KR950010237A - 반도체 레이저 다이오드 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 릿지형 반도체 레이저 다이오드는 GaAs기판상에 n형 InGaAlP클래드층, InGaP활성층, p형 InGaAlP내부 클래드층, AlAs식각 저지층이 순차적으로 적층되어 있다. AlAs식각 저지층중 중앙에 스트라이프 형태로 순차 적층된 p형 InGaAlP외부 클래드층 및 통전용이층이 순차적으로 적층되어 있고, 나머지 부위의 이루어진 표면의 상부에는 GaAs캡층이 적층되어 있으며, GaAs 캡층의 상부 및 GaAs기판의 하부에 제1도전층및 제2도전층이 형성되어 있다.
이와같은 구조의 레이저 다이오드에서, p형 InGaAlP클래드층 및 p형 InGaP통전용이층이 릿지를 구성하게 되며, 이와같은 릿지를 구성하기 위하여 식각공정을 수행하는 경우에 AlAs식각 저지층은 그 하부에 위치한 p형 InGaP하부 클래드층이 식각되는 것을 방지하는 기능을 수행하는 것으로, 종래에 사용되던 식각 저지층보다 식각 차별성이 두드러져 제작 공정이 용이하게 되는 잇점을 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 단면도이다,
제3도는 H2SO4에 의한 In0.5(Ga1-xAlx)0.5P의 x에 따른 식각속도를 나타낸 그래프이다,
제4도는 HCl에 의한 In0.5(Gal-xAlx)0.5P의 x에 따른 식각속도를 나타낸 그래프이다.
Claims (6)
- 소정 GaAs기판; 상기 GaAs기판상에 순차적으로 적층된 n형 InGaAlP클래드층, InGaP활성층, p형 InGaAlP내부 클래드층, AlAs식각 저지층; 상기 AlAs식각 저지층중 중앙에 스트라이프 형태로 순차 적층된 p형 InGaAlP외부 클래드층 및 통전용이층; 및 상기 AlAs식각 저지층 중앙에 스트라이프 형태의 부위를 제외한 나머지 부위에 적층된 통전저지층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 통전용이층은 p형 InGaP로 구성되고, 상기 통전저지층은 n형 GaAs로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 GaAs기판과 상기 n형 InGaAlP클래드층 사이에 GaAs로 구성된 버퍼층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 통전용이층 및 상기 통전저지층으로 이루어진 표면의 상부에 적층된 GaAs캡층; 상기 GaAs캡층의 상부 및 상기 GaAs기판의 하부에 각각 형성된 제1도전층 및 제2도전층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 소정 n형 GaAs기판을 마련하여, 그 상부에 n형 InGaAlP클래드층, InGaP활성층, p형 InGaAlP하부 클래드층, AlAs식각 저지층, p형 InGaAlP외부 클래드층 및 p형 InGaP 통전용이층을 순차적으로 결정성장시키는 공정; 상기 AlAs식각 저지층에 의하여 식각이 저지될 수 있는 식각용액을 사용하여, 상기 p형 InGaAlP외부 클래드층 및 p형 InGaP 통전용이층을 선택적으로 식각하여 중앙에 스트라이프 형태의 릿지를 형성하는 식각공정; 상기 AlAs식각 저지층중 릿지가 형성되지 아니한 부위의 상부에 n형 GaAs통전저지층을 결정성장시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제작방법.
- 제5항에 있어서, 상기 p형 InGaP통전용이층 및 상기 n형 GaAs통전저지층으로 이루어진 표면의 상부에 p형 GaAs캡층을 결정성장시키는 공정; 및 상기 p형 GaAs캡층의 상부 및 상기 n형 GaAs기판의 하부에 p형 금속 전극 및 n형 금속전극를 각각 형성하는 금속화 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제작방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020350A KR950010237A (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 반도체 레이저 다이오드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020350A KR950010237A (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 반도체 레이저 다이오드 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950010237A true KR950010237A (ko) | 1995-04-26 |
Family
ID=66823883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930020350A KR950010237A (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 반도체 레이저 다이오드 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950010237A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100407947B1 (ko) * | 2001-04-02 | 2003-12-01 | 엘지전자 주식회사 | 반도체레이저 다이오드 제조방법 |
-
1993
- 1993-09-28 KR KR1019930020350A patent/KR950010237A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100407947B1 (ko) * | 2001-04-02 | 2003-12-01 | 엘지전자 주식회사 | 반도체레이저 다이오드 제조방법 |
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