JPS63124592A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS63124592A JPS63124592A JP27117886A JP27117886A JPS63124592A JP S63124592 A JPS63124592 A JP S63124592A JP 27117886 A JP27117886 A JP 27117886A JP 27117886 A JP27117886 A JP 27117886A JP S63124592 A JPS63124592 A JP S63124592A
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 9
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザ装置に関する。
（従来の技術）
光情報処理用の光源として可視光半導体レーザ装置はそ
の重要性を増している。波長０．５８〜０．６８ｐｍの
可視光半導体レーザ装置として活性層に（ＡｌｘＧａｌ
−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐを、クラッド層に（ＡｌｙＧ
ａｌ−ｙ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ（０≦ｘ＜ｙ≦１）を用
いたダブルヘテロ構造レーザ装置が注目されている。従
来例を第２図に示す。ｎ型ＧａＡｓ基板２０１上に順次
厚さ１．Ｏｐｍ ｎ型ＧａＡｓバッファ層２０２、厚さ
１．Ｏｐｍｎ型（Ａｌ０．４Ｇａ０．ｓ）０．５Ｉｎ０
．５Ｐクラッド層２０３、厚さ０．２１１ｍアンドープ
Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層２０乞厚さ１．Ｏｐｍｐ
型（ＡＩ０．４ＧａＯ，６）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッ
ド層２０５、厚さ１．Ｏｐｍｎ型ＧａＡｓ電流ブロック
層２０６、厚さ１．ＯｐｍＰ型ＧａＡｓキャップ層２０
７が形成されている。クラッド層のＡ１組成ｙを適当に
選ぶことにより、この従来例の様に活性層への注入キャ
リアおよび光の閉じ込めを充分に行なうことができる。
の重要性を増している。波長０．５８〜０．６８ｐｍの
可視光半導体レーザ装置として活性層に（ＡｌｘＧａｌ
−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐを、クラッド層に（ＡｌｙＧ
ａｌ−ｙ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ（０≦ｘ＜ｙ≦１）を用
いたダブルヘテロ構造レーザ装置が注目されている。従
来例を第２図に示す。ｎ型ＧａＡｓ基板２０１上に順次
厚さ１．Ｏｐｍ ｎ型ＧａＡｓバッファ層２０２、厚さ
１．Ｏｐｍｎ型（Ａｌ０．４Ｇａ０．ｓ）０．５Ｉｎ０
．５Ｐクラッド層２０３、厚さ０．２１１ｍアンドープ
Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層２０乞厚さ１．Ｏｐｍｐ
型（ＡＩ０．４ＧａＯ，６）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッ
ド層２０５、厚さ１．Ｏｐｍｎ型ＧａＡｓ電流ブロック
層２０６、厚さ１．ＯｐｍＰ型ＧａＡｓキャップ層２０
７が形成されている。クラッド層のＡ１組成ｙを適当に
選ぶことにより、この従来例の様に活性層への注入キャ
リアおよび光の閉じ込めを充分に行なうことができる。
また、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層により電流狭窄を行
うことができる（エレクトロニク ス・ し ター ズ
（Ｅｌｅｃｔ、 Ｌｅｔｔ、 第２１ 巻ｐ、ｐ、
９３１−９３２（１９８５））。上記の半導体レーザ装
置において結晶成長を有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ
法）あるいは分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ法）によ
って行うが、該半導体レーザ装置の発振波長は６８０乃
至６９０ｎｍである。また、発振波長の短波長化が実用
上強く望まれているが、発振波長の短波長化のために、
Ａ１を含む（Ａｌ０．ＩＧａ０．９）０．５Ｉｎ０．ｓ
Ｐを活性層に用いた従来例を第３図に示す。ｎ型ＧａＡ
ｓ基板３０１上に順次厚さ１、Ｏｐｍｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層３０２、厚さ１．Ｏｐｍｎ型（Ａｌ０．４Ｇａ０
．ｓ）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラツド層３０３、厚さ０．
２ｐｍアンドープ（Ａｌ０．ＩＧａ０．ｓ）０．５Ｉｎ
０．ｓＰ活性層３０４、厚さ１、Ｏｐｍｐ型（Ａｌ０．
４Ｇａ０．ｓ）０．５Ｉｎ０．ｓＰクラッド層３ｏ５．
厚さ１、Ｏｐｍｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層３０６、厚
さ１．Ｏｐｍｐ型ＧａＡｓキャップ層３０７が形成され
ている。第２図の例と同様、クラッド層のＡ１組組成を
適当に選ぶことにより、活性層への注入キャリアおよび
光の閉じ込めを充分に行える。また、ｎ型ＧａＡｓ電流
ブロック層により電流狭窄を行える！（エレクトロニク
ス・ し ター ズ（Ｅｌｅｃｔ、Ｌｅｔｔ、第２１
巻ｐ、ｐ、１１６２−１１６３（１９８５））。上
記の半導体結晶成長ｉ！ ＭＯＶＰＥあるいはＭＢＥ法
により、上記による半導体レーザ装置の発振波長は６６
２ｎｍである。活性層にＡ１を含む４元混晶を用いた事
により、活性層にＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐを用いたレー
ザ装置の発振波長よりも１３ｎｍ乃至２３ｎｍ発振波長
が短くなっている。
うことができる（エレクトロニク ス・ し ター ズ
（Ｅｌｅｃｔ、 Ｌｅｔｔ、 第２１ 巻ｐ、ｐ、
９３１−９３２（１９８５））。上記の半導体レーザ装
置において結晶成長を有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ
法）あるいは分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ法）によ
って行うが、該半導体レーザ装置の発振波長は６８０乃
至６９０ｎｍである。また、発振波長の短波長化が実用
上強く望まれているが、発振波長の短波長化のために、
Ａ１を含む（Ａｌ０．ＩＧａ０．９）０．５Ｉｎ０．ｓ
Ｐを活性層に用いた従来例を第３図に示す。ｎ型ＧａＡ
ｓ基板３０１上に順次厚さ１、Ｏｐｍｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層３０２、厚さ１．Ｏｐｍｎ型（Ａｌ０．４Ｇａ０
．ｓ）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラツド層３０３、厚さ０．
２ｐｍアンドープ（Ａｌ０．ＩＧａ０．ｓ）０．５Ｉｎ
０．ｓＰ活性層３０４、厚さ１、Ｏｐｍｐ型（Ａｌ０．
４Ｇａ０．ｓ）０．５Ｉｎ０．ｓＰクラッド層３ｏ５．
厚さ１、Ｏｐｍｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層３０６、厚
さ１．Ｏｐｍｐ型ＧａＡｓキャップ層３０７が形成され
ている。第２図の例と同様、クラッド層のＡ１組組成を
適当に選ぶことにより、活性層への注入キャリアおよび
光の閉じ込めを充分に行える。また、ｎ型ＧａＡｓ電流
ブロック層により電流狭窄を行える！（エレクトロニク
ス・ し ター ズ（Ｅｌｅｃｔ、Ｌｅｔｔ、第２１
巻ｐ、ｐ、１１６２−１１６３（１９８５））。上
記の半導体結晶成長ｉ！ ＭＯＶＰＥあるいはＭＢＥ法
により、上記による半導体レーザ装置の発振波長は６６
２ｎｍである。活性層にＡ１を含む４元混晶を用いた事
により、活性層にＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐを用いたレー
ザ装置の発振波長よりも１３ｎｍ乃至２３ｎｍ発振波長
が短くなっている。
ところが、活性層に（Ａｌ０．ＩＧａ０．９）０．５Ｉ
ｎ０．５Ｐの様なＡＩを含む混晶を用いた場合、ＡＩ組
成比Ｘが大きい程レーザ素子端面が酸化しやすい、高品
質結晶が得にくくなるなどの原因によって、連続動作さ
せる閾値電流が上昇し、高信頼化が困難となる、高温動
作が行えない、などの不都合が生じていた。従来技術は
以上説明した様な欠点を有している。
ｎ０．５Ｐの様なＡＩを含む混晶を用いた場合、ＡＩ組
成比Ｘが大きい程レーザ素子端面が酸化しやすい、高品
質結晶が得にくくなるなどの原因によって、連続動作さ
せる閾値電流が上昇し、高信頼化が困難となる、高温動
作が行えない、などの不都合が生じていた。従来技術は
以上説明した様な欠点を有している。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明の目的は、この様な従来の欠点を軽減し、同一発
振波長において、連続動作させる閾値電流の低下および
高信頼化、高温動作の可能な半導体レーザ装置を提供す
ることにある。
振波長において、連続動作させる閾値電流の低下および
高信頼化、高温動作の可能な半導体レーザ装置を提供す
ることにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明はＧａＡｓ基板上に、（Ａ１．Ｇａ１−Ｘ）０．
５Ｉｎ０．５Ｐ（０≦ｘ＜１）を活性層とし、（Ａｌｙ
Ｇａｔ−ｙ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ（０≦ｘ＜ｙ≦１）を
クラッド層とするダブルヘテロ構造をもち、該活性層が
不純物濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上であるｐ型ある
いはｎ型結晶であることを特徴とする。
５Ｉｎ０．５Ｐ（０≦ｘ＜１）を活性層とし、（Ａｌｙ
Ｇａｔ−ｙ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ（０≦ｘ＜ｙ≦１）を
クラッド層とするダブルヘテロ構造をもち、該活性層が
不純物濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上であるｐ型ある
いはｎ型結晶であることを特徴とする。
（作用）
本発明の作用を以下に説明する。（ＡｌｕＧａｌ 、１
）０．５Ｉｎ０．５Ｐは通常ＭＯＶＰＥ法あるいはＭＢ
Ｅ法により成長されるが、上記の成長法で成長した場合
、（ＡｌｕＧａｌ−ｕ）０．５Ｉｎ０．５Ｐのエネルギ
ーギャップは成長時の温度、原料のＶ族とＩＩＩ族の比
（Ｖ／ＩＩＩ比）の組み合わせ、あるいは不純物ドーピ
ングにより、組成−定のままで約６０ｍｅＶ変化とする
。不純物濃度によるエネルギーギャップの変化を、ｐ型
ドーピングＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐを例にとって第４図
に示す。成長温度７００°ＣではＧａ０．５Ｉｎ０．５
Ｐのエネルギーギャップは約１．９１ｅＶで正孔濃度依
存性がないが、成長温度６５０°Ｃでは正孔濃度ｐ＝Ｉ
Ｘ１０１８ａｍ−３巣満ではエネルギーギャップが約１
．８５ｅＶで、ｐ≧Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ−３以上では
エネルギーが約６０ｍｅＶ高くなり７００’Ｃの値と等
しくなる。この様に、レーザ活性層に不純物濃度１×１
０１８ｃｍ−３以上エピタキシャル層を用いることによ
り、成長温度、Ｖ ／ＩＩＩ比の組み合わせにががわら
ず、同一組成におけるエネルギーギャップの最大値を常
に取ることができる。
）０．５Ｉｎ０．５Ｐは通常ＭＯＶＰＥ法あるいはＭＢ
Ｅ法により成長されるが、上記の成長法で成長した場合
、（ＡｌｕＧａｌ−ｕ）０．５Ｉｎ０．５Ｐのエネルギ
ーギャップは成長時の温度、原料のＶ族とＩＩＩ族の比
（Ｖ／ＩＩＩ比）の組み合わせ、あるいは不純物ドーピ
ングにより、組成−定のままで約６０ｍｅＶ変化とする
。不純物濃度によるエネルギーギャップの変化を、ｐ型
ドーピングＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐを例にとって第４図
に示す。成長温度７００°ＣではＧａ０．５Ｉｎ０．５
Ｐのエネルギーギャップは約１．９１ｅＶで正孔濃度依
存性がないが、成長温度６５０°Ｃでは正孔濃度ｐ＝Ｉ
Ｘ１０１８ａｍ−３巣満ではエネルギーギャップが約１
．８５ｅＶで、ｐ≧Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ−３以上では
エネルギーが約６０ｍｅＶ高くなり７００’Ｃの値と等
しくなる。この様に、レーザ活性層に不純物濃度１×１
０１８ｃｍ−３以上エピタキシャル層を用いることによ
り、成長温度、Ｖ ／ＩＩＩ比の組み合わせにががわら
ず、同一組成におけるエネルギーギャップの最大値を常
に取ることができる。
従来技術の問題点で述べたように
（ＡｌｕＧａｌ −ｕ）Ｊｒｌｌ −ｖｐ ４元混晶は
Ａ１組成比Ｕが大きくなる程エネルギーギャップが大き
くなり、活性層に用いた場合発振波長が短くなるが結晶
成長において高品質膜が得にくくなる。そこである発振
波長を得たい場合、活性層の（ＡｌｘＧａｘ−ｘ）０．
５Ｉｎ０．５Ｐ層は同一発振波長でＡ１組成比Ｘが小さ
い程望ましいことがわかる。
Ａ１組成比Ｕが大きくなる程エネルギーギャップが大き
くなり、活性層に用いた場合発振波長が短くなるが結晶
成長において高品質膜が得にくくなる。そこである発振
波長を得たい場合、活性層の（ＡｌｘＧａｘ−ｘ）０．
５Ｉｎ０．５Ｐ層は同一発振波長でＡ１組成比Ｘが小さ
い程望ましいことがわかる。
本発明のように、正孔濃度ｌＸ１０１８ｃｍ−３以上の
ｐ型（ＡＩｘＧａｔ−ｘ）０．５Ｉｎ０．ｓＰ層を活性
層に用いることにより、従来ＭＯＶＰＥ法あるいはＭＢ
Ｅ法で成長した同一組成（Ａｌｘ’ Ｇａ１− ｘ’
）０．５Ｉｎ０．ｓＰで１５〜２０ｎｍ発振波長が短い
半導体レーザ装置で得ることができる。言い換えれば、
ある発振波長を得たい場合、活性層のＡ１組成比を従来
よりも小さくすることができる。
ｐ型（ＡＩｘＧａｔ−ｘ）０．５Ｉｎ０．ｓＰ層を活性
層に用いることにより、従来ＭＯＶＰＥ法あるいはＭＢ
Ｅ法で成長した同一組成（Ａｌｘ’ Ｇａ１− ｘ’
）０．５Ｉｎ０．ｓＰで１５〜２０ｎｍ発振波長が短い
半導体レーザ装置で得ることができる。言い換えれば、
ある発振波長を得たい場合、活性層のＡ１組成比を従来
よりも小さくすることができる。
（実施例）
可視光半導体レーザに本発明を適用した例を第１図に示
す。ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上にＭＯＶＰＥ法により厚
さ１．０ｐｍのｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２、厚さ１
．０ｐｍのｎ型（Ａｌ０．４Ｇａ０．ｓ）０．５Ｉｎ０
．５Ｐ層１０３、厚さ０．１ｐｍ、正孔濃度３Ｘ１０１
８ｃｍ−３のＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ層１０４、厚さ１
．０ｐｍのｐ型（Ａｌ０．４Ｇａ０．ｓ）０．５Ｉｎ０
．５Ｐ層１０５、厚さ１．０ｐｍのｎ型ＧａＡｓ電流ブ
ロック層１０６、厚さ１、Ｏｐｍｐ型ＧａＡｓキャップ
層１０７を形成する。さらにｐ電極１０８、ｎ極１０９
を形成する。本実施例におけるｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．
５Ｐを活性層に用いたレーザ装置の発振波長は６６４ｎ
ｍであり、従来例で、活性層にアンドープ（Ａｌ０．工
Ｇａ０．ｓ）０．５Ｉｎ０．ｓＰを用いた場合の発振波
長６６２ｎｍをほぼ等しく、しかも、活性層にまった＜
ＡＩが含まれていない。従来例におけるＡ１組成比０．
１を活性層に用いたものの連続動作の発振閾値電流密度
は６〜７ＫＡ／ｃｍ２であったが、本実施例では同一発
振波長の半導体レーザ装置の発振閾値電流密度は従来例
のアンドープＧａＩｎＰ層活性層の場合と同様３ＫＡ／
ａｍ２と約２分の１に低減できた。また、高信頼性、高
温動作に関しても、従来例のアンドープＧａＩｎＰ層を
活性層に用いた場合と変わらなかった。
す。ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上にＭＯＶＰＥ法により厚
さ１．０ｐｍのｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２、厚さ１
．０ｐｍのｎ型（Ａｌ０．４Ｇａ０．ｓ）０．５Ｉｎ０
．５Ｐ層１０３、厚さ０．１ｐｍ、正孔濃度３Ｘ１０１
８ｃｍ−３のＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ層１０４、厚さ１
．０ｐｍのｐ型（Ａｌ０．４Ｇａ０．ｓ）０．５Ｉｎ０
．５Ｐ層１０５、厚さ１．０ｐｍのｎ型ＧａＡｓ電流ブ
ロック層１０６、厚さ１、Ｏｐｍｐ型ＧａＡｓキャップ
層１０７を形成する。さらにｐ電極１０８、ｎ極１０９
を形成する。本実施例におけるｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．
５Ｐを活性層に用いたレーザ装置の発振波長は６６４ｎ
ｍであり、従来例で、活性層にアンドープ（Ａｌ０．工
Ｇａ０．ｓ）０．５Ｉｎ０．ｓＰを用いた場合の発振波
長６６２ｎｍをほぼ等しく、しかも、活性層にまった＜
ＡＩが含まれていない。従来例におけるＡ１組成比０．
１を活性層に用いたものの連続動作の発振閾値電流密度
は６〜７ＫＡ／ｃｍ２であったが、本実施例では同一発
振波長の半導体レーザ装置の発振閾値電流密度は従来例
のアンドープＧａＩｎＰ層活性層の場合と同様３ＫＡ／
ａｍ２と約２分の１に低減できた。また、高信頼性、高
温動作に関しても、従来例のアンドープＧａＩｎＰ層を
活性層に用いた場合と変わらなかった。
（発明の効果）
以上述べた様に、本発明によれば発振波長を全く変えず
、むしろ短波長化できる状態で、連続動作における発振
閾値を下げることにより、高信頼性、高温動作が達せら
れる半導体レーザ装置を提供することができる。
、むしろ短波長化できる状態で、連続動作における発振
閾値を下げることにより、高信頼性、高温動作が達せら
れる半導体レーザ装置を提供することができる。
第１図は本発明の実施例の、第２，３図は従来例の半導
体レーザ装置の断面図である。第４図は本発明の作用を
示す一例で、Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐのエネルギーギャ
ップの正孔濃度依存性を示す図である。槓軸は正孔濃度
、縦軸はエネルギーギャップである。 １０１、２０１．３０１−ｎ−ＧａＡｓ基板、１０２、
２０２．３０２−ｎ−ＧａＡｓバッファ層、１０３、２
０３．３０３−ｎ−（Ａｌ０．４Ｇａ０．ｓ六−０．ｓ
Ｐ層、１０４−ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎｏ−５Ｐ層、１０５
、２０５．３０５−＝ｐ−（ＡＩ０．４Ｇａ０．ｓ）０
．５ＩｎＯ，５Ｐ層、１０６、２０６．．３０６・−ｎ
型ＧａＡｓ層、１０７．２０７．３０７−ｐ型ＧａＡｓ
層、１０８・ｐ製電極、１０９・−ｎ電極、２０４・・
・アンドープＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ層、 ３０４・・・アンドープ（ＡＩ０．１Ｇ８０．９）０．
５Ｉｎ０．５Ｐ層。 代虚人升理士 内服 ′晋 第１図 第２図 第３図 第４図 正孔濃度 （ｃｍづ）
体レーザ装置の断面図である。第４図は本発明の作用を
示す一例で、Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐのエネルギーギャ
ップの正孔濃度依存性を示す図である。槓軸は正孔濃度
、縦軸はエネルギーギャップである。 １０１、２０１．３０１−ｎ−ＧａＡｓ基板、１０２、
２０２．３０２−ｎ−ＧａＡｓバッファ層、１０３、２
０３．３０３−ｎ−（Ａｌ０．４Ｇａ０．ｓ六−０．ｓ
Ｐ層、１０４−ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎｏ−５Ｐ層、１０５
、２０５．３０５−＝ｐ−（ＡＩ０．４Ｇａ０．ｓ）０
．５ＩｎＯ，５Ｐ層、１０６、２０６．．３０６・−ｎ
型ＧａＡｓ層、１０７．２０７．３０７−ｐ型ＧａＡｓ
層、１０８・ｐ製電極、１０９・−ｎ電極、２０４・・
・アンドープＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ層、 ３０４・・・アンドープ（ＡＩ０．１Ｇ８０．９）０．
５Ｉｎ０．５Ｐ層。 代虚人升理士 内服 ′晋 第１図 第２図 第３図 第４図 正孔濃度 （ｃｍづ）
Claims (1)
- ＧａＡｓ基板上に、Ｇａ＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５
Ｐまたは（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）＿０＿．＿５Ｉ
ｎ＿０＿．＿５Ｐ（０≦ｘ＜１）を活性層とし、（Ａｌ
＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５
Ｐ（０≦ｘ＜ｙ≦１）またはＡｌ＿０＿．＿５Ｉｎ＿０
＿．＿５Ｐをクラッド層とするダブルヘテロ構造をもち
、該活性層の不純物濃度が１×１０＾１＾８ｃｍ＾−＾
３以上であるｐ型あるいはｎ型結晶であることを特徴と
する半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27117886A JPS63124592A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27117886A JPS63124592A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124592A true JPS63124592A (ja) | 1988-05-28 |
| JPH0587157B2 JPH0587157B2 (ja) | 1993-12-15 |
Family
ID=17496431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27117886A Granted JPS63124592A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63124592A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01286480A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Toshiba Corp | 可視光発光素子 |
| JPH02116187A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH03129892A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6173388A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-15 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JPS6174386A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-16 | Sharp Corp | 半導体素子 |
| JPS61137388A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPS61139082A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS61207090A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-13 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP27117886A patent/JPS63124592A/ja active Granted
Patent Citations (5)
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| JPS6173388A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-15 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JPS6174386A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-16 | Sharp Corp | 半導体素子 |
| JPS61137388A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPS61139082A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS61207090A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-13 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01286480A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Toshiba Corp | 可視光発光素子 |
| JPH02116187A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH03129892A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JPH0572118B2 (ja) * | 1989-10-16 | 1993-10-08 | Tokyo Shibaura Electric Co |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0587157B2 (ja) | 1993-12-15 |
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