JP2898643B2 - 量子井戸半導体レーザ素子 - Google Patents
量子井戸半導体レーザ素子Info
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- JP2898643B2 JP2898643B2 JP63285549A JP28554988A JP2898643B2 JP 2898643 B2 JP2898643 B2 JP 2898643B2 JP 63285549 A JP63285549 A JP 63285549A JP 28554988 A JP28554988 A JP 28554988A JP 2898643 B2 JP2898643 B2 JP 2898643B2
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- Japan
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- quantum well
- semiconductor laser
- laser device
- lattice constant
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光通信及び光情報処理の光源として使われる
量子井戸構造を用いた半導体レーザに関する。
量子井戸構造を用いた半導体レーザに関する。
半導体レーザ素子の特性として望ましいことが、閾値
電流密度が低いこと、閾値電流密度の温度依存性が小さ
いこと、変調周波数が高いこと、および波長チャーピン
グが小さいことなである。これらの特性は、通常30nmよ
りも薄い層からなる活性層を有する量子井戸半導体レー
ザ素子によって向上する。
電流密度が低いこと、閾値電流密度の温度依存性が小さ
いこと、変調周波数が高いこと、および波長チャーピン
グが小さいことなである。これらの特性は、通常30nmよ
りも薄い層からなる活性層を有する量子井戸半導体レー
ザ素子によって向上する。
量子井戸半導体レーザ素子の活性層は、量子井戸と称
す小さいエネルギーバンドギャップをもつ層と、バリア
層と称す大きいエネルギーバンドギャップをもつ層から
構成されている。
す小さいエネルギーバンドギャップをもつ層と、バリア
層と称す大きいエネルギーバンドギャップをもつ層から
構成されている。
かかる量子井戸活性層においては、電子と正孔は量子
井戸に閉じ込められ、量子力学に従った挙動をする。
井戸に閉じ込められ、量子力学に従った挙動をする。
量子井戸半導体レーザ素子の特性は、量子井戸の格子
定数をバリア層の格子定数より大きくし、量子井戸に歪
を導入することにより向上する。
定数をバリア層の格子定数より大きくし、量子井戸に歪
を導入することにより向上する。
その理由は、価電子帯の重い正孔は有効質量が薄膜層
に水平な方向で軽くなった状態で価電子帯の基底量子準
位を形成することになるからである。その結果、量子井
戸層内では電子と重い正孔との間の光学遷移が促進され
る。電子と重い正孔とはほぼ等しい有効質量をもち、重
い正孔の有効質量が小さくなるためにレーザ発振に必要
な反転分布の形成が容易となるからである。なお、量子
井戸層の歪の大きさと層の厚さは、歪により転位が誘起
されないように、ある臨界薄膜値以内になければならな
い。
に水平な方向で軽くなった状態で価電子帯の基底量子準
位を形成することになるからである。その結果、量子井
戸層内では電子と重い正孔との間の光学遷移が促進され
る。電子と重い正孔とはほぼ等しい有効質量をもち、重
い正孔の有効質量が小さくなるためにレーザ発振に必要
な反転分布の形成が容易となるからである。なお、量子
井戸層の歪の大きさと層の厚さは、歪により転位が誘起
されないように、ある臨界薄膜値以内になければならな
い。
従来の歪量子井戸半導体レーザ素子は、例えば図４
（ａ）に示すように、ｎ型GaaS基板（１）上に、ｎ型Ga
Asバッファ層（２）およびｎ型Ga0.6Al0.4Asクラッド層
（３）が順次積層され、次いで0.2μｍ厚さAl成分が40
％から０％まで連続的に変化する傾斜領域（５）と
（６）を両側に持ち、これを挟んで歪を有する4nm厚さ
のGa0.63In0.37As量子井戸層（４）からなる活性層が積
層され、さらに傾斜領域（６）の上にｐ型Ga0.6Al0.4As
クラッド層（７）およびｐ型GaAsPキャップ層が順次積
層され、最後にｎ型電極（９）およびｐ型電極（10）が
蒸着された構造となっている。
（ａ）に示すように、ｎ型GaaS基板（１）上に、ｎ型Ga
Asバッファ層（２）およびｎ型Ga0.6Al0.4Asクラッド層
（３）が順次積層され、次いで0.2μｍ厚さAl成分が40
％から０％まで連続的に変化する傾斜領域（５）と
（６）を両側に持ち、これを挟んで歪を有する4nm厚さ
のGa0.63In0.37As量子井戸層（４）からなる活性層が積
層され、さらに傾斜領域（６）の上にｐ型Ga0.6Al0.4As
クラッド層（７）およびｐ型GaAsPキャップ層が順次積
層され、最後にｎ型電極（９）およびｐ型電極（10）が
蒸着された構造となっている。
この量子井戸半導体レーザ素子は発振波長が0.99μｍ
であり、閾値電流密度は195Acm-2であった。第４図
（ｂ）は第４図（ａ）に対応するバンドギャップの伝導
帯側を示している。
であり、閾値電流密度は195Acm-2であった。第４図
（ｂ）は第４図（ａ）に対応するバンドギャップの伝導
帯側を示している。
しかしながら従来の歪量子井戸半導体レーザ素子で
は、光ファイバ通信において、重要な波長である1.3μ
ｍ乃至1.55μｍの発振を得ることができない。1.3μｍ
またはこれより長い波長の発振をGa1-xInxAsの活性層よ
り得るためには、エネルギーバンドギャップの大きさか
ら、Ｘ≧0.5のIn組成でなければならない。しかしなが
らこのような高いＸのGa1-xInxAsでは格子定数が大きく
なり、第４図（ａ）に示した従来の歪量子井戸レーザの
量子井戸層（４）に適用せんとする量子井戸層に臨界値
以上の大きな歪が生じ、それに伴う転位の発生によりレ
ーザ特性が劣化するという問題がある。
は、光ファイバ通信において、重要な波長である1.3μ
ｍ乃至1.55μｍの発振を得ることができない。1.3μｍ
またはこれより長い波長の発振をGa1-xInxAsの活性層よ
り得るためには、エネルギーバンドギャップの大きさか
ら、Ｘ≧0.5のIn組成でなければならない。しかしなが
らこのような高いＸのGa1-xInxAsでは格子定数が大きく
なり、第４図（ａ）に示した従来の歪量子井戸レーザの
量子井戸層（４）に適用せんとする量子井戸層に臨界値
以上の大きな歪が生じ、それに伴う転位の発生によりレ
ーザ特性が劣化するという問題がある。
本発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、光通信において重要な波長帯で
ある1.3μｍ〜1.55μｍの長波長帯で発振する高性能な
歪量子井戸半導体レーザ素子を提供することにあり、そ
の要旨は、InP基板上に、量子井戸層とバリア層からな
る活性層を含むIII−Ｖ族化合物半導体層を有する量子
井戸半導体レーザ素子において、量子井戸層はその格子
定数がInPの格子定数よりも大きい膜厚2.5nm〜30nmのGa
x1In1-x1Asy1P1-y1（０＜x1,y1＜１）であり、バリア層
はその格子定数がInPの格子定数よりも小さいGax2In
1-x2Asy2P1-y2（０＜x2,y2＜１）であることを特徴とす
る1.3〜1.55μｍ用量子井戸半導体レーザ素子である。
の目的とするところは、光通信において重要な波長帯で
ある1.3μｍ〜1.55μｍの長波長帯で発振する高性能な
歪量子井戸半導体レーザ素子を提供することにあり、そ
の要旨は、InP基板上に、量子井戸層とバリア層からな
る活性層を含むIII−Ｖ族化合物半導体層を有する量子
井戸半導体レーザ素子において、量子井戸層はその格子
定数がInPの格子定数よりも大きい膜厚2.5nm〜30nmのGa
x1In1-x1Asy1P1-y1（０＜x1,y1＜１）であり、バリア層
はその格子定数がInPの格子定数よりも小さいGax2In
1-x2Asy2P1-y2（０＜x2,y2＜１）であることを特徴とす
る1.3〜1.55μｍ用量子井戸半導体レーザ素子である。
即ち、量子井戸層として、格子定数がInP基板格子定
数よりも大きいGax1In1-x1Asy1P1-y1（０＜x1,y1＜１）
を選択するとともにその膜圧を2.5nmから30nmに設定
し、バリア層として、格子定数がInP基板の格子定数よ
りも小さく、そのバンドギャップが量子井戸層を構成す
るGax1In1-x1Asy1P1-y1よりも大きくGax2In1-x2Asy2P
1-y2（０＜x2,y2＜１）を選択することにより、光通信
において重要な波長帯である1.3〜1.55μｍにおいて、
量子井戸層の薄厚を低閾値電流、低チャーピングなどの
効果が得られ、かつ、実用上使用可能な程度の低注入電
流にて反転分布が生じるように量子井戸層中に圧縮歪が
印加されており、さらに、歪による転位の発生が緩和さ
れた高性能レーザを、実現することが可能となるのであ
る。
数よりも大きいGax1In1-x1Asy1P1-y1（０＜x1,y1＜１）
を選択するとともにその膜圧を2.5nmから30nmに設定
し、バリア層として、格子定数がInP基板の格子定数よ
りも小さく、そのバンドギャップが量子井戸層を構成す
るGax1In1-x1Asy1P1-y1よりも大きくGax2In1-x2Asy2P
1-y2（０＜x2,y2＜１）を選択することにより、光通信
において重要な波長帯である1.3〜1.55μｍにおいて、
量子井戸層の薄厚を低閾値電流、低チャーピングなどの
効果が得られ、かつ、実用上使用可能な程度の低注入電
流にて反転分布が生じるように量子井戸層中に圧縮歪が
印加されており、さらに、歪による転位の発生が緩和さ
れた高性能レーザを、実現することが可能となるのであ
る。
以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明する。
第１図（ａ）は本発明にかかる量子井戸半導体レーザ
素子の要部断面図であり、その構造は、ｎ型InP基板11
上にｎ型InPバッファ層12が0.1〜0.2μｍの厚さにエピ
タキシャル成長されている。ｎ型InP基板11とｎ型InPバ
ッファ層12にはSiまたはSeが２×1017〜５×1018cm-3ド
ープされている。次に光閉じ込め層18,活性層17および
光閉じ込め層19が順次積層される。さらに、厚さ１〜２
μｍ、２×1017〜５×1018cm-3ドープされたｐ型InPク
ラッド層13および厚さ0.1〜２μｍ、５×1018cm-3に高
ドープされたｐ型GaInAsPキャップ層14が順次積層さ
れ、最後にｎ型電極15、ｐ型電極16が形成される。
素子の要部断面図であり、その構造は、ｎ型InP基板11
上にｎ型InPバッファ層12が0.1〜0.2μｍの厚さにエピ
タキシャル成長されている。ｎ型InP基板11とｎ型InPバ
ッファ層12にはSiまたはSeが２×1017〜５×1018cm-3ド
ープされている。次に光閉じ込め層18,活性層17および
光閉じ込め層19が順次積層される。さらに、厚さ１〜２
μｍ、２×1017〜５×1018cm-3ドープされたｐ型InPク
ラッド層13および厚さ0.1〜２μｍ、５×1018cm-3に高
ドープされたｐ型GaInAsPキャップ層14が順次積層さ
れ、最後にｎ型電極15、ｐ型電極16が形成される。
光閉じ込め層18はInPと同じ格子定数を有し、その組
成はｎ型InPバッファ層12から活性層17のバリア層21の
組成に厚さ方向に徐々に変わる、アンドープか、または
バッファ層12から活性層17にかけて徐々に減少するよう
にｎ型ドープされる。光閉じ込め層18の組成は第２図の
InGaAsPのダイヤグラムにおいて、5.85Åの等格子定数
線（実線）Ｌ上に常にあり、最終組成、即ち活性層17に
接する部分の組成は、発振波長1.3μｍより大きなエネ
ルギーバンドギャップを有し、第２図においては1.3μ
ｍのバンドギャップに相当する等バンドギャップ線（点
線）Ｃ線と実線Ｌ線との交点Ｐよりも左側のＬ線上の組
成となっている。なお、ＬはInPとGa0.53In0.47Asを結
んでいる。
成はｎ型InPバッファ層12から活性層17のバリア層21の
組成に厚さ方向に徐々に変わる、アンドープか、または
バッファ層12から活性層17にかけて徐々に減少するよう
にｎ型ドープされる。光閉じ込め層18の組成は第２図の
InGaAsPのダイヤグラムにおいて、5.85Åの等格子定数
線（実線）Ｌ上に常にあり、最終組成、即ち活性層17に
接する部分の組成は、発振波長1.3μｍより大きなエネ
ルギーバンドギャップを有し、第２図においては1.3μ
ｍのバンドギャップに相当する等バンドギャップ線（点
線）Ｃ線と実線Ｌ線との交点Ｐよりも左側のＬ線上の組
成となっている。なお、ＬはInPとGa0.53In0.47Asを結
んでいる。
光閉じ込め層19はｐ型にドープされることを除いては
光閉じ込め層18と鏡像ともいえる関係にあり、活性層17
からｐ型InPクラッド層13へかけてバンドギャップとド
ーピングレベルが徐々に変化する。
光閉じ込め層18と鏡像ともいえる関係にあり、活性層17
からｐ型InPクラッド層13へかけてバンドギャップとド
ーピングレベルが徐々に変化する。
活性層17は各層の厚さ2.5〜30nmである（ｎ−１）層
のバリア層21で交互に隔てられた各層の厚さ2.5〜30nm
のｎ層の量子井戸層20から構成されている。この場合に
は活性層17の両側面は量子井戸層20になるが、（ｎ＋
１）層のバリア層21を配して、活性層17の両側面をバリ
ア層21にしてもよい。
のバリア層21で交互に隔てられた各層の厚さ2.5〜30nm
のｎ層の量子井戸層20から構成されている。この場合に
は活性層17の両側面は量子井戸層20になるが、（ｎ＋
１）層のバリア層21を配して、活性層17の両側面をバリ
ア層21にしてもよい。
量子井戸層20の組成は、第２図における発振波長1.3
μｍに相当する等バンドギャップ線Ｃ線上にあり、か
つ、格子定数がバリア層21よりも大きいPT間のＴに近い
組成、GaX1In1-X1AsY1P1-Y1とする。
μｍに相当する等バンドギャップ線Ｃ線上にあり、か
つ、格子定数がバリア層21よりも大きいPT間のＴに近い
組成、GaX1In1-X1AsY1P1-Y1とする。
各量子井戸層20の厚みには上限値があり、その値は歪
の誘起する転位の発生によって決まり、組成Ｔに対しは
20〜30nmである。
の誘起する転位の発生によって決まり、組成Ｔに対しは
20〜30nmである。
例えば量子井戸層の層数ｎを３とした場合、本実施例
のレーザの発振波長は1.3μｍから若干ずれた値とな
る。その原因は歪によりバンドギャップが狭くなること
による長波長化と、電子の量子閉じ込めによる短波長化
の影響を受けるからである。
のレーザの発振波長は1.3μｍから若干ずれた値とな
る。その原因は歪によりバンドギャップが狭くなること
による長波長化と、電子の量子閉じ込めによる短波長化
の影響を受けるからである。
発振波長を1.3μｍに厳密に一致させるには、上記の
歪によるバンドギャップ縮小の効果と量子閉じ込め効果
によるバンドギャップ拡大の効果とを勘案して組成を第
２図のＴ点から多少ずらして調整すればよい。
歪によるバンドギャップ縮小の効果と量子閉じ込め効果
によるバンドギャップ拡大の効果とを勘案して組成を第
２図のＴ点から多少ずらして調整すればよい。
バリア層21の組成は、バンドギャップが量子井戸層の
バンドギャップよりも大きく、かつ、格子定数がInPの
格子定数よりも小さくなる組成を選択する。即ち、図２
において斜線が入っていない領域で、等バンドギャップ
線Ｃよりも右側の組成から選択する。
バンドギャップよりも大きく、かつ、格子定数がInPの
格子定数よりも小さくなる組成を選択する。即ち、図２
において斜線が入っていない領域で、等バンドギャップ
線Ｃよりも右側の組成から選択する。
活性層17の平均格子定数は、量子井戸層20とバリア層
21の厚みと組成を調整することによって、InPの格子定
数に等しくすることができる。
21の厚みと組成を調整することによって、InPの格子定
数に等しくすることができる。
活性層は、ｎが数百の量子井戸層およびバリア層数ま
で、歪の誘起する転位を生じることなく成長させること
が可能である。このような構成の量子井戸半導体レーザ
素子は、垂直キャビティをもつ面発光レーザを実現する
のに適している。
で、歪の誘起する転位を生じることなく成長させること
が可能である。このような構成の量子井戸半導体レーザ
素子は、垂直キャビティをもつ面発光レーザを実現する
のに適している。
以上説明したように、本発明によれば、1.3〜1.55μ
ｍの帯発振波長を有し、高性能である量子井戸半導体レ
ーザが得られるという優れた効果がある。
ｍの帯発振波長を有し、高性能である量子井戸半導体レ
ーザが得られるという優れた効果がある。
第１図（ａ）は本発明にかかる一実施例の要部断面図、
第１図（ｂ）は第１図（ａ）に対応するバンドギャップ
の伝導帯側を示す図、第２図はGaInAsPのダイヤグラ
ム、第３図はAlGaInAsのダイヤグラム、第４図（ａ）は
従来例の要部断面図、第４図（ｂ）は第４図（ａ）に対
応するバンドギャップの伝導帯側を示す図である。 １……ｎ型GaAs基板、２……ｎ型GaAsバッファ層、３…
…ｎ型GaAlAsクラッド層、４……GaInAs量子井戸層、
５、６……傾斜領域、７……ｐ型GaAsAsクラッド層、８
……Ｐ型GaAsギャップ層、９、15……ｎ型電極、10、16
……ｐ型電極、11……ｎ型InP基板、12……バッファ
層、13……ｐ型クラッド層、14……ｐ型キャップ層、17
……活性層、18、19……光閉じ込め層、20……量子井戸
層、21……バリア層
第１図（ｂ）は第１図（ａ）に対応するバンドギャップ
の伝導帯側を示す図、第２図はGaInAsPのダイヤグラ
ム、第３図はAlGaInAsのダイヤグラム、第４図（ａ）は
従来例の要部断面図、第４図（ｂ）は第４図（ａ）に対
応するバンドギャップの伝導帯側を示す図である。 １……ｎ型GaAs基板、２……ｎ型GaAsバッファ層、３…
…ｎ型GaAlAsクラッド層、４……GaInAs量子井戸層、
５、６……傾斜領域、７……ｐ型GaAsAsクラッド層、８
……Ｐ型GaAsギャップ層、９、15……ｎ型電極、10、16
……ｐ型電極、11……ｎ型InP基板、12……バッファ
層、13……ｐ型クラッド層、14……ｐ型キャップ層、17
……活性層、18、19……光閉じ込め層、20……量子井戸
層、21……バリア層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−29988（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−32590（ＪＰ，Ａ) Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｌｅｔｔｅ ｒｓ ，Ｖｏｌ．22，Ｎｏ．５，1986, ｐｐ．249−250 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅ ｄ ｐｈｙｓｉｃｓ，59（７），１Ａｐ ｒｉｌ 1986，ｐｐ．2447−2450 Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ，Ｖ ｏｌ．31，Ｎｏ．12，1985，ｐｐ．8298 −8301
Claims (1)
- 【請求項１】InP基板上に、量子井戸層とバリア層から
なる活性層を含むIII−Ｖ族化合物半導体層を有する量
子井戸半導体レーザ素子において、量子井戸層はその格
子定数がInPの格子定数よりも大きい膜厚2.5nm〜30nmの
Gax1In1-x1Asy1P1-y1（０＜x1,y1＜１）であり、バリア
層はその格子定数がInPの格子定数よりも小さいGax2In
1-x2Asy2P1-y2（０＜x2,y2＜１）であることを特徴とす
る1.3〜1.55μｍ用量子井戸半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63285549A JP2898643B2 (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 量子井戸半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63285549A JP2898643B2 (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 量子井戸半導体レーザ素子 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21669397A Division JP3041381B2 (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | 量子井戸半導体レーザ素子 |
| JP21669497A Division JP3033717B2 (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | 面発光半導体レーザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02130988A JPH02130988A (ja) | 1990-05-18 |
| JP2898643B2 true JP2898643B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=17692978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63285549A Expired - Lifetime JP2898643B2 (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 量子井戸半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2898643B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0447096B1 (en) * | 1990-03-13 | 1995-12-06 | AT&T Corp. | Quantum-well laser comprising an InGaAsP containment layer, and method of producing the laser |
| JPH0449688A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-19 | Nec Corp | 歪バリヤ量子井戸半導体レーザ |
| JP2712767B2 (ja) * | 1990-06-19 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 歪量子井戸半導体レーザ |
| JP2636071B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1997-07-30 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザ |
| JPH04373190A (ja) * | 1991-06-24 | 1992-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 歪量子井戸半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2806089B2 (ja) * | 1991-08-06 | 1998-09-30 | 日本電気株式会社 | 半導体多重歪量子井戸構造 |
| JPH05175601A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Fujikura Ltd | 多重量子井戸半導体レーザ |
| JP2707183B2 (ja) * | 1992-03-12 | 1998-01-28 | 国際電信電話株式会社 | ひずみ超格子を有する半導体デバイス |
| EP0606821A1 (en) * | 1993-01-11 | 1994-07-20 | International Business Machines Corporation | Modulated strain heterostructure light emitting devices |
| JPH07118571B2 (ja) * | 1993-02-12 | 1995-12-18 | 日本電気株式会社 | 半導体歪量子井戸構造 |
| JP2713144B2 (ja) * | 1993-03-12 | 1998-02-16 | 松下電器産業株式会社 | 多重量子井戸半導体レーザ及びそれを用いた光通信システム |
| CN106033866B (zh) * | 2015-03-20 | 2019-12-03 | 云晖科技有限公司 | 垂直腔面发射激光器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6132590A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 量子井戸半導体レ−ザ及びその製法 |
| JPH07105552B2 (ja) † | 1986-06-11 | 1995-11-13 | 富士通株式会社 | 半導体発光装置 |
| JPS6329988A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP63285549A patent/JP2898643B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｌｅｔｔｅｒｓ ，Ｖｏｌ．２２，Ｎｏ．５，１９８６，ｐｐ．２４９−２５０ |
| Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ，５９（７），１Ａｐｒｉｌ １９８６，ｐｐ．２４４７−２４５０ |
| Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ，Ｖｏｌ．３１，Ｎｏ．１２，１９８５，ｐｐ．８２９８−８３０１ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02130988A (ja) | 1990-05-18 |
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