JPH06347734A - 面型光スイッチ - Google Patents
面型光スイッチInfo
- Publication number
- JPH06347734A JPH06347734A JP13969993A JP13969993A JPH06347734A JP H06347734 A JPH06347734 A JP H06347734A JP 13969993 A JP13969993 A JP 13969993A JP 13969993 A JP13969993 A JP 13969993A JP H06347734 A JPH06347734 A JP H06347734A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- voltage
- intermediate layer
- optical switch
- type optical
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/218—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference using semi-conducting materials
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２次元集積が可能で、コンパクトかつ低電圧
で動作し、電圧によって任意の波長を選択できる面型光
スイッチを実現する。 【構成】 ｐｎ接合を有する中間層をＤＢＲ膜１（２０
１）とＤＢＲ膜２（２０７）で挟み、中間層の実効長を
逆バイアス電圧をかけて変える。それによって選択的に
透過波長を変化させる。
で動作し、電圧によって任意の波長を選択できる面型光
スイッチを実現する。 【構成】 ｐｎ接合を有する中間層をＤＢＲ膜１（２０
１）とＤＢＲ膜２（２０７）で挟み、中間層の実効長を
逆バイアス電圧をかけて変える。それによって選択的に
透過波長を変化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はさまざまな波長の信号光
がやってきたときに、そこから所望の任意の波長を選択
できる面型光スイッチに関するものである。層厚方向に
信号光が入出力する構造となっているために２次元的に
集積化することが可能であり、波長多重を使った光交換
や光情報処理に用いることができる。
がやってきたときに、そこから所望の任意の波長を選択
できる面型光スイッチに関するものである。層厚方向に
信号光が入出力する構造となっているために２次元的に
集積化することが可能であり、波長多重を使った光交換
や光情報処理に用いることができる。
【０００２】
【従来の技術】波長選択機能を有した光スイッチとして
は、従来、図５のようなものが知られている。西尾らに
よってフォトニックスイッチング・トピカルミーティン
グ講演論文２４６〜２４９頁（Ｐｈｏｔｏｎｉｃ Ｓｗ
ｉｔｃｈｉｎｇ Ｔｏｐｉｃａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ，Ｓ
ａｌｔ Ｌａｋｅ Ｃｉｔｙ，Ｕｔａｈ，（Ｍａｒｃ
ｈ，１９９１）ｐｐ．２４６〜２４９）で発表されたも
のである。長さ１ｍｍのＬｉＮｂＯ3 を用いたもので、
電極に電圧をかけてファブリーペロー共振器の屈折率を
変化させることで透過波長を変化させることができる。
図６は波長と透過率を示す図である。この例では５０Ｖ
の電圧をかけることで共振波長が３Ａ、シフトする。こ
の例は横方向から光が入る構造であるが、面型で２次元
集積が可能な例は報告されていない。
は、従来、図５のようなものが知られている。西尾らに
よってフォトニックスイッチング・トピカルミーティン
グ講演論文２４６〜２４９頁（Ｐｈｏｔｏｎｉｃ Ｓｗ
ｉｔｃｈｉｎｇ Ｔｏｐｉｃａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ，Ｓ
ａｌｔ Ｌａｋｅ Ｃｉｔｙ，Ｕｔａｈ，（Ｍａｒｃ
ｈ，１９９１）ｐｐ．２４６〜２４９）で発表されたも
のである。長さ１ｍｍのＬｉＮｂＯ3 を用いたもので、
電極に電圧をかけてファブリーペロー共振器の屈折率を
変化させることで透過波長を変化させることができる。
図６は波長と透過率を示す図である。この例では５０Ｖ
の電圧をかけることで共振波長が３Ａ、シフトする。こ
の例は横方向から光が入る構造であるが、面型で２次元
集積が可能な例は報告されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図５の従来例の問題点
は２次元集積できないということだけでなく、素子長が
長く、動作電圧も５０Ｖと高いことである。素子長が長
いのは、バルク状のＬｉＮｂＯ3 から切り出して素子化
するためで、どうしても１ｍｍくらいに大きくなってし
まう。また、ファブリーペロー共振器の屈折率を変化さ
せるのにＬｉＮｂＯ3 の電気−光学効果を使っている
が、このようなメカニズムを使う限り動作電圧は高くな
ってしまう。
は２次元集積できないということだけでなく、素子長が
長く、動作電圧も５０Ｖと高いことである。素子長が長
いのは、バルク状のＬｉＮｂＯ3 から切り出して素子化
するためで、どうしても１ｍｍくらいに大きくなってし
まう。また、ファブリーペロー共振器の屈折率を変化さ
せるのにＬｉＮｂＯ3 の電気−光学効果を使っている
が、このようなメカニズムを使う限り動作電圧は高くな
ってしまう。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するためになされた面型光スイッチに関するもので、
半導体基板の上に第１の半導体多層膜ミラーと、ｐｎ接
合を有する半導体構造と、第２の多層膜ミラーが形成さ
れ、前記半導体構造体のｐｎ接合に電圧をかけることに
よってその実効的な光学長を変化させ、前記第２の多層
膜ミラーないしは、第１の半導体多層膜ミラーにより入
射する光の透過波長を変化させることを特徴とする。
決するためになされた面型光スイッチに関するもので、
半導体基板の上に第１の半導体多層膜ミラーと、ｐｎ接
合を有する半導体構造と、第２の多層膜ミラーが形成さ
れ、前記半導体構造体のｐｎ接合に電圧をかけることに
よってその実効的な光学長を変化させ、前記第２の多層
膜ミラーないしは、第１の半導体多層膜ミラーにより入
射する光の透過波長を変化させることを特徴とする。
【０００５】
【作用】図１は本発明の原理の一部を示したものであ
る。ＧａＡｓ基板上に半導体多層膜反射鏡ＤＢＲ１、中
間層、ＤＢＲ２が形成された半導体構造体でトップのＤ
ＢＲ２の側から光が入るように仮定している。図１はこ
のような場合の入射光に対する反射率を計算してある。
（ａ）中間層の厚さ（＝ｄs p a c e r ）が半導体多層
膜反射鏡（ＤＢＲ）の媒質内共振波長λの場合、（ｂ）
０．９λの場合、（ｃ）１．１λの場合について、反射
率Ｒが波長に対してどう変化するか示してある。構造は
具体的には、ＤＢＲ１は２４．５ペアで厚さがそれぞれ
１／４・λのＡｌＡｓ／ＧａＡｓ交代多層膜からなる。
中間層はＩｎＧａＡｓ層（厚さ３００Ａ（オングストロ
ーム））が、Ａｌ0 . 2 5 Ｇａ0 . 7 5 Ａｓで挟まれる
構造となっている。そしてＩｎＧａＡｓ層は中間層のセ
ンターに位置する。また、ＤＢＲ２は１５ペアで厚さが
それぞれ１／４λのＡｌＡｓ／ＧａＡｓ交代多層膜から
なっている。この計算ではλはＩｎＧａＡｓ層のバンド
ギャップ波長（〜９５０ｎｍ）にしてある。
る。ＧａＡｓ基板上に半導体多層膜反射鏡ＤＢＲ１、中
間層、ＤＢＲ２が形成された半導体構造体でトップのＤ
ＢＲ２の側から光が入るように仮定している。図１はこ
のような場合の入射光に対する反射率を計算してある。
（ａ）中間層の厚さ（＝ｄs p a c e r ）が半導体多層
膜反射鏡（ＤＢＲ）の媒質内共振波長λの場合、（ｂ）
０．９λの場合、（ｃ）１．１λの場合について、反射
率Ｒが波長に対してどう変化するか示してある。構造は
具体的には、ＤＢＲ１は２４．５ペアで厚さがそれぞれ
１／４・λのＡｌＡｓ／ＧａＡｓ交代多層膜からなる。
中間層はＩｎＧａＡｓ層（厚さ３００Ａ（オングストロ
ーム））が、Ａｌ0 . 2 5 Ｇａ0 . 7 5 Ａｓで挟まれる
構造となっている。そしてＩｎＧａＡｓ層は中間層のセ
ンターに位置する。また、ＤＢＲ２は１５ペアで厚さが
それぞれ１／４λのＡｌＡｓ／ＧａＡｓ交代多層膜から
なっている。この計算ではλはＩｎＧａＡｓ層のバンド
ギャップ波長（〜９５０ｎｍ）にしてある。
【０００６】図１から分かるように、中間層の厚さが
０．９λから１．１λに変化することで反射率の中央付
近に見られる反射率のディップが約５００Ａ、シフトす
る。この計算ではＩｎＧａＡｓ層の光吸収係数を１００
ｃｍ- 1 としたが、これを零、すなわち透明として計算
するとディップの深さは一定になる。そして、この波長
位置では入射光は反対側（ＤＢＲ２の側）に透過し、そ
の両側の波長域での入射光はほとんど１００％ちかく反
射されて透過できない。したがって、このような構造体
の特性を使い、さらにディップの位置を動かして透過光
波長を逆バイアス電圧をかけて可変とするようできれば
面型光スイッチが実現できることになる。透過光波長を
電圧で可変とするためには中間層をｐｎ接合として電圧
をかける構造とする。それによって屈折率が変化させら
れ、実効的な中間層厚が替えられるので透過光波長を可
変にできる。このような構造では素子の高さは〜λです
むので従来例のように大きくなることはない。また動作
電圧は原理的に数Ｖと小さくできる。
０．９λから１．１λに変化することで反射率の中央付
近に見られる反射率のディップが約５００Ａ、シフトす
る。この計算ではＩｎＧａＡｓ層の光吸収係数を１００
ｃｍ- 1 としたが、これを零、すなわち透明として計算
するとディップの深さは一定になる。そして、この波長
位置では入射光は反対側（ＤＢＲ２の側）に透過し、そ
の両側の波長域での入射光はほとんど１００％ちかく反
射されて透過できない。したがって、このような構造体
の特性を使い、さらにディップの位置を動かして透過光
波長を逆バイアス電圧をかけて可変とするようできれば
面型光スイッチが実現できることになる。透過光波長を
電圧で可変とするためには中間層をｐｎ接合として電圧
をかける構造とする。それによって屈折率が変化させら
れ、実効的な中間層厚が替えられるので透過光波長を可
変にできる。このような構造では素子の高さは〜λです
むので従来例のように大きくなることはない。また動作
電圧は原理的に数Ｖと小さくできる。
【０００７】
【実施例】図２は本発明の第１の実施例である。半絶縁
性ＧａＡｓ基板２００の上にＤＢＲ１（２０１）が形成
されている。ＤＢＲ１は２４．５ペアで厚さがそれぞれ
１／４λのＡｌＡｓ／ＧａＡｓ交代多層膜からなる。こ
こでλはＩｎＧａＡｓ層のバンドギャップ波長（〜９５
０ｎｍ）にしてある。ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ交代多層膜は
アンドープとしてある。中間層は、ｎ−ＧａＡｓ（ドー
ピング濃度：３×１０1 8 ｃｍ- 3 ）からなるｎ型コン
タクト層２０２、ｎ−Ａｌ0 . 2 5 Ｇａ0 .7 5 Ａｓ
（２×１０1 8 ｃｍ- 3 ）２０３、ＩｎＧａＡｓ層（厚
さ３００Ａ）２０４、ｐ−Ａｌ0 . 2 5 Ｇａ0 . 7 5 Ａ
ｓ（２×１０1 8 ｃｍ- 3 ）２０５、ｐ−ＧａＡｓ（ド
ーピング濃度：１×１０1 9 ｃｍ- 3 ）からなるｐ型コ
ンタクト層２０６が順次、積層されて形成されている。
中間層の層厚はλである。２０７は厚さがそれぞれ１／
４λでアンドープのＡｌＡｓ／ＧａＡｓ交代多層膜１５
ペアからなるＤＢＲ２である。２０８はＡｕＧｅ−Ｎｉ
／Ａｕからなるｎ側電極、２０９はＣｒ−Ａｕからなる
ｐ側電極である。素子は上面から見たときに円形の形状
をしており、中間層の直径は３０μｍである。電極間に
は〜１Ｖの逆バイアス電圧をかける。それによってＩｎ
ＧａＡｓ層２０４のバンド端付近の屈折率係数が〜１
％、増大する。その増大量は波長に依存するが、今、バ
ンド端より長波長側を見るとそのような変化数１００Ａ
以上、長波長側に存在している。したがって、図１より
２５Ａくらい透過波長のピークが長波長側にシフトする
ことが分かる。
性ＧａＡｓ基板２００の上にＤＢＲ１（２０１）が形成
されている。ＤＢＲ１は２４．５ペアで厚さがそれぞれ
１／４λのＡｌＡｓ／ＧａＡｓ交代多層膜からなる。こ
こでλはＩｎＧａＡｓ層のバンドギャップ波長（〜９５
０ｎｍ）にしてある。ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ交代多層膜は
アンドープとしてある。中間層は、ｎ−ＧａＡｓ（ドー
ピング濃度：３×１０1 8 ｃｍ- 3 ）からなるｎ型コン
タクト層２０２、ｎ−Ａｌ0 . 2 5 Ｇａ0 .7 5 Ａｓ
（２×１０1 8 ｃｍ- 3 ）２０３、ＩｎＧａＡｓ層（厚
さ３００Ａ）２０４、ｐ−Ａｌ0 . 2 5 Ｇａ0 . 7 5 Ａ
ｓ（２×１０1 8 ｃｍ- 3 ）２０５、ｐ−ＧａＡｓ（ド
ーピング濃度：１×１０1 9 ｃｍ- 3 ）からなるｐ型コ
ンタクト層２０６が順次、積層されて形成されている。
中間層の層厚はλである。２０７は厚さがそれぞれ１／
４λでアンドープのＡｌＡｓ／ＧａＡｓ交代多層膜１５
ペアからなるＤＢＲ２である。２０８はＡｕＧｅ−Ｎｉ
／Ａｕからなるｎ側電極、２０９はＣｒ−Ａｕからなる
ｐ側電極である。素子は上面から見たときに円形の形状
をしており、中間層の直径は３０μｍである。電極間に
は〜１Ｖの逆バイアス電圧をかける。それによってＩｎ
ＧａＡｓ層２０４のバンド端付近の屈折率係数が〜１
％、増大する。その増大量は波長に依存するが、今、バ
ンド端より長波長側を見るとそのような変化数１００Ａ
以上、長波長側に存在している。したがって、図１より
２５Ａくらい透過波長のピークが長波長側にシフトする
ことが分かる。
【０００８】図３は本発明の第２の実施例である。第１
の実施例では透過波長の幅は約１Ａであり、もちろん電
圧によって透過波長のピークを微妙に調整できるが、場
合によっては透過波長の幅がもっと広いことが望まし
い。例えば、複数の波長を使う場合、波長間隔は荒い方
が使いやすい。なぜなら波長間隔が狭いと、光源の方で
温調をかけたりして、厳しくその波長を制御する必要が
生じてくるからである。波長間隔が荒い場合には、面型
光スイッチとしても透過波長幅がある程度、広い方が望
ましい。透過波長幅が広ければ、フィルターリングする
入射光の波長が少々、ばらついても問題なく透過させら
れるからである。第２の実施例はそのような目的で、透
過波長幅を広げるように作製したものである。図２の構
造との違いは、２０１のＤＢＲ１の内部にある、一層の
ＡｌＡｓ３０４の層厚が１／２λとなっていることであ
る。このようにすることによって透過波長幅を広げるこ
とができる。図２では２０１ＤＢＲ１中の２４．５ペア
のＡｌＡｓ／ＧａＡｓ交代多層膜のうち、３０４のＡｌ
Ａｓの下部に５ペア、上部に１９ペア形成してある。こ
れによって透過波長幅は１Ａから１０Ａに広げることが
できた。
の実施例では透過波長の幅は約１Ａであり、もちろん電
圧によって透過波長のピークを微妙に調整できるが、場
合によっては透過波長の幅がもっと広いことが望まし
い。例えば、複数の波長を使う場合、波長間隔は荒い方
が使いやすい。なぜなら波長間隔が狭いと、光源の方で
温調をかけたりして、厳しくその波長を制御する必要が
生じてくるからである。波長間隔が荒い場合には、面型
光スイッチとしても透過波長幅がある程度、広い方が望
ましい。透過波長幅が広ければ、フィルターリングする
入射光の波長が少々、ばらついても問題なく透過させら
れるからである。第２の実施例はそのような目的で、透
過波長幅を広げるように作製したものである。図２の構
造との違いは、２０１のＤＢＲ１の内部にある、一層の
ＡｌＡｓ３０４の層厚が１／２λとなっていることであ
る。このようにすることによって透過波長幅を広げるこ
とができる。図２では２０１ＤＢＲ１中の２４．５ペア
のＡｌＡｓ／ＧａＡｓ交代多層膜のうち、３０４のＡｌ
Ａｓの下部に５ペア、上部に１９ペア形成してある。こ
れによって透過波長幅は１Ａから１０Ａに広げることが
できた。
【０００９】図４は本発明の第３の実施例である。第１
の実施例との違いは中間層と電極構造にある。電圧をか
けて屈折率の変化する領域を層厚方向に拡張することで
第１の実施例より効果を３倍に増大できる。
の実施例との違いは中間層と電極構造にある。電圧をか
けて屈折率の変化する領域を層厚方向に拡張することで
第１の実施例より効果を３倍に増大できる。
【００１０】図４では中間層は、アンドープのＡｌ
0 . 4 Ｇａ0 . 6 Ａｓ４０１、ｎ−Ａｌ0 . 2 5 Ｇａ
0 . 7 5 Ａｓ（２×１０1 8 ｃｍ- 3 ）２０３、ＩｎＧ
ａＡｓ層（厚さ３００Ａ）２０４、ｐ−Ａｌ0 . 2 5 Ｇ
ａ0 . 7 5 Ａｓ（２×１０1 8 ｃｍ- 3 ）２０５、Ｉｎ
ＧａＡｓ層（厚さ３００Ａ）２０４、ｎ−Ａｌ0 . 2 5
Ｇａ0 . 7 5 Ａｓ（２×１０1 8 ｃｍ- 3 ）２０３、Ｉ
ｎＧａＡｓ層（厚さ３００Ａ）２０４、ｐ−Ａｌ
0 . 2 5 Ｇａ0 . 7 5 Ａｓ（２×１０1 8 ｃｍ- 3 ）２
０５、アンドープのＡｌ0 . 4 Ｇａ0 . 6 Ａｓ４０２か
らなる。Ａｌ0 . 4 Ｇａ0 .6 Ａｓ４０１と４０２は高
抵抗となる。４０３はＡｕＳｎからなるｎ側電極、４０
４はＡｕＺｎからなるｐ側電極であり、このようにする
と、それぞれ中間層のｎ型層、ｐ型層とコンタクトがと
れるようできる。
0 . 4 Ｇａ0 . 6 Ａｓ４０１、ｎ−Ａｌ0 . 2 5 Ｇａ
0 . 7 5 Ａｓ（２×１０1 8 ｃｍ- 3 ）２０３、ＩｎＧ
ａＡｓ層（厚さ３００Ａ）２０４、ｐ−Ａｌ0 . 2 5 Ｇ
ａ0 . 7 5 Ａｓ（２×１０1 8 ｃｍ- 3 ）２０５、Ｉｎ
ＧａＡｓ層（厚さ３００Ａ）２０４、ｎ−Ａｌ0 . 2 5
Ｇａ0 . 7 5 Ａｓ（２×１０1 8 ｃｍ- 3 ）２０３、Ｉ
ｎＧａＡｓ層（厚さ３００Ａ）２０４、ｐ−Ａｌ
0 . 2 5 Ｇａ0 . 7 5 Ａｓ（２×１０1 8 ｃｍ- 3 ）２
０５、アンドープのＡｌ0 . 4 Ｇａ0 . 6 Ａｓ４０２か
らなる。Ａｌ0 . 4 Ｇａ0 .6 Ａｓ４０１と４０２は高
抵抗となる。４０３はＡｕＳｎからなるｎ側電極、４０
４はＡｕＺｎからなるｐ側電極であり、このようにする
と、それぞれ中間層のｎ型層、ｐ型層とコンタクトがと
れるようできる。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば２次元集積が可能で、コ
ンパクトかつ低電圧で動作し、電圧によって任意の波長
を選択できる面型光スイッチができる。
ンパクトかつ低電圧で動作し、電圧によって任意の波長
を選択できる面型光スイッチができる。
【図１】本発明の原理を説明するための図。
【図２】本発明の実施例を示す図。
【図３】本発明の実施例を示す図。
【図４】本発明の実施例を示す図。
【図５】従来例を示す図。
【図６】従来例の特性を示す図。
２００ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２０１ ＤＢＲ１ ２０２ ｎ型コンタクト層 ２０３ ｎ−Ａｌ0 . 2 5 Ｇａ0 . 7 5 Ａｓ ２０４ ＩｎＧａＡｓ層 ２０５ ｐ−Ａｌ0 . 2 5 Ｇａ0 . 7 5 Ａｓ ２０６ ｎ型コンタクト層 ２０７ ＤＢＲ２ ２０８、４０３ ｎ側電極 ２０９、４０４ ｐ側電極 ３０２、３０３、３０５、３０６ ＧａＡｓ ３０１、３０４、３０７ ＡｌＡｓ ４０１、４０２ Ａｌ0 . 4 Ｇａ0 . 6 Ａｓ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の上に、第１半導体多層膜ミ
ラーと、ｐｎ接合を有する半導体構造体と、第２の多層
膜ミラーと、前記ｐｎ接合に電圧を印加するための電極
とを有し、前記半導体構造体のｐｎ接合に電圧をかける
ことによってその実効的な光学長を変化をさせ、前記第
２の多層膜ミラーないしは、第１の半導体多層膜ミラー
より入射する光の透過波長を変化させることを特徴とす
る面型光スイッチ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13969993A JPH06347734A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 面型光スイッチ |
| US08/254,274 US5424559A (en) | 1993-06-11 | 1994-06-06 | Surface emitting photonic switching structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13969993A JPH06347734A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 面型光スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347734A true JPH06347734A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15251366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13969993A Pending JPH06347734A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 面型光スイッチ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5424559A (ja) |
| JP (1) | JPH06347734A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100723249B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2007-05-29 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화물 반도체 발광다이오드 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5513202A (en) * | 1994-02-25 | 1996-04-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser |
| JPH08116139A (ja) * | 1994-08-22 | 1996-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| US5623140A (en) * | 1994-11-15 | 1997-04-22 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Nonbiased bistable optical device having a lower mirror having a plurality of reflective layers repeatedly formed on a substrate |
| KR960032817A (ko) * | 1995-02-03 | 1996-09-17 | 김광호 | 면발광 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 |
| US5568499A (en) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Sandia Corporation | Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors |
| US5909303A (en) * | 1996-01-04 | 1999-06-01 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Optical modulator and optical modulator array |
| SE505753C3 (sv) * | 1996-01-11 | 1997-10-06 | Imc Ind Mikroelektronikcentrum | Strukturer foer temperatursensorer och infraroeddetektorer |
| US5757837A (en) * | 1996-10-16 | 1998-05-26 | The Regents Of The University Of California | Intracavity quantum well photodetector integrated within a vertical-cavity surface-emitting laser and method of operating same |
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