要求5所述的垂直结构发光二极管，其特征在于，所述的功能层包含：
位于键合衬底上的阻挡层；
位于阻挡层上的反射层；
以及位于反射层上的欧姆接触层。
7.如权利要求5所述的垂直结构发光二极管，其特征在于，所述的N型电极包含：
位于N型氮化镓层上的第一电极层，第一电极层的材质是Cr；
位于第一电极层上的第二电极层，第二电极层是金属Ti和金属Pt的叠层结构；
位于第二电极层上的第三电极层，第三电极层的材质是Au；
以及位于第三电极层上的顶层电极层，顶层电极层的材质是Al。
8.如权利要求7所述的垂直结构发光二极管，其特征在于，所述的顶层电极层的厚度为5～200Å，蒸镀速率为5～15 Å /S。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711460134.1A CN108365056A (zh) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711460134.1A CN108365056A (zh) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108365056A true CN108365056A (zh) | 2018-08-03 |
Family
ID=63010532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711460134.1A Pending CN108365056A (zh) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108365056A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110911534A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-03-24 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
| CN111433920A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-07-17 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
-
2017
- 2017-12-28 CN CN201711460134.1A patent/CN108365056A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110911534A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-03-24 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
| CN111433920A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-07-17 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
| CN110911534B (zh) * | 2019-11-15 | 2021-10-29 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9356213B2 (en) | Manufacturing method of a light-emitting device having a patterned substrate | |
| CN104022204B (zh) | 发光元件 | |
| TWI324401B (en) | Fabrication method of high-brightness light emitting diode having reflective layer | |
| CN101964385B (zh) | 发光二极管及其形成方法 | |
| CN102044609B (zh) | 半导体发光器件及其制造方法 | |
| CN101834246A (zh) | 发光器件、制造发光器件的方法以及发光装置 | |
| CN107425100B (zh) | 发光元件 | |
| WO2015003564A1 (zh) | 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法 | |
| CN102201426A (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
| CN104638069A (zh) | 垂直型led芯片结构及其制作方法 | |
| CN103887384A (zh) | 一种具有反射和电流阻挡特性的发光元件及其制造方法 | |
| CN101488539B (zh) | 发光元件 | |
| CN108365057A (zh) | 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 | |
| CN101859828A (zh) | 发光二极管的制造方法 | |
| TW201547053A (zh) | 形成發光裝置的方法 | |
| TW201110419A (en) | Light emitting semiconductor device and method for manufacturing | |
| CN108365056A (zh) | 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 | |
| CN104733577A (zh) | 垂直结构led芯片及其制造方法 | |
| CN104766912A (zh) | 垂直结构led芯片及其制造方法 | |
| TWI569471B (zh) | 半導體發光結構及其製造方法 | |
| US20120104413A1 (en) | Light emitting semiconductor device and method for manufacturing | |
| CN101345275B (zh) | 发光元件 | |
| CN207925510U (zh) | 一种倒装led芯片 | |
| CN102169944A (zh) | Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极的发光二极管及其制备方法 | |
| CN201374348Y (zh) | 一种具有电流阻挡层的发光二极管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20180803 |