JPH024210A - 波長選択素子及びその駆動方法 - Google Patents
波長選択素子及びその駆動方法Info
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- JPH024210A JPH024210A JP15560788A JP15560788A JPH024210A JP H024210 A JPH024210 A JP H024210A JP 15560788 A JP15560788 A JP 15560788A JP 15560788 A JP15560788 A JP 15560788A JP H024210 A JPH024210 A JP H024210A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、波長多重光通信用の波長選択素子及びその駆
動方法に関する。
動方法に関する。
近年の光通信システムの発展にともない、従来にない新
しい機能やサービスを提供するためのシステムが各検者
えられている。このようなシステムに於て必要とされる
デバイスの１つとしては、波長多重伝送系に必要とされ
る波長選択素子が挙げられる。従来、このような波長選
択素子としては、ＬｉＮｂＯ３の一次電気光学効果を用
いた素子が、雑誌「アプライド・フィツクス・レターズ
（Ａｐｐｌ。
しい機能やサービスを提供するためのシステムが各検者
えられている。このようなシステムに於て必要とされる
デバイスの１つとしては、波長多重伝送系に必要とされ
る波長選択素子が挙げられる。従来、このような波長選
択素子としては、ＬｉＮｂＯ３の一次電気光学効果を用
いた素子が、雑誌「アプライド・フィツクス・レターズ
（Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、） ４０ 、 （１０）ｐ８６１
、 Ｍａｙ４９８２ Ｊに記載されている。
、 Ｍａｙ４９８２ Ｊに記載されている。
第５図は、Ｌ ｉ ＮｂＯ３を用いた波長選択素子の従
来例を示している。その原理について簡単に説明すると
、第５図の場合は、ＬｉＮｂＯ３基板３２上のＴｉ拡散
導波路３１に電界を印加すれば１０−３程度の比屈折率
変化が得られ、この結果導波路３１を通過する光の光学
的距離が変化し、ＩＯＡの波長域で波長選択が可能であ
る。
来例を示している。その原理について簡単に説明すると
、第５図の場合は、ＬｉＮｂＯ３基板３２上のＴｉ拡散
導波路３１に電界を印加すれば１０−３程度の比屈折率
変化が得られ、この結果導波路３１を通過する光の光学
的距離が変化し、ＩＯＡの波長域で波長選択が可能であ
る。
ここで説明した従来技術には、以下のような課題がある
。まず、ＬｉＮｂＯ３の場合は、得られる屈折率変化量
が小さいから、波長選択範囲が数１ＯＡと小さい。又、
素子サイズが大きく、導波型であるから光ファイバとの
位置あわせ等に厳しい精度が必要とされる。さらにＬｉ
ＮｂＯ３の場合非線形屈折率変化量が小さいから、電気
的にではなく光で選択すべき波長を選ぶことは不可能で
ある。本発明の目的は、このような問題を除き、小型で
、波長選択範囲が広く、製作トレランスが大きく、かつ
光によって選択すべき波長が制御可能な波長選択素子を
提供することにある。
。まず、ＬｉＮｂＯ３の場合は、得られる屈折率変化量
が小さいから、波長選択範囲が数１ＯＡと小さい。又、
素子サイズが大きく、導波型であるから光ファイバとの
位置あわせ等に厳しい精度が必要とされる。さらにＬｉ
ＮｂＯ３の場合非線形屈折率変化量が小さいから、電気
的にではなく光で選択すべき波長を選ぶことは不可能で
ある。本発明の目的は、このような問題を除き、小型で
、波長選択範囲が広く、製作トレランスが大きく、かつ
光によって選択すべき波長が制御可能な波長選択素子を
提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明においては、基板
上に形成された半導体層の一部に屈折率変化を生じさせ
、光学的共振器長を変化させるファブリペロ−型の波長
選択素子において、前記半導体層がＰＩＮ構造で成り、
前記ＰＩＮ構造の１層が多重量子井戸（ＭＱＷ）構造で
構成され、前記屈折率変化が前記多重量子井戸構造に電
界を印加することによって生じ、前記電界を印加するた
めのオーミック接触性電極が前記ＰＩＮ構造のＰ層及び
Ｎ層の一部に形成されており、前記共振器が前記Ｐ層及
びＮ層の電極が形成されていない部分に形成された高反
射膜を反射面としていることを特徴とする波長選択素子
の構造、あるいは、基板上に形成さ几た半導体層の一部
に屈折率変化を生じさせ、光学的共振器長を変化さ２せ
るファブリベロー型の波長選択素子において、半導体層
がＰＩ溝構造たはＮＩ溝構造り成り、前記ＰＩ溝構造た
はＮＩ溝構造１層が多重量子井戸構造より構成され、１
層の屈折率変化が前記多重量子井戸構造に電界を印加す
ることによって生じ、前記電界を印加するだめの電極が
前記ＰＩ溝構造たはＮＩ溝構造１層では、シロットキー
電極であり、前記Ｐ■溝構造たはＮＩ溝構造Ｐ層または
Ｎ層ではオーミック接触性であり、前記共振器が前記Ｐ
層またはＮ層及び１層の電極を除く部分に形成された高
反射膜を反射面としていることを特徴とする波長選択素
子の構造を採用し、また光制御波長選択素子を実現する
ためには、基板上に形成された多重量子井戸構造を含む
半導体層に屈折率変化を生じさせ、光学的共振器長を変
化させるファブリペロー型の波長選択素子を駆動する方
法であって、複数の異なる波長で成る信号光の中から特
定の波長の信号光を選択するために半導体層の屈折率変
化を生じさせる手段として、前記多重量子井戸構造のエ
キシトンピーク波長よりも短波長の制御光を前記多重量
子井戸構造に吸収させて、前記制御光の強度変化によシ
特定の波長の信号光を選択することを特徴とする波長選
択素子の駆動方法を採用した。
上に形成された半導体層の一部に屈折率変化を生じさせ
、光学的共振器長を変化させるファブリペロ−型の波長
選択素子において、前記半導体層がＰＩＮ構造で成り、
前記ＰＩＮ構造の１層が多重量子井戸（ＭＱＷ）構造で
構成され、前記屈折率変化が前記多重量子井戸構造に電
界を印加することによって生じ、前記電界を印加するた
めのオーミック接触性電極が前記ＰＩＮ構造のＰ層及び
Ｎ層の一部に形成されており、前記共振器が前記Ｐ層及
びＮ層の電極が形成されていない部分に形成された高反
射膜を反射面としていることを特徴とする波長選択素子
の構造、あるいは、基板上に形成さ几た半導体層の一部
に屈折率変化を生じさせ、光学的共振器長を変化さ２せ
るファブリベロー型の波長選択素子において、半導体層
がＰＩ溝構造たはＮＩ溝構造り成り、前記ＰＩ溝構造た
はＮＩ溝構造１層が多重量子井戸構造より構成され、１
層の屈折率変化が前記多重量子井戸構造に電界を印加す
ることによって生じ、前記電界を印加するだめの電極が
前記ＰＩ溝構造たはＮＩ溝構造１層では、シロットキー
電極であり、前記Ｐ■溝構造たはＮＩ溝構造Ｐ層または
Ｎ層ではオーミック接触性であり、前記共振器が前記Ｐ
層またはＮ層及び１層の電極を除く部分に形成された高
反射膜を反射面としていることを特徴とする波長選択素
子の構造を採用し、また光制御波長選択素子を実現する
ためには、基板上に形成された多重量子井戸構造を含む
半導体層に屈折率変化を生じさせ、光学的共振器長を変
化させるファブリペロー型の波長選択素子を駆動する方
法であって、複数の異なる波長で成る信号光の中から特
定の波長の信号光を選択するために半導体層の屈折率変
化を生じさせる手段として、前記多重量子井戸構造のエ
キシトンピーク波長よりも短波長の制御光を前記多重量
子井戸構造に吸収させて、前記制御光の強度変化によシ
特定の波長の信号光を選択することを特徴とする波長選
択素子の駆動方法を採用した。
本発明によれば、多重量子井戸（ＭＱＷ）構造に特有な
室温エキシトン共鳴吸収ピークの電界によるシフト（シ
為タルクシフト）による屈折率変化を用いて、または室
温エキシトンの光による過飽和吸収による屈折率変化を
用いて、共振器の光学的長さを変化させ、複数の異なる
波長より成る入射信号光の中から任意の特定波長の信号
光を選択することができる。
室温エキシトン共鳴吸収ピークの電界によるシフト（シ
為タルクシフト）による屈折率変化を用いて、または室
温エキシトンの光による過飽和吸収による屈折率変化を
用いて、共振器の光学的長さを変化させ、複数の異なる
波長より成る入射信号光の中から任意の特定波長の信号
光を選択することができる。
ＭＱＷ構造では、電界によって１％以上、エキシトンの
光による過飽和吸収によっても０．５％以上の屈折率変
化が得られることが知られている。
光による過飽和吸収によっても０．５％以上の屈折率変
化が得られることが知られている。
半導体層の厚さをＬとすれば、ファブリペロ−型共振器
（エタロン）の透過光強度が極大となる条件は、 ２ ｎ Ｌ ＝ ｍλ ■
で表せる。ここでλは共振波長、ｎはエタロンの等側屈
折率、ｍは整数である。又、エネルギー透過率ＪＴ／Ｊ
０は、 ＪＴ／Ｊｏ＝１／（１＋４ｒ２／（１−ｒｚ）２゜５Ｉ
Ｎ２δ／２） ■ δ＝２π／λ・２ｎＬ ■であり
、ここでＪｏは入射光強度、Ｊは透過光強度、ｒは反射
率である。■式でわかるように、エネルギー透過率は極
大値１と極小値１／（ｘ＋４ｒｘ／（１−ｒ”）”）と
の間を変動するが、ｒが小さいと、４Ｎ／（ｌｒ”）”
が小さいので、極小値と極大値とはあまり異ならず、コ
ントラストが弱い。反対に「が１に近い場合は４１２
／ （１ｙ２戸が非常に大きく、極小値がほとんど０に
なるだけでなく、極大値がきわめて鋭くなる。エネルギ
ー反射率ｒ２をパラメータとし、波長によって透過率の
変わる様子を第４図（ａ）に示す。
（エタロン）の透過光強度が極大となる条件は、 ２ ｎ Ｌ ＝ ｍλ ■
で表せる。ここでλは共振波長、ｎはエタロンの等側屈
折率、ｍは整数である。又、エネルギー透過率ＪＴ／Ｊ
０は、 ＪＴ／Ｊｏ＝１／（１＋４ｒ２／（１−ｒｚ）２゜５Ｉ
Ｎ２δ／２） ■ δ＝２π／λ・２ｎＬ ■であり
、ここでＪｏは入射光強度、Ｊは透過光強度、ｒは反射
率である。■式でわかるように、エネルギー透過率は極
大値１と極小値１／（ｘ＋４ｒｘ／（１−ｒ”）”）と
の間を変動するが、ｒが小さいと、４Ｎ／（ｌｒ”）”
が小さいので、極小値と極大値とはあまり異ならず、コ
ントラストが弱い。反対に「が１に近い場合は４１２
／ （１ｙ２戸が非常に大きく、極小値がほとんど０に
なるだけでなく、極大値がきわめて鋭くなる。エネルギ
ー反射率ｒ２をパラメータとし、波長によって透過率の
変わる様子を第４図（ａ）に示す。
第４図（ａ）において、隣あうピークの波長幅（フリー
スペクトラムレンジ）は、■式より△λＦＰ”λ２／２
ｎＬで表せる。ここで、素子に電界を印加するか、もし
くはエキシトン吸収ピークより短波長の光を入射するこ
とにより、ＭＱＷ層の屈折率がｎ′に変化したとすると
、極大となる波長は、λ′となり、 ｍλ’＝２ｎ’Ｌ ■と表
すことができる。ここで λ′；λ＋△λ、ｎ ’ ＝ ｎ＋Δｎ ■
とすれば、■、■式より △λ／λ＝Δｎ／ｎ ■であり
、屈折率変化量に応じて極大となるピーク波長が選択で
きる。
スペクトラムレンジ）は、■式より△λＦＰ”λ２／２
ｎＬで表せる。ここで、素子に電界を印加するか、もし
くはエキシトン吸収ピークより短波長の光を入射するこ
とにより、ＭＱＷ層の屈折率がｎ′に変化したとすると
、極大となる波長は、λ′となり、 ｍλ’＝２ｎ’Ｌ ■と表
すことができる。ここで λ′；λ＋△λ、ｎ ’ ＝ ｎ＋Δｎ ■
とすれば、■、■式より △λ／λ＝Δｎ／ｎ ■であり
、屈折率変化量に応じて極大となるピーク波長が選択で
きる。
従って、例えば、本発明をＧ ａ Ａ ｓ系の材料に用
いた場合には、共振器長１０μｍ１屈折率３．５のエタ
ロンを仮定し、動作波長を８５Ｑｎｍ近傍とするとフリ
ースペクトラムレンジは約１０ＯＡとなり、ＭＱＷに屈
折率変化が１％生じたとすれば、０式より約８ＯＡの波
長域で波長選択が可能であることがわかる。又、半導体
の面入射を用いるために光学的な位置合わせのトレラン
スが大きく、素子サイズの小型化が可能である。
いた場合には、共振器長１０μｍ１屈折率３．５のエタ
ロンを仮定し、動作波長を８５Ｑｎｍ近傍とするとフリ
ースペクトラムレンジは約１０ＯＡとなり、ＭＱＷに屈
折率変化が１％生じたとすれば、０式より約８ＯＡの波
長域で波長選択が可能であることがわかる。又、半導体
の面入射を用いるために光学的な位置合わせのトレラン
スが大きく、素子サイズの小型化が可能である。
次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の第１の実施例であるＰＩＮ構造の波長
選択素子を示す断面図である。
選択素子を示す断面図である。
第１図に示した波長選択素子の製造方法を簡単に説明す
る。本素子はｎ”−ＧａＡｓ基板上１にｎ＋−ＡＩＧａ
Ａｓ層２、ノンドープＧａＡｓ／ＡＪＧａ ＭＱＷ層３
、ｐ”−ＡＩＧａＡｓ層４、ｐ＋−ＧａＡｓ ） ｙプ
層５を分子線エビタクシ−法により順次成長する。次に
、ｎ −ＧａＡｓ基板１にオーミックコンタクトがと
れる電極６を、ｐ”−ＧａＡｓキャップ層５にオーミッ
クコンタクトがとれる電極７を蒸着する。次に両者のさ
１５をマスクとして、ｎ＋−ＧａＡｓ基板１の一部をウ
ェットエツチングによって除去する。
る。本素子はｎ”−ＧａＡｓ基板上１にｎ＋−ＡＩＧａ
Ａｓ層２、ノンドープＧａＡｓ／ＡＪＧａ ＭＱＷ層３
、ｐ”−ＡＩＧａＡｓ層４、ｐ＋−ＧａＡｓ ） ｙプ
層５を分子線エビタクシ−法により順次成長する。次に
、ｎ −ＧａＡｓ基板１にオーミックコンタクトがと
れる電極６を、ｐ”−ＧａＡｓキャップ層５にオーミッ
クコンタクトがとれる電極７を蒸着する。次に両者のさ
１５をマスクとして、ｎ＋−ＧａＡｓ基板１の一部をウ
ェットエツチングによって除去する。
この際のエチャントは、ｎ”−ＡｌＧａＡｓ Ｆｄ２で
選択的に止゛まるものを用いた。最後に、誘電体多層反
射膜８全工ツチング面及びｐ” −Ｇ ａ Ａ Ｂキャ
ン１層５上に蒸着する。ここで、ｎ”−ＡＩＧａＡｓ層
２およびｐ”−Ａ４ＧａＡｓ 層４のＡ４の組成は、使
用波長域での吸収損失を受けないように、バンドギャグ
がＭＱＷ層３のエキシトンピーク波長よりも短波長とな
るよう０．３５とした。また島原はどちらも０．９μｍ
である。ＭＱＷ層３は二次元電子ガスの効果が顕著とな
るようにＡｌの組成を０．５とし、ＧａＡｓ １００Ａ
、ＡｌＧａＡｓ１００Ａを３００周期成長し、層厚は６
μｍとした。キャップ層５は、吸収損失を少なくするた
めに厚さを０．２μｍと薄くした。
選択的に止゛まるものを用いた。最後に、誘電体多層反
射膜８全工ツチング面及びｐ” −Ｇ ａ Ａ Ｂキャ
ン１層５上に蒸着する。ここで、ｎ”−ＡＩＧａＡｓ層
２およびｐ”−Ａ４ＧａＡｓ 層４のＡ４の組成は、使
用波長域での吸収損失を受けないように、バンドギャグ
がＭＱＷ層３のエキシトンピーク波長よりも短波長とな
るよう０．３５とした。また島原はどちらも０．９μｍ
である。ＭＱＷ層３は二次元電子ガスの効果が顕著とな
るようにＡｌの組成を０．５とし、ＧａＡｓ １００Ａ
、ＡｌＧａＡｓ１００Ａを３００周期成長し、層厚は６
μｍとした。キャップ層５は、吸収損失を少なくするた
めに厚さを０．２μｍと薄くした。
これにより、共振器長Ｌ＝８μｍのエタロン作用成され
る。
る。
第１図の素子の動作を第４図１３） 、 （ｂ）を参照
して説明する。波長８４５ｎｍ近傍の波長多重信号光を
入射すると、無電界時には本素子のエタロン作用でλ”
８４８ｎｍの信号光だけが透過強度極大となって出射す
る。次に、本素子に逆バイアスを印加すると、ＭＱＷの
屈折率が変化し、透過強度極大となる波長を選択するこ
とができる。−例として、本素子では５ｖの逆バイアス
印加により透過強度極大となる波長はλ””８４６１ｍ
へと移動した。
して説明する。波長８４５ｎｍ近傍の波長多重信号光を
入射すると、無電界時には本素子のエタロン作用でλ”
８４８ｎｍの信号光だけが透過強度極大となって出射す
る。次に、本素子に逆バイアスを印加すると、ＭＱＷの
屈折率が変化し、透過強度極大となる波長を選択するこ
とができる。−例として、本素子では５ｖの逆バイアス
印加により透過強度極大となる波長はλ””８４６１ｍ
へと移動した。
ここで素子に印加する電圧を変化させていくと、ＭＱＷ
の屈折率が連続的に減少するので、透過強度極太となる
波長も連続的に変化し、本素子は電圧により制御可能な
波長選択素子として動作する。
の屈折率が連続的に減少するので、透過強度極太となる
波長も連続的に変化し、本素子は電圧により制御可能な
波長選択素子として動作する。
なお、本素子による入射光強度の損失は主ＫＭＱＷ層の
吸収によるものであり、約１０ｄＢであつた０ 第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図でアリ、こ
の実施例ではＭＱＷ層に電界を印加する手段としてショ
ットキー電極を用いている。本実施例の製作方法は第一
の実施例（第１図）と同様であるが、本実施例の場合は
基板１１上への成長をｉ−ＭＱＷ層１３で止め、ｉ−Ｍ
ＱＷ層１層上３上ョットキー電極１４を、ｎ”−ＧａＡ
ｓ基板１１面にオーミック性電極１５をそれぞれ蒸着し
た後に、高反射膜１６を形成した。本素子の動作は第１
の実施例中に記述した内容と同様である。
吸収によるものであり、約１０ｄＢであつた０ 第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図でアリ、こ
の実施例ではＭＱＷ層に電界を印加する手段としてショ
ットキー電極を用いている。本実施例の製作方法は第一
の実施例（第１図）と同様であるが、本実施例の場合は
基板１１上への成長をｉ−ＭＱＷ層１３で止め、ｉ−Ｍ
ＱＷ層１層上３上ョットキー電極１４を、ｎ”−ＧａＡ
ｓ基板１１面にオーミック性電極１５をそれぞれ蒸着し
た後に、高反射膜１６を形成した。本素子の動作は第１
の実施例中に記述した内容と同様である。
第３図は本発明の第３の実施例を示す断面図であり、こ
の実施例ではＭＱＷに屈折率変化を生ずる手段として光
によるエキシトンの過飽和吸収を用いている。本実施例
の製作工程は、第１の実施例（第１図）の製作工程と同
様であるが、本実施例では、制御光を効率よく吸収する
ために無反射ウィンドウ２６を形成している。本発明の
動作原理について説明すると、波長多重光を入射光とし
て入射した時に所望の波長の光を選択するために半導体
層の屈折率変化を生じさせる手段としてＭＱＷのエキシ
トンピーク波長よりも短波長の制御光を入射させるが、
この際制御光強度を変えることにより、ＭＱＷの屈折率
変化量を変えることができ、所望の波長を選択すること
ができ゛る。本実施例では５０ ｍ’ｖＶのＡｒレーザ
ーを信号光として入射することにより、０．５％の屈折
率変化を得ることができ、これによって約４０Ｘの波長
選択が可能であった。
の実施例ではＭＱＷに屈折率変化を生ずる手段として光
によるエキシトンの過飽和吸収を用いている。本実施例
の製作工程は、第１の実施例（第１図）の製作工程と同
様であるが、本実施例では、制御光を効率よく吸収する
ために無反射ウィンドウ２６を形成している。本発明の
動作原理について説明すると、波長多重光を入射光とし
て入射した時に所望の波長の光を選択するために半導体
層の屈折率変化を生じさせる手段としてＭＱＷのエキシ
トンピーク波長よりも短波長の制御光を入射させるが、
この際制御光強度を変えることにより、ＭＱＷの屈折率
変化量を変えることができ、所望の波長を選択すること
ができ゛る。本実施例では５０ ｍ’ｖＶのＡｒレーザ
ーを信号光として入射することにより、０．５％の屈折
率変化を得ることができ、これによって約４０Ｘの波長
選択が可能であった。
なお、以上の実施例で述べた製作方法は、それぞれあく
までも−例であって、かかる製作方法に限定されるもの
ではない。また、半導体層の成長には気相成長法や有機
金属法などを用いてもよい。
までも−例であって、かかる製作方法に限定されるもの
ではない。また、半導体層の成長には気相成長法や有機
金属法などを用いてもよい。
以上に説明したように、本発明は、従来のＬｉＮｂ０．
を用いた素子に比べて、小型で、選択波長域の広い波長
選択素子を提供できる。かかる波長選択素子は将来の波
長多重光通信システム等の実現に寄与するところが大き
い。
を用いた素子に比べて、小型で、選択波長域の広い波長
選択素子を提供できる。かかる波長選択素子は将来の波
長多重光通信システム等の実現に寄与するところが大き
い。
第１図、第２図および第３図は本発明の第１゜第２及び
第３の実施例をそれぞれ示す断面図である。第４図は本
発明の詳細な説明するための特性図、第５図は従来の波
長選択素子を示す斜視図である。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 第 図 第 図 第 図 ３ｏ五有１九 第 図 第 図
第３の実施例をそれぞれ示す断面図である。第４図は本
発明の詳細な説明するための特性図、第５図は従来の波
長選択素子を示す斜視図である。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 第 図 第 図 第 図 ３ｏ五有１九 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に形成された半導体層の一部に屈折率変化を
生じさせ、光学的共振器長を変化させるファブリペロー
型の波長選択素子において、前記半導体層がＰＩＮ構造
で成り、前記ＰＩＮ構造のＩ層が多重量子井戸構造で構
成され、前記屈折率変化が前記多重量子井戸構造に電界
を印加することによって生じ、前記電界を印加するため
のオーミック接触性電極が前記ＰＩＮ構造のＰ層及びＮ
層の一部に形成されており、前記共振器が前記Ｐ層及び
Ｎ層の電極が形成されていない部分に形成された高反射
膜を反射面としていることを特徴とする波長選択素子。 ２、基板上に形成された半導体層の一部に屈折率変化を
生じさせ、光学的共振器長を変化させるファブリペロー
型の波長選択素子において、半導体層がＰＩ構造または
ＮＩ構造で成り、前記ＰＩ構造またはＮＩ構造のＩ層が
多重量子井戸構造で構成され、Ｉ層の屈折率変化が前記
多重量子井戸構造に電界を印加することによって生じ、
前記電界を印加するための電極が前記ＰＩ構造またはＮ
Ｉ構造のＩ層では、ショットキー電極であり、前記ＰＩ
構造またはＮＩ構造のＰ層またはＮ層ではオーミック接
触性であり、前記共振器が前記Ｐ層またはＮ層及びＩ層
の電極を除く部分に形成された高反射膜を反射面として
いることを特徴とする波長選択素子。 ３、基板上に形成された多重量子井戸構造を含む半導体
層に屈折率変化を生じさせ、光学的共振器長を変化させ
るファブリペロー型の波長選択素子を駆動する方法であ
って、複数の異なる波長で成る信号光の中から特定の波
長の信号光を選択するために半導体層の屈折率変化を生
じさせる手段として、前記多重量子井戸構造のエキシト
ンピーク波長よりも短波長の制御光を前記多重量子井戸
構造に吸収させて前記制御光の強度変化により特定の波
長の信号光を選択することを特徴とする波長選択素子の
駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15560788A JPH024210A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 波長選択素子及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15560788A JPH024210A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 波長選択素子及びその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH024210A true JPH024210A (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=15609723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15560788A Pending JPH024210A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 波長選択素子及びその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH024210A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06347734A (ja) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Nec Corp | 面型光スイッチ |
-
1988
- 1988-06-23 JP JP15560788A patent/JPH024210A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06347734A (ja) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Nec Corp | 面型光スイッチ |
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