JP2005277374A - Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005277374A JP2005277374A JP2004286219A JP2004286219A JP2005277374A JP 2005277374 A JP2005277374 A JP 2005277374A JP 2004286219 A JP2004286219 A JP 2004286219A JP 2004286219 A JP2004286219 A JP 2004286219A JP 2005277374 A JP2005277374 A JP 2005277374A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group iii
- iii nitride
- nitride compound
- compound semiconductor
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 163
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 title claims abstract description 110
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 15
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 abstract 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 28
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 12
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Mg] Chemical compound C1(C=CC=C1)[Mg] MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical group [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
Abstract
【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子の駆動電圧を高めることなく光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】半導体面から光を取り出すIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、p型コンタクト層(第2のp層)108の上に選択成長法で形成したMgを8×1019ドープしたp型GaNから成る高さ約1.5μmのIII族窒化物系化合物半導体突起部150を形成し、その上には金属蒸着による透光性の透光性電極110を形成した。III族窒化物系化合物半導体突起部150によって光取り出し面が凹凸になり実質的な臨界角が広がり、光取り出し効率を向上することができる。またエッチングを用いて凹凸を形成していないので駆動電圧の増大もない。
【選択図】図1
【解決手段】半導体面から光を取り出すIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、p型コンタクト層(第2のp層)108の上に選択成長法で形成したMgを8×1019ドープしたp型GaNから成る高さ約1.5μmのIII族窒化物系化合物半導体突起部150を形成し、その上には金属蒸着による透光性の透光性電極110を形成した。III族窒化物系化合物半導体突起部150によって光取り出し面が凹凸になり実質的な臨界角が広がり、光取り出し効率を向上することができる。またエッチングを用いて凹凸を形成していないので駆動電圧の増大もない。
【選択図】図1
Description
本発明は一般式AlxInyGazN(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1および0≦z≦1)で表わされるIII族窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法に関する。本発明は光取り出し効率の高いIII族窒化物系化合物半導体発光素子構造を提供するものである。
近年においては、小型、軽量、及び長寿命などの長所を有する緑、青乃至紫外領域の発光ダイオード(LED)としてIII族窒化物系化合物半導体発光素子は汎用されつつあるが、LEDの高輝度化及び高効率化の要求も高まっている。
高輝度化及び高効率化の手段として、内部量子効率を高めるとともに発光層から放出された光を半導体層の外へ取り出し効率すなわち外部量子効率を改善することが重要である。外部量子効率を改善する技術に関して次のような出願がなされている。
特開2000−196152号公報
特開平5−167101号公報
高輝度化及び高効率化の手段として、内部量子効率を高めるとともに発光層から放出された光を半導体層の外へ取り出し効率すなわち外部量子効率を改善することが重要である。外部量子効率を改善する技術に関して次のような出願がなされている。
エピタキシャル成長により形成されるIII族窒化物系化合物半導体発光素子の成長表面は一般に平坦である。一方、III族窒化物系化合物半導体の屈折率は約2.6と大きく、活性層で発生した光を半導体層より相対的に屈折率が小さい半導体外部へ取り出す場合、光取り出し面に対して臨界角よりも大きい法線角度で斜めに入射した光は半導体内部へ全反射される。つまり半導体内部の屈折率が外部の屈折率より大きく、その差が大きい場合、さらに光取り出し面が平坦な場合、活性層で発生した光の大部分が半導体外部へ取り出せない。
上記の特許文献の様に、光取り出し面にシリンドリカル状の凹凸を形成することは、外部量子効率を確かに増大させるが、光取り出し面に薄く精度よく凹凸を形成することは、量産体制を取り得る現行の一般的な加工技術水準に照らして困難である。
また、従来GaP層などに対して行われている表面処理(化学的エッチング)による上面のランダムな凹凸形成は、GaNのような安定した材料の場合多大な成長時間が必要であり望めない。さらにエッチングの際生じる半導体表面のダメージ層の影響で透光性電極とのオーミック接触が不十分となり駆動電圧が大きくなる問題もある。
そこで本発明は上記従来技術に対し、簡単な工程で且つ駆動電圧を上げることなく光取り出し効率を向上させ、外部発光効率の高いIII族窒化物系化合物半導体発光素子を得ることを目的としてなされたものである。
上記の課題を解決するため、請求項1に記載の手段によれば、基板上にエピタキシャル成長によりIII族窒化物系化合物半導体を積層して形成された発光素子において、光を取り出す半導体の成長表面にIII族窒化物系化合物半導体からなる凹凸を設けることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子である。
本発明は、凹凸を形成することで半導体の光を取り出す面の平坦性を低下させ、発光層で発生した光に対して光取り出し面の角度を物理的に変化させ且つ多様にすることを特徴とする。この結果、実質的な臨界角を広げることができ、光取り出し効率を向上することができる。
また、請求項2に記載の手段によれば、請求項1に記載の発光素子であって、凹凸の凸部が選択成長によって形成されたIII族窒化物系化合物半導体であることを特徴とする。
本発明では半導体の光取り出し面の凹凸を一般式AlxInyGazN(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1および0≦z≦1)で表わされるIII族窒化物系化合物半導体の選択成長で形成する、つまりIII族窒化物系化合物半導体を再成長させ凸部を形成することを特徴とする。
また、請求項3に記載の手段によれば、請求項2に記載の発光素子であって、凸部を選択成長させる直下の半導体層および凸部がともにp型III族窒化物系化合物半導体であることを特徴とする。
本発明では半導体の光取り出し面の凹凸を一般式AlxInyGazN(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1および0≦z≦1)で表わされるIII族窒化物系化合物半導体の選択成長で形成する際同時にp型不純物をドープする。つまりp型III族窒化物系化合物半導体上にp型III族窒化物系化合物半導体を再成長させ凸部を形成することを特徴とする。
本発明では半導体の光取り出し面の凹凸を一般式AlxInyGazN(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1および0≦z≦1)で表わされるIII族窒化物系化合物半導体の選択成長で形成する際同時にp型不純物をドープする。つまりp型III族窒化物系化合物半導体上にp型III族窒化物系化合物半導体を再成長させ凸部を形成することを特徴とする。
また、請求項4に記載の手段によれば、請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の発光素子であって、凹凸面の一部または全面に透光性電極を設けることを特徴とする。
本発明では光取り出し面である凹凸面に透光性電極を設けることで、電流を拡散させるとともに光取り出し効率を維持することを特徴とする。凹凸面の一部に透光性電極を設けることで電流拡散が十分な場合は凹凸面全部に透光性電極を設ける必要は無い。
また、請求項5に記載の手段によれば、請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の発光素子であって、凹凸面のうち凸部を除く表面に透光性電極を設けることを特徴とする。
本発明では光取り出し面の一部である凸部に透光性電極を設けないことで、透光性電極による光吸収を低減することを特徴とする。
また、請求項6に記載の手段によれば、基板上にn型III族窒化物系化合物半導体層、発光層およびp型III族窒化物系化合物半導体層を順次積層し、III族窒化物系化合物半導体層上にIII族窒化物系化合物半導体が成長しないマスクを形成し、そのマスクの一部分を除去し、その除去した部分にIII族窒化物系化合物半導体を選択成長させ半導体表面に凸部を作製することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法である。
また、請求項7に記載の手段によれば、請求項6に記載の製造方法であって、III族窒化物系化合物半導体を選択成長する工程でp型不純物をドープすることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法である。
また、請求項8に記載の手段によれば、請求項6または請求項7に記載の製造方法であって、選択成長させる成長温度が、1100℃以下であることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法である。さらに好ましい成長温度は900℃以上1050℃以下である。
本発明では選択成長する成長温度をp層成長温度より低くすることを特徴とする。一般にインジウム(In)を含むIII族窒化物系化合物半導体からなる発光層の成長温度は700℃から900℃であり、発光層に対する熱のダメージを抑えることに有効である。
また、請求項9に記載の手段によれば、請求項6乃至請求項8の何れか1項に記載の製造方法であって、マスクの材料が酸化ケイ素(SiO2)または窒化ケイ素(Si3N4)であることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法である。
また、請求項9に記載の手段によれば、請求項6乃至請求項8の何れか1項に記載の製造方法であって、マスクの材料が酸化ケイ素(SiO2)または窒化ケイ素(Si3N4)であることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法である。
また、請求項10に記載の手段によれば、請求項4又は請求項5に記載の発光素子であって、透光性電極が酸化インジウムスズ(ITO)からなることを特徴とする。
また、請求項11に記載の手段によれば、請求項6乃至請求項8のいずれか1項に記載の製造方法であって、マスクの材料が酸化インジウムスズ(ITO)であることを特徴とする。
本発明では、光取り出し面である半導体表面にIII族窒化物系化合物半導体からなる凹凸面を形成することで、実質的な臨界角を広げることができ、光取り出し効率(外部量子効率)を向上させることができる。
さらに、選択成長によってIII族窒化物系化合物半導体からなる凹凸面を形成することで、エッチングすることなく凹凸面を形成できる。このため凹凸面にダメージ層ができず、凹凸面に電極を設ける場合オーミック接触が得やすい。この結果、発光素子としての駆動電圧が大きくなるのを避けることができる。またエッチングで凹凸面を形成する場合に比較して、被エッチング半導体層の成長時間と原料、さらにはエッチングに要する時間が節約できる。
さらに、p型III族窒化物系化合物半導体上に選択成長によってp型III族窒化物系化合物半導体からなる凸部を形成することで、凹凸面全体をp型導電型の半導体にすることができ、光取り出し面全体がコンタクト層として利用可能となる。
さらに、光取り出し面である凹凸面の一部または全面に透光性電極を設けることで、電流を拡散させるとともに光取り出し効率を維持することを特徴とする。凹凸面の一部に透光性電極を設けることで電流拡散が十分な場合は凹凸面全部に透光性電極を設ける必要は無い。電流拡散には凹凸面が導電性半導体からなっていることが望ましく、p型半導体であることがさらに望ましい。
さらに、光取り出し面である凹凸面のうち凸部を除く表面の一部または全面に透光性電極を設けることで、電流拡散し凸部上の透光性電極による光の吸収や反射を低減することで光取り出し効率を維持することを特徴とする。通常、透光性電極も光を吸収及び反射する性質を有しており、凸部に透光性電極を設けないことでより効率的に凸部からの光を取り出すことが可能である。
一方、基板上にn型III族窒化物系化合物半導体層、発光層およびp型III族窒化物系化合物半導体層を順次積層し、III族窒化物系化合物半導体層上にIII族窒化物系化合物半導体が成長しないマスクを形成し、そのマスクの一部分を除去し、その除去した部分にIII族窒化物系化合物半導体を選択成長させ半導体表面に凸部を作製することで、III族窒化物系化合物半導体層にダメージを与えるエッチングすることなく、光取り出しに有効な半導体層の光取り出し面に凹凸面を形成することができる。
さらに選択成長させるIII族窒化物系化合物半導体にp型不純物をドープすることで、凹凸面全体に導電性を付与することができ、透光性電極を設けることで電流拡散に有効である。
さらに、選択成長の成長温度を1100℃以下とすることで、成長温度が比較的低い発光層に与えるダメージを押さえることができる。III族窒化物系化合物半導体の選択成長の条件を考慮すると、さらに好ましい成長温度は900℃以上1050℃以下である。
発光素子の透光性電極を酸化インジウムスズ(ITO)で形成すると、薄膜の金属で透光性電極を形成した場合と比べて、光取り出し効率が格段に向上する。
更に、透光性電極を酸化インジウムスズ(ITO)で形成して、それを選択成長のマスクとして利用することも可能である。これは、例えば酸化ケイ素(SiO2)または窒化ケイ素(Si3N4)で選択成長のマスクを形成した場合に比較し、当該マスク形成(及び窓空け)及びマスク除去の工程を省略することができ、更に効率的な発光素子の製造方法となる。
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
ただし、本発明の実施形態は、以下に示す個々の実施例に限定されるものではない。
本発明の発光素子は基板上に発光層を含むIII族窒化物系化合物半導体から成る積層体構造を作製した後、光取り出し面である半導体成長面に選択成長法によってIII族窒化物系化合物半導体を成長し、凹凸面を形成することで光取り出し効率を向上させたことを特徴とする。
本発明で言う選択成長法とは半導体成長面に半導体が成長しうる領域と成長できない領域を形成することによって半導体の成長領域を制限する成長方法であり、成長領域のみにIII族窒化物系化合物半導体を成長させることにより、結果としてIII族窒化物系化合物半導体の凹凸面を形成する。
当該選択成長は、いわゆるファセット面を保ったまま成長させる方法が好ましい。ファセット面としては、例えばIII族窒化物系化合物半導体の(1−101)面や(11−22)面(「−1」及び「−2」は本来の記号としては1及び2の上に横棒を付けたもの)を保つような成長条件により、C面(0001面)に対し概略60度の斜面を表面とすることができる。尚、当該成長は「理想的な6角錐状」に形成する必要は全く無く、選択成長領域で当該凸部が一体化する必要もなく、また当該選択成長領域内全体で凸部を形成させる必要もない。発明者らの実験結果によれば、円形の選択成長領域を設けても、その領域全体を底部として凸部が形成されず、且つ角錐台状(6角錐台に限らない)であっても、光取り出し効率が15乃至35%向上する。
なお、ここで言う結晶成長させる基板としては、サファイア、スピネル、Si、SiC、ZnO、MgO或いは、III族窒化物系化合物基板等を用いることができる。III族窒化物系化合物半導体層を結晶成長させる方法としては、分子線気相成長法(MBE)、有機金属気相成長法(MOVPE)、ハイドライド気相成長法(HVPE)、液相成長法等が有効である。
また「III族窒化物系化合物半導体」一般には、2元、3元、又は4元の「AlxInyGazN(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1および0≦z≦1)」成る一般式で表される任意の混晶比の半導体が含まれ、更に、p型或いはn型の不純物が添加された半導体もまた、これらの「III族窒化物系化合物半導体」の範疇である。
また、上記のIII族元素(Al,Ga,In)の内の少なくとも一部をボロン(B)やタリウム(Tl)等で置換したり、或いは、窒素(N)の少なくとも一部をリン(P)、砒素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)等で置換したりした半導体等をもまた、これらの「III族窒化物系化合物半導体」の範疇とする。
また、上記のp型の不純物(アクセプタ)としては、例えば、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、ベリリウム(Be)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、或いはカルシウム(Ca)等の公知のp型不純物を添加することができる。
また、上記のn型の不純物(ドナー)としては、例えば、シリコン(Si)や、硫黄(S)、セレン(Se)、テルル(Te)、炭素(C)、或いはゲルマニウム(Ge)等の公知のn型不純物を添加することができる。
さらに、これらの不純物(アクセプタ又はドナー)は、同時に2元素以上を添加しても良いし、同時に両型(p型とn型)を添加しても良い。
また、発光層は単一量子井戸構造(SQW)、多重量子井戸構造(MQW)などを採用することができる。発光層はノンドープでも良く、n型、p型であっても良い。発光層の上方、下方には、各種の機能を有した層があっても良い。例えば、n層、p層や不純物無添加層である。また、ホモpn接合、シングルヘテロ接合、ダブルヘテロ接合構造などを採用することができる。
発光層を構成する多重量子井戸構造は、少なくともインジウム(In)を含むIII族窒化物系化合物半導体AlxInyGazN(x+y+z=1、0≦x≦1、0<y≦1および0≦z≦1)から成る井戸層を含むものである。発光層の構成は、例えばドープされた、又はアンドープのGa1-yInyN(0<y≦1)から成る井戸層と、当該井戸層よりもバンドギャップの大きい任意の組成のIII族窒化物系化合物半導体AlGaInNから成る障壁層が挙げられる。好ましい例としてはアンドープのAlxInyGazN(x+y+z=1、0≦x≦1、0<y≦1および0≦z≦1)の井戸層とアンドープのGaNから成る障壁層である。
透光性電極、p電極(パッド電極)、n電極は、III族窒化物系化合物半導体素子に用いることが可能であることが周知の任意の材料を用いることができる。透光性電極としては例えば薄膜金属電極を用いることができ、その材料は例えば金又は金と他の金属との合金を用いると良い。特に金とコバルト、金とニッケル等の合金が良く知られている。合金は、2つの金属の単層を順次積層したのちアロイ化により合金化することが好適である。
透光性電極としては、例えば酸化スズ、酸化亜鉛その他の酸化物系電極をもちいることもできる。特に酸化インジウムスズ(ITO)はIII族窒化物系化合物半導体発光素子の、主たる波長領域である緑色、青色、紫色乃至近紫外線領域における透光性が高く、有用である。酸化物系電極の形成方法は、スパッタリング、電子線蒸着、抵抗加熱蒸着、その他任意の周知の形成方法を用いることができる。
選択最長の際のマスクの材料としては、III族窒化物系化合物半導体がエピタキシャル成長しないという条件を満たす任意の材料を用いることができる。チタンのような金属、アモルファスシリコンのような半導体、酸化物その他の無機物、有機物その他任意である。その中でも酸化ケイ素(SiO2)または窒化ケイ素(Si3N4)が、形成工程、「窓空け(選択成長領域の露出部)」工程及び選択成長後の除去工程が容易であり、好ましい。選択最長の際のマスクとして酸化インジウムスズ(ITO)を用いる場合は温度を比較的低温とすることが、酸化インジウムスズの劣化、特に透光性の悪化を回避するために重要である。
図1に、本発明の実施例に係るIII族窒化物系化合物半導体素子100の模式的な断面図を示す。III族窒化物系化合物半導体素子100は、次の構成を有する発光素子である。図1に示す様に、厚さ約100μmのサファイア基板101の上に、窒化アルミニウム(AlN)から成る膜厚約15nmのAlNバッファ層102が成膜され、その上に膜厚約500nmのノンドープのGaN層103が成膜され、その上にシリコン(Si)を1×1018/cm3ドープしたGaNから成る膜厚約5μmのn型コンタクト層104(高キャリア濃度n+層)が形成されている。
また、このn型コンタクト層104の上には、シリコン(Si)を1×1018/cm3でドープしたAl0.15Ga0.85Nから成る膜厚約25nmのn型クラッド層105が形成されている。更にその上には、膜厚約3nmのノンドープIn0.2Ga0.8Nから成る井戸層1061と膜厚約20nmのノンドープGaNから成る障壁層1062とを3ペア積層して多重量子井戸構造の発光層106が形成されている。
更に、この発光層106の上には、Mgを2×1019/cm3ドープした膜厚約25nmのp型Al0.15Ga0.85Nから成るp型クラッド層(第1のp層)107が形成されている。p型クラッド層107の上には、Mgを8×1019/cm3ドープした膜厚約100nmのp型GaNから成るp型コンタクト層(第2のp層)108が形成されている。
p型コンタクト層(第2のp層)108の上には、選択成長法で形成したMgを8×1019ドープしたp型GaNから成る高さ約1.5μmのIII族窒化物系化合物半導体突起部150が形成されている。
又、p型コンタクト層(第2のp層)108とIII族窒化物系化合物半導体突起部150の上には金属蒸着による透光性電極110が、n型コンタクト層104上にはn電極140が形成されている。透光性電極110は、膜厚約4nmのコバルト(Co)より成る第1層111と、このコバルト膜に接合する膜厚約10nmの金(Au)より成る第2層112とで構成されている。透光性電極110は半導体の凹凸表面上に形成されているため接触面積が大きく、オーミック接触に有利である。
厚膜p電極120は、膜厚約18nmのバナジウム(V)より成る第1層121と、膜厚約1.5μmの金(Au)より成る第2層122と、膜厚約10nmのアルミニウム(Al)より成る第3層123とを透光性電極110の上から順次積層させることにより構成されている。
多層構造のn電極140は、n型コンタクト層104の一部露出された部分の上から、膜厚約18nmのバナジウム(V)より成る第1層141と膜厚約100nmのアルミニウム(Al)より成る第2層142とを積層させることにより構成されている。n型コンタクト層104を露出させる部分にIII族窒化物系化合物半導体突起部150を形成しておくと、n型コンタクト層104が露出した部分にも凹凸が残り、n電極140とのオーミック接触に有利である。
また、最上部には、SiO2膜より成る保護膜130が形成されている。サファイア基板101の底面に当たる外側の最下部には、膜厚約500nmのアルミニウム(Al)より成る反射金属層170が、金属蒸着により成膜されている。尚、この反射金属層170は、Rh、Ti、W等の金属の他、TiN、HfN等の窒化物でも良い。
上記の構成のIII族窒化物系化合物半導体素子100は次のように製造された。III族窒化物系化合物半導体素子100は、有機金属気相成長法(以下「MOVPE」と略す)により製造された。用いられたガスは、アンモニア(NH3)、キャリアガス(H2及びN2)、トリメチルガリウム(Ga(CH3)3)(以下「TMG」と記す)、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)(以下「TMA」と記す)、トリメチルインジウム(In(CH3)3)(以下「TMI」と記す)、シラン(SiH4)とシクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2)(以下「CP2Mg」と記す)である。
まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄したA面を主面とした単結晶のサファイア基板101をMOVPE装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常圧でH2を反応室に流しながら温度1100℃でサファイア基板101をベーキングした。
次に、サファイア基板101の温度を400℃に低下させ、H2、NH3及びTMAを供給してAlNバッファ層102を約15nmの膜厚に形成した。
次に、サファイア基板101の温度を1150℃に保持し、H2、NH3、TMGを供給して、その上にノンドープGaN層103を形成した。次に、H2、NH3、TMG、シランを供給して、その上にシリコン(Si)を1×1018/cm3ドープしたGaNから成る膜厚約5μmのn型コンタクト層104(高キャリア濃度n+層)を形成した。
この後、H2、NH3、TMG、TMA、シランの供給量を制御して、シリコン(Si)を1×1018/cm3でドープしたAl0.15Ga0.85Nから成る膜厚約25nmのn型クラッド層105を形成した。
次に、サファイア基板101の温度を825℃にまで低下させて、N2又はH2、NH3、TMG及びTMIの供給量を制御して、膜厚約3nmのノンドープIn0.2Ga0.8Nから成る井戸層1061と膜厚約20nmのノンドープGaNから成る障壁層1062とを3ペア積層して多重量子井戸構造の発光層106が形成した。
次に、サファイア基板101の温度を1050℃に保持し、N2又はH2、NH3、TMG、TMA及びCP2Mgを制御しながら供給して、Mgを2×1019/cm3ドープした膜厚約25nmのp型Al0.15Ga0.85Nから成るp型クラッド層(第1のp層)107を形成した。次にN2又はH2、NH3、TMG及びCP2Mgを制御しながら供給して、Mgを8×1019ドープした膜厚約100nmのp型GaNから成るp型コンタクト層(第2のp層)108を形成した。
次に、本発明の特徴であるIII族窒化物系化合物半導体突起部150を形成した。まず、p型コンタクト層(第2のp層)108まで形成後、成長面にスパッタリングでSiO2マスク(図示せず)を形成した。SiO2マスク上ではIII族窒化物系化合物半導体は成長しない。次にIII族窒化物系化合物半導体突起部150を設ける部分について、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用い直径2μmの円形状に間隔1μmでSiO2マスクを除去してp型コンタクト層(第2のp層)108を露出させた。このp型コンタクト層(第2のp層)108を露出させる形状や配置、間隔は光取り出し面の大きさなどによって適宜設計できる。
p型コンタクト層(第2のp層)108を露出させる形状はたとえば、円形、多角形、ストライプ状や任意のテクスチャ形状が有効である。また露出部分の間隔は露出部分の大きさによって適宜設計できる。
次にサファイア基板101の温度を1000℃に保持し、N2又はH2、NH3、TMG及びCP2Mgを制御しながら供給して、選択成長法によってMgを8×1019ドープした高さ約1.5μmのp型GaNから成るIII族窒化物系化合物半導体突起部150を形成した。選択成長によって成長したIII族窒化物系化合物半導体は六角錐状に形成された。次にSiO2マスクをフッ酸系のエッチング液で除去した。
以上の結晶成長工程の後、p型コンタクト層(第2のp層)108およびIII族窒化物系化合物半導体突起部150上にエッチングマスクを形成し、所定領域のエッチングマスクをフォトリソグラフィとエッチングマスクをエッチングすることにより除去し、さらにエッチングマスクで覆われていない部分のIII族窒化物系化合物半導体突起部150、p型コンタクト層(第2のp層)108、p型クラッド層107、活性層106、n型クラッド層105、及びn型コンタクト層104の一部を塩素を含むガスによる反応性イオンエッチングによってエッチングして、n型コンタクト層104の表面を露出させた。
次に、エッチングマスクを残した状態で、全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりn型コンタクト層105の露出面上の所定領域に窓を形成し、10-4Paオーダ以下の高真空に排気した後、膜厚約20nmのバナジウム(V)と膜厚約100nmのAlを蒸着する。この後、フォトレジスト及びエッチングマスクを除去する。
続いて、表面上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフによりp型コンタクト層(第2のp層)108およびIII族窒化物系化合物半導体突起部150上の電極形成部分のフォトレジストを除去して窓を形成し、p型コンタクト層(第2のp層)108およびIII族窒化物系化合物半導体突起部150を露出させる。露出させたp型コンタクト層(第2のp層)108およびIII族窒化物系化合物半導体突起部150の上に、10-4Paオーダ以下の高真空に排気した後、Coを膜厚約4nmに成膜し、このCo上にAuを膜厚約10nmに成膜する。次に、試料を蒸着装置から取り出し、リフトオフ法によりフォトレジスト上に堆積したCoとAuとを除去し、p型コンタクト層(第2のp層)108およびIII族窒化物系化合物半導体突起部150に対する透光性電極110を形成する。
この後、試料雰囲気を真空ポンプで排気し、O2ガスを供給して圧力3Paとし、その状態で雰囲気温度を約550℃にして、4分程度、加熱し、p型コンタクト層(第2のp層)108およびIII族窒化物系化合物半導体突起部150、p型クラッド層107をp型低抵抗化すると共に、p型コンタクト層(第2のp層)108およびIII族窒化物系化合物半導体突起部150と透光性電極110との合金化処理、n型コンタクト層104と電極140との合金化処理を行った。このようにして、n型コンタクト層104に対する電極140と、p型コンタクト層(第2のp層)108およびIII族窒化物系化合物半導体突起部150に対する透光性電極110を形成した。
続いて、表面上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフによりp型コンタクト層(第2のp層)108およびIII族窒化物系化合物半導体突起部150上の電極形成部分のフォトレジストを除去して窓を形成し、p型コンタクト層(第2のp層)108およびIII族窒化物系化合物半導体突起部150を露出させる。露出させたp型コンタクト層(第2のp層)108およびIII族窒化物系化合物半導体突起部150の上に、10-4Paオーダ以下の高真空に排気した後、Coを膜厚約4nmに成膜し、このCo上にAuを膜厚約10nmに成膜する。次に、試料を蒸着装置から取り出し、リフトオフ法によりフォトレジスト上に堆積したCoとAuとを除去し、p型コンタクト層(第2のp層)108およびIII族窒化物系化合物半導体突起部150に対する透光性電極110を形成する。
この後、試料雰囲気を真空ポンプで排気し、O2ガスを供給して圧力3Paとし、その状態で雰囲気温度を約550℃にして、4分程度、加熱し、p型コンタクト層(第2のp層)108およびIII族窒化物系化合物半導体突起部150、p型クラッド層107をp型低抵抗化すると共に、p型コンタクト層(第2のp層)108およびIII族窒化物系化合物半導体突起部150と透光性電極110との合金化処理、n型コンタクト層104と電極140との合金化処理を行った。このようにして、n型コンタクト層104に対する電極140と、p型コンタクト層(第2のp層)108およびIII族窒化物系化合物半導体突起部150に対する透光性電極110を形成した。
上記の工程により形成された透光性電極110上に、更に、p電極120を形成するために、フォトレジストを一様に塗布して、厚膜正電極120の形成部分のフォトレジストに窓を開ける。その後、膜厚約18nmのバナジウム(V)層121と、膜厚約1.5μmの金(Au)層122と、膜厚約10nmのアルミニウム(Al)層123とを透光性電極110の上に順次蒸着により成膜させ、同様にリフトオフ法によりp電極120を形成する。その後、エレクトロンビーム蒸着により、上部に露出している最上層に一様にSiO2より成る保護膜130を形成し、フォトレジストの塗布、フォトリソグラフィ工程を経て、p電極120およびn電極140に外部露出部分ができるようにほぼ同面積の窓をそれぞれ一つづつウエットエッチングにより形成する。
以上の様にして、半導体層側から光を取り出すフェイスアップ型のIII族窒化物系化合物半導体素子100を製造した。
図2に、本発明の実施例に係るIII族窒化物系化合物半導体素子200の模式的な断面図を示す。
III族窒化物系化合物半導体素子200は突起物であるIII族窒化物系化合物半導体突起部150にMgをドープせずに選択成長で形成したことと、III族窒化物系化合物半導体突起部150上に透光性電極110を形成しないことを除きIII族窒化物系化合物半導体素子100と同様に製造した。
比較例に係る半導体発光素子900は突起物のIII族窒化物系化合物半導体を形成しないことを除きIII族窒化物系化合物半導体素子100と同様に製造した。
実施例1〜2および比較例1の窒化物系半導体発光素子の駆動電圧と光取り出し効率の測定を行なった。従来技術である比較例と比較して、実施例1及び2の発光強度は約1.2倍に向上したが、駆動電圧の上昇は認められなかった。
[変形例]
実施例1及び2で示した、図1の半導体発光素子100及び図2の半導体発光素子200の、金(Au)とコバルト(Co)からなる透光性電極110に替えて、各々酸化インジウムスズ(ITO)から成る厚さ300nmの電極を形成した半導体発光素子を製造した。酸化インジウムスズ(ITO)から成る透光性電極を有する半導体発光素子は、実施例1及び2の半導体発光素子100及び200よりも発光強度が約1.3倍と増加し、駆動電圧の上昇は認められなかった。
実施例1及び2で示した、図1の半導体発光素子100及び図2の半導体発光素子200の、金(Au)とコバルト(Co)からなる透光性電極110に替えて、各々酸化インジウムスズ(ITO)から成る厚さ300nmの電極を形成した半導体発光素子を製造した。酸化インジウムスズ(ITO)から成る透光性電極を有する半導体発光素子は、実施例1及び2の半導体発光素子100及び200よりも発光強度が約1.3倍と増加し、駆動電圧の上昇は認められなかった。
本実施例においては、図4の構成の半導体発光素子300を形成した。まず、実施例1と同様に、厚さ約100μmのサファイア基板101の上に、窒化アルミニウム(AlN)から成る膜厚約15nmのAlNバッファ層102を形成した後、膜厚約500nmのノンドープのGaN層103、シリコン(Si)を1×1018/cm3ドープしたGaNから成る膜厚約5μmのn型コンタクト層104(高キャリア濃度n+層)、シリコン(Si)を1×1018/cm3でドープしたAl0.15Ga0.85Nから成る膜厚約25nmのn型クラッド層105、膜厚約3nmのノンドープIn0.2Ga0.8Nから成る井戸層1061と膜厚約20nmのノンドープGaNから成る障壁層1062とを3ペア積層した多重量子井戸構造の発光層106、Mgを2×1019/cm3ドープした膜厚約25nmのp型Al0.15Ga0.85Nから成るp型クラッド層107、Mgを8×1019/cm3ドープした膜厚約100nmのp型GaNから成るp型コンタクト層108をエピタキシャル成長により順に形成した。
次にスパッタリングによりITOから成る層を300nm形成し、フォトレジストによるマスクを用いて、ITO層をエッチングし、III族窒化物系化合物半導体突起部150を設ける部分を窓空けして、p型コンタクト層108を露出させた。当該露出部は、実施例1同様、直径2μmの円形状に間隔1μmとした。このようにして形成されたITO層160は、III族窒化物系化合物半導体突起部150を形成するための選択成長のマスクとして用いられる他、透光性電極として、発光素子300の構成の一部を成すものである。
次に、実施例2と同様にして、Mgをドープせずに選択成長を行ってIII族窒化物系化合物半導体突起部150を形成した。当該選択成長のマスクとして用いられたITO層160は透光性電極として用いられるものであるので、当該選択成長後も除去しなかった。この後、フォトレジストマスクを用いた反応性イオンエッチングにより、n電極を形成すべき領域において、n型コンタクト層104の表面を露出させた。以下、実施例1と同様にして、p電極120、n電極140、保護膜130、及び裏面の反射金属層170を形成した。
このようにして形成された半導体発光素子300は、上記変形例の、酸化インジウムスズ(ITO)から成る透光性電極を有する半導体発光素子と発光強度がほぼ等しく、駆動電圧もほぼ等しかった。即ち、ITO層160を、III族窒化物系化合物半導体突起部150を形成するための選択成長のためのマスクとして用いたが、透光性電極としての機能に劣化は見られなかった。
上記実施例では「直径2μmの円形状に間隔1μmでSiO2マスクを除去して」として、選択成長領域のためのマスクの「窓空け」を行ったが、これは例えば図5.A、図5.Bのようなパターンで当該「窓空け」を行ったものである。尚、既に述べた通り、選択成長領域の形状は、円形状に限定されず、且つマスクに他の部分と連続していない部分が存在しても、或いはマスクが全て孤立した島状であっても良い。尚、当然のことながら、透光性電極としても用いる層を当該選択成長領域のためのマスクとしても利用する場合は、当該透光性電極は独立した(孤立した)部分がないようにすることが好ましい。
100:半導体発光素子
101:サファイア基板
102:AlNバッファ層
103:ノンドープGaN層
104:n型コンタクト層104(高キャリア濃度n+層)
105:n型クラッド層
106:発光層(MQW)
107:p型クラッド層(第1のp層)
108:p型コンタクト層(第2のp層)
110:透光性電極
120:p電極
130:保護膜
140:n電極
150:III族窒化物系化合物半導体突起部
160:ITOから成る透光性電極(選択成長マスク)
170:反射金属層
101:サファイア基板
102:AlNバッファ層
103:ノンドープGaN層
104:n型コンタクト層104(高キャリア濃度n+層)
105:n型クラッド層
106:発光層(MQW)
107:p型クラッド層(第1のp層)
108:p型コンタクト層(第2のp層)
110:透光性電極
120:p電極
130:保護膜
140:n電極
150:III族窒化物系化合物半導体突起部
160:ITOから成る透光性電極(選択成長マスク)
170:反射金属層
Claims (11)
- 基板上にエピタキシャル成長によりIII族窒化物系化合物半導体を積層して形成される発光素子であって、
光を取り出す半導体の成長表面にIII族窒化物系化合物半導体からなる凹凸面を設けること
を特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。 - 前記凹凸面の凸部が選択成長によって形成されたIII族窒化物系化合物半導体であることを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記凸部を選択成長させる直下の半導体層および前記凸部がともにp型III族窒化物系化合物半導体であることを特徴とする請求項2に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記凹凸面の一部または全面に透光性電極を設けることを特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記凹凸面のうち凸部を除く表面の一部または全面に透光性電極を設けることを特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
- 請求項1に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法であって、
基板上にn型III族窒化物系化合物半導体層、発光層およびp型III族窒化物系化合物半導体層を順次積層する工程と、
該III族窒化物系化合物半導体層上にIII族窒化物系化合物半導体が成長しないマスクを形成する工程と、
該マスクの一部分を除去した部分を作製する工程と、
該マスクを除去した部分にIII族窒化物系化合物半導体を選択成長させることにより光取り出しのための凸部を作製する工程とを含むことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 - 前記選択成長させるIII族窒化物系化合物半導体を成長する工程でp型不純物をドープすることを特徴とする請求項6に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記選択成長させる成長温度が、1100℃以下であることを特徴とする請求項6または請求項7に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記マスクの材料が酸化ケイ素(SiO2)または窒化ケイ素(Si3N4)であることを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれか1項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
- 前記透光性電極が酸化インジウムスズ(ITO)からなることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記マスクの材料が酸化インジウムスズ(ITO)であることを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれか1項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004286219A JP2005277374A (ja) | 2004-02-26 | 2004-09-30 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
US11/063,747 US7244957B2 (en) | 2004-02-26 | 2005-02-24 | Group III nitride compound semiconductor light-emitting device and method for producing the same |
EP05004071A EP1569282A2 (en) | 2004-02-26 | 2005-02-24 | Group III nitride compound semiconductor light emitting device and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004051842 | 2004-02-26 | ||
JP2004286219A JP2005277374A (ja) | 2004-02-26 | 2004-09-30 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005277374A true JP2005277374A (ja) | 2005-10-06 |
Family
ID=34752163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004286219A Pending JP2005277374A (ja) | 2004-02-26 | 2004-09-30 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7244957B2 (ja) |
EP (1) | EP1569282A2 (ja) |
JP (1) | JP2005277374A (ja) |
Cited By (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006191071A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-20 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2006295057A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製法 |
JP2006294907A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
KR100702430B1 (ko) * | 2005-10-14 | 2007-04-03 | 나이넥스 주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그의 제조 방법 |
JP2007150259A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-06-14 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2007208244A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法 |
JP2007304585A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Samsung Electro Mech Co Ltd | アゾベンゼン基ポリマーを利用した微細パターニング方法、及び前記微細パターニング方法を利用した窒化物系半導体発光素子の製造方法 |
JP2008016847A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子アレイ |
JP2008047763A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ |
JP2008047762A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ |
JP2008103627A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP2009518846A (ja) * | 2005-12-09 | 2009-05-07 | 韓國電子通信研究院 | 光の放出効率を向上させることができるシリコン発光素子およびその製造方法 |
WO2009082121A3 (en) * | 2007-12-20 | 2009-09-11 | Lg Innotek Co., Ltd | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
WO2009136719A2 (ko) * | 2008-05-05 | 2009-11-12 | 엘지이노텍주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
JP2010010666A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 表面粗化した窒化ガリウム系発光素子 |
JP2010021367A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Stanley Electric Co Ltd | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2010272887A (ja) * | 2008-03-13 | 2010-12-02 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体素子の製造方法及びiii族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
WO2011021872A3 (ko) * | 2009-08-19 | 2011-07-07 | 주식회사 에피밸리 | 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101060830B1 (ko) | 2006-03-23 | 2011-08-30 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법, 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자 및 이를 이용한 램프 |
WO2011149163A1 (ko) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | 고려대학교 산학협력단 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2012019246A (ja) * | 2011-10-25 | 2012-01-26 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2012114389A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2012119692A (ja) * | 2011-12-22 | 2012-06-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
US8227284B2 (en) | 2006-08-18 | 2012-07-24 | Showa Denko K.K. | Group-III nitride compound semiconductor light-emitting device, method of manufacturing group-III nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp |
KR101199187B1 (ko) * | 2005-12-26 | 2012-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
JP2012235118A (ja) * | 2011-04-29 | 2012-11-29 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
US8350278B2 (en) | 2009-12-01 | 2013-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light-emitting device |
JP2013026426A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2013048301A (ja) * | 2010-01-08 | 2013-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 光デバイス |
JP2013070107A (ja) * | 2013-01-23 | 2013-04-18 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光素子 |
JP2013070099A (ja) * | 2013-01-08 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
WO2014003169A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 第一実業株式会社 | 光半導体素子およびその製造方法 |
JP2014013938A (ja) * | 2013-09-26 | 2014-01-23 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2014175430A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
WO2015016515A1 (ko) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 엘지이노텍주식회사 | 발광소자 |
JP2015079999A (ja) * | 2015-01-29 | 2015-04-23 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP2015173228A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 沖電気工業株式会社 | 窒化物半導体、窒化物半導体のテクスチャ構造形成方法、及び窒化物半導体のテクスチャ構造 |
US11430659B2 (en) | 2017-08-24 | 2022-08-30 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and projector |
Families Citing this family (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100631414B1 (ko) * | 2005-05-19 | 2006-10-04 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
US7337671B2 (en) | 2005-06-03 | 2008-03-04 | Georgia Tech Research Corp. | Capacitive microaccelerometers and fabrication methods |
WO2007004701A1 (en) * | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Showa Denko K.K. | Gallium nitride-based compound semiconductor lihgt-emitting device |
KR100706796B1 (ko) * | 2005-08-19 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 탑에미트형 발광소자 및 그 제조 방법 |
TWI295088B (en) * | 2005-09-12 | 2008-03-21 | Ind Tech Res Inst | Organic thin film transistor with contact hole and method for fabricating the same |
US8928022B2 (en) | 2006-10-17 | 2015-01-06 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
US8405106B2 (en) | 2006-10-17 | 2013-03-26 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
US9530940B2 (en) | 2005-10-19 | 2016-12-27 | Epistar Corporation | Light-emitting device with high light extraction |
US8729580B2 (en) * | 2005-12-06 | 2014-05-20 | Toshiba Techno Center, Inc. | Light emitter with metal-oxide coating |
PL1801855T3 (pl) * | 2005-12-22 | 2009-06-30 | Freiberger Compound Mat Gmbh | Proces selektywnego maskowania warstw III-N i przygotowywania wolnostojących warstw III-N lub urządzeń |
JP4954549B2 (ja) * | 2005-12-29 | 2012-06-20 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製法 |
KR101198763B1 (ko) * | 2006-03-23 | 2012-11-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 기둥 구조와 이를 이용한 발광 소자 및 그 형성방법 |
US7578189B1 (en) | 2006-05-10 | 2009-08-25 | Qualtre, Inc. | Three-axis accelerometers |
US7767484B2 (en) * | 2006-05-31 | 2010-08-03 | Georgia Tech Research Corporation | Method for sealing and backside releasing of microelectromechanical systems |
KR100820546B1 (ko) * | 2006-09-07 | 2008-04-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2008091862A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-04-17 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
US7977702B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-07-12 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface textured LEDs and method for making the same |
TWI321366B (en) | 2007-02-09 | 2010-03-01 | Huga Optotech Inc | Epi-structure with uneven multi-quantum well and the method thereof |
US7915605B2 (en) * | 2007-05-16 | 2011-03-29 | Huga Optotech Inc. | LED packaged structure and applications of LED as light source |
US7683380B2 (en) * | 2007-06-25 | 2010-03-23 | Dicon Fiberoptics, Inc. | High light efficiency solid-state light emitting structure and methods to manufacturing the same |
JP4903643B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2012-03-28 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
US20090026471A1 (en) * | 2007-07-27 | 2009-01-29 | Noeton Optoelectronics Corp. | Light-scattering structure, light emitting device comprising the same and method of forming the same |
TWI361497B (en) * | 2007-08-20 | 2012-04-01 | Delta Electronics Inc | Light-emitting diode apparatus and manufacturing method thereof |
KR20100097205A (ko) * | 2007-12-10 | 2010-09-02 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 단순화된 광 추출을 갖는 하향-변환된 발광 다이오드 |
US8314442B2 (en) | 2008-02-08 | 2012-11-20 | Nichia Corporation | Light emitting device |
KR101449030B1 (ko) * | 2008-04-05 | 2014-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 |
KR100986557B1 (ko) * | 2008-04-22 | 2010-10-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
CN101599516B (zh) * | 2008-06-03 | 2011-09-07 | 姜涛 | 一种提高发光芯片光出射窗口出光率的加工方法 |
KR101428085B1 (ko) | 2008-07-24 | 2014-08-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US8716723B2 (en) | 2008-08-18 | 2014-05-06 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Reflective layer between light-emitting diodes |
US9293656B2 (en) | 2012-11-02 | 2016-03-22 | Epistar Corporation | Light emitting device |
EP2332185A2 (en) * | 2008-09-08 | 2011-06-15 | 3M Innovative Properties Company | Electrically pixelated luminescent device |
JP5115425B2 (ja) * | 2008-09-24 | 2013-01-09 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
US8513685B2 (en) | 2008-11-13 | 2013-08-20 | 3M Innovative Properties Company | Electrically pixelated luminescent device incorporating optical elements |
JP2010153581A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法、ランプ |
JP5032511B2 (ja) | 2009-01-06 | 2012-09-26 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置の製造方法と、それを用いて製造した半導体発光装置 |
KR101134732B1 (ko) * | 2009-02-17 | 2012-04-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
DE102009001878A1 (de) | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Robert Bosch Gmbh | Selbstnivellierendes Mehr-Linien-Lasergerät |
TWI514568B (zh) | 2009-04-08 | 2015-12-21 | Efficient Power Conversion Corp | 增強模式氮化鎵高電子遷移率電晶體元件及其製造方法 |
DE102009060747A1 (de) * | 2009-12-30 | 2011-07-07 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Halbleiterchip |
EP2341558B1 (en) | 2009-12-30 | 2019-04-24 | IMEC vzw | Method of manufacturing a semiconductor device |
US8729581B2 (en) * | 2010-01-13 | 2014-05-20 | Apple Inc. | Light guide for LED source |
US8772805B2 (en) | 2010-03-31 | 2014-07-08 | Seoul Viosys Co., Ltd. | High efficiency light emitting diode and method for fabricating the same |
US8993993B2 (en) * | 2010-05-11 | 2015-03-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same |
KR101165259B1 (ko) * | 2010-07-08 | 2012-08-10 | 포항공과대학교 산학협력단 | MgO피라미드 구조를 갖는 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101138951B1 (ko) * | 2010-08-23 | 2012-04-25 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광다이오드 |
US8314439B2 (en) | 2011-02-11 | 2012-11-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting diode with nanostructures and method of making the same |
US20120292648A1 (en) * | 2011-05-16 | 2012-11-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer |
US9312436B2 (en) | 2011-05-16 | 2016-04-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer |
CN102832297B (zh) * | 2011-06-17 | 2015-09-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种半导体发光器件及电流扩散层的制备方法 |
US8664679B2 (en) * | 2011-09-29 | 2014-03-04 | Toshiba Techno Center Inc. | Light emitting devices having light coupling layers with recessed electrodes |
KR101286211B1 (ko) * | 2012-02-16 | 2013-07-15 | 고려대학교 산학협력단 | 발광 소자 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 발광 소자 |
CN103367595B (zh) * | 2012-03-30 | 2016-02-10 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管晶粒及其制造方法 |
US9000414B2 (en) * | 2012-11-16 | 2015-04-07 | Korea Photonics Technology Institute | Light emitting diode having heterogeneous protrusion structures |
US9276164B2 (en) | 2012-11-26 | 2016-03-01 | Epistar Corporation | Optoelectronic device and method for manufacturing the same |
CN104112804A (zh) * | 2013-04-18 | 2014-10-22 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管晶粒 |
JP6321919B2 (ja) * | 2013-04-30 | 2018-05-09 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
TWI568016B (zh) * | 2014-12-23 | 2017-01-21 | 錼創科技股份有限公司 | 半導體發光元件 |
KR102366399B1 (ko) * | 2015-07-15 | 2022-02-24 | 서울바이오시스 주식회사 | ZnO 투명 전극을 포함하는 발광 소자 |
KR102624111B1 (ko) * | 2016-01-13 | 2024-01-12 | 서울바이오시스 주식회사 | 자외선 발광소자 |
US10749070B2 (en) | 2016-05-20 | 2020-08-18 | Lumileds Llc | Method of forming a P-type layer for a light emitting device |
KR102611980B1 (ko) | 2016-12-14 | 2023-12-08 | 삼성전자주식회사 | 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3152708B2 (ja) | 1991-12-12 | 2001-04-03 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JPH07221392A (ja) * | 1994-02-08 | 1995-08-18 | Mitsubishi Electric Corp | 量子細線の作製方法、量子細線、量子細線レーザ、及び量子細線レーザの作製方法、回折格子の作製方法、及び分布帰還型半導体レーザ |
JP3469484B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US6469320B2 (en) * | 2000-05-25 | 2002-10-22 | Rohm, Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
JP2002190635A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
US6984841B2 (en) * | 2001-02-15 | 2006-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light emitting element and production thereof |
JP2002270516A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Nec Corp | Iii族窒化物半導体の成長方法、iii族窒化物半導体膜およびそれを用いた半導体素子 |
US6699760B2 (en) * | 2002-06-25 | 2004-03-02 | Lucent Technologies, Inc. | Method for growing layers of group III-nitride semiconductor having electrically passivated threading defects |
US6979835B1 (en) * | 2004-09-11 | 2005-12-27 | Formosa Epitaxy Incorporation | Gallium-nitride based light-emitting diode epitaxial structure |
-
2004
- 2004-09-30 JP JP2004286219A patent/JP2005277374A/ja active Pending
-
2005
- 2005-02-24 US US11/063,747 patent/US7244957B2/en active Active
- 2005-02-24 EP EP05004071A patent/EP1569282A2/en not_active Withdrawn
Cited By (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006191071A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-20 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2006294907A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2006295057A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製法 |
KR100702430B1 (ko) * | 2005-10-14 | 2007-04-03 | 나이넥스 주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그의 제조 방법 |
JP2007150259A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-06-14 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2009518846A (ja) * | 2005-12-09 | 2009-05-07 | 韓國電子通信研究院 | 光の放出効率を向上させることができるシリコン発光素子およびその製造方法 |
KR101199187B1 (ko) * | 2005-12-26 | 2012-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
JP2007208244A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法 |
JP4509997B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2010-07-21 | 三星電機株式会社 | 窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法 |
KR101060830B1 (ko) | 2006-03-23 | 2011-08-30 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법, 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자 및 이를 이용한 램프 |
JP2007304585A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Samsung Electro Mech Co Ltd | アゾベンゼン基ポリマーを利用した微細パターニング方法、及び前記微細パターニング方法を利用した窒化物系半導体発光素子の製造方法 |
US8587005B2 (en) | 2006-06-30 | 2013-11-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting device array |
JP2012238883A (ja) * | 2006-06-30 | 2012-12-06 | Samsung Led Co Ltd | 窒化物半導体発光素子アレイ |
JP2008016847A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子アレイ |
US8227284B2 (en) | 2006-08-18 | 2012-07-24 | Showa Denko K.K. | Group-III nitride compound semiconductor light-emitting device, method of manufacturing group-III nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp |
JP2008047762A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ |
JP2008047763A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ |
JP2008103627A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
US8772815B2 (en) | 2007-12-20 | 2014-07-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having a protecting member and method of fabricating the same |
WO2009082121A3 (en) * | 2007-12-20 | 2009-09-11 | Lg Innotek Co., Ltd | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
JP2010272887A (ja) * | 2008-03-13 | 2010-12-02 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体素子の製造方法及びiii族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JPWO2009113458A1 (ja) * | 2008-03-13 | 2011-07-21 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体素子及びiii族窒化物半導体発光素子 |
JP4644754B2 (ja) * | 2008-03-13 | 2011-03-02 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体素子及びiii族窒化物半導体発光素子 |
US8569794B2 (en) | 2008-03-13 | 2013-10-29 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride semiconductor device and method for manufacturing the same, group III nitride semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same, and lamp |
WO2009136719A2 (ko) * | 2008-05-05 | 2009-11-12 | 엘지이노텍주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
WO2009136719A3 (ko) * | 2008-05-05 | 2010-02-25 | 엘지이노텍주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
JP2010010666A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 表面粗化した窒化ガリウム系発光素子 |
JP2010021367A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Stanley Electric Co Ltd | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
WO2011021872A3 (ko) * | 2009-08-19 | 2011-07-07 | 주식회사 에피밸리 | 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US8350278B2 (en) | 2009-12-01 | 2013-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light-emitting device |
JP2013048301A (ja) * | 2010-01-08 | 2013-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 光デバイス |
WO2011149163A1 (ko) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | 고려대학교 산학협력단 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2012114389A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2012235118A (ja) * | 2011-04-29 | 2012-11-29 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
JP2013026426A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2012019246A (ja) * | 2011-10-25 | 2012-01-26 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2012119692A (ja) * | 2011-12-22 | 2012-06-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
WO2014003169A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 第一実業株式会社 | 光半導体素子およびその製造方法 |
JP2013070099A (ja) * | 2013-01-08 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2013070107A (ja) * | 2013-01-23 | 2013-04-18 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光素子 |
JP2014175430A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
WO2015016515A1 (ko) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 엘지이노텍주식회사 | 발광소자 |
US10546974B2 (en) | 2013-07-29 | 2020-01-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2014013938A (ja) * | 2013-09-26 | 2014-01-23 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2015173228A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 沖電気工業株式会社 | 窒化物半導体、窒化物半導体のテクスチャ構造形成方法、及び窒化物半導体のテクスチャ構造 |
JP2015079999A (ja) * | 2015-01-29 | 2015-04-23 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
US11430659B2 (en) | 2017-08-24 | 2022-08-30 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and projector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7244957B2 (en) | 2007-07-17 |
US20050277218A1 (en) | 2005-12-15 |
EP1569282A2 (en) | 2005-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005277374A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP3567790B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
JP5232972B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 | |
JP5246213B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
US8513694B2 (en) | Nitride semiconductor device and manufacturing method of the device | |
US8614454B2 (en) | Semiconductor light-emitting device, manufacturing method thereof, and lamp | |
US7888696B2 (en) | Semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same | |
US20100133506A1 (en) | Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor | |
JP2006114886A (ja) | n型III族窒化物半導体積層構造体 | |
TW201013987A (en) | Group III nitride semiconductor light emitting device, process for producing the same, and lamp | |
JP2006135311A (ja) | 窒化物半導体を用いた発光ダイオード | |
JP2005244207A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
US8350278B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device | |
US20080248639A1 (en) | Method for forming electrode for group III nitride based compound semiconductor and method for manufacturing p-type group III nitride based compound semiconductor | |
JP2007281037A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2008294188A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP4635727B2 (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法、窒化物半導体発光ダイオード用エピタキシャルウエハ、及び窒化物半導体発光ダイオード | |
WO2009142265A1 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ | |
JP2008277714A (ja) | GaN系半導体発光ダイオードの製造方法 | |
JP3580169B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP2005085932A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP2005072310A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法 | |
JP4487712B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
JP2006100475A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2011159801A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |