KR950012937A - 반도체 레이저 소자의 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 소자의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
전류차단층이 돌출부의 생성을 억제하기 위한 반도체 레이저 소자의 제조 방법이 개시되어 있다. 반도체 기판상에 제1클래드층을 형성하고, 상기 제1클래드층상에 활성층을 형성한다. 상기 활성층상에는 중앙 상부에 리지가 형성된 제2클래드층을 형성한다. 상기 리지의 상부표면을 노출시키는 개구부를 가지며 상기 제1클래드층상에, 리지의측면 상부에는 평탄한 표면을 갖는 전류차단층이 형성된다. 상기 평탄한 전류 차단층은, 제1클래드층상에 더미 에피택시얼층 및 마스크층을 형성하고, 상기 마스크층을 패터닝하여 리지 형성을 위한 마스크 패턴을 형성한 후, 상기 마스크 패턴을 이용하여 더미 에피텍시얼층을 에칭하여 상기 마스크 패턴의 주변 하부에 형성된 언더커팅 부위를 갖는 더미 에피텍시얼 패턴을 형성하고, 상기 더미 에피텍시얼 패턴 및 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 제1에피텍시얼층을 부분적으로 식각하여 제1에피텍시얼층의 상부에 리지를 형성하고, 제1에피텍시얼층의 노출된 부분상에 제2에피텍시얼층을 성장시켜 형성한다. 언더커팅된 부분의 존재에 의해 이브의 형성이 억제되어 전류차단층이 평탄하게 형성된다. 후속 공정에서, 캡층을 얇게 형성할 수 있으므로 소자의 성능을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 굴절률 도파형 구조의 단파장 반도체 레이저 다이오드의 일예를 나타내며,
제4도는 본 발명의 굴절율 도파형 구조의 단파장 반도체 레이저 다이오드의 다른예를 나타낸다.
Claims (6)
- GaAs 반도체 기판상에 형성된 제1 에피텍시얼층상에 더미 에피텍시얼층 및 마스크층을 형성하는 공정; 상기 마스크층을 패터닝하여 리지 형성을 위한 마스크 패턴을 형성하는 공정; 상기 마스크 패턴을 이용하여 더미 에피텍시얼층을 에칭하여 상기 마스크 패턴의 주변 하부에 형성된 언더커팅 부위를 갖는 더미에피텍시얼 패턴을 형성하는 공정; 상기 더미 에피텍시얼 패턴 및 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 제1에피텍시얼층을 부분적으로 식각하여 제1에피텍시얼층의 상부에 리지 형성하는 공정; 및 상기 제1 에피텍시얼층의 노출된 부분상에 제2 에피텍시얼층을 성장시키는 공정을 포함하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 에피텍시얼층은 제1클래드층, 활성층, 제2클래드층 및 통전 용이층으로 구성된 복합층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 더미 에피텍시얼층은 GaAs, AlGaAs, InGaAs, 및 InGaASP 로 구성된 군에서 선택된 물질로 사용하는 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 더미 에피텍시얼층은 p-GaAs를 사용하여 캡층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크층은 산화 실리콘으로 구성된 것임을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크 패턴 및 더미 에피텍시얼 패턴을 제거한 후, 3차 에피텍시얼 성장 공정을 수행하여 캡층을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930022739A KR950012937A (ko) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 반도체 레이저 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930022739A KR950012937A (ko) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 반도체 레이저 소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950012937A true KR950012937A (ko) | 1995-05-17 |
Family
ID=66825256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930022739A KR950012937A (ko) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 반도체 레이저 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950012937A (ko) |
-
1993
- 1993-10-29 KR KR1019930022739A patent/KR950012937A/ko not_active Application Discontinuation
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