KR950010206A - 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents

레이저 다이오드의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 레이저 다이오드의 제조방법을 개시한다.
본 발명 레이저 다이오드의 제조방법은 리지 스트라이프의 형성을 용이하게 하기 위해 선택적 식각에 의한 메사 스트라이프의 형성과, 선택적 재성장을 통해 리지를 형성함으로써, 재성장시 리지 스트라이프의 두께를 정확히 제어할 수 있고, 소자의 제반 특성을 균일하게 그리고 재현성있게 할 수 있는 장점이 있다.

Description

레이저 다이오드의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 제조방법에 레이저 다이오드의 개략적인 수직 단면도이고,
제2도는 본 발명에 따른 레이저 다이오드 제조공정을 개략적으로 도시한 구성도이고, 그리고
제3도는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 개략적인 수직 단면도이다.

Claims (2)

  1. (1) 기판상에 하부버퍼층, 하부크래드층, 도핑안된 SCH층, 도핑안된 활성층, 도핑안된 SCH층, 상부크래드층, 상부버퍼층을 순차적으로 성장하는 단계와, (2) 상기 성장된 결정층위에 메사 상면을 형성하는 폭만큼 SiO2로 마스크 하고, 식각액을 사용하여 상기 마스크안된 상부 버퍼층과 상부크래드층 부분를 도핑안된 상부SCH층까지 식각하는 단계와, (3) 상기 메사 상부에 남아있는 SiO2마스크를 사용하여 상기 메사의 능선부분과 상기 도핑안된 상부SCH층 상면의 메사영역이외의 영역에 선택적 성장에 의해 상부크래드층과 전류제한층을 형성하는 단계와, (4) 통상적인 마스크 제거공정으로 SiO2를 제거하고, 유기금속 기상성장법이나 분자선성장법에 의해 캡층을 성장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기의 식각액이 HCl : H3PO4= 1 : 1 인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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