WO2012042817A1 - パタン形成方法、基板製造方法、及びモールド製造方法 - Google Patents

パタン形成方法、基板製造方法、及びモールド製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2012042817A1
WO2012042817A1 PCT/JP2011/005381 JP2011005381W WO2012042817A1 WO 2012042817 A1 WO2012042817 A1 WO 2012042817A1 JP 2011005381 W JP2011005381 W JP 2011005381W WO 2012042817 A1 WO2012042817 A1 WO 2012042817A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
photoresist layer
substrate
etching
hole
pattern
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/005381
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
朋一 梅澤
Original Assignee
富士フイルム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士フイルム株式会社 filed Critical 富士フイルム株式会社
Priority to CN2011800466114A priority Critical patent/CN103124929A/zh
Priority to KR1020137010666A priority patent/KR101294642B1/ko
Publication of WO2012042817A1 publication Critical patent/WO2012042817A1/ja
Priority to US13/850,667 priority patent/US20130213931A1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0017—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/105—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having substances, e.g. indicators, for forming visible images
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/3842—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining

Definitions

  • the present invention relates to a pattern formation method, and more particularly to a pattern formation method in which a pattern is formed by irradiating a photoresist layer capable of heat mode shape change with laser light.
  • the present invention also relates to a method of manufacturing a substrate having a concavo-convex pattern on the surface using a pattern formed by such a pattern forming method.
  • the present invention relates to a method for producing a mold from a pattern formed by using the pattern forming method.
  • a pattern forming method using a photoresist layer capable of changing the shape in a heat mode is known (for example, see Patent Document 1).
  • this pattern formation method first, a photoresist layer capable of changing the shape of the heat mode is formed on a substrate, and then the photoresist layer is irradiated with laser light.
  • the portion irradiated with the laser beam disappears due to the energy of the laser beam, and a hole (concave portion) is formed in the photoresist layer. Since this pattern formation method does not require a development process, the manufacturing process can be simplified.
  • a hole is formed by causing a chemical change and / or physical change such as decomposition, sublimation, vaporization, and scattering in the portion irradiated with the laser beam, and foreign matter is generated at the time of the change.
  • Patent Document 2 After the hole is formed, the foreign matter is removed using a liquid that does not react with the photoresist layer. By performing cleaning using such a liquid, it is possible to form a favorable concavo-convex shape when etching is performed using the photoresist layer as a mask in the subsequent process to form a recess on the substrate surface.
  • Patent Document 2 there is a problem that when foreign matter is removed (cleaned) using a liquid, the liquid penetrates into the photoresist layer.
  • the liquid used for removing foreign substances is a liquid that does not react with the photoresist layer, if the liquid penetrates to the interface between the photoresist layer and the substrate through the photoresist layer, the substrate surface is damaged, and the photoresist layer and the substrate are separated. The problem that it becomes easy to peel arises.
  • an object of the present invention is to provide a pattern forming method capable of removing foreign matters generated when forming a hole while suppressing damage to a substrate. It is another object of the present invention to provide a substrate manufacturing method and a mold manufacturing method using such a pattern forming method.
  • the present invention provides a step of forming a photoresist layer made of an organic dye capable of changing the shape of a heat mode on a substrate, irradiating the photoresist layer with laser light, and A step of forming a hole in a portion of the layer irradiated with the laser beam, and a step of etching the photoresist layer using a predetermined gas in a vacuum subsequent to the step of forming the hole.
  • a pattern forming method is provided.
  • the etching amount in the etching step may be determined according to the thickness of the photoresist layer in the hole.
  • the pattern forming method may further include a step of measuring the thickness of the photoresist layer in the hole, and the etching amount may be determined based on the thickness measured in the measuring step.
  • the step of measuring the thickness of the photoresist layer in the hole is measured at a plurality of measurement points, an average value of the thickness of the photoresist layer at the measured plurality of measurement points is obtained, and the determination is performed.
  • the etching amount may be determined based on the average value.
  • the etching amount may be determined to be 1.05 times or more the average value.
  • the average value may be determined to be 1.2 times or more.
  • a residual film variation is obtained based on a difference between a maximum value and a minimum value of the thickness of the photoresist layer measured at the plurality of measurement points, and the average value and the residual film variation
  • the etching amount may be determined based on the above.
  • the thickness of the photoresist layer in the hole is measured at a plurality of measurement points, and based on the maximum value of the thickness of the photoresist layer at the measured plurality of measurement points.
  • the etching amount may be determined.
  • the substrate may be a Si substrate
  • the predetermined gas may be a gas containing O 2 .
  • the step of etching the photoresist layer it is preferable to remove foreign matter generated by irradiating the photoresist layer with laser light when the hole is formed.
  • the present invention also includes a step of forming a photoresist layer made of an organic dye capable of changing the shape of a heat mode on a substrate, irradiating the photoresist layer with laser light, and the laser light of the photoresist layer Forming a hole in the irradiated portion, etching the photoresist layer using a predetermined gas in vacuum after the formation of the hole, exposing the substrate surface in the hole, and Subsequent to the step of exposing the substrate surface, plasma etching is performed using the photoresist layer as a mask to form a concavo-convex pattern on the substrate surface. .
  • the photoresist layer is etched using a predetermined gas in a vacuum, and the photoresist layer on the substrate is removed. It can be set as the structure which further has the process to perform.
  • the substrate may be a Si substrate, and plasma etching may be performed using a gas containing SF 6 in the step of forming an uneven pattern on the substrate surface.
  • the present invention provides a step of forming a photoresist layer made of an organic dye capable of changing the shape of a heat mode on a substrate to produce a photoresist structure, and a surface on the photoresist layer side of the photoresist structure.
  • the substrate surface is exposed in the hole, and the step of etching the photoresist layer and the step of transferring the concavo-convex pattern are performed. It is possible to adopt a configuration further including a step of performing plasma etching using the resist layer as a mask to form an uneven pattern on the substrate surface.
  • the photoresist layer is etched using a predetermined gas in a vacuum, and the A structure having a step of removing the photoresist layer may also be employed.
  • gas etching is performed on the photoresist layer after forming a hole by irradiating the photoresist layer formed on the substrate with laser light.
  • the gas etching By performing the gas etching, the foreign matter generated when the hole is formed by irradiating the laser beam can be removed.
  • a dry etching technique is used for removing foreign matter, and damage to the substrate during foreign matter removal can be suppressed to a lower level than when removing foreign matter using a liquid.
  • gas etching is performed on the photoresist layer so that the substrate is exposed in at least a part of the plurality of holes. Variation in the depth of the part can be suppressed.
  • the etching amount in the gas etching is determined so that the substrate is exposed in all the hole portions, the depths of the hole portions can be made substantially the same.
  • the substrate manufacturing method of the present invention can produce a substrate having an uneven pattern formed on the substrate surface using the pattern forming method of the present invention. Moreover, the mold manufacturing method of this invention can produce the mold of the pattern corresponding to the uneven
  • Sectional drawing which shows the process of the pattern formation by the pattern formation method which concerns on 1st Embodiment of this invention. Sectional drawing which shows the process of the pattern formation by the pattern formation method which concerns on 1st Embodiment of this invention. Sectional drawing which shows the process of the pattern formation by the pattern formation method which concerns on 1st Embodiment of this invention. Sectional drawing which shows the process of the pattern formation by the pattern formation method which concerns on 1st Embodiment of this invention. Sectional drawing which shows the process of the pattern formation by the pattern formation method which concerns on 1st Embodiment of this invention.
  • surface which shows the evaluation result of a foreign material removal.
  • Sectional drawing which shows the process of board
  • Sectional drawing which shows the process of board
  • Sectional drawing which shows the process of board
  • Sectional drawing which shows the process of board
  • surface which shows the evaluation result of the depth dispersion
  • Sectional drawing which shows the process of mold preparation by the molding method which concerns on 4th Embodiment of this invention.
  • Sectional drawing which shows the process of mold preparation by the molding method which concerns on 4th Embodiment of this invention.
  • the first embodiment of the present invention relates to a method for forming a pattern in a photoresist layer.
  • 1A to 1E show a manufacturing process of pattern formation.
  • a photoresist layer 12 is formed on the substrate 11 with a predetermined thickness (FIG. 1A).
  • the substrate 11 for example, a silicon substrate is used.
  • an organic dye capable of changing the shape in the heat mode is used. More specifically, a material is used in which light is converted into heat when intense light is irradiated, and the shape of the material is changed by the heat to form a hole.
  • a recording material used for a recording layer of a write-once type optical recording medium can be used as the material of the photoresist layer 12.
  • the substrate 11 and the photoresist layer 12 constitute a photoresist structure 10.
  • a laser beam is focused on the surface of the photoresist structure 10 on the side of the photoresist layer 12 (FIG. 1B), and a hole 13 is formed in the portion irradiated with the laser (FIG. 1C).
  • the wavelength of the laser beam used at this time may be appropriately selected according to the material used for the photoresist layer 12. Further, the laser power, the linear velocity at the time of laser scanning, and the like may be appropriately adjusted according to the depth of the hole to be obtained.
  • a desired position on the photoresist layer 12 is irradiated with a laser beam to form a desired uneven pattern on the photoresist layer 12. At this time, foreign matter (not shown) is generated on the photoresist layer 12 when the hole 13 is formed.
  • the surface on the photoresist layer 12 side of the photoresist structure 10 is etched using a predetermined gas in a vacuum (FIG. 1D).
  • a gas that does not react with the substrate 11 is used.
  • O 2 gas can be used.
  • the reason why foreign matters can be removed by gas etching is considered as follows. That is, the foreign matter generated by irradiating the photoresist layer 12 with laser light is considered to be caused by the material of the photoresist layer 12 being altered by heat or the like, and the molecular weight is lower than that of the material of the photoresist layer 12. It is thought that. By performing, for example, O 2 plasma etching on the photoresist layer 12 containing such a low molecular weight foreign material, the film thickness of the photoresist layer 12 is reduced overall, while the low molecular weight foreign material is removed. It is considered that the foreign material is removed by peeling off from the photoresist layer 12.
  • the present inventor conducted an experiment to confirm how much foreign matter can be removed under a plurality of etching conditions.
  • a silicon substrate (100) having a thickness of 0.5 mm was used as the substrate 11.
  • a dye material (oxonol dye) having the following chemical formula was used for the photoresist layer 12. 2 g of this dye material was dissolved in 100 ml of a TFP (tetrafluoropropanol) solvent and applied onto a silicon substrate by spin coating. The film thickness of the spin-coated dye resist layer was 110 nm.
  • a plurality of samples of the dye resist structure subjected to the laser exposure described above were prepared. Each sample produced was subjected to O 2 plasma etching using an etching apparatus (EXAM manufactured by Shinko Seiki Co., Ltd.) while changing the etching time.
  • the etching conditions for O 2 plasma etching are as follows. ⁇ Input power 50W ⁇ O 2 gas flow rate 100sccm (pressure 18Pa) ⁇ Etching time 10 seconds to 70 seconds (10-second step)
  • each sample was observed using an atomic force microscope (AFM, Nanoscope V manufactured by Nihon Beco) to count and evaluate the number of foreign matters.
  • the observation area was 2 ⁇ m ⁇ 2 ⁇ m. This observation was also performed on a dye resist structure that was not subjected to O 2 etching after laser exposure.
  • FIG. 2 shows the evaluation results.
  • the number of foreign matters was 168.
  • the etching thickness of the dye resist layer was 17.5 mm. That is, the film thickness of the dye resist layer was reduced by 17.5 mm. At this time, the number of foreign matters was 137.
  • the etching thickness of the dye resist layer was 37.5 mm, and the number of foreign matters was 116.
  • no. 4 to No As shown in FIG. 8, as the etching time increased, the etching thickness of the dye resist layer increased and the number of foreign matters decreased.
  • the photoresist layer 12 formed on the substrate 11 is irradiated with laser light to form the hole 13, and the photoresist layer 12 is etched by gas etching.
  • gas etching By performing gas etching, foreign matter generated when the hole 13 is formed by irradiating the laser beam can be removed from the photoresist layer 12.
  • the dry etching method is used to remove the foreign matter, the problem of the stain of the etching solution, which is a problem in the wet etching, does not occur, and the foreign matter can be removed without damaging the substrate 11. Is possible.
  • the photoresist layer 12 is irradiated with a laser beam under the same laser exposure conditions to form a plurality of holes 13 on the photoresist layer 12 (FIG. 1C).
  • the depth of the portion 13 is not uniform, and there is a relatively large variation in the depth of the hole portion 13.
  • the second embodiment aims to reduce the variation in depth of the hole 13 formed by laser beam irradiation.
  • the etching amount is determined. For example, after the hole 13 is formed, a step of measuring the remaining film in the hole is added. The remaining film in the hole is determined by the difference between the film thickness of the photoresist layer 12 before the hole is formed (FIG. 1A) and the depth of the hole 13 after the hole is formed (FIG. 1C). Based on the measured remaining film of the hole, the etching amount when removing foreign matters by performing gas etching is determined.
  • the remaining film in the hole is measured at several measurement points, for example, 10 measurement points in a large number of holes 13 formed on the photoresist layer 12. measure. Or you may measure the remaining film of all the hole parts.
  • An average value of the remaining film of the hole measured at a plurality of measurement points is obtained, and an etching amount is determined based on the average value. For example, if the variation of the remaining film in the hole portion with respect to the average of the remaining film in the hole portion is 10%, the etching amount in gas etching is 1.05 times or more of the average value of the remaining film in the hole portion. To decide.
  • the etching amount is set to 1.05 times the average value of the remaining film in the hole, if the variation of the remaining film in the hole is within 10%, gas etching is performed and the film thickness of the photoresist layer 12 is increased. As a result, the surface of the substrate 11 can be exposed at the positions of the holes 13. In that case, the depth of each hole 13 can be made uniform to a depth obtained by subtracting the etching amount in gas etching from the film thickness of the photoresist layer 12 formed on the substrate 11.
  • the etching amount was determined with respect to the assumed variation in the depth of the hole, but from the measurement results of the remaining film in the hole at a plurality of measurement points, the maximum value and the minimum value of the remaining film in the hole The difference may be obtained as a variation amount of the remaining film, and the etching amount may be determined based on the obtained variation amount. For example, the etching amount is set to a value that is larger by half the amount of variation obtained than the average value of the remaining film in the hole. By determining the etching amount in this way, the surface of the substrate 11 can be exposed at the position of each hole 13.
  • the maximum value of the remaining film in the hole may be obtained, and the etching amount may be equal to or greater than the maximum value.
  • the surface of the substrate 11 can be exposed in each hole. Further, from experience, it has been found that there is no variation in the remaining film in the hole portion up to 40% with respect to the average value of the remaining film in the hole portion. For this reason, it is good also considering the etching amount as 1.2 times or more of the average value of the residual film of a hole. Also in this case, the surface of the substrate 11 can be exposed in each hole, and the depth of the hole can be made uniform.
  • the upper limit of the etching amount there is no particular limitation on the upper limit of the etching amount.
  • the etching amount is increased, the thickness of the photoresist layer 12 is reduced, and the depth of the hole portion is also reduced accordingly.
  • the upper limit of the etching amount is appropriately determined from the relationship between the film thickness of the photoresist layer 12 formed on the substrate 11 and the depth of the hole to be obtained.
  • the residual film in the hole is actually measured, and the etching amount is determined based on the measurement result.
  • the present invention is not limited to this.
  • the relationship between the laser exposure conditions, the depth of the hole to be formed, and the variation thereof may be calibrated in advance, and the etching amount may be determined using the relationship.
  • the etching amount when removing foreign matters by performing gas etching is determined according to the remaining film in the hole after the hole is formed.
  • the variation in the depth of the holes 13 in the state at the end of the gas etching (FIG. 1E) This can be suppressed as compared with the case where etching is not performed.
  • the depth of each hole 13 can be made uniform by determining the etching amount so that the entire surface of the substrate 11 is exposed at the position of each hole 13.
  • the present embodiment relates to a method for manufacturing a substrate having a concavo-convex pattern using a concavo-convex pattern formed in a photoresist layer.
  • the pattern forming method in the second embodiment is used for forming the uneven pattern of the photoresist layer 12. That is, a photoresist layer 12 is formed on the substrate 11 (FIG. 1A), a laser beam is irradiated on the photoresist layer 12 to form a hole 13 (FIGS. 1B and 1C), and gas etching is performed to perform photo etching. Foreign matter on the resist layer 12 is removed (FIGS. 1D and 1E). In the gas etching, the surface of the substrate 11 at the position of the hole 13 is exposed to make the depth of the hole 13 uniform.
  • 3A to 3D show a manufacturing process of a substrate having a concavo-convex pattern.
  • plasma etching is performed using the photoresist layer 12 as a mask (FIG. 3A) to form a recess 14 in the substrate 11 ( FIG. 3B).
  • a gas containing SF 6 can be used for the plasma etching.
  • the etching gas a gas in which SF 6 and CH 3 are mixed at a predetermined ratio may be used.
  • the photoresist layer 12 is etched using a predetermined gas in a vacuum (FIG. 3C), and the photoresist layer 12 remaining on the surface of the substrate 11 is removed (FIG. 3D). If the substrate 11 is a silicon substrate, O 2 gas can be used for this etching. By removing the photoresist layer 12, the substrate 11 (photoresist structure 10) having an uneven pattern formed on the surface can be obtained. In the step of removing foreign matter on the photoresist layer 12 performed before etching the substrate 11, the depth of the recesses 14 formed on the substrate 11 is made uniform by making the depth of the holes 13 uniform. Variation can be suppressed.
  • the inventor performs the foreign matter removal process (FIGS. 1D and 1E) under a plurality of etching conditions, and the etching amount (etching time) in the foreign matter removal process varies in the depth of the recess 14 formed in the substrate 11.
  • An experiment was conducted to confirm what kind of effect it will have.
  • a silicon substrate (100) having a thickness of 0.5 mm was used as the substrate 11.
  • a dye material having the following chemical formula was used for the photoresist layer 12. 2 g of this dye material was dissolved in 100 ml of a TFP (tetrafluoropropanol) solvent and applied onto a silicon substrate by spin coating.
  • the film thickness of the spin-coated dye resist layer was 110 nm.
  • the surface of the dye resist constituent body on the dye resist layer side is subjected to laser exposure using NEO1000 (wavelength 405 nm, NA 0.85) manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd. Part was formed.
  • the laser exposure conditions are as follows. ⁇ Laser feed pitch 0.2 ⁇ m ⁇ Line speed 5m / s ⁇ Square wave of recording signal 25MHz (duty ratio 20%) ⁇ Laser output 3.5mW
  • a plurality of samples of the dye resist structure subjected to the laser exposure described above were prepared. Each of the produced samples was subjected to plasma etching using O 2 gas (external particle removal step) using an etching apparatus (EXAM manufactured by Shinko Seiki) while changing the etching time.
  • the etching conditions for this O 2 plasma etching are as follows. ⁇ Input power 50W ⁇ O 2 gas flow rate 100sccm (pressure 18Pa) ⁇ Etching time 40 seconds to 50 seconds (2 seconds step), 60 seconds
  • each sample was subjected to O 2 plasma etching (ashing) using an etching apparatus (EXAM manufactured by Shinko Seiki Co., Ltd.).
  • the etching conditions for this O 2 plasma etching are as follows. ⁇ Input power 180W ⁇ O 2 gas flow rate 100sccm (pressure 18Pa) ⁇ Etching time 40 seconds
  • the surface of the silicon substrate on which the concave portion of each dye resist constituent (each sample) was formed was observed using an atomic force microscope (AFM, Nanoscope V manufactured by Veeco Japan). The observation area was 2 ⁇ m ⁇ 2 ⁇ m. The surface of the silicon substrate was observed, and the depths and variations of the dot-shaped recesses formed on the silicon substrate were measured.
  • AFM atomic force microscope
  • Fig. 4 shows the measurement results.
  • the average depth (dot depth) of the hole portion of the dye resist was 55 mm.
  • the maximum dot depth was 57.5 mm, and the minimum was 52.1.
  • the variation amount which is the difference between the maximum and minimum dot depth, was 5.4 mm, and the variation with respect to the average depth was 9.8%.
  • the hole formed in the dye resist layer by laser beam irradiation has a variation of about 10% with respect to the average depth.
  • the dot depth variation amount was 18.7 mm with respect to the average dot depth (74.4 mm), and the variation with respect to the average dot depth. was 25.1%.
  • the variation in the depth of the hole formed in the dye resist layer has a great effect on the variation in the depth of the recess on the surface of the silicon substrate formed by etching using the dye resist layer as a mask. .
  • No. 3 to No. 8 shows a measurement result of a sample obtained by performing SF 6 plasma etching after performing the first O 2 etching corresponding to the step of removing foreign matters while changing the etching time, and then performing the second O 2 etching corresponding to ashing.
  • the first O 2 etching time was short, and the ratio of the etching amount to the average remaining film in the hole portions was 96.5% and 101.6%, respectively.
  • the depth variation of the hole formed in the dye resist layer takes a relatively large value (about 10%)
  • after performing the first O 2 etching in all the hole positions. It is considered that the substrate surface cannot be exposed, and a portion where the substrate surface is exposed and a portion where the substrate surface is not exposed are mixed.
  • the first O 2 etching is performed with an etching amount of 105% or more with respect to the variation in depth (9.8%) of the hole formed in the dye resist layer.
  • the variation in the depth of the recesses on the surface of the silicon substrate was 4.2%, 4.2%, 3.9%, and 3.8%, respectively. From these measurement results, when the variation in the depth of the hole portion of the dye resist layer is about 10%, the variation in the dot depth can be reduced by setting the ratio of the etching amount to the average remaining film to be 1.05 (105%) or more. It was found that it can be kept as low as around 4%.
  • the concave portion is formed by etching the silicon substrate using the dye resist layer as a mask, it is important to expose the substrate surface at the position of the hole before etching the silicon substrate.
  • the depth average of the hole formed in the dye resist layer is half of the depth variation. It is important to etch the dye resist layer with an etching amount that is greater than the value.
  • the photoresist layer 12 formed on the substrate 11 is irradiated with laser light to form a hole 13, gas etching is performed to remove foreign matter on the photoresist layer 12, and the photoresist layer 12
  • the substrate 11 is etched using as a mask.
  • the recess 14 can be formed on the surface of the substrate 11 with the pattern of the hole 13 formed in the photoresist layer 12.
  • the foreign matter on the photoresist layer 12 is removed by performing the gas etching before the etching of the substrate 11, it is possible to form a favorable recess that is not affected by the foreign matter in the substrate 11.
  • the depth variation of the recesses formed in the substrate 11 can be suppressed by determining the etching amount so that the substrate surface is exposed at the position of each hole.
  • the present embodiment relates to a method of manufacturing a mold using the substrate having the uneven pattern manufactured in the third embodiment.
  • the substrate manufacturing method according to the third embodiment is used. That is, a photoresist layer 12 is formed on the substrate 11 (FIG. 1A), a laser beam is irradiated on the photoresist layer 12 to form a hole 13 (FIGS. 1B and 1C), and gas etching is performed to perform photo etching. Foreign matter on the resist layer 12 is removed (FIGS. 1D and 1E).
  • plasma etching is performed using the photoresist layer 12 as a mask to form a recess 14 on the surface of the substrate 11 (FIGS. 3A and 3B), and ashing is performed to remove the photoresist layer 12 (FIGS. 3C and 3D). .
  • FIG. 5A and 5B show a manufacturing process of the substrate having the uneven pattern.
  • a metal layer 15 is laminated on the surface of the substrate 11 on which the uneven pattern is formed (FIG. 5A).
  • a thin conductive film is formed on the substrate 11, for example, the substrate 11 is placed in a predetermined plating solution, and electroplating is performed, and the metal layer 15 is formed on the substrate 11 with a predetermined thickness.
  • a metal mold to which the uneven pattern formed on the substrate 11 is transferred is obtained (FIG. 5B).
  • nickel can be used as the material of the metal mold.
  • the metal mold In the production of the metal mold, after the hole 13 is formed by irradiating the photoresist layer 12 with laser light, gas etching is performed to remove foreign matters generated when the hole is formed. A good concavo-convex pattern that is not affected by foreign matter can be transferred to the surface. Further, by appropriately setting the etching amount when removing the foreign matter and performing gas etching so that the surface of the substrate 11 is exposed in the hole 13, the pattern height (pattern depth) of the concavo-convex pattern transferred to the metal mold. ) Can be suppressed.
  • an uneven pattern is formed on the substrate 11, and the photoresist structure 10 (the substrate 11) in a state where the photoresist layer 12 is removed by ashing is used as a master to transfer the uneven pattern.
  • the photoresist layer 10 is irradiated with a laser to form the hole 13, and then the photoresist structure 10 (FIG. 1E) from which foreign substances are removed by gas etching is used as a master to transfer the uneven pattern. Is also possible. At this time, by making the depth of the hole 13 uniform in the foreign substance removal etching, variations in the pattern height of the transferred uneven pattern can be suppressed.
  • the present invention is not limited to this.
  • the ashing process may be omitted.
  • the concave / convex pattern may be transferred to the mold using the photoresist structure 10 with the photoresist layer 12 shown in FIG. 3B remaining as a master.
  • the material of the mold is not limited to metal, and the transfer of the uneven pattern is not limited to the electroplating process.
  • the photoresist layer in the above-described embodiment, the example using the oxonol dye having the above chemical formula has been described.
  • the photoresist layer is not limited to the dye represented by the above chemical formula.
  • a dye represented by the following chemical formula may be used.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】基板に与えるダメージを抑えつつ、フォトレジスト層上の異物を除去する。 【解決手段】基板（１１）上に、ヒートモードの形状変化が可能な有機色素からなるフォトレジスト層（１２）を形成する。フォトレジスト層（１２）にレーザ光を照射し、フォトレジスト層のレーザ光が照射された部分に穴部（１３）を形成する。真空中で所定のガスを用いてフォトレジスト層（１２）をエッチングし、レーザ光を照射して穴部（１３）を形成する際に発生した異物を除去する。

Description

パタン形成方法、基板製造方法、及びモールド製造方法
　本発明は、パタン形成方法に関し、更に詳しくはヒートモードの形状変化が可能なフォトレジスト層にレーザ光を照射してパタンを形成するパタン形成方法に関する。また本発明は、そのようなパタン形成方法で形成されたパタンを用いて表面に凹凸パタンを有する基板を製造する方法に関する。更に本発明は、パタン形成方法を用いて形成されたパタンからモールドを製造する方法に関する。
　微細凹凸パタンの形成方法として、ヒートモードの形状変化が可能なフォトレジスト層を用いたパタン形成方法が知られている（例えば特許文献１参照）。このパタン形成方法では、まず、基板上にヒートモードの形状変化が可能なフォトレジスト層を形成し、次いで、そのフォトレジスト層にレーザ光を照射する。フォトレジスト層において、レーザ光が照射された部分がレーザ光のエネルギーによって消失し、フォトレジスト層に穴部（凹部）が形成される。このパタン形成方法は、現像工程が不要なことから、製造工程を簡易化することができる。
　ところで、上記のパタン形成方法では、レーザ光を照射した部分が分解・昇華・気化・飛散などの化学変化及び／又は物理変化を起こすことで穴部が形成されるため、その変化時に異物が発生することが知られている（例えば特許文献２参照）。この問題点に対し、特許文献２では、穴部の形成後に、フォトレジスト層に対して反応しない液体を用いて異物の除去を行う。そのような液体を用いて洗浄を行うことで、その後の工程においてフォトレジスト層をマスクとしてエッチングを行い、基板表面上に凹部を形成したとき、良好な凹凸形状を形成できる。
特開２００９－２７７３３５号公報 特開２００９－１１７０１９号公報
　しかしながら、特許文献２において、液体を用いて異物除去（洗浄）を行うと、その液体のフォトレジスト層へのしみ込みが生じるという問題がある。異物除去に用いる液体はフォトレジスト層には反応しない液体ではあるものの、液体がフォトレジスト層を通してフォトレジスト層と基板との界面までしみ込むと、基板表面にダメージを与え、フォトレジスト層と基板とが剥離しやすくなるという問題が生じる。
　本発明は、上記に鑑み、基板に与えるダメージを抑えつつ、穴部形成の際に生じた異物を除去できるパタン形成方法を提供することを目的とする。また、本発明は、そのようなパタン形成方法を利用した基板製造方法及びモールド製造方法を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明は、基板上にヒートモードの形状変化が可能な有機色素からなるフォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層にレーザ光を照射し、前記フォトレジスト層の前記レーザ光が照射された部分に穴部を形成する工程と、前記穴部を形成する工程に後続して、真空中で所定のガスを用いて前記フォトレジスト層をエッチングする工程とを有することを特徴とするパタン形成方法を提供する。
　本発明のパタン形成方法においては、前記エッチングを行う工程におけるエッチング量が、前記穴部における前記フォトレジスト層の厚みに応じて決定されてもよい。
　パタン形成方法が、前記穴部における前記フォトレジスト層の厚みを計測する工程を更に有し、該計測する工程で計測した厚みに基づいて前記エッチング量が決定される構成を採用してもよい。この場合、前記計測する工程において、前記穴部における前記フォトレジスト層の厚みを複数の測定ポイントで計測し、該計測した複数の測定ポイントにおける前記フォトレジスト層の厚みの平均値を求め、該求めた平均値に基づいて前記エッチング量が決定されてもよい。
　前記エッチング量は、前記平均値の１．０５倍以上の値に決定されてもよい。あるいは前記平均値の１．２倍以上の値に決定されてもよい。
　前記計測する工程において、更に、前記複数の測定ポイントで計測された前記フォトレジスト層の厚みの最大値と最小値との差に基づいて残膜ばらつきを求め、前記平均値と前記残膜ばらつきとに基づいて前記エッチング量が決定されるようにしてもよい。
　上記に代えて、前記計測する工程において、前記穴部における前記フォトレジスト層の厚みを複数の測定ポイントで計測し、該計測した複数の測定ポイントにおける前記フォトレジスト層の厚みの最大値に基づいて前記エッチング量が決定されてもよい。
　本発明のパタン形成方法において、前記基板がＳｉ基板であり、前記所定のガスがＯ２を含むガスであってもよい。
　前記フォトレジスト層をエッチングする工程において、前記穴部が形成される際に前記フォトレジスト層にレーザ光が照射されることで生じた異物を除去する構成することが好ましい。
　本発明は、また、基板上にヒートモードの形状変化が可能な有機色素からなるフォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層にレーザ光を照射し、前記フォトレジスト層の前記レーザ光が照射された部分に穴部を形成する工程と、前記穴部の形成後、真空中で所定のガスを用いて前記フォトレジスト層をエッチングし、前記穴部において基板表面を露出させる工程と、前記基板表面を露出させる工程に後続して、前記フォトレジスト層をマスクとしてプラズマエッチングを行い、前記基板表面に凹凸パタンを形成する工程とを有することを特徴とする凹凸パタンを有する基板製造を提供する。
　本発明の基板製造方法は、前記基板表面に凹凸パタンを形成する工程に後続して、真空中で所定のガスを用いて前記フォトレジスト層をエッチングし、前記基板上の前記フォトレジスト層を除去する工程を更に有する構成とすることができる。
　前記基板がＳｉ基板であり、前記基板表面に凹凸パタンを形成する工程において、ＳＦ６を含むガスを用いてプラズマエッチングを行ってもよい。
　更に本発明は、基板上にヒートモードの形状変化が可能な有機色素からなるフォトレジスト層を形成し、フォトレジスト構成体を作製する工程と、前記フォトレジスト構成体の前記フォトレジスト層側の面にレーザ光を照射し、前記フォトレジスト層の前記レーザ光が照射された部分に穴部を形成する工程と、前記穴部の形成後、真空中で所定のガスを用いて前記フォトレジスト構成体の前記フォトレジスト層側の面をエッチングし、前記穴部が形成される際に前記フォトレジスト層にレーザ光が照射されることで生じた異物を除去する工程と、前記フォトレジスト層をエッチングする工程の後に、前記フォトレジスト構成体を原盤として用い、該原盤上に形成された凹凸パタンをモールドに転写する工程とを有することを特徴とするモールド製造方法を提供する。
　本発明のモールド製造方法は、前記フォトレジスト層をエッチングする工程で前記穴部において基板表面を露出させ、前記フォトレジスト層をエッチングする工程と前記凹凸パタンを転写する工程との間に、前記フォトレジスト層をマスクとしてプラズマエッチングを行い、前記基板表面に凹凸パタンを形成する工程を更に有する構成を採用することができる。
　上記に加えて、前記基板表面に凹凸パタンを形成する工程と前記凹凸パタンを転写する工程との間に、真空中で所定のガスを用いて前記フォトレジスト層をエッチングし、前記基板上の前記フォトレジスト層を除去する工程を有する構成とすることもできる。
　本発明のパタン形成方法では、基板上に形成されたフォトレジスト層に対してレーザ光を照射して穴部を形成した後に、フォトレジスト層に対してガスエッチングを行う。ガスエッチングを行うことで、レーザ光を照射することで穴部を形成する際に発生した異物を除去できる。本発明では異物除去の際にドライエッチングの手法を用いており、液体を用いて異物除去を行う場合に比して、異物除去の際に基板に与えるダメージを低く抑えることができる。また、フォトレジスト層に形成された穴部が複数あるときに、フォトレジスト層に対してガスエッチングを行って、複数の穴部のうちの少なくとも一部において基板を露出させる構成とした場合、穴部の深さばらつきを抑えることができる。特に、全ての穴部において基板が露出するようにガスエッチングにおけるエッチング量を決定することとした場合は、穴部の深さをほぼ同じ深さに揃えることができる。
　本発明の基板製造方法は、基板表面に、本発明のパタン形成方法を利用して形成された凹凸パタンを有する基板を作製できる。また、本発明のモールド製造方法は、本発明のパタン形成方法を利用して形成された凹凸パタンに対応するパタンのモールドを作製することができる。
本発明の第１実施形態に係るパタン形成方法によるパタン形成の過程を示す断面図。 本発明の第１実施形態に係るパタン形成方法によるパタン形成の過程を示す断面図。 本発明の第１実施形態に係るパタン形成方法によるパタン形成の過程を示す断面図。 本発明の第１実施形態に係るパタン形成方法によるパタン形成の過程を示す断面図。 本発明の第１実施形態に係るパタン形成方法によるパタン形成の過程を示す断面図。 異物除去の評価結果を示す表。 本発明の第３実施形態に係る基板製造方法による基板作製の過程を示す断面図。 本発明の第３実施形態に係る基板製造方法による基板作製の過程を示す断面図。 本発明の第３実施形態に係る基板製造方法による基板作製の過程を示す断面図。 本発明の第３実施形態に係る基板製造方法による基板作製の過程を示す断面図。 基板に形成される凹部の深さばらつきの評価結果を示す表。 本発明の第４実施形態に係るモールド方法によるモールド作製の過程を示す断面図。 本発明の第４実施形態に係るモールド方法によるモールド作製の過程を示す断面図。
　以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳細に説明する。本発明の第１実施形態は、フォトレジスト層にパタンを形成する方法に関する。図１Ａ～図１Ｅは、パタン形成の製造過程を示している。基板１１上に、所定の膜厚でフォトレジスト層１２を形成する（図１Ａ）。基板１１には、例えばシリコン基板を用いる。フォトレジスト層１２の材料には、ヒートモードの形状変化が可能な有機色素を用いる。より詳細には、強い光が照射されたときに光が熱に変換され、その熱により材料が形状変化して穴部を形成可能な材料を用いる。フォトレジスト層１２の材料には、例えば追記型の光記録媒体の記録層に用いられる記録材料を用いることができる。
　基板１１とフォトレジスト層１２とは、フォトレジスト構成体１０を構成する。フォトレジスト構成体１０のフォトレジスト層１２側の面にレーザビームを集光し（図１Ｂ）、レーザが照射された部分に穴部１３を形成する（図１Ｃ）。このとき用いるレーザビームの波長は、フォトレジスト層１２に用いる材料に応じて適宜選択すればよい。また、レーザパワーやレーザ走査の際の線速度などは、得たい穴部の深さなどに応じて適宜調整しておけばよい。レーザビームをフォトレジスト層１２上の所望の位置に照射し、フォトレジスト層１２に所望の凹凸パタンを形成する。このとき、フォトレジスト層１２上には穴部１３の形成の際に異物（図示せず）が生じる。
　続いて、真空中で所定のガスを用いてフォトレジスト構成体１０のフォトレジスト層１２側の面をエッチングする（図１Ｄ）。このエッチングには、基板１１に対して反応しないガスを用いる。例えば基板１１にシリコン基板を用いたときはＯ２ガスを用いることができる。ガスエッチングを行うことで、フォトレジスト層１２の膜厚は全体的に減少する（図１Ｅ）。このとき、フォトレジスト層１２上に存在する穴部１３の形成の際に生じた異物が除去される。
　ガスエッチングにより異物が除去できる理由は、次のように考えられる。すなわち、フォトレジスト層１２上にレーザ光を照射することで生じる異物は、フォトレジスト層１２の材料が熱などにより変質して生じると考えられ、フォトレジスト層１２の材料に比して低分子化されていると考えられる。そのような低分子化された異物を含むフォトレジスト層１２に対して例えばＯ２プラズマエッチングを行うことで、フォトレジスト層１２の膜厚が全体的に減少する一方、低分子化された異物がフォトレジスト層１２からはがれ、異物が除去されるものと考えられる。
　本発明者は、異物除去の効果を確認するために、複数のエッチング条件にて異物がどれくらい除去できるかを確かめる実験を行った。この実験では、基板１１として、厚さ０．５ｍｍのシリコン基板（１００）を用いた。フォトレジスト層１２には、下記化学式の色素材料（オキソノール色素）を用いた。この色素材料２ｇをＴＦＰ（テトラフルオロプロパノール）溶剤１００ｍｌに溶解し、シリコン基板上にスピンコートで塗布した。スピンコートした色素レジスト層の膜厚は１１０ｎｍであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　次に、上記の色素レジスト構成体の色素レジスト層側の面に対し、パルステック工業株式会社製ＮＥＯ１０００（波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．８５）を用いてレーザ露光を行った。レーザ露光条件は、下記の通りである。
　・レーザ送りピッチ　０．２μｍ
　・線速　５ｍ／ｓ
　・記録信号　２５ＭＨｚ（デューティ比２０％）の方形波
　・レーザ出力　３．５ｍＷ
　上記のレーザ露光を行った色素レジスト構成体のサンプルを複数個作製した。作製した各サンプルに対し、エッチング時間を変えつつ、エッチング装置（神鋼精機製ＥＸＡＭ）を用いてＯ２プラズマエッチングを実施した。Ｏ２プラズマエッチングのエッチング条件は、下記のとおりである。
　・投入電力　５０Ｗ
　・Ｏ２ガス流量　１００ｓｃｃｍ（圧力１８Ｐａ）
　・エッチング時間　１０秒から７０秒（１０秒ステップ）
　Ｏ２プラズマエッチング後、各色素レジスト構成体（各サンプル）の色素レジスト層表面を原子間力顕微鏡（AFM、日本ビーコ社製ＮａｎｏｓｃｏｐｅＶ）を用いて観察して異物の個数を数え、評価した。観察領域は、２μｍ×２μｍとした。この観察を、レーザ露光後にＯ２エッチングを実施しなかった色素レジスト構成体についても行った。
　図２は、評価結果を示す。Ｏ２エッチングなしのサンプル（図２の表のＮｏ．１）では、異物の個数は１６８個であった。Ｏ２エッチングを１０秒行ったサンプル（Ｎｏ．２）では、色素レジスト層のエッチング厚さは１７．５ｍｍとなった。つまり色素レジスト層の膜厚は１７．５ｍｍ減少した。このとき、異物の個数は１３７個となった。Ｏ２エッチングを２０秒行ったサンプル（Ｎｏ．３）では、色素レジスト層のエッチング厚さは３７．５ｍｍとなり、異物の個数は１１６個となった。以下、Ｎｏ．４～Ｎｏ．８に示されるように、エッチング時間が増加するほど、色素レジスト層のエッチング厚さは増加し、異物の個数は減少した。
　図２に示す評価結果から、Ｏ２エッチングを行うことで、エッチングを行わない場合に比して色素レジスト上の異物の個数を減らすことができることが確認できた。また、エッチング時間を３０秒以上とすれば、異物の個数は１００個以下となり、良好に異物が除去できることがわかった。
　本実施形態では、基板１１上に形成したフォトレジスト層１２上にレーザ光を照射して穴部１３を形成し、フォトレジスト層１２をガスエッチングでエッチングする。ガスエッチングを行うことで、レーザ光を照射して穴部１３を形成する際に発生する異物を、フォトレジスト層１２から除去できる。また、本実施形態では、異物の除去にドライエッチングの手法を用いているため、ウェットエッチングで問題となるエッチング液のしみの問題が発生せず、基板１１にダメージを与えることなく、異物の除去が可能である。
　続いて、本発明の第２実施形態を説明する。第１実施形態において、フォトレジスト層１２に対し、同一のレーザ露光条件でレーザビームの照射を行い、フォトレジスト層１２上に複数の穴部１３を形成したとき（図１Ｃ）、形成される穴部１３の深さは均一にならず、穴部１３の深さには比較的大きなばらつきが存在する。第２実施形態は、第１実施形態のパタン形成方法において、レーザ光照射により形成された穴部１３の深さばらつきの低減を図る。
　本実施形態では、穴部１３の位置におけるフォトレジスト層１２の膜厚（以下、穴部の残膜とも呼ぶ）に基づいて、穴部形成後のガスエッチングの工程（図１Ｄ、図１Ｅ）におけるエッチング量を決定する。例えば、穴部１３の形成後に、穴部の残膜を計測する工程を追加する。穴部の残膜は、穴部形成前（図１Ａ）のフォトレジスト層１２の膜厚と、穴部形成後（図１Ｃ）の穴部１３の深さとの差で求まる。計測した穴部の残膜に基づいて、ガスエッチングを行って異物を除去する際のエッチング量を決定する。
　穴部の残膜を計測する工程では、例えばフォトレジスト層１２上に形成された多数の穴部１３のうちのいくつかの測定ポイント、例えば１０か所の測定ポイントについて、穴部の残膜を計測する。あるいは全ての穴部の残膜を計測してもよい。複数の測定ポイントに対して計測した穴部の残膜の平均値を求め、その平均値に基づいてエッチング量を決定する。例えば、想定される、穴部の残膜の平均に対する穴部の残膜のばらつきが１０％であれば、ガスエッチングにけるエッチング量を、穴部の残膜の平均値の１．０５倍以上に決定する。
　エッチング量を穴部の残膜の平均値の１．０５倍に設定する場合、穴部の残膜のばらつきが１０％以内に収まっていれば、ガスエッチングを行ってフォトレジスト層１２の膜厚を決定したエッチング量だけ全体的に減少させることで、各穴部１３の位置おいて基板１１の表面を露出させることができる。その場合、各穴部１３の深さを、基板１１上に形成したフォトレジスト層１２の膜厚から、ガスエッチングにおけるエッチング量の分だけ減じた深さに均一化することができる。
　上記では、エッチング量が、想定した穴部の深さのばらつきに対して決定されたが、複数の測定ポイントにおける穴部の残膜の計測結果から、穴部の残膜の最大値と最小値とを求め、その差分を残膜のばらつき量として求め、求めたばらつき量に基づいてエッチング量を決定するようにしてもよい。例えば、エッチング量を、穴部の残膜の平均値よりも求めたばらつき量の半分だけ大きい値以上とする。このようにエッチング量を決定することで、各穴部１３の位置において基板１１の表面を露出させることができる。
　あるいはばらつきを求めるのに代えて、穴部の残膜の最大値を求め、エッチング量を、その最大値以上としてもよい。この場合も、各穴部において基板１１の表面を露出させることができる。また、経験的に、穴部の残膜の平均値に対する穴部の残膜のばらつきが４０％まであることはないことが分かっている。このため、エッチング量を、穴部の残膜の平均値の１．２倍以上としてもよい。この場合もまた、各穴部において基板１１の表面を露出させることができ、穴部の深さを均一化することができる。
　なお、エッチング量の上限については特に制限はない。ただし、エッチング量を増加させるだけ、フォトレジスト層１２の膜厚が減少することになり、それに連れて穴部の深さも減少する。エッチング量の上限は、基板１１上に形成したフォトレジスト層１２の膜厚と、得たい穴部の深さとの関係から適宜定まる。また、上記では、穴部の残膜を実際に計測し、その計測結果に基づいてエッチング量を決定することとしたが、これには限定されない。例えば、事前にレーザ露光条件と形成される穴部の深さ、そのばらつきとの関係を校正しておき、その関係を用いてエッチング量を決定するようにしてもよい。
　本実施形態では、穴部形成後の穴部の残膜に応じて、ガスエッチングを行って異物を除去する際のエッチング量を決定する。少なくともいくつかの穴部１３の位置において基板１１の表面が露出するようにエッチング量を決定することで、ガスエッチング終了時の状態（図１Ｅ）において、穴部１３の深さのばらつきを、ガスエッチングを行わない場合に比して抑制することができる。特に、各穴部１３の位置において、基板１１の表面が全て露出されるようにエッチング量を決定することで、各穴部１３の深さを均一化することができる。
　次いで、本発明の第３実施形態を説明する。本実施形態は、フォトレジスト層に形成された凹凸のパタンを用いて凹凸パタンを有する基板を製造する方法に関する。フォトレジスト層１２の凹凸パタンの形成には、第２実施形態におけるパタン形成方法を用いる。すなわち、基板１１上にフォトレジスト層１２を形成し（図１Ａ）、フォトレジスト層１２上にレーザビームを照射して穴部１３を形成し（図１Ｂ、図１Ｃ）、ガスエッチングを行ってフォトレジスト層１２上の異物を除去する（図１Ｄ、図１Ｅ）。また、ガスエッチングにおいては、穴部１３の位置における基板１１の表面を露出させ、穴部１３の深さを均一化させる。
　図３Ａ～図３Ｄは、凹凸パタンを有する基板の製造過程を示している。異物除去及び穴部１３の深さの均一化のためにガスエッチングを行う工程に後続して、フォトレジスト層１２をマスクとしてプラズマエッチングを行い（図３Ａ）、基板１１に凹部１４を形成する（図３Ｂ）。プラズマエッチングには、ＳＦ６を含むガスを用いることができる。エッチングガスには、ＳＦ６とＣＨ３とを所定の割合で混合したガスを用いてもよい。フォトレジスト層１２をマスクとしてプラズマエッチングを行うことで、基板１１の表面の穴部１３の位置に対応した位置に凹部１４を形成できる。この凹部１４は、穴部１３の形成後にガスエッチングを行って穴部形成の際に生じた異物が除去されているため、異物の影響を受けずに良好に形成できる。
　凹部１４の形成後、真空中で所定のガスを用いてフォトレジスト層１２をエッチングし（図３Ｃ）、基板１１の表面に残存するフォトレジスト層１２を除去する（図３Ｄ）。このエッチングには、基板１１がシリコン基板であれば、Ｏ２ガスを用いることができる。フォトレジスト層１２を除去することで、表面に凹凸パタンが形成された基板１１（フォトレジスト構成体１０）を得ることができる。基板１１のエッチングを行う前に実施するフォトレジスト層１２上の異物を除去する工程において、穴部１３の深さを均一化しておくことで、基板１１上の形成される凹部１４の深さのばらつきを抑えることができる。
　本発明者は、複数のエッチング条件にて異物除去の工程（図１Ｄ、図１Ｅ）を行い、異物除去の工程におけるエッチング量（エッチング時間）が基板１１に形成される凹部１４の深さのばらつきにどのような影響を与えるかを確かめる実験を行った。この実験では、基板１１として、厚さ０．５ｍｍのシリコン基板（１００）を用いた。フォトレジスト層１２には、下記化学式の色素材料を用いた。この色素材料２ｇをＴＦＰ（テトラフルオロプロパノール）溶剤１００ｍｌに溶解し、シリコン基板上にスピンコートで塗布した。スピンコートした色素レジスト層の膜厚は１１０ｎｍであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　次に、上記の色素レジスト構成体の色素レジスト層側の面に対し、パルステック工業株式会社製ＮＥＯ１０００（波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．８５）を用いてレーザ露光を行い、色素レジスト層にドット形状の穴部を形成した。レーザ露光条件は、下記の通りである。
　・レーザ送りピッチ　０．２μｍ
　・線速　５ｍ／ｓ
　・記録信号　２５ＭＨｚ（デューティ比２０％）の方形波
　・レーザ出力　３．５ｍＷ
　上記のレーザ露光を行った色素レジスト構成体のサンプルを複数個作製した。作製した各サンプルに対し、エッチング装置（神鋼精機製ＥＸＡＭ）を用いてＯ２ガスによるプラズマエッチング（異物除去の工程）を、エッチング時間を変えつつ実施した。このＯ２プラズマエッチング（第１のＯ２エッチング）のエッチング条件は、下記のとおりである。
　・投入電力　５０Ｗ
　・Ｏ２ガス流量　１００ｓｃｃｍ（圧力１８Ｐａ）
　・エッチング時間　４０秒から５０秒（２秒ステップ）、６０秒
　第１のＯ２エッチング後の各サンプル（色素レジスト構成体）に対し、エッチング装置（神鋼精機製ＥＸＡＭ）を用いてＳＦ６ガスによるプラズマエッチング（異物除去の工程）を実施した。エッチング条件は、下記の通りである。
　・投入電力　１５０Ｗ
　・ＳＦ６ガス圧力　１０Ｐａ
　・エッチング時間　１０秒
　ＳＦ６によるプラズマエッチング後、各サンプルに対し、エッチング装置（神鋼精機製ＥＸＡＭ）を用いてＯ２プラズマエッチング（アッシング）を実施した。このＯ２プラズマエッチング（第２のＯ２エッチング）のエッチング条件は、下記の通りである。
　・投入電力　１８０Ｗ
　・Ｏ２ガス流量　１００ｓｃｃｍ（圧力１８Ｐａ）
　・エッチング時間４０秒
　第２のＯ２エッチング（アッシング）の後、各色素レジスト構成体（各サンプル）の凹部が形成されたシリコン基板表面を原子間力顕微鏡（AFM、日本ビーコ社製ＮａｎｏｓｃｏｐｅＶ）を用いて観察した。観察領域は、２μｍ×２μｍとした。シリコン基板表面を観察し、シリコン基板に形成されたドット形状の凹部の深さとそのばらつきとを計測した。
　比較例として、異物除去の工程以降の工程を行わなかったサンプル、言い換えればレーザ露光を行った状態のサンプル（図１Ｃ）に対して上記と同様な観察を行った。そのサンプルにおける色素レジスト層の表面を観察し、色素レジスト層に形成されたドット形状の穴部の深さとそのばらつきとを計測した。また、異物除去の工程を行わずに、ＳＦ６プラズマエッチングのエッチング時間を３７秒としたサンプルを用意し、そのサンプルに対して上記と同様な観察を行った。このサンプルの第２のＯ２エッチングにおけるエッチング条件は上記と同様とした。そのサンプルのシリコン基板表面を観察し、基板表面に形成されたドット形状の凹部の深さとそのばらつきとを計測した。
　図４は、計測結果を示す。レーザ露光後に異物除去を行わなかったサンプル（図４の表のＮｏ．１）では、色素レジストの穴部の深さ（ドット深さ）の平均は５５ｍｍとなった。また、ドット深さの最大は５７．５ｍｍとなり、最小は５２．１となった。ドット深さの最大と最小との差であるばらつき量は５．４ｍｍとなり、深さ平均に対するばらつきは９．８％となった。このサンプルにおける計測結果からわかるように、レーザビーム照射により色素レジスト層に形成された穴部は、深さ平均に対して１０％程度のばらつきを有する。
　異物除去を行わずにＳＦ６エッチングを行ったサンプル（Ｎｏ．２）では、ドット深さの平均（７４．４ｍｍ）に対し、ドット深さばらつき量は１８．７ｍｍとなり、ドット深さ平均に対するばらつきは２５．１％となった。このサンプルが示すように、色素レジスト層に形成された穴部の深さばらつきは、色素レジスト層をマスクとしてエッチングを行うことで形成されるシリコン基板表面の凹部の深さばらつきに大きな影響を与える。
　Ｎｏ．３～Ｎｏ．８は、エッチング時間を変えつつ異物除去の工程に相当する第１のＯ２エッチングを行った後にＳＦ６プラズマエッチングを行い、その後アッシングに相当する第２のＯ２エッチングを行ったサンプルの計測結果を示している。Ｎｏ．３及びＮｏ．４のサンプルは、第１のＯ２エッチング時間が短く、穴部の平均残膜に対するエッチング量の比率がそれぞれ９６．５％、１０１．６％となった。これらサンプルでは、色素レジスト層に形成された穴部の深さばらつきが比較的大きな値（１０％程度）を取ることから、第１のＯ２エッチングを行った後に、全ての穴部の位置において基板表面を露出することができず、基板表面が露出された部分と露出されない部分とが混在することになると考えられる。
　Ｎｏ．３及びＮｏ．４のサンプルでは、色素レジスト層をマスクとしてＳＦ６エッチングを行うことで形成されるシリコン基板表面の凹部の深さばらつきが、それぞれ２２．６％、１０．５％となった。このようにばらつきが大きくなった理由は、ＳＦ６エッチングに際して、基板表面が露出された部分と露出されない部分とが混在するためであると考えられる。特にＮｏ．４のサンプルに注目すると、第１のＯ２エッチングのエッチング量を穴部の平均残膜よりも大きくしているものの、シリコン基板表面に形成される凹部の深さばらつきは１０．５％となり、Ｎｏ．１のサンプルにおける色素レジスト層に形成された穴部の深さばらつき（９．８％）よりもばらつきが大きくなった。
　一方、Ｎｏ．５～Ｎｏ．８のサンプルでは、色素レジスト層に形成された穴部の深さばらつき（９．８％）に対し、１０５％以上のエッチング量で、第１のＯ２エッチングを実施している。これらサンプルでは、シリコン基板表面の凹部の深さばらつきが、それぞれ４．２％、４．２％、３．９％、３．８％となった。これら計測結果から、色素レジスト層の穴部の深さばらつきが１０％程度のとき、平均残膜に対するエッチング量の比率を１．０５（１０５％）以上とすることで、ドット深さのばらつきを４％前後と低く抑えることができるということがわかった。
　特に、色素レジスト層をマスクとして用い、シリコン基板をエッチングして凹部を形成する場合は、シリコン基板のエッチング前に、穴部の位置において基板表面を露出させることが重要である。そのためには、ＳＦ６エッチングを行う前に実施される、異物除去を兼ねて行われる第１のＯ２エッチングにおいて、色素レジスト層に形成された穴部の深さ平均から深さばらつきの半分の分だけ大きな値以上のエッチング量で色素レジスト層をエッチングすることが重要である。
　本実施形態では、基板１１上に形成されたフォトレジスト層１２にレーザ光を照射して穴部１３を形成し、ガスエッチングを行ってフォトレジスト層１２上の異物を除去し、フォトレジスト層１２をマスクとして基板１１のエッチングを行う。このようにすることで、フォトレジスト層１２に形成された穴部１３のパタンで、基板１１の表面に凹部１４を形成することができる。その際、基板１１のエッチング前にガスエッチングを行うことでフォトレジスト層１２上の異物が除去されているため、基板１１に、異物の影響を受けない良好な凹部を形成することができる。特に、異物除去の際のエッチングにおいて、各穴部の位置において基板表面が露出するようにエッチング量を決めることで、基板１１に形成される凹部の深さばらつきを抑えることができる。
　引き続き、本発明の第４実施形態を説明する。本実施形態は、第３実施形態で製造された凹凸パタンを有する基板を用いてモールドを製造する方法に関する。凹凸パタンを有する基板の製造には、第３実施形態における基板製造方法が用いられる。すなわち、基板１１上にフォトレジスト層１２を形成し（図１Ａ）、フォトレジスト層１２上にレーザビームを照射して穴部１３を形成し（図１Ｂ、図１Ｃ）、ガスエッチングを行ってフォトレジスト層１２上の異物を除去する（図１Ｄ、図１Ｅ）。その後、フォトレジスト層１２をマスクとしてプラズマエッチングを行って基板１１の表面に凹部１４を形成し（図３Ａ、図３Ｂ）、アッシングを行ってフォトレジスト層１２を除去する（図３Ｃ、図３Ｄ）。
　図５Ａ及び図５Ｂは、凹凸パタンを有する基板の製造過程を示している。アッシングを行う工程に後続して、基板１１の凹凸パタンが形成された側の面に例えば金属層１５を積層する（図５Ａ）。この工程においては、例えば例えば基板１１上に薄い導電膜を形成し、その基板１１を所定のメッキ液に入れて電気めっき処理を行い、金属層１５を所定の厚みで基板１１上に形成する。金属層１５を基板１１から分離することで、基板１１上に形成された凹凸パタンが転写された金属モールドが得られる（図５Ｂ）。この金属モールドの材料には、例えばニッケルを用いることができる。
　金属モールドの作製において、フォトレジスト層１２にレーザ光を照射して穴部１３が形成された後に、ガスエッチングを行って穴部形成の際に生じた異物が除去されているため、金属モールドの表面に、異物の影響を受けない良好な凹凸パタンを転写することができる。また、異物除去の際のエッチング量を適切に設定し、穴部１３において基板１１の表面が露出するようにガスエッチングを行うことで、金属モールドに転写される凹凸パタンのパタン高（パタン深さ）のばらつきを抑えることができる。
　なお、第４実施形態では、基板１１に凹凸パタンを形成し、アッシングを行ってフォトレジスト層１２を除去した状態のフォトレジスト構成体１０（基板１１）を原盤として用い、凹凸パタンの転写を行う例を説明したが、これには限定されない。例えば、フォトレジスト層１２にレーザ照射を行って穴部１３を形成し、その後ガスエッチングを行って異物を除去したフォトレジスト構成体１０（図１Ｅ）を原盤として用い、凹凸パタンの転写を行うことも可能である。このとき、異物除去のエッチングにおいて穴部１３の深さを均一化することで、転写される凹凸パタンのパタン高のばらつきを抑えることができる。
　また、第３実施形態では、プラズマエッチングを行って基板１１に凹部１４を形成した後にアッシングを行ってフォトレジスト層１２を除去する例を説明したが、これには限定されない。例えばアッシングの工程は省略してもよい。例えば第４実施形態において、図３Ｂに示すフォトレジスト層１２が残存した状態のフォトレジスト構成体１０を原盤として用い、モールドに凹凸パタンを転写してもよい。モールドの材料は金属には限定されず、凹凸パタンの転写も、電気メッキ処理には限定されない。
　フォトレジスト層について、上記実施形態では上記化学式のオキソノール色素を用いる例を説明したが、フォトレジスト層は上記化学式で示した色素に限定されるわけではない。例えば下記の化学式で表わされる色素を用いることもできる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明のパタン形成方法、基板製造方法、モールド製造方法は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。

Claims (16)

  1. 　基板上にヒートモードの形状変化が可能な有機色素からなるフォトレジスト層を形成する工程と、
    　前記フォトレジスト層にレーザ光を照射し、前記フォトレジスト層の前記レーザ光が照射された部分に穴部を形成する工程と、
    　前記穴部を形成する工程に後続して、真空中で所定のガスを用いて前記フォトレジスト層をエッチングする工程とを有することを特徴とするパタン形成方法。
  2. 　前記エッチングを行う工程におけるエッチング量が、前記穴部における前記フォトレジスト層の厚みに応じて決定されるものであることを特徴とする請求項１に記載のパタン形成方法。
  3. 　前記穴部における前記フォトレジスト層の厚みを計測する工程を更に有し、該計測する工程で計測した厚みに基づいて前記エッチング量が決定されるものであることを特徴とする請求項２に記載のパタン形成方法。
  4. 　前記計測する工程において、前記穴部における前記フォトレジスト層の厚みを複数の測定ポイントで計測し、該計測した複数の測定ポイントにおける前記フォトレジスト層の厚みの平均値を求め、該求めた平均値に基づいて前記エッチング量が決定されるものであることを特徴とする請求項３に記載のパタン形成方法。
  5. 　前記エッチング量が、前記平均値の１．０５倍以上の値に決定されることを特徴とする請求項４に記載のパタン形成方法。
  6. 　前記エッチング量が、前記平均値の１．２倍以上の値に決定されることを特徴とする請求項４に記載のパタン形成方法。
  7. 　前記計測する工程において、更に、前記複数の測定ポイントで計測された前記フォトレジスト層の厚みの最大値と最小値との差に基づいて残膜ばらつきを求め、前記平均値と前記残膜ばらつきとに基づいて前記エッチング量が決定されるものであることを特徴とする請求項４に記載のパタン形成方法。
  8. 　前記計測する工程において、前記穴部における前記フォトレジスト層の厚みを複数の測定ポイントで計測し、該計測した複数の測定ポイントにおける前記フォトレジスト層の厚みの最大値に基づいて前記エッチング量が決定されるものであることを特徴とする請求項３に記載のパタン形成方法。
  9. 　前記基板がＳｉ基板であり、前記所定のガスがＯ２を含むガスであることを特徴とする請求項１から８何れかに記載のパタン形成方法。
  10. 　前記フォトレジスト層をエッチングする工程において、前記穴部が形成される際に前記フォトレジスト層にレーザ光が照射されることで生じた異物を除去するものであることを特徴とする請求項１から９何れかに記載のパタン形成方法。
  11. 　基板上にヒートモードの形状変化が可能な有機色素からなるフォトレジスト層を形成する工程と、
    　前記フォトレジスト層にレーザ光を照射し、前記フォトレジスト層の前記レーザ光が照射された部分に穴部を形成する工程と、
    　前記穴部の形成後、真空中で所定のガスを用いて前記フォトレジスト層をエッチングし、前記穴部において基板表面を露出させる工程と、
    　前記基板表面を露出させる工程に後続して、前記フォトレジスト層をマスクとしてプラズマエッチングを行い、前記基板表面に凹凸パタンを形成する工程とを有することを特徴とする凹凸パタンを有する基板製造。
  12. 　前記基板表面に凹凸パタンを形成する工程に後続して、真空中で所定のガスを用いて前記フォトレジスト層をエッチングし、前記基板上の前記フォトレジスト層を除去する工程を更に有することを特徴とする請求項１１に記載の凹凸パタンを有する基板製造方法。
  13. 　前記基板がＳｉ基板であり、前記基板表面に凹凸パタンを形成する工程において、ＳＦ６を含むガスを用いてプラズマエッチングを行うものであることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の基板製造方法。
  14. 　基板上にヒートモードの形状変化が可能な有機色素からなるフォトレジスト層を形成し、フォトレジスト構成体を作製する工程と、
    　前記フォトレジスト構成体の前記フォトレジスト層側の面にレーザ光を照射し、前記フォトレジスト層の前記レーザ光が照射された部分に穴部を形成する工程と、
    　前記穴部の形成後、真空中で所定のガスを用いて前記フォトレジスト構成体の前記フォトレジスト層側の面をエッチングし、前記穴部が形成される際に前記フォトレジスト層にレーザ光が照射されることで生じた異物を除去する工程と、
    　前記フォトレジスト層をエッチングする工程の後に、前記フォトレジスト構成体を原盤として用い、該原盤上に形成された凹凸パタンをモールドに転写する工程とを有することを特徴とするモールド製造方法。
  15. 　前記フォトレジスト層をエッチングする工程で前記穴部において基板表面を露出させ、前記フォトレジスト層をエッチングする工程と前記凹凸パタンを転写する工程との間に、前記フォトレジスト層をマスクとしてプラズマエッチングを行い、前記基板表面に凹凸パタンを形成する工程を更に有することを特徴とする請求項１４に記載のモールド製造方法。
  16. 　前記基板表面に凹凸パタンを形成する工程と前記凹凸パタンを転写する工程との間に、真空中で所定のガスを用いて前記フォトレジスト層をエッチングし、前記基板上の前記フォトレジスト層を除去する工程を更に有することを特徴とする請求項１５に記載のモールド製造方法。
PCT/JP2011/005381 2010-09-27 2011-09-26 パタン形成方法、基板製造方法、及びモールド製造方法 WO2012042817A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011800466114A CN103124929A (zh) 2010-09-27 2011-09-26 图案形成方法、基板制造方法及模具制造方法
KR1020137010666A KR101294642B1 (ko) 2010-09-27 2011-09-26 패턴 형성방법, 기판 제조방법, 및 몰드 제조방법
US13/850,667 US20130213931A1 (en) 2010-09-27 2013-03-26 Method for forming a pattern, method for producing a substrate, and method for producing a mold

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-214936 2010-09-27
JP2010214936A JP5214696B2 (ja) 2010-09-27 2010-09-27 パタン形成方法、基板製造方法、及びモールド製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/850,667 Continuation US20130213931A1 (en) 2010-09-27 2013-03-26 Method for forming a pattern, method for producing a substrate, and method for producing a mold

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012042817A1 true WO2012042817A1 (ja) 2012-04-05

Family

ID=45892309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/005381 WO2012042817A1 (ja) 2010-09-27 2011-09-26 パタン形成方法、基板製造方法、及びモールド製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20130213931A1 (ja)
JP (1) JP5214696B2 (ja)
KR (1) KR101294642B1 (ja)
CN (1) CN103124929A (ja)
TW (1) TW201220359A (ja)
WO (1) WO2012042817A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5395023B2 (ja) * 2010-09-29 2014-01-22 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び金属構造形成方法
CN105499069B (zh) * 2014-10-10 2019-03-08 住友重机械工业株式会社 膜形成装置及膜形成方法
CN107799407B (zh) * 2016-08-29 2020-07-17 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种晶体管的凹槽栅制备方法及大功率射频器件
US20200321240A1 (en) * 2019-04-04 2020-10-08 Nanya Technology Corporation Method for forming a shallow trench structure
CN110316694B (zh) * 2019-07-09 2022-03-15 嘉兴学院 一种具有微纳米形态模具的加工方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0455543B2 (ja) * 1986-01-31 1992-09-03 Nippon Electric Co
JP2007304585A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Samsung Electro Mech Co Ltd アゾベンゼン基ポリマーを利用した微細パターニング方法、及び前記微細パターニング方法を利用した窒化物系半導体発光素子の製造方法
JP2009117019A (ja) * 2007-10-15 2009-05-28 Fujifilm Corp ヒートモード型記録材料層の洗浄方法、凹凸製品の製造方法、発光素子の製造方法および光学素子の製造方法
JP2009277335A (ja) * 2008-04-18 2009-11-26 Fujifilm Corp スタンパの製造方法およびスタンパを用いた光情報記録媒体の製造方法
JP2010105016A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Toray Advanced Film Co Ltd レーザー加工方法およびレーザー加工装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100249172B1 (ko) * 1996-10-24 2000-03-15 김영환 감광막 식각방법
JP4055543B2 (ja) * 2002-02-22 2008-03-05 ソニー株式会社 レジスト材料及び微細加工方法
US6743715B1 (en) * 2002-05-07 2004-06-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Dry clean process to improve device gate oxide integrity (GOI) and reliability
US20100104985A1 (en) * 2007-03-05 2010-04-29 Tetsuya Watanabe Compound for photoresist, photoresist liquid, and etching method using the same
JP4972015B2 (ja) * 2008-03-10 2012-07-11 富士フイルム株式会社 金型の加工方法および製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0455543B2 (ja) * 1986-01-31 1992-09-03 Nippon Electric Co
JP2007304585A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Samsung Electro Mech Co Ltd アゾベンゼン基ポリマーを利用した微細パターニング方法、及び前記微細パターニング方法を利用した窒化物系半導体発光素子の製造方法
JP2009117019A (ja) * 2007-10-15 2009-05-28 Fujifilm Corp ヒートモード型記録材料層の洗浄方法、凹凸製品の製造方法、発光素子の製造方法および光学素子の製造方法
JP2009277335A (ja) * 2008-04-18 2009-11-26 Fujifilm Corp スタンパの製造方法およびスタンパを用いた光情報記録媒体の製造方法
JP2010105016A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Toray Advanced Film Co Ltd レーザー加工方法およびレーザー加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130050393A (ko) 2013-05-15
US20130213931A1 (en) 2013-08-22
JP2012068563A (ja) 2012-04-05
TW201220359A (en) 2012-05-16
CN103124929A (zh) 2013-05-29
KR101294642B1 (ko) 2013-08-09
JP5214696B2 (ja) 2013-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100485525C (zh) 基于湿法刻蚀mems压印模板制造工艺
WO2012042817A1 (ja) パタン形成方法、基板製造方法、及びモールド製造方法
JP4407770B2 (ja) パターン形成方法
EP2004881A2 (fr) Procede de fabrication par liga-uv d'une structure metallique multicouche a couches adjacentes non entierement superposees, et structure obtenue
JP2008126450A (ja) モールド、その製造方法および磁気記録媒体
CN107857236A (zh) 一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法
JP5634313B2 (ja) レジストパターン形成方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法
KR20100127850A (ko) 지지 부재상에 매달린 초박형 시이트의 형성 방법
CN101692151A (zh) 一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线制作方法
JP2009143089A (ja) 微細構造転写用モールド及びその製造方法
US9139924B2 (en) Systems and processes for forming molds such as nickel molds
CN114994817A (zh) 一种微纳光栅的制备方法
JP2008293609A (ja) 複製用型の製造方法、ナノホール構造体の製造方法、及び磁気記録媒体の製造方法
JP2007220797A (ja) ナノインプリントリソグラフィ方法
JP2017016069A (ja) レジストパターン形成方法およびモールド作製方法
JP2008001077A (ja) カーボン金型、およびその製造方法
JP5200814B2 (ja) ナノインプリントモールド
JP5200726B2 (ja) インプリント方法、プレインプリントモールド、プレインプリントモールド製造方法、インプリント装置
JP2013202900A (ja) モールドおよびその製造方法並びにナノインプリント方法およびパターン化基板の製造方法
CN110095441B (zh) 一种荧光纳米标尺部件及其制备和应用
CN104238264A (zh) 一种溶液辅助软压印方法
JP4647542B2 (ja) 微細パターンの形成方法
JP2008126448A (ja) マイクロ・ナノ微細構造体を有するスタンパーおよびその製造方法
KR20130060999A (ko) 패턴 형성 방법
JP2013140917A (ja) ナノインプリント用テンプレート及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180046611.4

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11828383

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20137010666

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11828383

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1