KR100723249B1 - 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드 - Google Patents

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Abstract

발광 효율이 높고 동작 전압이 낮으며 소자 신뢰성이 높은 고휘도 질화물 반도체 발광다이오드를 제공한다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광다이오드는, 측 전극과; 상기 n측 전극 아래에 순차 적층되어 있는 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층과; 상기 p형 질화물 반도체층 하면에 형성된 세라믹 DBR(distributed bragg reflector; 분포 브래그 반사기)층 패턴과; 상기 세라믹 DBR층 패턴 아래에 형성된 p측 전극과; 상기 p측 전극 아래에 형성된 도전성 지지 기판을 포함한다.
질화물, 발광다이오드, 전류확산, 반사, 브래그 반사

Description

수직구조 질화물 반도체 발광다이오드{Vertical Nitride Semiconductor Light Emitting Diode}
도 1은 종래 기술에 따른 수직구조 질화물 반도체 LED의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 수직구조 질화물 반도체 LED의 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 세라믹 DRB층 패턴을 확대하여 도시한 부분 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 수직구조 질화물 반도체 LED의 단면도이다.
도 5은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 수직구조 질화물 반도체 LED의 단면도이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사도를 나타내는 그래프로서, 도 6(a)는 세라믹 DBR층 패턴의 두께에 따른 반사도 변화를 나타내는 그래프이고, 도 6(b)는 기준 파장에 따른 반사도 변화를 나타내는 그래프이다.
도 7은 비교예에 따른 반사도를 나타낸는 그래프로서, 도 7(a)은 p측 전극의 두께에 따른 반사도 변화를 나타내는 그래프이고, 도 7(b)은 기준 파장에 따른 반사도 변화를 나타내는 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101: n측 본딩 패드 102: n측 전극
104: n형 질화물 반도체층 105: 활성층
106: p형 질화물 반도체층 108: p측 전극
111: 도금 시드층 112: 도전성 지지 기판
150: 세라믹 DBR층 패턴 150a: 저굴절율막
150b: 고굴절율막
본 발명은 수직구조(수직전극형) 질화물 반도체 발광다이오드(이하, LED라고도 함)에 관한 것으로, 특히 발광효율과 전류확산 효과가 우수한 고휘도 수직구조 질화물 반도체 LED에 관한 것이다.
최근, Ⅲ-Ⅴ 질화물 반도체(간단히, 질화물 반도체라 함) 재료를 이용한 LED가 청색 또는 녹색 파장대의 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다. 질화물 반도체는 통상 InxAlyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 GaN계 물질로 이루어져 있다.
일반적으로 질화물 반도체 LED는 사파이어 기판 상에 성장하지만, 사파이어 기판은 경도가 높고 전기절연성이며 열전도 특성이 좋지 않다. 따라서, 사파이어 기판을 구비한 수평구조 LED에서는, 제품의 소형화 또는 광출력 및 전기적 특성 개선에 한계가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 레이저 리프트 오프(LLO) 공정에 의해 사파이어 기판이 제거된 수직구조 질화물 반도체 LED가 제안되었다. 그러나, 수직구조 질화물 반도체 LED에서도 발광효율의 개선이 요구된다.
도 1은 종래의 일례에 따른 수직구조 질화물 반도체 LED를 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 수직구조 질화물 반도체 LED(10)는 도전성 기판(22) 상에 순차적으로 적층되어 있는 도금시드층(21), p측 금속 전극(18), p형 GaN층(16), 활성층(15) 및 n형 GaN층(14)을 포함한다. n형 GaN층(14) 상에는 n측 전극(12)과 n측 본딩 패드(11)가 형성되어 있다. 전류 주입 효율 개선을 위해, 본딩 패드(11)는 통상적으로 발광 구조물(14, 15, 16)의 상면 중심에 배치된다.
상기한 바와 같은 전극(12, 18)) 및 본딩 패드(11) 배치로 인해 전류가 발광 구조물 중심부에 집중하는 경향이 있는데, 이러한 전류 집중을 완화시키기 위해 p측 전극(18)의 중심부 상에 저저항 또는 절연성의 전류 저지층(CBL; current blocking layer)(17)이 배치될 수 있다. 그러나, 금속 또는 절연물로 이루어진 전 류 저지층은 빛을 흡수하거나 산란시켜 휘도를 저하시키는 원인으로 작용한다. 만약 전류 저지층(17)을 없애면, 전류가 발광구조물 중심부에만 집중되기 때문에 정전기방전(ESD) 특성등 소자 신뢰성이 약화되고 전체적인 발광효율도 좋지 않게 된다. 전류 집중을 방지하면서도 고휘도를 실현할 수 있는 방안이 요구된다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 보다 개선된 전류 확산 효과를 나타내면서도 고휘도를 실현하는 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드를 제공하는 데에 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 수직구조 질화물 반도체 LED는, n측 전극과; 상기 n측 전극 아래에 순차 적층되어 있는 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층과; 상기 p형 질화물 반도체층 하면에 형성된 세라믹 DBR(distributed bragg reflector; 분포 브래그 반사기)층 패턴과; 상기 세라믹 DBR층 패턴 아래에 형성된 p측 전극과; 상기 p측 전극 아래에 형성된 도전성 지지 기판을 포함한다.
본 발명에 따르면, 상기 세라믹 DBR층 패턴은, 제1 굴절율을 갖는 제1 굴절율막과 상기 제1 굴절율막의 굴절율보다 더 큰 굴절율을 갖는 제2 굴절율막이 1쌍 이상 교대로 적층되어 형성된다. 바람직하게는, 상기 제1 굴절율막과 제2 굴절율막은 기준 파장의 1/4에 해당하는 두께를 갖는다. 바람직하게는, 상기 제1 굴절율막이 상기 세라믹 DBR층 패턴에서 최상층에 위치한다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 제1 굴절율막은 SiO2 또는 Al2O3로 이루어지고, 상기 제2 굴절율막은 Si3N4, TiO2, Si:H, ZrO2, HfO2 및 Ta2O5로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료로 이루어질 수 있다. 바람직하게는, 상기 p측 전극은 Ag를 포함한다.
본 발명에 따르면, 상기 수직구조 질화물 반도체 LED는, 상기 n측 전극 상에 형성된 n측 본딩 패드를 더 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 세라믹 DBR층 패턴의 간격은 상기 n측 본딩 패드로부터 거리가 멀어질수록 커지고, 상기 세라믹 DBR층 패턴의 폭은 상기 n측 본딩 패드로부터 거리가 멀어질수록 작아진다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 수직구조 질화물 반도체 LED는 상기 p측 전극과 상기 도전성 지지 기판 사이에 형성된 도금시드층을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 도전성 지지 기판은 상기 도금시드층으로부터 도금된 금속층이다.
본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 상기 수직구조 질화물 반도체 LED는 상기 p측 전극과 상기 도전성 지지 기판 사이에 형성된 도전성 접착층을 더 포함할 수 있다. 상기 도전성 접착층은 예컨대, Au-Sn, Au, Sn, In, Au-Ag 및 Pb-Sn로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 수직구조 질화물 반도체 LED는, 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 세라믹 DBR층 패턴 사이에 형성된 전류확산층을 더 포함할 수 있다. 상기 전류확산층은 ZnO, Cu2O, CuIn2O 등과 같은 투명전도성 산화물로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따르면, p형 반도체층과 p측 전극 사이에 패터닝된 세라믹 DBR층, 즉 세라믹 DBR층 패턴이 배치된다. 이러한 세라믹 DBR층 패턴은 상부로부터 입사된 빛을 높은 반사율로 반사시킬 뿐만 아니라, 전류를 효과적으로 확산시킨다. 이에 따라, 전류확산 특성이 우수한 고휘도 수직구조 LED를 구현할 수 있게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 수직구조 질화물 반도체 LED의 단면도이다. 도 2를 참조하면, 수직구조 질화물 반도체 LED(100)는, n측 본딩 패드(101)와, 그 아래에 순차적으로 적층된 n측 전극(102), n형 질화물 반도체층(104), 활성층(105) 및 p형 질화물 반도체층(106)를 포함한다. 상기 반도체층들(104, 105, 10)은 GaN, AlGaN, InGaN 등의 3족 질화물 반도체로 이루어진다. 도시되어 있지는 않지만, n측 전극(102)과 n형 질화물 반도체층(104) 사이에는 투명전극층(예컨대, ZnO 또는 SnO2 층)이 배치될 수도 있다.
p형 질화물 반도체층(106) 하면에는 세라믹으로 된 DBR(distributed bragg reflector; 분포 브래그 반사기)층 패턴(150)이 형성되어 있다. 이 세라믹 DBR층 패턴(150)은 후술하는 바와 같이, 서로 다른 굴절율을 갖는 물질층을 서로 교대로 1쌍이상 적층함으로써 형성된다. 세라믹 DBR층 패턴(150) 아래에는 세라믹 DBR층 패턴(150)의 간격 또는 공간을 채우는 p측 전극(108)이 형성되어 있다. 또한 p측 전극(108) 아래에는 도금시드층(111)과, 이로부터 도금되어 형성된 도전성 지지 기판(112)이 형성되어 있다. 상기 도전성 지지 기판은 예를 들어 Ni, Cu 등의 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 세라믹 DBR층 패턴(150)은 일종의 분포 브래그 반사기(DBR)로서 상부로부터 입사되어온 빛을 효과적으로 반사시킨다. 예컨대, 세라믹 DBR층 패턴(150)을 사용함으로써 청색 LED 파장인 450 내지 470nm의 빛이 90% 이상으로 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 활성층(105)으로부터 아래로 진행하는 빛이 세라믹 DBR층 패턴(150)에 의해 상향으로 효과적으로 반사되고, 결국 LED(100)의 발광효율 및 휘도는 더욱 개선된다.
세라믹 DBR층 패턴(150)은 p측 전극(108)과 결합되어 우수한 반사특성을 나타낼 수 있다. 즉, 활성층(105)으로부터 아래로 진행하는 빛은 세라믹 DBR층 패턴(150)에서 반사될 뿐만 아니라 p측 전극(108)에서도 반사될 수 있다. 특히 p측 전극(108)을 고반율의 Ag로 형성함으로써, p측 전극(108)에 의한 반사특성을 양호하게 유지할 수 있다. 본 발명자의 실험 결과, 세라믹 DBR층 패턴(150)과 Ag의 p측 전극(108)을 사용할 경우, 94%이상의 반사도를 얻음을 확인하였다.
상기한 바와 같은 높은 반사효과 뿐만 아니라, 세라믹 DBR층 패턴(150)은 우수한 전류확산 효과를 가져온다. 세라믹 DBR층 자체는 전류를 차단하는 역할을 한다(세라믹 DBR 자체는 SiO2 등과 같은 절연체임). 따라서, 도 2의 화살표로 표시한 바와 같이, 전류는 패턴의 간격 또는 공간을 통해 흐르게 된다. 이에 따라, 전류가 가운데로 집중되지 않고 잘 확산된다. 이러한 전류 확산으로 인해 ESD등 소자 신뢰 성이 향상되고 동작 전류가 낮아지며 전체적인 발광효율이 개선된다.
도 3은 도 2에 도시된 세라믹 DBR층 패턴(150)을 확대하여 도시한 부분 단면도이다. 도 3을 참조하면, 세라믹 DBR층 패턴(150)은 서로 다른 굴절율을 갖는 2개의 세라믹층(150a, 150b)가 교대로 적층됨으로써 이루어져 있다. 즉, 제1 굴절율을 갖는 제1 굴절율막(150a)과 제2 굴절율을 갖는 제2 굴절율막(150b)이 교대로 적층되어 세라믹 DBR층 패턴(50)을 형성하는데, 제1 굴절율과 제2 굴절율은 다르다. 이러한 구성의 DBR은 빛을 매우 높은 반사도로 반사시킬 수 있다. 바람직하게는, DBR에 의한 반사효과를 높이기 위해, 제1 굴절율막(150a)과 제2 굴절율막(150b)은 기준 파장의 1/4에 해당하는 두께를 갖는다
바람직하게는, 세라믹 DBR층 패턴(150)의 간격(L)은 중심부에서 멀어질수록(즉, n측 본딩 패드(101)로부터 멀어질수록) 커지고, 그 폭(W)은 n측 본딩 패드(101)로부터 멀어질수록 작아진다. 이와 같이 세라믹 DBR층 패턴(150)의 간격(L)과 폭(W)을 변화시킴으로써, 중심부(즉, 본딩 패드(101)에 가까운 부분)에 전류가 집중되는 것을 막고 전류를 전체적으로 잘 확산시킨다.
통상적으로, 질화물 반도체층(106)은 매우 높은 굴절율을 갖기 때문에, 세라믹 DBR층 패턴(150)에 입사한 빛 중 일부(ℓ1)는 전반사될 수 있다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이 임계각 이상의 입사각(a)으로 입사된 빛(ℓ1)은 광손실 없이 전반 사된다. 임계각 이하의 입사각으로 입사된 빛(예컨대, ℓ2)은 DBR 원리에 의해 반사될 수 있다.
이와 같이 세라믹 DBR층 패턴은 2가지의 반사원리에 의해 반사된다. 특히 광손실 없는 전반사의 가능성을 높이기 위해, 세라믹 DBR층 패턴(150)의 최상부(150a)는 저굴절율막으로 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 세라믹 DBR층 패턴(150)의 최상부로부터의 적층순서는, 저굴절율막/고굴절율막으로 되어 있는 것이, 전반사 가능성을 높일 수 있다는 점에서 유리하다.
저굴절율막인 제1 굴절율막은, 예를 들어 SiO2 또는 Al2O3로 형성할 수 있고, 고굴절율막인 제2 굴절율막은 Si3N4, TiO2, Si:H(수소화 실리콘; hydrogenated silicon), ZrO2, HfO2 및 Ta2O5로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료로 이루어질 수 있다. 여기서 '고굴절율'과 '저굴절율' 은 상대적인 개념으로서 굴절율의 절대치를 한정하는 의미로 사용된 것이 아니다.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 수직구조 질화물 반도체 LED(100')를 나타내는 단면도이다. 이 실시형태에서는, LED(100')는 도금 시드층 대신에 도전성 접착층(121)을 사용하여 접착된 도전성 지지 기판(122)을 구비한다.
도 4를 참조하면, LED(100')는 p측 전극(108)과 도전성 지지 기판(122) 사이 에 도전성 접착층(121)이 형성되어 있다. 이 도전성 접착층(121)에 의해 지지 기판(122)이 발광 구조물에 접착된다. 도전성 접착층(121)으로는 예컨대, Au-Sn, Au, Sn, In, Au-Ag 및 Pb-Sn로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료를 사용할 수 있다. 이 때 도전성 접착층(121)에 의해 접착되는 도전성 지지 기판(122)은 실리콘 기판, GaAs 기판 또는 금속 기판일 수 있다. 다른 구성요소들(예컨대, 세라믹 DBR층 패턴(150), p측 전극(108) 등)은 전술한 바와 마찬가지이므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 수직구조 질화물 반도체 LED(100''')를 나타내는 단면도이다. 이 실시형태에서는, 전류확산 효과를 더 높이기 위해, p형 질화물 반도체층(106)과 세라믹 DBR층 패턴(150) 사이에 전류확산층(107)이 형성되어 있다. 상기 전류확산층(107)은 ZnO, Cu2O, CuIn2O 등과 같은 투명전도성 산화물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 주석, 아연, 은, 마그네슘, 구리 및 알루미늄으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 산화인듐에 첨가하여 형성된 혼합물을 전류확산층(107) 재료로 사용할 수 있다. 다른 구성요소들(예컨대, 세라믹 DBR층 패턴(150), p측 전극(108) 등)은 전술한 바와 마찬가지이므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
(실시예)
본 발명자들은 상기한 세라믹 DBR층 패턴에 의한 반사도 개선 효과를 확인하기 위해 세라믹 DBR층 패턴을 갖는 샘플에 대한 반사도 측정 실험을 실시하였다. 실시예로서, 세라믹 DBR층 패턴은 Al2O3/Si3N5의 적층체(2회 교대로 적층됨)로 형성하였다(도 2 및 도 3 참조). 사용된 p측 전극은 Ag 금속으로 된 것이다. 이와 함께, 비교예로서 세라믹 DBR층 패턴 없이 Ag 금속으로 된 p측 전극만을 갖는 샘플에 대하여도 반사도 측정 실험을 실시하였다.
도 6은 상기 실시예 샘플에 대한 반사도 측정 실험 결과를 나타내는 그래프로서, 도 6(a)는 세라믹 DBR층 패턴의 두께에 따른 반사도 변화를 나타내는 그래프이고, 도 6(b)는 기준 파장에 따른 반사도 변화를 나타내는 그래프이다. 도 6에 도시된 바와 같이, Al2O3막과 Si3N5막을 2회 교대로 적층하여 형성한 세라믹 DBR층 패턴을 Ag 전극과 함께 사용한 경우, 청색 LED의 출력광 파장인 450 내지 470nm에서 약 94.43%의 반사도를 얻었다. 이는 종전의 약 80% 정도에 불과한 반사도에 비하여 현저한 반사도 개선을 나타낸다.
도 7은 상기 비교예 샘플에 대한 반사도 측정 실험 결과를 나타내는 그래프로서, 도 7(a)은 p측 전극(Ag 전극)의 두께에 따른 반사도 변화를 나타내는 그래프이고, 도 7(b)은 기준 파장에 따른 반사도 변화를 나타내는 그래프이다. 도 7에 도시된 바와 같이, Ag 전극만을 사용한 경우에는, 450 내지 470nm 파장에서 약 78,75%의 반사도밖에 실현할 수 없었다. 따라서, 본 발명에 따른 반사도 향상 효과는 종래 기술에 비하여 현저하다는 것을 다시 한번 확인할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, p형 질화물 반도체층과 p측 전극 사이에 세라믹 DBR층 패턴을 배치함으로써, 높은 반사도 효과와 함께 우수한 전류 확산 효과를 얻을 수 있다. 이에 따라, 발광효율, 동작 전압 특성 및 소자 신뢰성이 향상된다.

Claims (13)

  1. n측 전극;
    상기 n측 전극 아래에 순차 적층되어 있는 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층;
    상기 p형 질화물 반도체층 하면에 형성된 세라믹 DBR층 패턴;
    상기 세라믹 DBR층 패턴 아래에 형성된 p측 전극; 및
    상기 p측 전극 아래에 형성된 도전성 지지 기판을 포함한는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 세라믹 DBR층 패턴은, 제1 굴절율을 갖는 제1 굴절율막과 상기 제1 굴절율막의 굴절율보다 더 큰 굴절율을 갖는 제2 굴절율막이 1쌍이상 교대로 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 굴절율막과 제2 굴절율막은 기준 파장의 1/4에 해당하는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 굴절율막이 상기 세라믹 DBR층 패턴에서 최상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1 굴절율막은 SiO2 또는 Al2O3로 이루어지고,
    상기 제2 굴절율막은 Si3N4, TiO2, Si:H, ZrO2, HfO2 및 Ta2O5로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 p측 전극은 Ag를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 n측 전극 상에 형성된 n측 본딩 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 세라믹 DBR층 패턴의 간격은 상기 n측 본딩 패드로부터 거리가 멀어질 수록 커지고,
    상기 세라믹 DBR층 패턴의 폭은 상기 n측 본딩 패드로부터 거리가 멀어질수록 작아지는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 p측 전극과 상기 도전성 지지 기판 사이에 형성된 도금시드층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 p측 전극과 상기 도전성 지지 기판 사이에 형성된 도전성 접착층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 도전성 접착층은 Au-Sn, Au, Sn, In, Au-Ag 및 Pb-Sn로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 p형 질화물 반도체층과 상기 세라믹 DBR층 패턴 사이에 형성된 전류확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 전류확산층은 투명전도성 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드.
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