CN104022204B - 发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光元件。发光元件包括：第一导电半导体层；第一导电半导体层上的有源层；有源层上的第二导电半导体层；钝化层，所述钝化层包围第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；钝化层上的第一光提取结构，该钝化层上的第一光提取结构具有凹凸结构；第一电极层，该第一电极层通过钝化层和第一光提取结构层被电气地连接到第一导电半导体层；以及第二电极层，该第二电极层通过钝化层和光提取结构层而被电气地连接到第二导电半导体层。

Description

发光元件
本申请是2009年4月6日提交的申请号为200980116966.9，发明名称为“发光元件”的专利申请的分案申请。
技术领域
实施例涉及一种发光元件。
背景技术
最近，作为发光元件的发光二极管（LED）得以被关注。由于LED能够高效率地将电能转换为光能，并且具有大约5年或更长的寿命，所以LED能够显著地减少能量消耗以及维修并且维护成本。因此，在下一代发光领域中关注LED。
将该种LED制备为包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层的发光半导体层，其中，有源层根据通过第一和第二导电半导体层而施加到其上的电流而产生光。
同时，由于组成发光半导体层的材料具有低于外部空气的折射率，所以从有源层产生的光没有被有效地发射到外部，而是从边界表面全反射并且被压制在发光半导体层的内部。
为了解决此问题，凹凸光提取结构被形成在被提供在有源层的一侧处的第一导电半导体层或者第二导电半导体层上。然而，由于光提取结构可能降低LED的电气特性。
发明内容
[技术问题]
实施例提供具有新颖的结构的发光元件和制造发光元件的方法。
实施例提供能够提高电气特性和光提取效率的发光元件和制造发光元件的方法。
[技术解决方案]
根据实施例，发光元件包括第一导电半导体层；第一导电半导体层上的有源层；有源层上的第二导电半导体层；钝化层，所述钝化层包围第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；钝化层上的第一光提取结构层，该钝化层上的第一光提取结构层具有凹凸结构；第一电极层，该第一电极层通过钝化层和第一光提取结构层被电气地连接到第一导电半导体层；以及第二电极层，该第二电极层通过钝化层和光提取结构层而被电气地连接到第二导电半导体层。
根据实施例，发光元件包括支撑衬底；支撑衬底上的第二导电半导体层；第二导电半导体层上的有源层；有源层上的第一导电半导体层；钝化层，该钝化层包围第二导电半导体层、有源层、以及第一导电半导体层；钝化层上的第一光提取结构层，该钝化层上的第一光提取结构层具有凹凸结构；以及第一电极层，该第一电极层通过钝化层和第一光提取结构层而被形成在第一导电半导体层上。
[有益效果]
实施例能够提供具有新颖的结构的发光元件和制造发光元件的方法。
实施例能够提供能够提高电气特性和光提取效率的发光元件和制造发光元件的方法。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光元件的截面图；
图2是示出根据第二实施例的发光元件的截面图；
图3是示出根据第三实施例的发光元件的截面图；
图4是示出根据第四实施例的发光元件的截面图；以及
图5是示出根据第五实施例的发光元件的截面图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当层（或膜）、区域、图案或结构被称为在另一个衬底、另一个层（或膜）、另一个区域、另一个垫、或另一个图案“上”或“下”时，它可以是“直接”或“间接”在另一个衬底上、层（或膜）、区域、垫、或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。参考附图已经描述层的这种位置。
为了方便或清楚起见，附图所示的每个层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
图1是示出根据第一实施例的发光元件的截面图。
参考图1，缓冲层201被形成在生长衬底10上，并且包括第一导电半导体层20、有源层30、以及第二导电半导体层40的发光半导体层被形成在缓冲层201上。
通过MESA蚀刻部分地移除发光半导体层，并且第一电流扩展层502被形成在通过MESA蚀刻暴露的第一导电半导体层20上。另外，第二电流扩展层501被形成在第二导电半导体层40上。
第一钝化层80包围发光半导体层以及第一和第二电流扩展层502和501，具有凹凸结构90a的第一光提取结构层90被形成在钝化层80上。
然后，第一光提取结构层90和钝化层80被选择性地移除，使得第一和第二电极层70和60分别被形成在第一和第二电流扩展层502和501上。
另外，反射层100被形成在生长衬底10下面。
更加详细地，例如，生长衬底10可以包括Al2O3、SiC、Si、AlN、GaN、AlGaN、玻璃、以及GaAs中的一个。
在第一导电半导体层20被生长之前，缓冲层201被形成在生长衬底10上。例如，缓冲层201可以包括InGaN、AlN、SiC、SiCN、以及GaN中的至少一个。
包括第一导电半导体层20、有源层30、以及第二导电半导体层40的发光半导体层可以包括III族氮化物基半导体材料。例如，第一导电半导体层20可以包括如下氮化镓层，所述氮化镓层包括诸如Si的n型杂质，并且第二导电半导体层40可以包括如下的氮化镓层，所述氮化镓层包括诸如Mg或者Zn的p型杂质。另外，通过电子和空穴的重组产生光的有源层30可以包括InGaN、AlGaN、GaN、以及AlInGaN中的一个。根据组成有源层30的材料的类型来确定从发光元件发射的光的波长。
有源层30和第二导电半导体层40被形成在第一导电半导体层20的一部分上。换言之，第一导电半导体层20的一部分接触有源层30。
尽管未示出，界面修改层可以进一步被形成在第二导电半导体层40上。
界面修改层可以包括超晶格结构、被掺杂有第一导电杂质的InGaN、GaN、AlInN、AlN、InN、以及AlGaN中的一个、被掺杂有第二导电杂质的InGaN、GaN、AlInN、AlN、InN、以及AlGaN中的一个、或者具有氮极性表面的III族氮化物基元素中的一个。特别地，具有超晶格结构的界面修改层可以包括如下的氮化物或者氮化碳，所述氮化物或者氮化碳包括II、III、或者IV族元素。
第一电流扩展层502被部分地形成在第一导电半导体层20上，并且第二电流扩展层501被部分地或者整体地形成在第二导电半导体层40上。
没有必要要求同时具有第一和第二电流扩展层502和501。即，第一和第二电流扩展层502和501中的至少一个可以被省略。
能够将第一和第二电流扩展层502和501制备为包括从由ITO（氧化铟锡）、被掺杂的ZnO（被掺杂的氧化锌）、TiN（氮化钛）、IZO（氧化铟锌）、IZTO（铟锌锡氧化物）、NiO（氧化镍）、RuO2（氧化钌）、IrO2（氧化铱）、被掺杂的In2O3（被掺杂的氧化铟）、Au、Ag、被掺杂的SnO2（被掺杂的氧化锡）、GITO（镓铟锡氧化物）、PdO（氧化钯）、PtO（氧化铂）、Ag2O（氧化银）、以及被掺杂的TiO2（被掺杂的氧化钛）组成的组中选择的一个的多层结构或者单层结构。
第一和第二电流扩展层502和501均匀地扩展被施加到第一和第二导电半导体层20和40的电流，从而提高发光效率。另外，第一和第二电流扩展层502和501允许第一和第二电极层70和60以分别被充分地结合到第一和第二导电半导体层20和40。
钝化层80被形成在包括除了第一和第二电流扩展层502和501的一些部分之外的第一和第二电流扩展层502和501的发光半导体层上。钝化层80防止发光元件被物理地、化学地、或者电气地损坏。
钝化层80包括透明电绝缘材料。例如，钝化层80包括SiO2（二氧化硅）、SiNx（氮化硅）、SiNx（氮化硅）、MgF2（氟化镁）、Cr2O3（氧化铬）、Al2O3（氧化铝）、TiO2、ZnS（硫化锌）、ZnO（氧化锌）、CaF2（氟化钙）、AlN（氮化铝）、以及CrN（氮化铬）中的至少一个。
第一光提取结构层90被形成在钝化层80上。第一光提取结构层90被选择性地移除使得与钝化层80相类似第一和第二电流扩展层502和510的部分被暴露。
第一光提取结构层90可以包括具有高的光透射率的材料，并且能够被制备为具有负极性的表面材料层使得可以通过CVD（化学气相沉积）和PVD（物理气相沉积），或者使用酸/碱溶液的湿法蚀刻工艺，来将诸如圆柱结构或者圆锥形结构的凹凸结构90a形成在第一光提取结构层90的表面上。
例如，第一光提取结构层90可以包括如下的的II-VI族化合物或者III-V族化合物，其中，所述II-VI族化合物包括ZnO或者MgZnO，所述III-V族化合物包括GaN或者AlN。第一光提取结构层90可以包括六边形的晶体材料。另外，第一光提取结构层90可以包括TiO2或者Al2O3。
第一光提取结构层90被设置在钝化层80上以提高光提取效率，同时防止发光半导体层的电气特性被降低。
第一电极层70被形成在第一电流扩展层502的一部分上。如果第一电流扩展层502被省略，那么第一电极层70可以接触第一导电半导体层20。
为了形成相对于第一导电半导体层20或者第一电流扩展层502具有优秀的粘合性能的界面，第一电极层70可以包括形成相对于第一导电半导体层20或者第一电流扩展层502的欧姆接触界面。例如，第一电极层70可以包括由Ti、Al、Cr、V、Au、以及Nb组成的组中选择的一个。另外，通过使用硅化物能够形成第一电极层70。
第二电极层60被形成在第二电流扩展层501的一部分上。
第二电极层60可以包括如下的材料，相对于第二电流扩展层501，所述材料形成表现出优秀的粘合性能的界面或者表现出优秀的粘合特性的肖特基接触界面。例如，第二电极层60可以包括从由Ni、Al、Cr、Cu、Pt、Au、Pd、ITO、ZnO、ZITO、TiN、以及IZO组成的组中的至少一个。另外，通过使用硅化物也能够形成第二电极层60。
反射层100被形成在生长衬底10的下面，并且包括具有高反射率的材料。例如，反射层100可以包括Ag、Al、Rh、Pd、Ni、Au、DBR（分布布喇格反射器）、以及ODR（全方位反射镜）中的至少一个。
反射层100对超出生长衬底10向下的光进行反射，使得发光元件的光提取效率能够被提高。
图2是示出根据第二实施例的发光元件的截面图。
根据第二实施例的发光元件具有与根据第一实施例的发光元件相类似的结构。因此，下面的描述将会集中于与根据第一实施例的发光元件的不同之处，以避免重复。
参考图2，缓冲层201被形成在生长衬底10上，并且包括第一导电半导体层20、有源层30、以及第二导电半导体层40的发光半导体层被形成在缓冲层201上。
通过MESA蚀刻工艺来部分地移除发光半导体层，并且第一电流扩展层502被形成在通过MESA蚀刻工艺而暴露的第一导电半导体层20上。另外，第二电流扩展层501被形成在第二导电半导体层40上。
钝化层80包围发光半导体层，以及第一和第二电流扩展层502和501，并且具有凹凸结构90a的第一光提取结构层90被形成在钝化层80上。
然后，第一光提取结构层90和钝化层80被选择性地移除，使得第一和第二电极层70和60分别被形成在第一和第二电流扩展层502和501上。
具有凹凸结构110a的第二光提取结构层110和反射层100被形成在生长衬底10下面。
第二光提取结构层110允许超出生长衬底10向下的光被提取到反射层100，使得能够提高发射层100中的光的反射率。
第二光提取结构层110可以包括具有高的光透射率的材料，并且包括具有负极性的表面材料层，使得可以通过CVD（化学气相沉积）和PVD（物理气相沉积），或者使用酸碱溶液的湿法蚀刻工艺，将诸如圆柱形结构或者圆锥形结构的凹凸结构110a形成在第二光提取结构层110的表面上。
例如，第二光提取结构层110可以包括如下的II-VI族化合物或者III-V族化合物，其中，所述II-VI族化合物包括ZnO或者MgZnO，所述III-V族化合物包括GaN或者AlN。第二光提取结构层110可以包括六边形的晶体材料。另外，第二光提取结构层110可以包括TiO2或者Al2O3。
第二光提取结构层110被提供在生长衬底10下面，以提高光提取效率同时防止发光半导体层的电气特性被降低。
图3是示出根据第三实施例的发光元件的视图。
根据第三实施例的发光元件具有与根据第一实施例的发光元件相类似的结构。因此，下面的描述将会集中于与根据第一实施例的发光元件的不同之处，以避免重复。
参考图3，缓冲层201被形成在生长衬底10上，并且包括第一导电半导体层20、有源层30、以及第二导电半导体层40的发光半导体层被形成在缓冲层201上。
通过MESA蚀刻工艺部分地移除发光半导体层，并且第一电流扩展层502被形成在通过MESA蚀刻工艺而暴露的第一导电半导体层20上。另外，第二电流扩展层501被形成在第二导电半导体层40上。
钝化层80包围发光半导体层，以及第一和第二电流扩展层502和501，并且具有凹凸结构90a的第一光提取结构层90被形成在钝化层80上。
然后，第一光提取结构层90和钝化层80被选择性地移除，使得第一和第二电极层70和60分别被形成在第一和第二电流扩展层502和501上。
反射层100被形成在第一电极层70和第一光提取结构层90的部分上，和第二电极层60和第一光提取结构层90的部分上。
反射层100可以包括导电材料，以将第一和第二电极层70和60电气地连接到外部。
反射层100允许来自于有源层30的光通过生长衬底10而被发射到外部。换言之，不同于根据第一和第二实施例的发光元件，根据第三实施例的发光元件通过生长衬底10将来自于有源层30的光大部分地发射到外部。
图4是示出根据第四实施例的发光元件的视图。
根据第四实施例的发光元件具有与根据第三实施例的发光元件相类似的结构。因此，下面的描述将会集中于与根据第三实施例的发光元件的不同之处，以避免重复。
参考图4，缓冲层201被形成在生长衬底10上，并且包括第一导电半导体层20、有源层30、以及第二导电半导体层40的发光半导体层被形成在缓冲层201上。
通过MESA蚀刻工艺部分地移除发光半导体层，并且第一电流扩展层502被形成在通过MESA蚀刻工艺而暴露的第一导电半导体层20上。另外，第二电流扩展层501被形成在第二导电半导体层40上。
钝化层80包围发光半导体层，以及第一和第二电流扩展层502和501，并且具有凹凸结构90a的第一光提取结构层90被形成在钝化层80上。
然后，第一光提取结构层90和钝化层80被选择性地移除，使得第一和第二电极层70和60分别被形成在第一和第二电流扩展层502和501上。
反射层100被形成在第一电极层70和第一光提取结构层90的部分上，和第二电极层60和第一光提取结构层90的部分上。
反射层100可以包括导电材料，以将第一和第二电极层70和60电气地连接到外部。
反射层100允许来自于有源层30的光通过生长衬底10而被发射到外部。换言之，不同于根据第一和第二实施例的发光元件，根据第四实施例的发光元件通过生长衬底10将来自于有源层30的光大部分地发射到外部。
具有凹凸结构110a的第二光提取结构层110被形成在生长衬底10的下面。第二光提取结构层110允许超出生长衬底10向下的光被有效地提取到外部。
第二光提取结构层110可以包括具有高的光透射率的材料，并且包括具有负极性的表面材料层，使得可以通过CVD（化学气相沉积）和PVD（物理气相沉积），或者使用酸/碱溶液的湿法蚀刻工艺，将诸如圆柱形结构或者圆锥形结构的凹凸结构110a形成在第二光提取结构层110的表面上。
例如，第二光提取结构层110可以包括II-VI族化合物或者III-V族化合物，其中，所述II-VI族化合物包括ZnO或者MgZnO，所述III-V族化合物包括GaN或者AlN。第二光提取结构层110可以包括六边形的晶体材料。另外，第二光提取结构层110可以包括TiO2或者Al2O3。
第二光提取结构层110被提供在生长衬底10下面，以提高光提取效率同时防止发光半导体层的电气特性被降低。
图5是示出根据第五实施例的发光元件的视图。
不同于根据第一至第四实施例的发光元件，根据第五实施例的发光元件包括应用本公开的技术精神作为示例的垂直型发光元件。
参考图5，反射欧姆接触电流扩展层130被形成在支撑衬底150上，并且包括第一导电半导体层20、有源层30、以及第二导电半导体层40的发光半导体层被形成在反射欧姆接触电流扩展层130上。另外，突出部分140被形成在第一导电半导体层20上，以提高光提取效率。
包围发光半导体层的钝化层80被形成在发光半导体层的顶表面和横表面上，并且具有凹凸结构90a的第一光提取结构层90被形成在钝化层80上。
钝化层80和光提取结构层90被选择性地移除以暴露第一导电半导体层20的一部分，并且第一电极层70被形成在第一导电半导体层20上。
然后，第二电极层60被形成在支撑衬底150下面。
更加详细地，作为导电层的支撑衬底150可以包括如下的晶圆衬底，所述晶圆衬底包括Si、SiGe、ZnO、GaN、AlSiC、以及GaAs中的至少一个，或者支撑衬底150可以包括金属、合金、或者包括Cu、Ni、Ag、Al、Nb、Ta、Ti、Au、Pd、以及W中的至少一个的固体溶液。
在大约5μm至1mm的范围的厚度的支撑衬底150具有片、盘、或者箔的形状。通过电镀方案、PVD方案、或者CVD方案可以形成支撑衬底150。
反射欧姆接触电流扩展层130可以包括Ag、包含Ag的合金、包含Ag的固体溶液、Rh、包含Rh的合金、包含Rh的固体溶液、Al、包含Al的合金、包含Al的固体溶液、Pt、包含Pt的合金、包含Pt的固体溶液、Pd、包含Pd的合金、包含Pd的固体溶液、Au、包含Au的合金、包含Au的固体溶液、Ni、包含Ni的合金、包含Ni的固体溶液、或者诸如Ag-Si、Rh-Si、Pd-Si、Ni-Si、Cr-Si、或者Pt-Si的硅化物。
面向支撑衬底150的反射欧姆接触电流扩展层130的表面可以包括提供优秀的粘合性能的Ag、Au、Ni、Ti、以及Cu中的至少一个。
包括第一导电半导体层20、有源层30、以及第二导电半导体层40的发光半导体层可以包括III族氮化物基半导体材料。例如，第一导电半导体层20可以包括如下的氮化镓层，所述氮化镓层包括诸如Si的n型杂质，并且第二导电半导体层40可以包括如下的氮化镓层，所述氮化镓层包括诸如Mg或者Zn的p型杂质。另外，通过电子和空穴的重组产生光的有源层30可以包括InGaN、AlGaN、GaN、以及AlInGaN中的一个。根据组成有源层30的材料的类型来确定从发光元件发射的光的波长。
突起部分140可以包括与第一导电半导体层20相同或者不同的材料。突起部分140可以具有通过湿法蚀刻工艺的不规则的图案，或者可以具有通过光刻工艺的规则的图案。
钝化层80包围除了用于第一电极层70的区域之外的发光半导体层。钝化层80防止发光元件被物理地、化学地、或者电气地损坏。
钝化层80包括透明电绝缘材料。例如，钝化层80包括SiO2、SiNx、MgF2、Cr2O3、Al2O3、TiO2、ZnS、ZnO、CaF2、AlN、以及CrN中的至少一个。
第二光提取层110可以包括具有高的光透射率的材料，并且包括具有负极性的表面材料层，使得可以通过CVD（化学气相沉积）和PVD（物理气相沉积），或者使用酸/碱溶液的湿法蚀刻工艺，将诸如圆柱形结构或者圆锥形结构的凹凸结构110a形成在第二光提取层110的表面上。
例如，光提取结构层90可以包括如下的II-VI族化合物或者III-V族化合物，其中，所述II-VI族化合物包括ZnO或者MgZnO，所述III-V族化合物包括GaN或者AlN。光提取结构层90可以包括六边形的晶体材料。另外，光提取结构层90可以包括TiO2或者Al2O3。
第一光提取结构层90被提供在钝化层80上，以提高光提取效率同时防止发光半导体层的电气特性被降低。
第一电极层70被形成在第一导电半导体层20的一部分上。为了形成相对于第一导电半导体层20表现出优秀的粘合性能的界面，第一电极层70可以包括如下的材料，所述材料形成相对于第一导电半导体层20的欧姆接触界面。例如，第一电极层70可以包括Ti、Al、Cr、V、Ag、Rh、Au、Pd、以及Nb中的一个。
第二电极层60被形成在支撑衬底150的下面。
第二电极层60可以包括如下的材料，所述材料形成相对于支撑衬底150具有优秀的粘合性能的界面和欧姆接触界面。例如，第二电极层60可以包括从由Ni、Al、Cr、Cu、Ag、Al、Rh、Pt、Au、以及Pd组成的组中的至少一个。
尽管参考大量的示例性实施例已经描述实施例，但是应理解的是，本领域的技术人员能够设计将会落入在本公开的原理的范围和精神内的其它的修改和实施例。
工业实用性
实施例可应用于被用作光源的半导体元件。

Claims (11)

1.一种发光器件，包括：
支撑衬底，所述支撑衬底由导电材料形成；
接触扩展层，所述接触扩展层在所述支撑衬底上；
发光半导体层，所述发光半导体层包括在所述接触扩展层上的第二导电半导体层；有源层，所述有源层在所述第二导电半导体层上；以及第一导电半导体层，所述第一导电半导体层在所述有源层上；
突出部分，所述突出部分被设置在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括与所述第一导电半导体层不同的材料；
光提取结构层，所述光提取结构在所述发光半导体层的顶表面上，具有凹凸结构；
钝化层，所述钝化层被设置在所述光提取结构层和所述发光半导体层之间；以及
第一电极层，所述第一电极层被设置在所述第一导电半导体层上，
其中，所述钝化层和所述光提取结构层被设置在所述发光半导体层的侧表面上，
其中，所述凹凸结构与所述突出部分垂直地重叠，
其中，所述第一电极层被设置在所述第一导电半导体层的一部分上，所述第一导电半导体层的一部分通过所述光提取结构层和所述钝化层的凹部来暴露，
其中，所述支撑衬底被电气地连接到所述第二导电半导体层，
其中，所述凹凸结构和所述突出部分包围所述第一电极层的区域，
其中，所述第一电极层被直接地连接到所述第一导电半导体层的顶表面，
其中，所述第一电极层设置在所述光提取结构层，所述突出部分以及所述钝化层的凹部中，并且所述第一电极层的左侧表面和右侧表面不与所述突出部分，所述钝化层以及所述光提取结构层直接接触，以及
其中，所述光提取结构层形成在包围所述发光半导体层的所述钝化层的顶表面和横表面上。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述凹凸结构是圆柱形结构或圆锥形结构。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述接触扩展层接触所述第二导电半导体层，并且包括Ag、包含Ag的合金、Ni、包含Ni的合金、Al、或包含Al的合金中的至少一个，
其中面向所述支撑衬底的所述接触扩展层的表面包括Ag、Au、Ni、Ti以及Cu中的至少一个。
4.根据权利要求3所述的发光器件，进一步包括在所述支撑衬底之下的第二电极层。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述第一导电半导体层包括p型杂质，并且所述第二导电半导体层包括n型杂质。
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述突出部分具有不规则的图案。
7.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述支撑衬底包括金属材料。
8.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述支撑衬底具有在5μm至1mm的范围中的厚度。
9.根据权利要求2至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述接触扩展层包括Ag材料，并且所述支撑衬底包括Si材料。
10.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述钝化层包括SiO2、SiNx、MgF2、Cr2O3、Al2O3、TiO2、ZnS、ZnO、CaF2、AlN以及CrN中的至少一个。
11.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中所述光提取结构层包含六边形的晶体材料。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110096680A (ko) * 2010-02-23 2011-08-31 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101007137B1 (ko) * 2010-03-08 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101081135B1 (ko) 2010-03-15 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101719623B1 (ko) 2010-09-07 2017-03-24 엘지이노텍 주식회사 발광소자
DE102010044560A1 (de) * 2010-09-07 2012-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
TW201238079A (en) * 2011-03-04 2012-09-16 Genesis Photonics Inc LED structure
CN103094445A (zh) * 2011-11-08 2013-05-08 鼎元光电科技股份有限公司 具不均匀侧边的发光二极管结构
CN103107258A (zh) * 2011-11-14 2013-05-15 鼎元光电科技股份有限公司竹南分公司 具有波浪状侧边的发光二极管结构
KR101907619B1 (ko) * 2012-03-15 2018-10-15 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
WO2014022951A1 (zh) * 2012-08-10 2014-02-13 海立尔股份有限公司 具全透明电极的led封装体结构
CN108400214A (zh) * 2013-10-11 2018-08-14 世迈克琉明有限公司 半导体发光元件
JP6299540B2 (ja) * 2014-09-16 2018-03-28 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法
US10754977B2 (en) * 2014-09-25 2020-08-25 Micro Focus Llc Report comprising a masked value
CN104795474B (zh) * 2015-04-20 2018-10-16 映瑞光电科技(上海)有限公司 大功率led芯片及其制造方法
DE102015109786A1 (de) * 2015-06-18 2016-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement
CN107331736A (zh) * 2016-04-28 2017-11-07 中国科学院物理研究所 具有改善性能的led器件及其制造方法
US10217897B1 (en) * 2017-10-06 2019-02-26 Wisconsin Alumni Research Foundation Aluminum nitride-aluminum oxide layers for enhancing the efficiency of group III-nitride light-emitting devices
CN107808912B (zh) * 2017-10-27 2019-07-09 安徽三安光电有限公司 一种氮化物发光二极管及其制备方法
DE102018110187A1 (de) * 2018-04-27 2019-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper, Anordnung von einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterkörpern und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers
DE102018117018A1 (de) * 2018-07-13 2020-01-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einer silberhaltigen stromaufweitungsstruktur und optoelektronische vorrichtung
CN110970532B (zh) * 2018-09-28 2021-10-22 丁肇诚 可提升巨量转移良率的微发光二极管
CN112310257B (zh) * 2019-07-26 2022-02-22 丁肇诚 保护层与其制造方法及用途
CN110491980B (zh) * 2019-07-31 2021-08-24 厦门三安光电有限公司 一种紫外led芯片及其制备方法
US11296266B2 (en) 2019-11-26 2022-04-05 Facebook Technologies, Llc LED array having transparent substrate with conductive layer for enhanced current spread
WO2021184310A1 (zh) * 2020-03-19 2021-09-23 厦门三安光电有限公司 发光二极管
CN112968100A (zh) * 2020-08-14 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种发光器件、制备方法及电子设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM255518U (en) * 2004-04-23 2005-01-11 Super Nova Optoelectronics Cor Vertical electrode structure of Gallium Nitride based LED

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5557115A (en) * 1994-08-11 1996-09-17 Rohm Co. Ltd. Light emitting semiconductor device with sub-mount
JPH11251685A (ja) * 1998-03-05 1999-09-17 Toshiba Corp 半導体レーザ
JP2000058911A (ja) * 1998-08-13 2000-02-25 Toshiba Corp 半導体発光装置
US20020117672A1 (en) * 2001-02-23 2002-08-29 Ming-Sung Chu High-brightness blue-light emitting crystalline structure
JPWO2003034508A1 (ja) * 2001-10-12 2005-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP4590905B2 (ja) * 2003-10-31 2010-12-01 豊田合成株式会社 発光素子および発光装置
JP2005277374A (ja) * 2004-02-26 2005-10-06 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP2005259891A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
DE102004037868A1 (de) * 2004-04-30 2005-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes und/oder -empfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur strukturierten Aufbringung eines Kontakts auf einen Halbleiterkörper
US7791061B2 (en) * 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
US7442964B2 (en) * 2004-08-04 2008-10-28 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Photonic crystal light emitting device with multiple lattices
US8174037B2 (en) * 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
WO2006038665A1 (ja) 2004-10-01 2006-04-13 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR100638666B1 (ko) * 2005-01-03 2006-10-30 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
JP2007073789A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Showa Denko Kk 半導体発光素子用電極
WO2007029859A1 (en) * 2005-09-08 2007-03-15 Showa Denko K.K. Electrode for semiconductor light emitting device
JP4954549B2 (ja) 2005-12-29 2012-06-20 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製法
KR101263934B1 (ko) 2006-05-23 2013-05-10 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 및 그의 제조방법
KR100765236B1 (ko) * 2006-06-30 2007-10-09 서울옵토디바이스주식회사 패터닝된 발광다이오드용 기판 제조방법 및 그것을채택하는 발광 다이오드 제조방법
KR100809216B1 (ko) * 2006-11-22 2008-02-29 삼성전기주식회사 수직구조 반도체 발광소자 제조방법
GB2447091B8 (en) * 2007-03-02 2010-01-13 Photonstar Led Ltd Vertical light emitting diodes
US9484499B2 (en) * 2007-04-20 2016-11-01 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with carrier substrates
JP5278317B2 (ja) * 2007-06-29 2013-09-04 豊田合成株式会社 発光ダイオードの製造方法
US8212273B2 (en) * 2007-07-19 2012-07-03 Photonstar Led Limited Vertical LED with conductive vias
JP4829190B2 (ja) * 2007-08-22 2011-12-07 株式会社東芝 発光素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM255518U (en) * 2004-04-23 2005-01-11 Super Nova Optoelectronics Cor Vertical electrode structure of Gallium Nitride based LED

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