KR950012919A - 레이저 다이오드와 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저 다이오드와 그 제조방법을 개시한다.
본 발명 레이저 다이오드는, 활성층이 횡 방향으로 단차가 형성되어 경사면상에서는100

Description

레이저 다이오드와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제3도는 본 발명 제조방법의 공정을 개략적으로 도시하는 공정 단면도이며, 그리고
제4도는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 개략적인 단면도이다.

Claims (7)

  1. 그 저면에 전극이 마련되는 기판과, 상기 기판의 상부에 제1크래드층과 활성층 및 제2크래드층이 순차적으로 형성되어 레이저빔을 발진시키는 레이저 발진층과, 상기 레이저 발진층의 상부에 마련되는 전극을 구비한 레이저 다이오드에 있어서,
    상기 기판과 제1크래드층사이에는 가운데 부분에 전류주입 채널이 마련된 전류제한층이 개재되고,
    상기 제1크래드층은 그 가운데 부분이 리지를 형성하고,
    상기 활성층은 상기 제1크래드층의 리지에 대응하여 형성되어 평탄부와 경사부를 마련하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전류주입 채널 내면에 버퍼층이 개재되고, 상기 전류제한층과 기판사이에 식각저지층이 개재되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2크래드층 상부에 밴드갭감소층, 콘택트층이 순차적으로 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  4. (1) 기판상에 전류제한층을 성장하는 제1성장단계,
    (2) 상기 전류제한층의 가운데 부분을 선택적으로 식각하여 전류주입 채널을 형성하는 채널형성단계,
    (3) 상기 채널의 내주면에 버퍼층을 성장하고, 상기 채널에 대응하여 리지를 형성하는 제1크래드층의 일부를 성장하고, 상기 리지면에 보호버퍼층을 순차적으로 성장하는 제2성장단계,
    (4) 상기 채널형성단계에서 이용되었던 마스크를 제거하고 상기 전류제한층 및 보호버퍼층을 식각하는 마스크제거 및 식각단계, 및
    (5) 상기 마스크제거 및 식각단계에 연이어서 상기 리지에 대응하여 상기 전류제한층 상면까지 포함하는 제1크래드층, 활성층 및 제2크래드층을 성장하는 제3성장단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1성장단계에서 기판과 전류제한층사이에 식각저지층을 개재하여 전류제한층과 같이 성장하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제3성장단계에서 상기 제2크레드층 성장후에 계속해서 밴드갭감소층과 콘택트층을 더 성장하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 마스크제거 및 식각단계에서 식각공정이 분자선성장법의 열세척에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930022323A 1993-10-26 1993-10-26 레이저 다이오드와 그 제조방법 KR100265805B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100357980B1 (ko) * 1996-01-18 2003-01-14 삼성전자 주식회사 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100357980B1 (ko) * 1996-01-18 2003-01-14 삼성전자 주식회사 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법

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