KR950012852A - 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
소자의 열특성을 향상시키고, 비점 수차의 거리를 감소시킨 신규한 구조를 갖는 굴절률 도파형 반도체 레이저 다이오드가 개시되어 있다. 제1도전형 반도체기판의 중앙 상부에 릿지가 형성되어 있고, 상기 릿지의 상부를 노출하면서 상기 릿지의 주위롱 상기 반도체기판상에 전류차단층이 형성되어 있다. 상기 전류차단층은 상기 릿지의 측면부위로 돌출부 형상을 갖는다. 상기 릿지의 상부와 전류 차단층상에 연속하며, 상기 돌출부 형상이 유지되는 형상으로 제1도전형 크래드층이 형성되어 있고, 상기 제1도전형 크래드층상에 상기 돌출부 형상이 유지되도록 활성층이 형성되어 있다. 상기 활성층상에 형성되는 제2도전형 크래드층; 제2도전형 캡층이 형성되어 레이저 다이오드를 구성한다. 충분히 얇은 캡층을 얻을 수 있어 열특성이 향상되고, 비점수차 거리가 감소한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 굴절률 도파형 반도체 레이저 다이오드를 나타내는 단면도,
제2도는 본 발명의 일실시예에 의한 굴절률 도파형 반도체 레이저 다이오드를 나타내는 단면도,
제3도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 굴절률 도파형 반도체 레이저 다이오드를 나타내는 단면도.
Claims (5)
- 중앙 상부에 릿지가 형성된 제1도전형 반도체기판; 상기 릿지의 상부를 노출하면서 상기 릿지의 주위로 상기 반도체기판상에 형성되어 있으며, 상기 릿지의 측면부 위로 돌출부 형상을 갖는 제2도전형 전류 차단층; 상기 릿지의 상부와 전류 차단층상에 연속하여 형성되고, 상기 돌출부 형상의 유지되는 제1도전형 크래드층; 상기 제1도전형 크래드층상에 형성되고, 상기 돌출부 형상이 유지되는 활성층; 상기 활성층상에 형성되는 제2도전형 크래드층; 및 상기 제2도전형 크래드층상에 형성된 제2도전형 캡층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 활성층/클래드층은 InGaP/InGaAlP계, GaAs/AlGaAs계, InGaAs/AlGaAs계, InGaAs/AlGaAs계, InP/InGaAsP계 등으로 구성되는 군으로부터 선택되어진 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 p형이고, 제2도전형은 n형임을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 캡층은 3㎛이하의 두께를 갖고, 그 표면이 평탄하게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1도전형 반도체 기판의 중앙상부에 릿지를 형성하는 단계; 상기 릿지의 상부를 제외한 반도체기판상에 제2도전형 전류 차단층을 1차 결정성장하여 형성하는 단계; 및 상기 결과물상에, 2차 결정성장하여 제1도전형 크래드층, 활성층, 제2도전형 크래드층 및 제2도전형 캡층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020946A KR950012852A (ko) | 1993-10-09 | 1993-10-09 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020946A KR950012852A (ko) | 1993-10-09 | 1993-10-09 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950012852A true KR950012852A (ko) | 1995-05-17 |
Family
ID=66824170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930020946A KR950012852A (ko) | 1993-10-09 | 1993-10-09 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950012852A (ko) |
-
1993
- 1993-10-09 KR KR1019930020946A patent/KR950012852A/ko not_active Application Discontinuation
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