KR960032817A - 면발광 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 면발광 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 일정한 광방출을 위한 한 쌍의 반사 적층부 사이에 위치된 양자 우물 영역을 가지는 면발광 레이저 수단과, 포토다이오드 수단과, 상기 면발광 레이저와 포토다이오드를 오믹 접촉시키기 위한 접촉수단을 구비하는 면발광 반도체 레이저 소자에 있어서, 상기 한 쌍의 반사 적층부 및 그 사이에 위치하는 양자 우물 영역이 기판의 중심부에 메사형 리지 스트라이프 구조로 적층 형성되고, 그 메사형 리지 스트라이프의 하단부 양측 기판 상에는 포토다이오드 구성을 위한 소정 금속층이 형성되어 있다.
이와 같은 구성의 본 발명은 기판 자체에 형성시킴으로써 추가적인 결정 성장없이 레이저 다이오드 및 포토다이오드의 집적을 구현할 수 있고, 소자 상,하부의 금속층을 1회의 금속증착 공정만으로 형성하므로 공정을 단순화시킬 수 있다. 또한, 기판에 공핍 영역을 형성시킴으로써 기판에서의 전류퍼짐을 감소시켜 레이저 발진 임계전류를 낮출 수 있는 장점이 있다.

Description

면발광 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 면발광 반도체 레이저 소자의 제조과정에 있어서, 1차성장 후의 단면구조도,
제4도는 본 발명에 따른 면발광 반도체 레이저 소자의 제조과정에 있어서, 선택적 식각에 의해 메사형 리지 스트라이프를 형성한 상태도,
제5도는 본 발명에 따른 면발광 반도체 레이저 소자의 제조과정에 있어서, 전극용 및 포토다이오드 구성용 금속층을 형성하여 소자를 완성한 상태의 단면구조도.

Claims (7)

  1. 일정한 광방출을 위한 한 쌍의 반사 적층부 사이에 위치된 양자 우물 영역을 가지는 면발광 레이저 수단과, 포토다이오드 수단과, 상기 면발광 레이저와 포토다이오드를 오믹 접촉시키기 위한 접촉수단을 구비하는 면발광 반도체 레이저 소자에 있어서, 상기 한 쌍의 반사 적층부 및 그 사이에 위치하는 양자 우물 영역이 기판의 중심부에 메사형 리지 스트라이프 구조로 적층 형성되고, 그 메사형 리지 스트라이프의 하단부 양측 기판 상에는 포토다이오드 구성을 위한 소정 금속층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 면발광 반도체 레이저 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포토다이오드 구성을 위한 금속층은 기판과 쇼트키 접촉 배리어를 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 면발광 반도체 레이저 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 포토다이오드 구성을 위한 금속층은 AuZn과 Au의 적층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 면발광 반도체 레이저 소자.
  4. 기판상에 n-반사 적층부, 양자 우물 활성층영역, p-반사 적층부, p-콘택충을 순차적으로 적층 성장하는 단계; 성장이 완료된 후, 선택적 식각에 의해 기판의 중심부에 메사형 리지 스트라이프를 형성하는 단계; 메사형 리지 스트라이프 형성 후, 리지 스트라이프의 하단 양측 기판 상에 포토다이오드 구성을 위한 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층 형성 후, 메사형 리지 스트라이프의 최상부 및 기판의 저면에 전극용 금속층을 형성하여 소자를 완성하는 단계를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 면발광 반도체 레이저 소자의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 적층 성장은 MBE, LPE 또는 MOCVD법을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 면발광 반도체 레이저 소자의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 메사형 리지 스트라이프는 포토리소그라피를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 면발광 반도체 레이저 소자의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 포토다이오드 구성을 위한 금속층은 금속증착법을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 면발광 반도체 레이저 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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