JPH0587157B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0587157B2 JPH0587157B2 JP61271178A JP27117886A JPH0587157B2 JP H0587157 B2 JPH0587157 B2 JP H0587157B2 JP 61271178 A JP61271178 A JP 61271178A JP 27117886 A JP27117886 A JP 27117886A JP H0587157 B2 JPH0587157 B2 JP H0587157B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- active layer
- semiconductor laser
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザ装置に関する。
（従来の技術）
光情報処理用の光源として可視光半導体レーザ
装置はその重要性を増している。波長0.58〜
0.68μmの可視光半導体レーザ装置として活性層
に（AlxGa1-x）0.5In0.5Ｐを、クラツド層に（Aly
Ga1-y）0.5In0.5Ｐ（０ｘ＜ｙ１）を用いたダブ
ルヘテロ構造レーザ装置が注目されている。従来
例を第２図に示す。ｎ型GaAs基板２０１上に順
次厚さ1.0μmn型GaAsバツフア層２０２、厚さ
1.0μmn型（Al0.4Ga0.6）0.5In0.5Ｐクラツド層２０
３、厚さ0.2μmアンドープGa0.5In0.5Ｐ活性層２０
４、厚さ1.0μmp型（Al0.4Ga0.6）0.5In0.5Ｐクラツド
層２０５、厚さ1.0μmn型GaAs電流ブロツク層２
０６、厚さ1.0μmP型GaAsキヤツプ層２０７が形
成されている。クラツド層のAl組成ｙを適当に
選ぶことにより、この従来例の様に活性層への注
入キヤリアおよび光の閉じ込みを充分に行なうこ
とができる。また、ｎ型GaAs電流ブロツク層に
より電流狭窄を行うことができる（エレクトロニ
クス・レターズ（Elect.Lett.第21巻p.p.931−932
（1985））。上記の半導体レーザ装置において結晶
成長を有機金属気相成長法（MOVPE法）あるい
は分子線エピタキシヤル法（MBE法）によつて
行うが、該半導体レーザ装置の発振波長は680乃
至690nmである。また、発振波長の短波長化が実
用上強く望まれているが、発振波長の短波長化の
ために、Alを含む（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5Ｐを活性層
に用いた従来例を第３図に示す。ｎ型GaAs基板
３０１上に順次厚さ1.0μmn型GaAsバツフア層３
０２、厚さ1.0μmn型（Al0.4Ga0.6）0.5In0.5Ｐクラツ
ド層３０３、厚さ0.2μmアンドープ（Al0.1Ga0.9）
0.5In0.5Ｐ活性層３０４、厚さ1.0μmp型（Al0.4
Ga0.6）0.5In0.5Ｐクラツド層３０５、厚さ1.0μmn型
GaAs電流ブロツク層３０６、厚さ1.0μmp型
GaAsキヤツプ層３０７が形成されている。第２
図の例と同様、クラツド層のAl組成ｙを適当に
選ぶことにより、活性層への注入キヤリアおよび
光の閉じ込めを充分に行える。また、ｎ型GaAs
電流ブロツク層により電流狭窄を行える。（エレ
クトロニクス・レターズ（Elect.Lett.第21巻p.
p.1162−1163（1985））。上記の半導体結晶成長は
MOVPEあるいはMBE法により、上記による半
導体レーザ装置の発振波長は662nmである。活性
層にAlを含む４元混晶を用いた事により、活性
層にGa0.5In0.5Ｐを用いたレーザ装置の発振波長
よりも13nm乃至23nm発振波長が短くなつてい
る。
装置はその重要性を増している。波長0.58〜
0.68μmの可視光半導体レーザ装置として活性層
に（AlxGa1-x）0.5In0.5Ｐを、クラツド層に（Aly
Ga1-y）0.5In0.5Ｐ（０ｘ＜ｙ１）を用いたダブ
ルヘテロ構造レーザ装置が注目されている。従来
例を第２図に示す。ｎ型GaAs基板２０１上に順
次厚さ1.0μmn型GaAsバツフア層２０２、厚さ
1.0μmn型（Al0.4Ga0.6）0.5In0.5Ｐクラツド層２０
３、厚さ0.2μmアンドープGa0.5In0.5Ｐ活性層２０
４、厚さ1.0μmp型（Al0.4Ga0.6）0.5In0.5Ｐクラツド
層２０５、厚さ1.0μmn型GaAs電流ブロツク層２
０６、厚さ1.0μmP型GaAsキヤツプ層２０７が形
成されている。クラツド層のAl組成ｙを適当に
選ぶことにより、この従来例の様に活性層への注
入キヤリアおよび光の閉じ込みを充分に行なうこ
とができる。また、ｎ型GaAs電流ブロツク層に
より電流狭窄を行うことができる（エレクトロニ
クス・レターズ（Elect.Lett.第21巻p.p.931−932
（1985））。上記の半導体レーザ装置において結晶
成長を有機金属気相成長法（MOVPE法）あるい
は分子線エピタキシヤル法（MBE法）によつて
行うが、該半導体レーザ装置の発振波長は680乃
至690nmである。また、発振波長の短波長化が実
用上強く望まれているが、発振波長の短波長化の
ために、Alを含む（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5Ｐを活性層
に用いた従来例を第３図に示す。ｎ型GaAs基板
３０１上に順次厚さ1.0μmn型GaAsバツフア層３
０２、厚さ1.0μmn型（Al0.4Ga0.6）0.5In0.5Ｐクラツ
ド層３０３、厚さ0.2μmアンドープ（Al0.1Ga0.9）
0.5In0.5Ｐ活性層３０４、厚さ1.0μmp型（Al0.4
Ga0.6）0.5In0.5Ｐクラツド層３０５、厚さ1.0μmn型
GaAs電流ブロツク層３０６、厚さ1.0μmp型
GaAsキヤツプ層３０７が形成されている。第２
図の例と同様、クラツド層のAl組成ｙを適当に
選ぶことにより、活性層への注入キヤリアおよび
光の閉じ込めを充分に行える。また、ｎ型GaAs
電流ブロツク層により電流狭窄を行える。（エレ
クトロニクス・レターズ（Elect.Lett.第21巻p.
p.1162−1163（1985））。上記の半導体結晶成長は
MOVPEあるいはMBE法により、上記による半
導体レーザ装置の発振波長は662nmである。活性
層にAlを含む４元混晶を用いた事により、活性
層にGa0.5In0.5Ｐを用いたレーザ装置の発振波長
よりも13nm乃至23nm発振波長が短くなつてい
る。
ところが、活性層に（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5Ｐの様
なAlを含む混晶を用いた場合、Al組成比ｘが大
きい程レーザ素子端面が酸化しやすい、高品質結
晶が得にくくなるなどの原因によつて、連続動作
させる閾値電流が上昇し、高信頼化が困難とな
る、高温動作が行えない、などの不都合が生じて
いた。従来技術は以上説明した様な欠点を有して
いる。
なAlを含む混晶を用いた場合、Al組成比ｘが大
きい程レーザ素子端面が酸化しやすい、高品質結
晶が得にくくなるなどの原因によつて、連続動作
させる閾値電流が上昇し、高信頼化が困難とな
る、高温動作が行えない、などの不都合が生じて
いた。従来技術は以上説明した様な欠点を有して
いる。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明の目的は、この様な従来の欠点を軽減
し、同一発振波長において、連続動作させる閾値
電流の低下および高信頼化、高温動作の可能な半
導体レーザ装置を提供することにある。
し、同一発振波長において、連続動作させる閾値
電流の低下および高信頼化、高温動作の可能な半
導体レーザ装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明はGaAs基板上に、（AlxGa1-x）0.5In0.5Ｐ
（０ｘ＜１）を活性層とし、（AlyGa1-y）0.5In0.5
Ｐ（０ｘ＜ｙ１）をクラツド層とするダブル
ヘテロ構造をもち、該活性層が不純物濃度が１×
1018cm-3以上であるｐ型あるいはｎ型結晶である
ことを特徴とする。
（０ｘ＜１）を活性層とし、（AlyGa1-y）0.5In0.5
Ｐ（０ｘ＜ｙ１）をクラツド層とするダブル
ヘテロ構造をもち、該活性層が不純物濃度が１×
1018cm-3以上であるｐ型あるいはｎ型結晶である
ことを特徴とする。
（作用）
本発明の作用を以下に説明する。（AluGa1-u）0.
５In0.5Ｐは通常MOVPE法あるいはMBE法により
成長されるが、上記の成長法で成長した場合、
（AluGa1-u）0.5In0.5Ｐのエネルギーギヤツプは成長
時の温度、原料の族と族の比（／比）の
組み合わせ、あるいは不純物ドーピングにより、
組成一定のままで約60meV変化とする。不純物
濃度によるエネルギーギヤツプの変化を、ｐ型ド
ーピングGa0.5In0.5Ｐを例にとつて第４図に示す。
成長温度700℃ではGa0.5In0.5Ｐのエネルギーギヤ
ツプは約1.91eVで正孔濃度依存性がないが、成
長温度650℃では正孔濃度ｐ＝１×1018cm-3未満
ではエネルギーギヤツプが約1.85eVで、ｐ１
×1018cm-3以上ではエネルギーが約60meV高くな
り700℃の値と等しくなる。この様に、レーザ活
性層に不純物濃度１×1018cm-3以上エピタキシヤ
ル層を用いることにより、成長温度、／比の
組み合わせにかかわらず、同一組成におけるエネ
ルギーギヤツプの最大値を常に取ることができ
る。
５In0.5Ｐは通常MOVPE法あるいはMBE法により
成長されるが、上記の成長法で成長した場合、
（AluGa1-u）0.5In0.5Ｐのエネルギーギヤツプは成長
時の温度、原料の族と族の比（／比）の
組み合わせ、あるいは不純物ドーピングにより、
組成一定のままで約60meV変化とする。不純物
濃度によるエネルギーギヤツプの変化を、ｐ型ド
ーピングGa0.5In0.5Ｐを例にとつて第４図に示す。
成長温度700℃ではGa0.5In0.5Ｐのエネルギーギヤ
ツプは約1.91eVで正孔濃度依存性がないが、成
長温度650℃では正孔濃度ｐ＝１×1018cm-3未満
ではエネルギーギヤツプが約1.85eVで、ｐ１
×1018cm-3以上ではエネルギーが約60meV高くな
り700℃の値と等しくなる。この様に、レーザ活
性層に不純物濃度１×1018cm-3以上エピタキシヤ
ル層を用いることにより、成長温度、／比の
組み合わせにかかわらず、同一組成におけるエネ
ルギーギヤツプの最大値を常に取ることができ
る。
従来技術の問題点で述べたように（AluGa1-u）
vIn1-vP4元混晶はAl組成比ｕが大きくなる程エネ
ルギーギヤツプが大きくなり、活性層に用いた場
合発振波長が短くなるが結晶成長において高品質
膜が得にくくなる。そこである発振波長を得たい
場合、活性層の（AlxGa1-x）0.5In0.5Ｐ層は同一発
振波長でAl組成比ｘが小さい程望ましいことが
わかる。
vIn1-vP4元混晶はAl組成比ｕが大きくなる程エネ
ルギーギヤツプが大きくなり、活性層に用いた場
合発振波長が短くなるが結晶成長において高品質
膜が得にくくなる。そこである発振波長を得たい
場合、活性層の（AlxGa1-x）0.5In0.5Ｐ層は同一発
振波長でAl組成比ｘが小さい程望ましいことが
わかる。
本発明のように、正孔濃度１×1018cm-3以上の
ｐ型（AlxGa1-x）0.5In0.5Ｐ層を活性層に用いるこ
とにより、従来MOVPE法あるいはMBE法で成
長した同一組成（Alx′Ga1-x′）0.5In0.5Ｐで15〜
20nm発振波長が短い半導体レーザ装置で得るこ
とができる。言い換えれば、ある発振波長を得た
い場合、活性層のAl組成比を従来よりも小さく
することができる。
ｐ型（AlxGa1-x）0.5In0.5Ｐ層を活性層に用いるこ
とにより、従来MOVPE法あるいはMBE法で成
長した同一組成（Alx′Ga1-x′）0.5In0.5Ｐで15〜
20nm発振波長が短い半導体レーザ装置で得るこ
とができる。言い換えれば、ある発振波長を得た
い場合、活性層のAl組成比を従来よりも小さく
することができる。
（実施例）
可視光半導体レーザに本発明を適用した例を第
１図に示す。ｎ型GaAs基板１０１上にMOVPE
法により厚さ1.0μmのｎ型GaAsバツフア層１０
２、厚さ1.0μmのｎ型（Al0.4Ga0.6）0.5In0.5Ｐ層１
０３、厚さ0.1μm、正孔濃度３×1018cm-3のGa0.5
In0.5Ｐ層１０４、厚さ1.0μmのｐ型（Al0.4Ga0.6）0.
５In0.5Ｐ層１０５、厚さ1.0μmのｎ型GaAs電流ブ
ロツク層１０６、厚さ1.0μmp型GaAsキヤツプ層
１０７を形成する。さらにｐ電極１０８、ｎ極１
０９を形成する。本実施例におけるｐ型Ga0.5
In0.5Ｐを活性層に用いたレーザ装置の発振波長は
664nmであり、従来例で、活性層にアンドープ
（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5Ｐを用いた場合の発振波長
662nmをほぼ等しく、しかも、活性層にまつたく
Alが含まれていない。従来例におけるAl組成比
0.1を活性層に用いたものの連続動作の発振閾値
電流密度は６〜7KA／cm2であつたが、本実施例
では同一発振波長の半導体レーザ装置の発振閾値
電流密度は従来例のアンドープGaInP層活性層の
場合と同様3KA／cm2と約２分の１に低減できた。
また、高信頼性、高温動作に関しても、従来例の
アンドープGaInP層を活性層に用いた場合と変わ
らなかつた。
１図に示す。ｎ型GaAs基板１０１上にMOVPE
法により厚さ1.0μmのｎ型GaAsバツフア層１０
２、厚さ1.0μmのｎ型（Al0.4Ga0.6）0.5In0.5Ｐ層１
０３、厚さ0.1μm、正孔濃度３×1018cm-3のGa0.5
In0.5Ｐ層１０４、厚さ1.0μmのｐ型（Al0.4Ga0.6）0.
５In0.5Ｐ層１０５、厚さ1.0μmのｎ型GaAs電流ブ
ロツク層１０６、厚さ1.0μmp型GaAsキヤツプ層
１０７を形成する。さらにｐ電極１０８、ｎ極１
０９を形成する。本実施例におけるｐ型Ga0.5
In0.5Ｐを活性層に用いたレーザ装置の発振波長は
664nmであり、従来例で、活性層にアンドープ
（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5Ｐを用いた場合の発振波長
662nmをほぼ等しく、しかも、活性層にまつたく
Alが含まれていない。従来例におけるAl組成比
0.1を活性層に用いたものの連続動作の発振閾値
電流密度は６〜7KA／cm2であつたが、本実施例
では同一発振波長の半導体レーザ装置の発振閾値
電流密度は従来例のアンドープGaInP層活性層の
場合と同様3KA／cm2と約２分の１に低減できた。
また、高信頼性、高温動作に関しても、従来例の
アンドープGaInP層を活性層に用いた場合と変わ
らなかつた。
（発明の効果）
以上述べた様に、本発明によれば発振波長を全
く変えず、むしろ短波長化できる状態で、連続動
作における発振閾値を下げることにより、高信頼
性、高温動作が達せられる半導体レーザ装置を提
供することができる。
く変えず、むしろ短波長化できる状態で、連続動
作における発振閾値を下げることにより、高信頼
性、高温動作が達せられる半導体レーザ装置を提
供することができる。
第１図は本発明の実施例の、第２，３図は従来
例の半導体レーザ装置の断面図である。第４図は
本発明の作用を示す一例で、Ga0.5In0.5Ｐのエネ
ルギーギヤツプの正孔濃度依存性を示す図であ
る。横軸は正孔濃度、縦軸はエネルギーギヤツプ
である。 １０１，２０１，３０１……ｎ−GaAs基板、
１０２，２０２，３０２……ｎ−GaAsバツフア
層、１０３，２０３，３０３……ｎ−（Al0.4
Ga0.6）0.5n0.5Ｐ層、１０４……ｐ型Ga0.5In0.5Ｐ層、
１０５，２０５，３０５……ｐ−（Al0.4Ga0.5）0.5
In0.5Ｐ層、１０６，２０６，３０６……ｎ型
GaAs層、１０７，２０７，３０７……ｐ型
GaAs層、１０８……ｐ型電極、１０９……ｎ電
極、２０４……アンドープGa0.5In0.5Ｐ層、３０
４……アンドープ（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5Ｐ層。
例の半導体レーザ装置の断面図である。第４図は
本発明の作用を示す一例で、Ga0.5In0.5Ｐのエネ
ルギーギヤツプの正孔濃度依存性を示す図であ
る。横軸は正孔濃度、縦軸はエネルギーギヤツプ
である。 １０１，２０１，３０１……ｎ−GaAs基板、
１０２，２０２，３０２……ｎ−GaAsバツフア
層、１０３，２０３，３０３……ｎ−（Al0.4
Ga0.6）0.5n0.5Ｐ層、１０４……ｐ型Ga0.5In0.5Ｐ層、
１０５，２０５，３０５……ｐ−（Al0.4Ga0.5）0.5
In0.5Ｐ層、１０６，２０６，３０６……ｎ型
GaAs層、１０７，２０７，３０７……ｐ型
GaAs層、１０８……ｐ型電極、１０９……ｎ電
極、２０４……アンドープGa0.5In0.5Ｐ層、３０
４……アンドープ（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5Ｐ層。
Claims (1)
- １ GaAs基板上に、Ga0.5In0.5Ｐまたは（Alx
Ga1-x）0.5In0.5Ｐ（０ｘ＜１）を活性層とし、
（AlyGa1-y）0.5In0.5Ｐ（０ｘ＜ｙ１）または
Al0.5In0.5Ｐをクラツド層とするダブルヘテロ構造
をもち、該活性層の不純物濃度が１×1018cm-3以
上であるｐ型あるいはｎ型結晶であることを特徴
とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27117886A JPS63124592A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27117886A JPS63124592A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124592A JPS63124592A (ja) | 1988-05-28 |
| JPH0587157B2 true JPH0587157B2 (ja) | 1993-12-15 |
Family
ID=17496431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27117886A Granted JPS63124592A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63124592A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01286480A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Toshiba Corp | 可視光発光素子 |
| JPH02116187A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH03129892A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173388A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-15 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JPS6174386A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-16 | Sharp Corp | 半導体素子 |
| JPS61137388A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPS61139082A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS61207090A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-13 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP27117886A patent/JPS63124592A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173388A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-15 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JPS6174386A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-16 | Sharp Corp | 半導体素子 |
| JPS61137388A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPS61139082A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS61207090A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-13 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63124592A (ja) | 1988-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2555881B2 (ja) | Ａ▲ｌ▼ＧａＩｎＰ系結晶の結晶成長方法および半導体レ−ザ | |
| JP2001044569A (ja) | ドープド半導体材料、ドープド半導体材料の製造方法、および半導体デバイス | |
| JP2724827B2 (ja) | 赤外発光素子 | |
| JPS6110293A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS6254988A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| US5291506A (en) | Semiconductor laser made of group II-VI compounds | |
| KR920006434B1 (ko) | 공진 터널링 장벽구조장치 | |
| JP2898643B2 (ja) | 量子井戸半導体レーザ素子 | |
| US5270246A (en) | Manufacturing method of semiconductor multi-layer film and semiconductor laser | |
| JPH0587157B2 (ja) | ||
| JP2945546B2 (ja) | ストライプレーザダイオードおよびその製造方法 | |
| JP2937156B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2674474B2 (ja) | 歪量子井戸半導体レーザの気相成長方法 | |
| JP3041381B2 (ja) | 量子井戸半導体レーザ素子 | |
| JP3209266B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH09237933A (ja) | 半導体レーザ，及びその製造方法 | |
| JP2966982B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3033333B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH0712103B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH06104534A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH053367A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2555984B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3315378B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3072155B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH0821757B2 (ja) | 半導体発光装置 |