KR950012871A - 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
소자의 열특성을 향상시키고, 구동전류값이 낮아지며 비점 수차의 거리를 감소시킨 신규한 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조방법이 개시된다. 먼저 제1도전형의 기판의 소정 영역을 식각하여 기판의 중심부에 릿지를 형성하고, 선택적 에피택시 기술을 이용한 제1차 결정성장에 의해 제2도전형의 전류차단층을 상기 릿지의 상부를 제외한 상기 기판상에 형성된다. 이어서, 제2차 결정성장에 의해 제1도전형 클래드층, 활성층, 제2도전형 클래드층 및 캡층을 형성한다. 이때 제1도전형 클래드층의 적층시에 동시 도우핑하여 제1도전형 클래드층에 형성되는 경사부가 n형 불순물과 p형 불순물로 교번 도핑되도록 한다.
따라서 본 발명에 의하면, 소자의 열특성을 향상시키고, 구동전류값이 낮아지며 비점 수차의 거리를 감소시킨 신규한 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 굴절률 도파형 반도체 레이저 다이오드를 나타내는 단면도,
제2도는 본 발명의 일예에 의한 굴절률 도파형 반도체 레이저 다이오드를 나타내는 단면도.
Claims (4)
- 중앙 상부에 릿지가 형성된 제1도전형 반도체기판; 상기 릿지의 상부를 제외한 상기 반도체 기판상에 상기 릿지의 상부를 중심으로 대칭되게 형성되며, 상기 릿지의 측면부 위로 돌출된 형상의 돌출부를 갖는 제2도전형 전류 차단층; 상기 전류 차단층 및 릿지 상부의 상기 반도체기판상에 연속하여 형성되고, 상기 전류 차단층의 돌출부에 대응하는 경사부를 가지며, 상기 경사부에 제1도전형 불순물과 제2도전형 불순물이 교번 도핑되어 형성된 전류차단 영역을 포함하는 제1도전형 클래드층; 상기 제1도전형 클래드층상에 형성되고, 상기 전류 차단층의 돌출부에 대응하는 경사부를 갖는 활성층; 및 상기 활성층상에 형성되고, 상기 활성층의 경사부에 대응하는 경사부를 갖는 제2도전형 클래드층을 포함하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 활성층/클래드층은 InGaP/InGaAlP계, GaAs/AlGaAs계, InGaAs/InAGaAsP계, InGaAs/AlGaAs계 및 InP/InGaAsP계로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 레이저 다이오드.
- 제1도전형 반도체 기판의 소정부위를 식각함으로써 상기 반도체기판의 중앙 상부에 릿지를 형성하는 단계; 상기 릿지의 상부를 제외한 반도체기판상에, 1차 선택된 에피택시 성장 공정을 수행하여, 상기 릿지의 상부를 중심으로 대칭되게 형성되며, 상기 릿지의 측면부 위로 돌출된 형상의 돌출부를 갖는 제2도전형 전류 차단층을 형성하는 단계; 상기 결과물상에, 동시 도우핑하면서, 2차 에피텍시 결정성장 공정을 수행하여, 상기 전류차단층의 돌출부에 대응하여 형성되는 경사부에 제1도전형 불순물과 제2도전형 불순물이 교번 도핑되어 전류 차단영역을 갖는 제1도전형 클래드층을 형성하는 단계; 및 상기 제1도전형 클래드층의 형성 단계에 연속하는 제2차성장에 의해 활성층 및 제2도전형 클래드층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 릿지 형성공정은 상기 반도체 기판상에 릿지 형성 부위에 식각마스크를 형성한 후 수행되며, 상기 1차 선택적 에피택시 성장 공정은, 상기 릿지 상부에, 상기 반도체기판의 식각공정시에 사용된 식각마스크를 잔존시킨 채 수행함을 특징으로 하는 상기 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930021454A KR950012871A (ko) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930021454A KR950012871A (ko) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950012871A true KR950012871A (ko) | 1995-05-17 |
Family
ID=66825159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930021454A KR950012871A (ko) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950012871A (ko) |
-
1993
- 1993-10-15 KR KR1019930021454A patent/KR950012871A/ko not_active Application Discontinuation
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