JPS6174386A - 半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、半導体素子、特に、内部電流狭窄型半導体素
子に関するものである。

〈従来技術〉 従来の内部電流狭窄型半導体素子の一例として、ＶＳＩ
Ｓ型半導体レーザ素子の断面構造を第２図に示す。図に
於いて、ＩはＰ型ＧａＡｓ基板、２はＮ型ＧａＡｓ層（
電流狭窄層）、３はＰ型ＧａＡｌＡｓ層（クラッド層）
、４はＰ型ＧａＡｌＡｓ層（活性層）、５はＮ型ＧａＡ
ｌＡｓ層（クラッド層）、６はＮ型ＧａＡｓ層（キャッ
プ層）である。

従来の内部電流狭窄型半導体素子は、第２図に示すよう
に、ＰＮ接合が素子全体に広がっている。

この素子の作製方法は、まず、Ｐ型ＧａＡｓ基板の上に
Ｎ型ＧａＡｓをエピタキシャル成長させる。このＮ型Ｇ
ａＡｓの表面に化学エツチングによりＶ状の溝をＰ型基
板にまで到達するように形成する。

この上に、Ｐ型ＧａＡｌＡｓ層（クラッド層）、Ｐ型Ｇ
ａＡｌＡｓ層（活性層）、Ｎ型ＧａＡｌＡｓ層（クラッ
ド層）、Ｎ型ＧａＡｓ層（キャップ層）を順番にダブル
へテロエピタキシャル成長を行なう。

電極形成後、Ｐ型ＧａＡｓ基板からＮ型ＧａＡｓ層（キ
ャップ層）Ｋ電流を流すと、Ｐ型ＧａＡｓ基板のすぐ上
のＮ型ＧａＡｓ層が電流狭窄層の役割を果すことになり
、電流はＶ溝部のみ流れることとなる。

この素子の場合、Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層は素子全
体に広がっているため、その電気容量は１００〜１５０
９Ｆ　と、かなり大きなものとなっている。

最近、半導体レーザの戻り光ノイズをなくすために６０
０ＭＨｚ程度の高周波電流をかけることが有効と言われ
ているが、１００〜１５０９Ｆの容量があれば、その容
量がインピーダンスとなり、高周波電流を入れられなく
なる。

〈発明の目的〉 本発明は上記のような現状に鑑みてなされたものであり
、内部電流狭窄型半導体素子に於いて、電流注入部以外
のＰＮ接合部を除去することにより、容量を小さくし、
高周波電流の入れやすい半導体、素子を提供することを
目的とするものである〇〈実施例〉 以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する０ 第１図は本発明の一実施例であるＶＳＩＳ型半導体レー
ザ素子の構造断面図である。

図に於いて、１１はＰｆｉＧａＡｓ基板、１２はＮ型Ｇ
ａＡｓ層（電流狭窄層）、＋３はＰ型ＧａＡｌＡｓ層（
クラッド層）、１４はＰｆｉＧａＡＩＡｓ層（活性層）
、１５はＮ型ＧａＡｌＡｓ層（クランド層）、１６はＮ
型ＧａＡｓ層（キャップ層）である。

第２図のＮ型ＧａＡｓキャップ層に７オトレジストによ
りストラ仔プを設け、硫酸系エンチング液により、第１
図のように、電流注入部のみを残してＰ型ＧａＡｓ基板
に到達するまでエツチングを行なう。

このようにすれば、電流注入部以外のＰＮ接合はなくな
り、容量はその分だけ小さくなることになり、高周波電
流を入れやすくなる。

上記実施例はＶＳＩＳ型半導体レーザ素子に於いて本発
明を実施したものであるが、本発明は内部電流狭窄型半
導体素子すべてに於いて有効に実施することができるも
のであることは言うまでもない。

〈発明の効果〉 以上詳細に説明したように、本発明によれば、高周波電
流を入れやすい、きわめて有用な内部電流狭窄型半導体
素子を得ることができるものである０

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるｖｓｉｓ型半導体レー
ザ素子の構造断面図、第２図は従来のｖｓｒｓ型半導体
レーザ素子の構造断面図である。 符号の説明 １：Ｐ型ＧａＡｓ基板、２：Ｎ型ＧａＡｓ層（電流狭窄
層）、３：Ｐ型ＧａＡｌＡｓ層（クラッド層）、４：Ｐ
型ＧａＡｌＡｓ層（活性層）、５：Ｎ型ＧａＡｌＡｓ層
（クラッド層）、６：Ｎ型ＧａＡｓ層（キｆｆ’／プ層
）、ＩＩ、Ｐ型ＧａＡｓ基板、１２：Ｎ型ＧａＡｓ層（
ＩＥ電流狭窄層、１３；Ｐ型ＧａＡｌＡｓ層（クラッド
層）、１４：Ｐ型ＧａＡｌＡｓ層（活性層）、＋５：Ｎ
型Ｇ　ａ　Ａ　Ｉ　Ａ　ｓ層（クラッド層）、＋６：Ｎ
型ＧａＡｓ層（キｑ”１１層）。 代理人　弁理士　福　士　愛　彦（他２名）第　ｌ　図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、内部電流狭窄型半導体素子に於いて、電流注入部以
   外のＰＮ接合部を除去したことを特徴とする半導体素子
   。