JP4557542B2 - 窒化物発光装置及び高発光効率窒化物発光装置 - Google Patents
窒化物発光装置及び高発光効率窒化物発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4557542B2 JP4557542B2 JP2003428067A JP2003428067A JP4557542B2 JP 4557542 B2 JP4557542 B2 JP 4557542B2 JP 2003428067 A JP2003428067 A JP 2003428067A JP 2003428067 A JP2003428067 A JP 2003428067A JP 4557542 B2 JP4557542 B2 JP 4557542B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting device
- nitride
- substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 90
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 8
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 8
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
1.上述の従来の技術の前半部に述べた問題を解決するためには、エピタキシャル層の光線吸収効果を減らさねばならず、このため、酸化アルミニウム基板の上に光線キャプチャ層を成長させ、その上部に異なるパターンを製作し、その後、窒化物エピタキシャル層をその上に成長させる。電流がこの装置に通入される時、光線は発光層より射出された後に基板に至る前に、光線キャプチャ層に出会いこの光線の進行経路が改変され、もとはエピタキシャル層に吸収されていた光線が、これによりこの装置より大量に投射されるようになる。
このほか、光線キャプチャ層と成長基板の間の屈折率のマッチングによっても、大幅にこの装置の発光効率を高めることができる。
本発明はエピタキシャル層工程の前に簡易な構造を提供することにより、この装置の発光効率を高める。
2.このほか、上述の従来の技術の後半部に述べた欠点を解決するために、本発明は以下のような改良を行なっている。まず、酸化アルミニウム基板上に犠牲層を成長させ、その上に異なるパターンを製作し、その後、窒化物エピタキシャル層をその上に成長させる。窒化物発光構造と高い熱伝導係数基板を結合層により相互に結合させた後、ケミカルエッチングにより化学溶液で犠牲層を完全に除去し、最後に、窒化物発光構造を高い熱伝導係数の基板の上に移しかえる。載置基板は高い熱伝導係数の基板とし、これにより高電流下でこの装置を操作する時に、大幅にこの発光装置の発光効率を高めることができる。
このほか、本発明の犠牲層の利用により、大幅に窒化物エピタキシャル層の欠陥を減らし、これにより装置内部の量子効率を高めることができる。
本発明はエピタキシャル工程の前に簡易な構造を提供し、高効率窒化物発光装置を提供する。
成長基板と、
この成長基板の上に成長させた光線キャプチャ層と、
この光線キャプチャ層の上に成長させた窒化物エピタキシャル層と、
を具えた窒化物発光装置において、
該光線キャプチャ層が光線のもとの行進経路を改変することにより、光線がエピタキシャル層により吸収されるのを防止して発光装置より射出されるようにし、これにより発光効率を高め、並びにこの光線キャプチャ層と成長基板の屈折率のマッチングによっても発光効率を高め、
光線キャプチャ層の材料を、ITO(インジウム・スズ酸化物)、酸化インジウム(In 2 O 3 )、二酸化チタン(TiO 2 )、酸化ジルコニウム(Z 2 O 2 )、硫化亜鉛(ZnS)、酸化亜鉛(ZnO)、セレン化亜鉛(ZnSe)、及び酸化マグネシウム(MgO)のいずれかとしたことを特徴とする、窒化物発光装置としている。
請求項2の発明は、請求項1記載の窒化物発光装置において、成長基板の材質を酸化アルミニウム(Al2 O3 )としたことを特徴とする、窒化物発光装置としている。
請求項3の発明は、請求項1記載の窒化物発光装置において、成長基板の材質を炭化けい素(SiC)としたことを特徴とする、窒化物発光装置としている。
請求項4の発明は、請求項1記載の窒化物発光装置において、光線キャプチャ層の厚さTを、0.01〜3μmとしたことを特徴とする、窒化物発光装置としている。
請求項5の発明は、請求項1記載の窒化物発光装置において、光線キャプチャ層の幅Wを、0.1〜10000μmとしたことを特徴とする、窒化物発光装置としている。
図3から図12を参照されたい。本発明は上述の周知の技術の欠点を改善するため、酸化アルミニウム基板の上に光線キャプチャ層16〜25を製作し、そのパターンは図3〜図12に示されるとおりである。この光線キャプチャ層はエピタキシー、スパッタ、プラズマ堆積、化学気相成長、或いは電子ビーム蒸着等の方法のいずれかで形成される。この光線キャプチャ層のサイズは、図13に示されるようであり、そのうち、t=0〜99%T、Tは0.01〜3μm、w=0〜100%W、Wは0.1〜10000μmである。この光線キャプチャ層の製作完成後に、さらに酸化アルミニウム基板をエピタキシーマシンに置き、窒化物エピタキシャル層の成長を行ない、その後、リソグラフィー、蒸着、エッチング、研磨、切断等の工程によりこの発光装置の製作を完成し、異なるサイズの光線キャプチャ層により、並びに適当なエピタキシャル成長条件を組み合わせることにより、符号37と38で示される構造の発光装置を成長させることができ、これは図14及び図15に示されるとおりである。
この光線キャプチャ層に使用する材料は、ITO(インジウム・スズ酸化物)、酸化インジウム(In2 O3 )、二酸化チタン(TiO2 )、酸化ジルコニウム(Z2 O2 )、硫化亜鉛(ZnS)、酸化亜鉛(ZnO)、セレン化亜鉛(ZnSe)、及び酸化マグネシウム(MgO)のいずれかとされる。
この発明の上述の技術を利用して製造した窒化物発光装置は、大幅に内部エピタキシャル層の吸収する光線を減らすことができ、これによりその発光効率はほぼ30%まで高められる。
このほか本発明はこの光線キャプチャ層を利用して大幅に窒化物エピタキシャル層を欠陥を減らすことができ、これにより装置内部の量子効果を高めることができる。
本発明はエピタキシー工程前に簡易な構造を提供することにより、このような発光装置の発光効率を高めることができる。
図16又は図17に示される周知の技術の欠点を解決するため、図18〜図27に示されるようなパターンの犠牲層26〜35を酸化アルミニウム基板の上に製作する。図28のフローチャート(方法100)を参照されたい。この犠牲層は、エピタキー、スパッタ、プラズマ堆積、ゾルゲル焼結法、焼結法、CVD、或いは電子ビーム蒸着のいずれかで製作する(ステップ110)。犠牲層の厚さは0.01〜3μm、幅は0.1〜1000μmとする。犠牲層の製作完成後に、酸化アルミニウム基板をエピタキシーマシンに置き、有機金属化学気相成長法、誘導結合プラズマ化学気相成長法、スパッタ、ハイドライド気相成長法(HVPE)、ゾルゲル焼結法等で窒化物エピタキシャル層を成長させる(ステップ120)。その後、チップ結合技術を組み合わせてこの窒化物発光構造を高い熱伝導係数を具えた基板と結合層により相互に結合させる(ステップ130)。その後、さらにケミカルエッチング(ステップ140)により化学溶液で犠牲層をエッチングして完全に除去し、即ち、窒化物エピタキシャル層を大面積を以て高い熱伝導係数を具えた基板に移しかえる。その後、リソグラフィー、蒸着、エッチング(ステップ150)、研磨、切断(ステップ160)、及びパッケージ(ステップ170)等の工程を経てこの発光装置の製作を完成する。本発明は異なるサイズの犠牲層により、並びに適当なエピタキシャル成長条件を組み合わせることで、符号39と40で示される構造の発光装置を製造でき、これは図29、30に示されるとおりである。
該犠牲層に使用する材料は、ITO(インジウム・スズ酸化物)、酸化インジウム(In2 O3 )、二酸化チタン(TiO2 )、酸化ジルコニウム(Z2 O2 )、硫化亜鉛(ZnS)、酸化亜鉛(ZnO)、セレン化亜鉛(ZnSe)、及び酸化マグネシウム(MgO)のいずれかとされうる。
上述の高い熱伝導係数の基板の材料は、半導体、金属或いは合金のいずれかとされ、その熱伝導係数は150W/m−Kより大きいものとされうる。
上述の結合層の組成は、少なくとも、アルミニウム、銀、金、ニッケル、銅、白金、チタン、パラジウムのいずれかを含むものとされうる。
上述の結合層の成長方式は、堆積、スパッタ、或いは電気めっきのいずれかとされうる。
本発明の技術により製造した高発光効率窒化物発光装置は、その操作電流が従来の窒化物で製造した発光装置の操作電流よりも5倍も高い。
このほか、本発明では犠牲層を使用すあることで、伝統的な窒化物エピタキシャル層の欠陥を減らすことができ、これによりこの発光装置内部の量子効果を高めることができる。
本発明はエピタキシー工程の前に簡易な構造を提供することにより、高発光効率窒化物発光装置の製造を達成している。
11 p型窒化物エピタキシャル層
12 活性層
13 n型窒化物エピタキシャル層
14 酸化アルミニウム基板
15A p型電極
15B n型電極
16 光線キャプチャ層パターン
17 光線キャプチャ層パターン
18 光線キャプチャ層パターン
19 光線キャプチャ層パターン
20 光線キャプチャ層パターン
21 光線キャプチャ層パターン
22 光線キャプチャ層パターン
23 光線キャプチャ層パターン
24 光線キャプチャ層パターン
25 光線キャプチャ層パターン
26 犠牲層パターン
27 犠牲層パターン
28 犠牲層パターン
29 犠牲層パターン
30 犠牲層パターン
31 犠牲層パターン
32 犠牲層パターン
33 犠牲層パターン
34 犠牲層パターン
35 犠牲層パターン
36 窒化物発光装置
37 窒化物発光装置
38 窒化物発光装置
39 窒化物発光装置
40 窒化物発光装置
41 酸化アルミニウム基板
42 粗化表面
43 n型GaN
44 活性層
45 p型GaN
46 p型電極
47 n型電極
50 p型窒化物エピタキシャル層
51 活性層
52 n型窒化物エピタキシャル層
53 光線キャプチャ層
54 酸化アルミニウム基板
55A p型電極
55B n型電極
50’ p型窒化物エピタキシャル層
51’ 活性層
52’ n型窒化物エピタキシャル層
53’ 光線キャプチャ層
54’ 酸化アルミニウム基板
55A’ p型電極
55B’ n型電極
50” p型窒化物エピタキシャル層
51” 活性層
52” n型窒化物エピタキシャル層
53” 光線キャプチャ層
54” 酸化アルミニウム基板
55A” p型電極
55B” n型電極
70 窒化物発光装置
71 p型窒化物エピタキシャル層
72 活性層
73 n型窒化物エピタキシャル層
74 酸化アルミニウム基板
76A’ p型電極
76B’ n型電極
77 透明導電層(TCL)
81 エキシマレーザー
82 サファイヤ
83 犠牲層
84 GaN
85 結合層
86 Si層
90 p型窒化物エピタキシャル層
91 活性層
92 n型窒化物エピタキシャル層
93 犠牲層
94 酸化アルミニウム基板
90’ p型窒化物エピタキシャル層
91’ 活性層
92’ n型窒化物エピタキシャル層
93’ 犠牲層
94’ 酸化アルミニウム基板
100 方法
110 犠牲層製作
120 窒化物エピタキシャル層成長
130 チップ結合
140 ケミカルエッチング
150 リソグラフィー、蒸着、エッチング
160 研磨、切断
170 パッケージ
Claims (5)
- 成長基板と、
この成長基板の上に成長させた光線キャプチャ層と、
この光線キャプチャ層の上に成長させた窒化物エピタキシャル層と、
を具えた窒化物発光装置において、
該光線キャプチャ層が光線のもとの行進経路を改変することにより、光線がエピタキシャル層により吸収されるのを防止して発光装置より射出されるようにし、これにより発光効率を高め、並びにこの光線キャプチャ層と成長基板の屈折率のマッチングによっても発光効率を高め、
光線キャプチャ層の材料を、ITO(インジウム・スズ酸化物)、酸化インジウム(In 2 O 3 )、二酸化チタン(TiO 2 )、酸化ジルコニウム(Z 2 O 2 )、硫化亜鉛(ZnS)、酸化亜鉛(ZnO)、セレン化亜鉛(ZnSe)、及び酸化マグネシウム(MgO)のいずれかとしたことを特徴とする、窒化物発光装置。 - 請求項1記載の窒化物発光装置において、成長基板の材質を酸化アルミニウム(Al2O3 )としたことを特徴とする、窒化物発光装置。
- 請求項1記載の窒化物発光装置において、成長基板の材質を炭化けい素(SiC)としたことを特徴とする、窒化物発光装置。
- 請求項1記載の窒化物発光装置において、光線キャプチャ層の厚さTを、0.01〜3μmとしたことを特徴とする、窒化物発光装置。
- 請求項1記載の窒化物発光装置において、光線キャプチャ層の幅Wを、0.1〜10000μmとしたことを特徴とする、窒化物発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003428067A JP4557542B2 (ja) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 窒化物発光装置及び高発光効率窒化物発光装置 |
US10/747,934 US20050145872A1 (en) | 2003-12-24 | 2003-12-29 | High performance nitride-based light-emitting diodes |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003428067A JP4557542B2 (ja) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 窒化物発光装置及び高発光効率窒化物発光装置 |
US10/747,934 US20050145872A1 (en) | 2003-12-24 | 2003-12-29 | High performance nitride-based light-emitting diodes |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010092184A Division JP2010157772A (ja) | 2010-04-13 | 2010-04-13 | 窒化物発光装置及び高発光効率窒化物発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005191110A JP2005191110A (ja) | 2005-07-14 |
JP4557542B2 true JP4557542B2 (ja) | 2010-10-06 |
Family
ID=34840104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003428067A Expired - Lifetime JP4557542B2 (ja) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 窒化物発光装置及び高発光効率窒化物発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050145872A1 (ja) |
JP (1) | JP4557542B2 (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8134292B2 (en) * | 2004-10-29 | 2012-03-13 | Ledengin, Inc. | Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material |
US9929326B2 (en) | 2004-10-29 | 2018-03-27 | Ledengin, Inc. | LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser |
US8816369B2 (en) * | 2004-10-29 | 2014-08-26 | Led Engin, Inc. | LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices |
US7772609B2 (en) | 2004-10-29 | 2010-08-10 | Ledengin, Inc. (Cayman) | LED package with structure and materials for high heat dissipation |
US8324641B2 (en) * | 2007-06-29 | 2012-12-04 | Ledengin, Inc. | Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device |
US7670872B2 (en) | 2004-10-29 | 2010-03-02 | LED Engin, Inc. (Cayman) | Method of manufacturing ceramic LED packages |
JP2007134388A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Sharp Corp | 窒化物系半導体素子とその製造方法 |
KR20070081184A (ko) | 2006-02-10 | 2007-08-16 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
TWI309481B (en) | 2006-07-28 | 2009-05-01 | Epistar Corp | A light emitting device having a patterned substrate and the method thereof |
KR100755656B1 (ko) * | 2006-08-11 | 2007-09-04 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법 |
JP4381439B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2009-12-09 | 株式会社沖データ | Ledバックライト装置及び液晶表示装置 |
US20100200880A1 (en) * | 2008-06-06 | 2010-08-12 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. | Semiconductor wafers and semiconductor devices and methods of making semiconductor wafers and devices |
CN102067335A (zh) * | 2008-08-22 | 2011-05-18 | 晶能光电(江西)有限公司 | 一种在复合衬底上制备InGaAlN发光器件的方法 |
US8075165B2 (en) | 2008-10-14 | 2011-12-13 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device |
US20100117106A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-13 | Ledengin, Inc. | Led with light-conversion layer |
US8507300B2 (en) * | 2008-12-24 | 2013-08-13 | Ledengin, Inc. | Light-emitting diode with light-conversion layer |
US8384097B2 (en) | 2009-04-08 | 2013-02-26 | Ledengin, Inc. | Package for multiple light emitting diodes |
US8598793B2 (en) | 2011-05-12 | 2013-12-03 | Ledengin, Inc. | Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin |
US7985000B2 (en) * | 2009-04-08 | 2011-07-26 | Ledengin, Inc. | Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers |
US8303141B2 (en) * | 2009-12-17 | 2012-11-06 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens with integrated lamp cover |
US9080729B2 (en) | 2010-04-08 | 2015-07-14 | Ledengin, Inc. | Multiple-LED emitter for A-19 lamps |
US8858022B2 (en) | 2011-05-05 | 2014-10-14 | Ledengin, Inc. | Spot TIR lens system for small high-power emitter |
US9345095B2 (en) | 2010-04-08 | 2016-05-17 | Ledengin, Inc. | Tunable multi-LED emitter module |
US8513900B2 (en) | 2011-05-12 | 2013-08-20 | Ledengin, Inc. | Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin |
JP5885436B2 (ja) * | 2011-09-06 | 2016-03-15 | ローム株式会社 | 発光素子および発光素子パッケージ |
US8686433B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-04-01 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
CN103022311A (zh) * | 2011-09-27 | 2013-04-03 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种GaN-LED芯片结构及其制备方法 |
FR2985609B1 (fr) * | 2012-01-05 | 2014-02-07 | Commissariat Energie Atomique | Substrat structure pour leds a forte extraction de lumiere |
US11032884B2 (en) | 2012-03-02 | 2021-06-08 | Ledengin, Inc. | Method for making tunable multi-led emitter module |
US9897284B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-02-20 | Ledengin, Inc. | LED-based MR16 replacement lamp |
US9234801B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-12 | Ledengin, Inc. | Manufacturing method for LED emitter with high color consistency |
US9406654B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-08-02 | Ledengin, Inc. | Package for high-power LED devices |
WO2016086180A1 (en) | 2014-11-26 | 2016-06-02 | Ledengin, Inc. | Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp |
US9530943B2 (en) | 2015-02-27 | 2016-12-27 | Ledengin, Inc. | LED emitter packages with high CRI |
US10219345B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-02-26 | Ledengin, Inc. | Tunable LED emitter with continuous spectrum |
US10575374B2 (en) | 2018-03-09 | 2020-02-25 | Ledengin, Inc. | Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips |
US20230420434A1 (en) * | 2020-11-18 | 2023-12-28 | Enkris Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11274568A (ja) * | 1998-02-19 | 1999-10-08 | Hewlett Packard Co <Hp> | Ledおよびledの組立方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6071795A (en) * | 1998-01-23 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing |
US6646292B2 (en) * | 1999-12-22 | 2003-11-11 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Semiconductor light emitting device and method |
TW488088B (en) * | 2001-01-19 | 2002-05-21 | South Epitaxy Corp | Light emitting diode structure |
CN1284250C (zh) * | 2001-03-21 | 2006-11-08 | 三菱电线工业株式会社 | 半导体发光元件 |
US7198671B2 (en) * | 2001-07-11 | 2007-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Layered substrates for epitaxial processing, and device |
US6831302B2 (en) * | 2003-04-15 | 2004-12-14 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting devices with improved extraction efficiency |
-
2003
- 2003-12-24 JP JP2003428067A patent/JP4557542B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-29 US US10/747,934 patent/US20050145872A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11274568A (ja) * | 1998-02-19 | 1999-10-08 | Hewlett Packard Co <Hp> | Ledおよびledの組立方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005191110A (ja) | 2005-07-14 |
US20050145872A1 (en) | 2005-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4557542B2 (ja) | 窒化物発光装置及び高発光効率窒化物発光装置 | |
CN104022204B (zh) | 发光元件 | |
US7067340B1 (en) | Flip-chip light emitting diode and fabricating method thereof | |
JP4812369B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
US8519430B2 (en) | Optoelectronic device and method for manufacturing the same | |
US8704257B2 (en) | Light-emitting element and the manufacturing method thereof | |
KR101469979B1 (ko) | 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 | |
US20050017254A1 (en) | Light emitting diode and method of making the same | |
US8022430B2 (en) | Nitride-based compound semiconductor light-emitting device | |
JP2006324672A (ja) | 光抽出効率が改善された垂直構造窒化物半導体発光素子 | |
JP2011176093A (ja) | 発光素子用基板および発光素子 | |
JP2009059969A (ja) | 半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置及び半導体発光素子の製造方法 | |
JP2011060966A (ja) | 発光装置 | |
EP2346096A1 (en) | Semiconductor light-emitting element, manufacturing method, and light-emitting device | |
US7700966B2 (en) | Light emitting device having vertical structure and method for manufacturing the same | |
US20170040493A1 (en) | Optoelectronic device | |
JP2011171327A (ja) | 発光素子およびその製造方法、並びに発光装置 | |
US9356189B2 (en) | Light-emitting device and method for manufacturing the same | |
JP2009032958A (ja) | 発光素子及び照明装置 | |
KR20090105462A (ko) | 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및이의 제조 방법 | |
JP2012178453A (ja) | GaN系LED素子 | |
JP2006086254A (ja) | 発光素子およびその製造方法ならびにその発光素子を用いた照明装置 | |
CN107591463B (zh) | 发光组件及发光组件的制造方法 | |
JP2006339384A (ja) | 発光素子およびその製造方法ならびにその発光素子を用いた照明装置 | |
JP4721691B2 (ja) | 発光素子およびその発光素子を用いた照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061020 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100413 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100706 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100720 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4557542 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130730 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |