JP2007304585A - アゾベンゼン基ポリマーを利用した微細パターニング方法、及び前記微細パターニング方法を利用した窒化物系半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被エッチング層上にアゾベンゼン基ポリマーフィルムを形成するステップと、アゾベンゼン基ポリマーフィルムに干渉レーザビームを照射して、アゾベンゼン基ポリマーの光物理的な物質移動特性による微細パターンの表面凹凸を形成するステップと、表面凹凸パターンのアゾベンゼン基ポリマーフィルムをエッチングマスクとして利用し、被エッチング層をエッチングするステップと、前記アゾベンゼン基ポリマーフィルムを除去するステップと、を含む微細パターニング方法である。
【選択図】図4B
Description
まず、アゾベンゼン基ポリマーとして、PDO3(図3を参照)を準備した。そして、前記PDO3をシクロヘキサノンに溶解して準備した溶液を、あらかじめ準備したITO層上にスピンコーティングして500nmの厚さに形成し、これから有機溶媒を除去するために100℃の真空オーブンで乾燥させて、PDO3フィルムを形成した。前記PDO3フィルムに、図2に示す光学装置を利用し、488nmのArレーザで1時間露光させて前記PDO3フィルムに表面凹凸を形成した。次いで、前記表面凹凸パターンのPDO3フィルムをエッチングマスクとして利用しITO層をエッチングした。前記ITO層のエッチングのために、ICPを利用し、このとき、1000Wattで2分間行われ、反応気体としてAr気体とCH4気体とをそれぞれ9:1の体積比で混合して使用した。
2a パターン
4 アゾベンゼン基ポリマーフィルム
4a 突出部
4b 凹凸間隙。
Claims (23)
- 被エッチング層上にアゾベンゼン基ポリマーフィルムを形成するステップと、
前記アゾベンゼン基ポリマーフィルムに干渉レーザビームを照射して、アゾベンゼン基ポリマーの光物理的な物質移動特性による微細パターンの表面凹凸を形成するステップと、
前記表面凹凸パターンのアゾベンゼン基ポリマーフィルムをエッチングマスクとして利用し、前記被エッチング層をエッチングするステップと、
前記アゾベンゼン基ポリマーフィルムを除去するステップと、を含むことを特徴とする微細パターニング方法。 - 前記アゾベンゼン基ポリマーフィルムの除去は、常温ないし425℃の温度範囲で熱処理により行われることを特徴とする請求項1に記載の微細パターニング方法。
- 前記熱処理は、1ないし12時間行われることを特徴とする請求項2に記載の微細パターニング方法。
- 前記アゾベンゼン基ポリマーは、分子量が数千ないし数十万の範囲にある物質であることを特徴とする請求項1に記載の微細パターニング方法。
- 前記アゾベンゼン基ポリマーは、ポリ ディスパース オレンジ3(PDO3)を含むことを特徴とする請求項1に記載の微細パターニング方法。
- 前記干渉レーザビームは、488nmのArレーザで得られることを特徴とする請求項1に記載の微細パターニング方法。
- 前記微細パターンは、前記表面凹凸間隙のサイズが数十nmないし数千nmのパターンであることを特徴とする請求項1に記載の微細パターニング方法。
- 前記微細パターンの周期は、10μm以下であることを特徴とする請求項7に記載の微細パターニング方法。
- 前記微細パターンは、前記表面凹凸間隙のサイズが1μm以下のパターンであることを特徴とする請求項8に記載の微細パターニング方法。
- 前記微細パターンは、1−Dパターン、2−Dパターンまたは3−Dパターンで形成されることを特徴とする請求項1に記載の微細パターニング方法。
- n型半導体層、活性層、p型半導体層、n−電極及びp−電極を備える窒化物系半導体発光素子の製造方法において、
前記n型半導体層、p型半導体層、n−電極及びp−電極よりなる群のうちいずれか一つの層を被エッチング層として選択して、前記被エッチング層上にアゾベンゼン基ポリマーフィルムを形成するステップと、
前記アゾベンゼン基ポリマーフィルムに干渉レーザビームを照射して、アゾベンゼン基ポリマーの光物理的な物質移動特性による微細パターンの表面凹凸を形成するステップと、
前記表面凹凸パターンのアゾベンゼン基ポリマーフィルムをエッチングマスクとして利用し前記被エッチング層をエッチングすることによって、前記被エッチング層に光結晶構造の凹凸面を形成するステップと、
前記アゾベンゼン基ポリマーフィルムを除去するステップと、を含むことを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。 - 前記アゾベンゼン基ポリマーフィルムの除去は、常温ないし425℃の温度範囲で熱処理により行われることを特徴とする請求項11に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記熱処理は、1ないし12時間行われることを特徴とする請求項12に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記アゾベンゼン基ポリマーは、分子量が数千ないし数十万の範囲にある物質であることを特徴とする請求項11に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記アゾベンゼン基ポリマーは、ポリ ディスパース オレンジ3(PDO3)を含むことを特徴とする請求項11に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記干渉レーザビームは、488nmのArレーザで得られることを特徴とする請求項11に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記微細パターンは、前記表面凹凸間隙のサイズが数十nmないし数千nmのパターンであることを特徴とする請求項11に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記微細パターンの周期は、10μm以下であることを特徴とする請求項17に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記微細パターンは、前記表面凹凸間隙のサイズが1μm以下のパターンであることを特徴とする請求項18に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記微細パターンは、1−Dパターン、2−Dパターンまたは3−Dパターンで形成されることを特徴とする請求項11に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記n−電極は、透明な導電性酸化物で形成されることを特徴とする請求項11に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 前記p−電極は、透明な導電性酸化物で形成されることを特徴とする請求項11に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 請求項11に記載の方法で製造されてなる窒化物系半導体発光素子。
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