KR950010242A - 반도체 레이저 소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents
반도체 레이저 소자 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
목적은 별도의 절연막을 형성하지 않고, 용이하게 제조할 수 있는 리지 웨이브형 반도체 레이저 소자및 그의 제조방법이 개시되어 있다.
n-GaAs기판에 p-In0.5Al0.5P제1클래드층, InGaP활성층, n-In0.5Al0.5P제2클래드층, p-InGaP통전용이층 및 P-GaAs캡층을 가진 소오스를 이용한 MBE법에 의해 순차적으로 에피텍시얼 성장시킨다. 제2클래드층은 에피텍시얼 성장시에 Mg를 사용하여 도우핑시킨다. 캡층사에 p-금속 전극층을 형성한 후, 포토리토그래피 공정에 의해 염산, 질산 및 물의 혼합액을 식각액으로 사용하여 상기 p-금속 전극층, 캡층, 통전 용이층 및 제2클래드층의 상부을 부분적으로 식각하여 상기 제2클래드층의 중앙 상부에 형성된 철부를 포함하는 레이저 소자의 리지를 형성한다, 상기 철부의 상부를 제외한 측면 및 철부 형성부위를 제외한 제2클래드층의 노출된 표면상에, 상기 제2클래드층의 알루미늄을 산화하여 전류차단층을 형성한다. 자동 정합적으로 전류차단층을 형성할 수 있고, 전류차단층 하부의 결정질의 저하되지 않는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 상기한 리지 웨이브 가이드형 반도체 레이저 소자의 제조방법의 일례를 나타내기 위한 단면도들이며;
제3도는 본 발명의 반도체 레이저 소자의 일례를 나타내는 단면도이며;
제4A도 내지 제4D도는 본 발명의 반도체 레이저 소자의 제조 방법의 일례를 나타내기 위한 단면도들이다.
Claims (8)
- 제1도전형 GaAs기판; 제1도전형 IN0.5A10.5P 제1클래드층, 상기 제1클래드층상에 형성된 INGaP 활성층 및 상기 활성층상에 형성되고, 중앙 상부에 리지의 하부를 구성하는 철부가 형성된 제2도전형 IN0.5A10.5P 제2클래드층으로 구성된 레이저 발진층; 및 상기 철부의 측면 및 상기 철부 형성부위를 제외한 제2클래드층상에 형성되고, 산화 알루미늄으로 구성된 전류차단층을 포함하는 반도체 레이저 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제2클래드층은 Mg로 도우프되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
- 제1도전형 GaAs 반도체 기판상에 제1도전형 제1클래드층, 활성층, 알루미늄을 포함하는 제2도전형 제2클래드층을 순차적으로 에피텍시얼 성정시키는 단계; 상기 제2클래드층의 상부를 부분적으로 식각하여 상기 제2클래드층의 중앙 상부에 철부를 형성하는 단계; 및 상기 철부의 상부를 제외한 철부의 측면 및 철부 형성부위를 제외한 제2클래드층의 노출된 표면상에, 상기 제2클래드층의 알루미늄을 산화하여 전류차단층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 에피텍시얼 성장공정은 가스 소오스를 이용한 분자빔 에피텍시얼 성장 방법에 의해 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제2클래드층등의 성장시에 도펀트로서 Mg를 사용하여 도우핑시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 에피텍시얼 성장 공정시에 상기 제2클래드층상에 통전용이층 및 캡층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 캡층상에 제2도전형 금속층을 증착하고, 상기 금속층, 상기 캡층, 상기 통전용이층 및 상기 2클래드층의 상부를 부분적으로 식각하여 상기 제2클래드층의 철부를 제공하여 리지를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 리지 형상은 염산, 질산 및 물의 혼합액을 식각액으로 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020355A KR950010242A (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 반도체 레이저 소자 및 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020355A KR950010242A (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 반도체 레이저 소자 및 그의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950010242A true KR950010242A (ko) | 1995-04-26 |
Family
ID=66824083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930020355A KR950010242A (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 반도체 레이저 소자 및 그의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950010242A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030062131A (ko) * | 2002-01-16 | 2003-07-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 레이저 다이오드 제조방법 |
-
1993
- 1993-09-28 KR KR1019930020355A patent/KR950010242A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030062131A (ko) * | 2002-01-16 | 2003-07-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 레이저 다이오드 제조방법 |
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