JPH1117284A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH1117284A JPH1117284A JP16988297A JP16988297A JPH1117284A JP H1117284 A JPH1117284 A JP H1117284A JP 16988297 A JP16988297 A JP 16988297A JP 16988297 A JP16988297 A JP 16988297A JP H1117284 A JPH1117284 A JP H1117284A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＧａＡｓ基板上に形成された活性層に少なく
ともＩｎＧａＡｓＮ層を含んでいる半導体レーザ素子に
おいて、従来のＡｌＧａＡｓ系，ＩｎＧａＡｓＰ系で素
子を形成した場合、素子設計におけるバンド構造の自由
度が小さく特性の良好なものが得られない、さらにこれ
らの各層で最適結晶成長温度が異なることから界面で待
ち時間を設ける必要があり、これに起因して信頼性の良
好なものを得ることができていなかった。 【解決手段】 従来用いられていたＡｌＧａＡｓ層或い
はＩｎＧａＡｓＰ層の代わりにＩｎＧａＡｌＡｓＮ層或
いはＩｎＧａＡｓＰＮ層を使用することにより、ＩｎＧ
ａＡｓＮ層とＡｌＧａＡｓ層或いはＩｎＧａＡｓＰ層の
中間のバンド構造を有するものが得られ設計の自由度が
向上する。さらに各層で結晶成長温度を一定に保つこと
ができ信頼性の向上が図れる。
ともＩｎＧａＡｓＮ層を含んでいる半導体レーザ素子に
おいて、従来のＡｌＧａＡｓ系，ＩｎＧａＡｓＰ系で素
子を形成した場合、素子設計におけるバンド構造の自由
度が小さく特性の良好なものが得られない、さらにこれ
らの各層で最適結晶成長温度が異なることから界面で待
ち時間を設ける必要があり、これに起因して信頼性の良
好なものを得ることができていなかった。 【解決手段】 従来用いられていたＡｌＧａＡｓ層或い
はＩｎＧａＡｓＰ層の代わりにＩｎＧａＡｌＡｓＮ層或
いはＩｎＧａＡｓＰＮ層を使用することにより、ＩｎＧ
ａＡｓＮ層とＡｌＧａＡｓ層或いはＩｎＧａＡｓＰ層の
中間のバンド構造を有するものが得られ設計の自由度が
向上する。さらに各層で結晶成長温度を一定に保つこと
ができ信頼性の向上が図れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ファイバー通信に
使用される長波長帯半導体レーザ素子に関し、特に高温
環境下での閾値電流、駆動電流特性に優れたものに関す
る。
使用される長波長帯半導体レーザ素子に関し、特に高温
環境下での閾値電流、駆動電流特性に優れたものに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバーを使用した光通信システム
では、光源の発光波長として１．３μｍ帯或いは１．５
５μｍ帯が主に使用されている。この波長帯域で使用さ
れている半導体レーザ素子として、従来よりＩｎＰ基板
上に作製されたＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザ素子が
ある。しかしながらこの材料系を用いた半導体レーザ素
子の欠点として活性層とクラッド層間の電子に対するバ
ンド不連続量であるところのΔＥcが１００ｍｅＶと非
常に小さく、この為高温動作時に活性層に十分に電子を
閉じ込める事ができないことにより温度特性として約６
０Ｋ程度のものしか得ることができていなかった。この
為厳しい環境温度の下での使用においては冷却装置が必
要となり、光通信装置の大型化，消費電力の増大等の問
題があり、温度特性の良好な半導体レーザ素子の出現が
望まれていた。
では、光源の発光波長として１．３μｍ帯或いは１．５
５μｍ帯が主に使用されている。この波長帯域で使用さ
れている半導体レーザ素子として、従来よりＩｎＰ基板
上に作製されたＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザ素子が
ある。しかしながらこの材料系を用いた半導体レーザ素
子の欠点として活性層とクラッド層間の電子に対するバ
ンド不連続量であるところのΔＥcが１００ｍｅＶと非
常に小さく、この為高温動作時に活性層に十分に電子を
閉じ込める事ができないことにより温度特性として約６
０Ｋ程度のものしか得ることができていなかった。この
為厳しい環境温度の下での使用においては冷却装置が必
要となり、光通信装置の大型化，消費電力の増大等の問
題があり、温度特性の良好な半導体レーザ素子の出現が
望まれていた。
【０００３】この問題を解決する半導体レーザ素子とし
てＧａＡｓ基板に格子整合し活性層としてＩｎＧａＡｓ
Ｎ系を使用したものが特開平８−１９５５２２号公報で
公開されており温度特性として約１５０Ｋ程度のものが
期待されている。この系でのＧａＡｓ基板における格子
整合条件近傍でのバンド構造を図５に示す。この図より
ＧａＡｓに対しインジウムを加えＩｎＧａＡｓとするこ
とにより、ＧａＡｓ格子定数に対して格子定数が大きく
なり且つバンドギャップが小さくなるという傾向を有す
ることがわかる（図５右半分）。
てＧａＡｓ基板に格子整合し活性層としてＩｎＧａＡｓ
Ｎ系を使用したものが特開平８−１９５５２２号公報で
公開されており温度特性として約１５０Ｋ程度のものが
期待されている。この系でのＧａＡｓ基板における格子
整合条件近傍でのバンド構造を図５に示す。この図より
ＧａＡｓに対しインジウムを加えＩｎＧａＡｓとするこ
とにより、ＧａＡｓ格子定数に対して格子定数が大きく
なり且つバンドギャップが小さくなるという傾向を有す
ることがわかる（図５右半分）。
【０００４】同様にＧａＡｓに対して窒素を加えをＧａ
ＡｓＮとすることで、ＧａＡｓ格子定数に対して格子定
数が小さくなり且つバンドギャップが小さくなる傾向を
有することがわかる（図５左半分）。即ちＩｎＧａＡｓ
に対して窒素を添加しＩｎＧａＡｓＮとするとでバンド
ギャップの伝導帯はＡ→Ｂ→Ｃへ、価電子帯はＤ→Ｅ→
Ｆへと変化しＧａＡｓのバンドギャップである１．４２
ｅＶより小さくなる即ち長波長帯で発光し、且つＧａＡ
ｓに格子整合する混晶材料のものが得られることがわか
る。さらにＧａＡｓ基板に格子整合することにより、Ａ
ｌＧａＡｓ層を含んだ層構成による素子作製が可能とな
る。
ＡｓＮとすることで、ＧａＡｓ格子定数に対して格子定
数が小さくなり且つバンドギャップが小さくなる傾向を
有することがわかる（図５左半分）。即ちＩｎＧａＡｓ
に対して窒素を添加しＩｎＧａＡｓＮとするとでバンド
ギャップの伝導帯はＡ→Ｂ→Ｃへ、価電子帯はＤ→Ｅ→
Ｆへと変化しＧａＡｓのバンドギャップである１．４２
ｅＶより小さくなる即ち長波長帯で発光し、且つＧａＡ
ｓに格子整合する混晶材料のものが得られることがわか
る。さらにＧａＡｓ基板に格子整合することにより、Ａ
ｌＧａＡｓ層を含んだ層構成による素子作製が可能とな
る。
【０００５】この材料系を用いた場合の活性層内の量子
井戸構造の量子井戸活性層（６０２）及び量子障壁層
（６００）のバンド構造図を図６（ａ）、（ｂ）に示
す。図６（ａ）は量子障壁層としてＧａＡｓ層を用いた
場合を示しており、バンド構造上十分なΔＥc（４００
ｍｅＶ）を得ることができている。しかしながらＧａＡ
ｓ障壁層の場合、量子井戸層と量子障壁層の正孔に対す
るバンド不連続量であるところの、ΔＥvが数十ｍｅＶ
程度しか取れず正孔に対して十分な閉じ込め構造を構成
する事ができないことが、竹内らにより第５６回秋期応
用物理学会７Ｐ−ＫＨ−１４で報告されている。この問
題を改善するために図６（ｂ）で示すように量子障壁層
（６０１）としてＧａＡｓ層よりエネルギーギャップの
大きいＡｌＧａＡｓ層、特にアルミニウムの混晶比を
０．１程度とする又はＧａＡｓ基板に格子整合したエネ
ルギーギャップ１．４７ｅＶ程度のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ａ
ｓ0.9Ｐ0.1の層により量子井戸構造を作製していた。
井戸構造の量子井戸活性層（６０２）及び量子障壁層
（６００）のバンド構造図を図６（ａ）、（ｂ）に示
す。図６（ａ）は量子障壁層としてＧａＡｓ層を用いた
場合を示しており、バンド構造上十分なΔＥc（４００
ｍｅＶ）を得ることができている。しかしながらＧａＡ
ｓ障壁層の場合、量子井戸層と量子障壁層の正孔に対す
るバンド不連続量であるところの、ΔＥvが数十ｍｅＶ
程度しか取れず正孔に対して十分な閉じ込め構造を構成
する事ができないことが、竹内らにより第５６回秋期応
用物理学会７Ｐ−ＫＨ−１４で報告されている。この問
題を改善するために図６（ｂ）で示すように量子障壁層
（６０１）としてＧａＡｓ層よりエネルギーギャップの
大きいＡｌＧａＡｓ層、特にアルミニウムの混晶比を
０．１程度とする又はＧａＡｓ基板に格子整合したエネ
ルギーギャップ１．４７ｅＶ程度のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ａ
ｓ0.9Ｐ0.1の層により量子井戸構造を作製していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図６
（ｂ）で示しているように活性領域内の量子井戸構造の
量子障壁層としてＡｌＧａＡｓ層を用いて構成した場
合、量子井戸構造内の量子障壁層の伝導帯の障壁高さが
図６（ａ）で示しているようにＧａＡｓ層（６００）よ
り大きくなり、結果として井戸幅１００ｎｍ程度の時、
量子井戸構造内に量子準位が５程度形成されることによ
り注入された電子による利得が最大となる準位が順次変
化する事で、発振波長が駆動電流により変化するという
問題が有った。
（ｂ）で示しているように活性領域内の量子井戸構造の
量子障壁層としてＡｌＧａＡｓ層を用いて構成した場
合、量子井戸構造内の量子障壁層の伝導帯の障壁高さが
図６（ａ）で示しているようにＧａＡｓ層（６００）よ
り大きくなり、結果として井戸幅１００ｎｍ程度の時、
量子井戸構造内に量子準位が５程度形成されることによ
り注入された電子による利得が最大となる準位が順次変
化する事で、発振波長が駆動電流により変化するという
問題が有った。
【０００７】又、伝導帯側は深い量子井戸構造で有るた
め、注入される電子が多重量子井戸に均一に注入せず、
素子抵抗の増大或いは多重量子井戸構造による低閾値の
効果が得られないと言う問題も有った。又、Ｋ．Ｎａｋ
ａｈａｒａらによりＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴ
ＥＲＳ １９９６，３２，ｐｐ．１５８５−１５８６で
報告されている様にＩｎＧａＡｓＮ系に於ける素子作製
において、結晶内への窒素の取り込みを増加させる為に
は成長温度として５００℃程度が最適とされる。
め、注入される電子が多重量子井戸に均一に注入せず、
素子抵抗の増大或いは多重量子井戸構造による低閾値の
効果が得られないと言う問題も有った。又、Ｋ．Ｎａｋ
ａｈａｒａらによりＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴ
ＥＲＳ １９９６，３２，ｐｐ．１５８５−１５８６で
報告されている様にＩｎＧａＡｓＮ系に於ける素子作製
において、結晶内への窒素の取り込みを増加させる為に
は成長温度として５００℃程度が最適とされる。
【０００８】これに対してＡｌＧａＡｓ系では最適結晶
成長温度が７００℃程度であるため、ＡｌＧａＡｓ系で
量子障壁層を構成した場合量子井戸層と量子障壁層界面
で最適結晶成長温度への降温、昇温の為の待ち時間を設
ける必要が生じていた。
成長温度が７００℃程度であるため、ＡｌＧａＡｓ系で
量子障壁層を構成した場合量子井戸層と量子障壁層界面
で最適結晶成長温度への降温、昇温の為の待ち時間を設
ける必要が生じていた。
【０００９】さらに同様の問題が活性領域とクラッド層
界面や光導波路層、例えばＧＲＩＮ−ＳＣＨ（ＧＲａｄ
ｅｄ ＩＮｄｅｘ−Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅ
ｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｅｒ）構造を作製
する場合、図７で示すようにＧＲＩＮ−ＳＣＨ構造界面
で基板温度降温、昇温の為の待ち時間を設ける必要が生
じており、これに起因した結晶性の低下により閾値の増
大や信頼性の十分なものが得られていなかった。
界面や光導波路層、例えばＧＲＩＮ−ＳＣＨ（ＧＲａｄ
ｅｄ ＩＮｄｅｘ−Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅ
ｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｅｒ）構造を作製
する場合、図７で示すようにＧＲＩＮ−ＳＣＨ構造界面
で基板温度降温、昇温の為の待ち時間を設ける必要が生
じており、これに起因した結晶性の低下により閾値の増
大や信頼性の十分なものが得られていなかった。
【００１０】同様に量子障壁層、光導波路層にＩｎＧａ
ＡｓＰ系やＩｎＧａＰ系を用いた場合、図８で示すよう
にＧａＩｎＮＡｓ活性層に対してバンド構造上滑らかに
つなぐ材料系が無いため量子障壁層、光導波路層に対し
て設計の自由度が少ないと言う問題や最適結晶成長温度
の為の降温、昇温のための待ち時間を設ける必要があっ
た。
ＡｓＰ系やＩｎＧａＰ系を用いた場合、図８で示すよう
にＧａＩｎＮＡｓ活性層に対してバンド構造上滑らかに
つなぐ材料系が無いため量子障壁層、光導波路層に対し
て設計の自由度が少ないと言う問題や最適結晶成長温度
の為の降温、昇温のための待ち時間を設ける必要があっ
た。
【００１１】
【課題を解決するための手段】ＧａＡｓ半導体基板上に
少なくとも第１の導電型のクラッド層と、活性領域と、
第２の導電型のクラッド層を有し、前記活性領域の少な
くとも１部が窒素を含むＩｎxＧａ1-xＡｓαＮ1-α層
（０＜ｘ，α＜１）から構成されている半導体レーザ素
子において、Ｉｎx'Ｇａ1-x'-y'Ａｌy'Ａｓα'Ｎ1-α'
層（０＜ｘ'，ｙ'，α'＜１）、Ｉｎx''Ｇａ1-x''Ａｓ
α''Ｐβ''Ｎ1-α''-β''層（０＜ｘ''，α''，β''＜
１）の少なくともどちらかからなる層を含むことによ
り、ＩｎＧａＡｓＮの活性層を有する半導体レーザ素子
に対してバンド構造の設計の範囲が増し素子設計に於い
て自由度を増すことができた。
少なくとも第１の導電型のクラッド層と、活性領域と、
第２の導電型のクラッド層を有し、前記活性領域の少な
くとも１部が窒素を含むＩｎxＧａ1-xＡｓαＮ1-α層
（０＜ｘ，α＜１）から構成されている半導体レーザ素
子において、Ｉｎx'Ｇａ1-x'-y'Ａｌy'Ａｓα'Ｎ1-α'
層（０＜ｘ'，ｙ'，α'＜１）、Ｉｎx''Ｇａ1-x''Ａｓ
α''Ｐβ''Ｎ1-α''-β''層（０＜ｘ''，α''，β''＜
１）の少なくともどちらかからなる層を含むことによ
り、ＩｎＧａＡｓＮの活性層を有する半導体レーザ素子
に対してバンド構造の設計の範囲が増し素子設計に於い
て自由度を増すことができた。
【００１２】さらに本半導体レーザ素子の活性領域にお
いて、量子井戸層と量子障壁層とが交互に１乃至複数積
層された量子井戸構造を有し、該量子障壁層がＩｎx'Ｇ
ａ1-x'-y'Ａｌy'Ａｓα'Ｎ1-α'層（０＜ｘ'，ｙ'，α'
＜１）或いはＩｎx''Ｇａ1-x''Ａｓα''Ｐβ''Ｎ1-α''
-β''層（０＜ｘ''，α''，β''＜１）で構成すること
により、量子井戸構造の設計の自由度を増すことがで
き、且つ成長層毎に結晶成長温度を変える必要が無く界
面の結晶性の良好なものを得ることができた。
いて、量子井戸層と量子障壁層とが交互に１乃至複数積
層された量子井戸構造を有し、該量子障壁層がＩｎx'Ｇ
ａ1-x'-y'Ａｌy'Ａｓα'Ｎ1-α'層（０＜ｘ'，ｙ'，α'
＜１）或いはＩｎx''Ｇａ1-x''Ａｓα''Ｐβ''Ｎ1-α''
-β''層（０＜ｘ''，α''，β''＜１）で構成すること
により、量子井戸構造の設計の自由度を増すことがで
き、且つ成長層毎に結晶成長温度を変える必要が無く界
面の結晶性の良好なものを得ることができた。
【００１３】さらに本半導体レーザ素子において、光を
導波する光導波路層を有し、前記光導波層がＩｎx'Ｇａ
1-x'-y'Ａｌy'Ａｓα'Ｎ1-α'層（０＜ｘ'，ｙ'，α'＜
１）或いはＩｎx''Ｇａ1-x''Ａｓα''Ｐβ''Ｎ1-α''
-β''層（０＜ｘ''，α''，β''＜１）で構成すること
によりバンド構造の設定の範囲が増し、光導波路層の設
計の自由度を増すことが可能となった。
導波する光導波路層を有し、前記光導波層がＩｎx'Ｇａ
1-x'-y'Ａｌy'Ａｓα'Ｎ1-α'層（０＜ｘ'，ｙ'，α'＜
１）或いはＩｎx''Ｇａ1-x''Ａｓα''Ｐβ''Ｎ1-α''
-β''層（０＜ｘ''，α''，β''＜１）で構成すること
によりバンド構造の設定の範囲が増し、光導波路層の設
計の自由度を増すことが可能となった。
【００１４】さらに本半導体レーザ素子において、第１
の導電型のクラッド層と第２の導電型のクラッド層の少
なくとも１方がＩｎx'Ｇａ1-x'-y'Ａｌy'Ａｓα'
Ｎ1-α'層（０＜ｘ'，ｙ'，α'＜１）或いはＩｎx''Ｇ
ａ1-x''Ａｓα''Ｐβ''Ｎ1-α''-β''層（０＜ｘ''，
α''，β''＜１）で構成する事で素子成長中に界面で結
晶成長温度を変える必要が無くなり、結晶性が良好なも
のを得ることができ、従来の素子に比べて信頼性が向上
した。
の導電型のクラッド層と第２の導電型のクラッド層の少
なくとも１方がＩｎx'Ｇａ1-x'-y'Ａｌy'Ａｓα'
Ｎ1-α'層（０＜ｘ'，ｙ'，α'＜１）或いはＩｎx''Ｇ
ａ1-x''Ａｓα''Ｐβ''Ｎ1-α''-β''層（０＜ｘ''，
α''，β''＜１）で構成する事で素子成長中に界面で結
晶成長温度を変える必要が無くなり、結晶性が良好なも
のを得ることができ、従来の素子に比べて信頼性が向上
した。
【００１５】
（実施例１）本発明の第１の実施例を示す。図１
（ａ）、図１（ｂ）に本実施例における素子構造図及び
活性領域の構造図を示す。ｎ型のＧａＡｓ基板上（１０
０）に、例えばＩＩＩ族原料としてＧａ、Ａｌ、Ｉｎの
固体原料を、Ｖ族原料としてＡｓ、プラズマセルによる
Ｎ2源を使用したＭＢＥ（分子線エピタキシー）法によ
り、基板温度７００℃にて０．３μｍ層厚のｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層（１０１）、１．０μｍ層厚のｎ型Ａｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ下クラッド層（１０２）、続いて基板温
度を５００℃に下げ、図１（ｂ）に示す様に６周期の基
板に格子整合した７０ｎｍ層厚の量子井戸活性層ｕｎ−
Ｉｎ0.06Ｇａ0.94Ａｓ0.975Ｎ0.025（１０９）／１２０
ｎｍ層厚の量子障壁層ｕｎ−Ｉｎ0.06Ｇａ0.74Ａｌ0.2
Ａｓ0.975Ｎ0.025（１１０）、その後再び基板温度を７
００℃に上げ、１．０μｍ層厚のｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａ
ｓ上クラッド層（１０４）、ｐ型ＧａＡｓキャップ層
（１０６）を形成する。
（ａ）、図１（ｂ）に本実施例における素子構造図及び
活性領域の構造図を示す。ｎ型のＧａＡｓ基板上（１０
０）に、例えばＩＩＩ族原料としてＧａ、Ａｌ、Ｉｎの
固体原料を、Ｖ族原料としてＡｓ、プラズマセルによる
Ｎ2源を使用したＭＢＥ（分子線エピタキシー）法によ
り、基板温度７００℃にて０．３μｍ層厚のｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層（１０１）、１．０μｍ層厚のｎ型Ａｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ下クラッド層（１０２）、続いて基板温
度を５００℃に下げ、図１（ｂ）に示す様に６周期の基
板に格子整合した７０ｎｍ層厚の量子井戸活性層ｕｎ−
Ｉｎ0.06Ｇａ0.94Ａｓ0.975Ｎ0.025（１０９）／１２０
ｎｍ層厚の量子障壁層ｕｎ−Ｉｎ0.06Ｇａ0.74Ａｌ0.2
Ａｓ0.975Ｎ0.025（１１０）、その後再び基板温度を７
００℃に上げ、１．０μｍ層厚のｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａ
ｓ上クラッド層（１０４）、ｐ型ＧａＡｓキャップ層
（１０６）を形成する。
【００１６】続いてレジスト膜をストライプ状に形成
後、これをマスク材として塩素のＲＩＢＥ（反応性イオ
ンビームエッチング）によりリッジ形状を作製する。そ
の後ストライプ領域を除きＳｉＯ2膜（１０５）を形
成、素子両面に通常の蒸着手段によりｎ，ｐ側の電極
（１０７）、（１０８）をそれぞれ形成する。
後、これをマスク材として塩素のＲＩＢＥ（反応性イオ
ンビームエッチング）によりリッジ形状を作製する。そ
の後ストライプ領域を除きＳｉＯ2膜（１０５）を形
成、素子両面に通常の蒸着手段によりｎ，ｐ側の電極
（１０７）、（１０８）をそれぞれ形成する。
【００１７】ここでＩｎＧａＡｌＡｓＮ混晶系のバンド
構造は、図２で示すようにＩｎＧａＡｌＡｓに窒素を加
えることで、伝導帯はＡ’→Ｂ’→Ｃ’へ、価電子帯は
Ｄ’→Ｅ’→Ｆ’へと変化する。これによりＧａＡｓ基
板に格子整合しつつ、且つ価電子帯のΔＥvが同程度で
伝導帯のΔＥcが小さい構造を有するＡｌＧａＡｓより
もバンドギャップの小さいものを得ることができる（図
中△はＡｌＧａＡｓのエネルギーギャップ）。
構造は、図２で示すようにＩｎＧａＡｌＡｓに窒素を加
えることで、伝導帯はＡ’→Ｂ’→Ｃ’へ、価電子帯は
Ｄ’→Ｅ’→Ｆ’へと変化する。これによりＧａＡｓ基
板に格子整合しつつ、且つ価電子帯のΔＥvが同程度で
伝導帯のΔＥcが小さい構造を有するＡｌＧａＡｓより
もバンドギャップの小さいものを得ることができる（図
中△はＡｌＧａＡｓのエネルギーギャップ）。
【００１８】例えばＩｎ0.06Ｇａ0.74Ａｌ0.2Ａｓ0.975
Ｎ0.025層等の本混晶系を量子障壁層に使用することに
より、従来のＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ層の量子障壁層（図１
（ｂ）の点線）に比べて伝導帯のΔＥcを小さくするこ
とが可能となり（図１（ｂ）の実線）、従来構造で問題
となっていた井戸内の量子障壁層のエネルギーギャップ
が大きいことにより生じていた多数の量子準位を基底準
位のみとなるように調整することができた。この効果に
より半導体レーザ素子の駆動電流に対して順次高次の量
子準位で発振していくことによる、発振波長の変化を防
ぐことができた。
Ｎ0.025層等の本混晶系を量子障壁層に使用することに
より、従来のＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ層の量子障壁層（図１
（ｂ）の点線）に比べて伝導帯のΔＥcを小さくするこ
とが可能となり（図１（ｂ）の実線）、従来構造で問題
となっていた井戸内の量子障壁層のエネルギーギャップ
が大きいことにより生じていた多数の量子準位を基底準
位のみとなるように調整することができた。この効果に
より半導体レーザ素子の駆動電流に対して順次高次の量
子準位で発振していくことによる、発振波長の変化を防
ぐことができた。
【００１９】更に量子井戸障壁層の高さを最適化するこ
とが可能となり、各量子井戸内への不均一な電子の注入
により生じる素子抵抗の増大等の問題も抑えることがで
きた。さらに組成制御性において、ＡｌＧａＡｓ系では
ガリウム組成の変動１％に対してエネルギーギャップで
０．０１２ｍｅＶ程度しか変動しないが、本材料系では
窒素組成の変動１％に対してエネルギーギャップで０．
１５ｍｅＶも変動することにより良好な量子障壁層を形
成できなかったというような問題も、Ｖ族組成比を一定
に保ちつつＩＩＩ族組成のみを変化させることにより形
成することで防ぐことができるという効果も得られた。
とが可能となり、各量子井戸内への不均一な電子の注入
により生じる素子抵抗の増大等の問題も抑えることがで
きた。さらに組成制御性において、ＡｌＧａＡｓ系では
ガリウム組成の変動１％に対してエネルギーギャップで
０．０１２ｍｅＶ程度しか変動しないが、本材料系では
窒素組成の変動１％に対してエネルギーギャップで０．
１５ｍｅＶも変動することにより良好な量子障壁層を形
成できなかったというような問題も、Ｖ族組成比を一定
に保ちつつＩＩＩ族組成のみを変化させることにより形
成することで防ぐことができるという効果も得られた。
【００２０】以上の効果により、従来のＡｌＧａＡｓ量
子障壁層による素子の室温時における閾値電流を２０ｍ
Ａから１５ｍＡ程度へと低減することができたと共に、
素子抵抗としても１０Ωから５Ωへと低減することがで
き、特性の良好な半導体レーザ素子を得ることができ
た。本実施例では、ＧａＡｓ基板に格子整合した量子障
壁層についての記載のみであるが、歪み量子井戸層に対
してそれを補償するような歪みＩｎＧａＡｌＡｓＮ量子
障壁層で構成しても良く、又素子作製方法としてＭＯＣ
ＶＤ法，素子構造としてリッジ構造素子としているが、
他の成長方法や埋め込み構造でも同様の効果が得られる
ことは明らかである。
子障壁層による素子の室温時における閾値電流を２０ｍ
Ａから１５ｍＡ程度へと低減することができたと共に、
素子抵抗としても１０Ωから５Ωへと低減することがで
き、特性の良好な半導体レーザ素子を得ることができ
た。本実施例では、ＧａＡｓ基板に格子整合した量子障
壁層についての記載のみであるが、歪み量子井戸層に対
してそれを補償するような歪みＩｎＧａＡｌＡｓＮ量子
障壁層で構成しても良く、又素子作製方法としてＭＯＣ
ＶＤ法，素子構造としてリッジ構造素子としているが、
他の成長方法や埋め込み構造でも同様の効果が得られる
ことは明らかである。
【００２１】（実施例２）本発明の第２の実施例の素子
構造及び活性領域の構造を図３（ａ）、（ｂ）に示す。
ｐ型ＧａＡｓ基板（３００）上に、例えばＩＩＩ族原料
としてトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、
トリエチルインジウム、Ｖ族原料としてアルシン、フォ
スフィン、ジメチルヒドラジンを用いたＭＯＣＶＤ（有
機金属気相成長）法により基板温度７００℃で０．３μ
ｍ層厚のｐ型ＧａＡｓバッファ層（３０１）、１．０μ
ｍ層厚のｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ下クラッド層（３０
２）、基板温度を５００℃に下げ、光導波路層となる構
造を有するＡｌ混晶比ｙが０．４から０．２に変化する
ように形成された０．１５μｍ層厚のｐ型Ｉｎ0.06Ｇａ
1-yＡｌyＡｓ0.975Ｎ0.025光導波路層（３０８）、続い
て３周期の基板に格子整合した７０ｎｍ層厚の量子井戸
活性層Ｉｎ0.06Ｇａ0.94Ａｓ0.975Ｎ0.025（３０６）／
１２０ｎｍ層厚の量子障壁層にＩｎ0.06Ｇａ0.74Ａｌ
0.2Ａｓ0.975Ｎ0.02 5（３０７）、その後Ａｌ混晶比ｙ
が０．２から０．４へと変化する０．１５μｍ層厚のｎ
型Ｉｎ0.06Ｇａ1-yＡｌyＡｓ0.975Ｎ0.025光導波路層
（３０８）、その後再び基板温度を７００℃に上げ、
１．０μｍ層厚のｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ上クラッド層
（３０４）、ｎ型ＧａＡｓキャップ層（３０５）を形成
する。
構造及び活性領域の構造を図３（ａ）、（ｂ）に示す。
ｐ型ＧａＡｓ基板（３００）上に、例えばＩＩＩ族原料
としてトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、
トリエチルインジウム、Ｖ族原料としてアルシン、フォ
スフィン、ジメチルヒドラジンを用いたＭＯＣＶＤ（有
機金属気相成長）法により基板温度７００℃で０．３μ
ｍ層厚のｐ型ＧａＡｓバッファ層（３０１）、１．０μ
ｍ層厚のｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ下クラッド層（３０
２）、基板温度を５００℃に下げ、光導波路層となる構
造を有するＡｌ混晶比ｙが０．４から０．２に変化する
ように形成された０．１５μｍ層厚のｐ型Ｉｎ0.06Ｇａ
1-yＡｌyＡｓ0.975Ｎ0.025光導波路層（３０８）、続い
て３周期の基板に格子整合した７０ｎｍ層厚の量子井戸
活性層Ｉｎ0.06Ｇａ0.94Ａｓ0.975Ｎ0.025（３０６）／
１２０ｎｍ層厚の量子障壁層にＩｎ0.06Ｇａ0.74Ａｌ
0.2Ａｓ0.975Ｎ0.02 5（３０７）、その後Ａｌ混晶比ｙ
が０．２から０．４へと変化する０．１５μｍ層厚のｎ
型Ｉｎ0.06Ｇａ1-yＡｌyＡｓ0.975Ｎ0.025光導波路層
（３０８）、その後再び基板温度を７００℃に上げ、
１．０μｍ層厚のｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ上クラッド層
（３０４）、ｎ型ＧａＡｓキャップ層（３０５）を形成
する。
【００２２】続いてレジスト膜をストライプ状に形成
後、これをマスク材としてウエットエッチングによりリ
ッジ形状を作製する。その後ストライプ領域を除きＳｉ
Ｏ2膜（１０５）を形成、素子両面に通常の蒸着手段に
よりｎ，ｐ側の電極（１０７）、（１０８）をそれぞれ
形成する。
後、これをマスク材としてウエットエッチングによりリ
ッジ形状を作製する。その後ストライプ領域を除きＳｉ
Ｏ2膜（１０５）を形成、素子両面に通常の蒸着手段に
よりｎ，ｐ側の電極（１０７）、（１０８）をそれぞれ
形成する。
【００２３】図３（ｂ）に本構造の活性領域（３０３）
の詳細図を示す。光導波路層から活性領域となる量子障
壁層をＩｎＧａＡｌＡｓＮ混晶比で構成することによ
り、従来の場合と比べて図中の点線で示している箇所即
ち、活性層近傍である量子井戸構造と光導波路成長界面
での最適結晶成長温度にするための基板温度の昇温，降
温が無くなり、これにより界面での結晶性の不良に起因
した閾値電流の増加を防ぐことができ、従来のＡｌＧａ
Ａｓ光導波路構造を有した半導体レーザ素子の閾値電流
１５ｍＡから１０ｍＡへと低減することができた。
の詳細図を示す。光導波路層から活性領域となる量子障
壁層をＩｎＧａＡｌＡｓＮ混晶比で構成することによ
り、従来の場合と比べて図中の点線で示している箇所即
ち、活性層近傍である量子井戸構造と光導波路成長界面
での最適結晶成長温度にするための基板温度の昇温，降
温が無くなり、これにより界面での結晶性の不良に起因
した閾値電流の増加を防ぐことができ、従来のＡｌＧａ
Ａｓ光導波路構造を有した半導体レーザ素子の閾値電流
１５ｍＡから１０ｍＡへと低減することができた。
【００２４】さらに本混晶系を用いた場合Ｇａ0.7Ａｌ
0.3Ａｓにインジウムと窒素を適宜加えることでＧａ0.8
Ａｌ0.2Ａｓと同じバンドギャップを有する層が構成で
きることから、光導波路層とＧａＡｌＡｓクラッド層を
なめらかにつなぐバンド構造のものが得られる。さらに
他の組成を一定に保ちつつ、ガリウムとアルミニウムの
組成比のみを変化させることで基板に格子整合させつつ
且つＡｌＧａＡｓクラッド層とＧａＩｎＮＡｓ活性層の
中間程度のバンドギャップを持った層を容易に形成する
ことができる為、図３（ｂ）で示す様な光導波路層を形
成することができた。同様にしてＩｎＧａＰクラッド層
の場合はＩｎＧａＡｓＰＮ混晶系により中間のバンドギ
ャップを有した構造を形成することができる。
0.3Ａｓにインジウムと窒素を適宜加えることでＧａ0.8
Ａｌ0.2Ａｓと同じバンドギャップを有する層が構成で
きることから、光導波路層とＧａＡｌＡｓクラッド層を
なめらかにつなぐバンド構造のものが得られる。さらに
他の組成を一定に保ちつつ、ガリウムとアルミニウムの
組成比のみを変化させることで基板に格子整合させつつ
且つＡｌＧａＡｓクラッド層とＧａＩｎＮＡｓ活性層の
中間程度のバンドギャップを持った層を容易に形成する
ことができる為、図３（ｂ）で示す様な光導波路層を形
成することができた。同様にしてＩｎＧａＰクラッド層
の場合はＩｎＧａＡｓＰＮ混晶系により中間のバンドギ
ャップを有した構造を形成することができる。
【００２５】（実施例３）本発明の第３の実施例を図４
に示す。ｐ型ＧａＡｓ基板上（３００）に例えばＭＯＭ
ＢＥ（有機金属分子線エピタキシー）法により基板温度
５００℃で０．３μｍ層厚のｐ型ＩｎＧａＰバッファ層
（４００）、１．０μｍ層厚のｐ型ＩｎＧａＡｓＰＮ下
クラッド層（４０１）、続いて活性領域として基板に対
して圧縮歪みを有する７０ｎｍ層厚の単一量子井戸活性
層Ｉｎ0.06Ｇａ0.94Ａｓ0.98Ｎ0.02／量子障壁層ＩｎＧ
ａＡｓＰＮ（４０２）、１．０μｍ層厚のｎ型ＩｎＧａ
ＡｓＰＮ上クラッド層（４０３）を形成し、ストライプ
上の誘電体マスクを形成し、通常のエッチングプロセス
にてメサ構造を形成後、この誘電体マスクを利用した選
択成長により電流狭窄を有するｎ型ＩｎＧａＰ層（４０
４）、ｐ型ＩｎＧａＰ層（４０５）、ｎ型ＩｎＧａＰ層
（４０６）を形成した後、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰＮ上クラ
ッド層（４０７）、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層（４０
８）を形成後、両面にｎ、ｐ型電極（１０７）、（１０
８）をそれぞれ形成する。
に示す。ｐ型ＧａＡｓ基板上（３００）に例えばＭＯＭ
ＢＥ（有機金属分子線エピタキシー）法により基板温度
５００℃で０．３μｍ層厚のｐ型ＩｎＧａＰバッファ層
（４００）、１．０μｍ層厚のｐ型ＩｎＧａＡｓＰＮ下
クラッド層（４０１）、続いて活性領域として基板に対
して圧縮歪みを有する７０ｎｍ層厚の単一量子井戸活性
層Ｉｎ0.06Ｇａ0.94Ａｓ0.98Ｎ0.02／量子障壁層ＩｎＧ
ａＡｓＰＮ（４０２）、１．０μｍ層厚のｎ型ＩｎＧａ
ＡｓＰＮ上クラッド層（４０３）を形成し、ストライプ
上の誘電体マスクを形成し、通常のエッチングプロセス
にてメサ構造を形成後、この誘電体マスクを利用した選
択成長により電流狭窄を有するｎ型ＩｎＧａＰ層（４０
４）、ｐ型ＩｎＧａＰ層（４０５）、ｎ型ＩｎＧａＰ層
（４０６）を形成した後、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰＮ上クラ
ッド層（４０７）、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層（４０
８）を形成後、両面にｎ、ｐ型電極（１０７）、（１０
８）をそれぞれ形成する。
【００２６】本実施例の様にクラッド層からＩｎＧａＡ
ｓＰＮ層により構成することで第１の導電型のクラッド
層から活性領域及び第２の導電型のクラッド層まで５元
の材料の混晶比を適宜調整することにより素子構造を作
製することが可能となり、従来の様に各層において最適
成長温度の為の昇温或いは降温に伴う待ち時間を設ける
必要が無くなり、これに起因した界面での結晶欠陥を低
減することが可能となり、従来のクラッド層と活性領域
界面で待ち時間を設けた素子構造に比べて寿命（駆動電
流が初期電流の２０％上昇する時間）を１００００時間
から２００００時間へと改善することができた。
ｓＰＮ層により構成することで第１の導電型のクラッド
層から活性領域及び第２の導電型のクラッド層まで５元
の材料の混晶比を適宜調整することにより素子構造を作
製することが可能となり、従来の様に各層において最適
成長温度の為の昇温或いは降温に伴う待ち時間を設ける
必要が無くなり、これに起因した界面での結晶欠陥を低
減することが可能となり、従来のクラッド層と活性領域
界面で待ち時間を設けた素子構造に比べて寿命（駆動電
流が初期電流の２０％上昇する時間）を１００００時間
から２００００時間へと改善することができた。
【００２７】
【発明の効果】本発明により、活性層に少なくともＩｎ
ＧａＡｓＮ層を含んだ半導体レーザ素子において、量子
障壁層にＩｎＧａＡｌＡｓＮ層或いはＩｎＧａＡｓＰＮ
層を使用することで正孔のバンド不連続差であるΔＥv
を保持しつつ電子のバンド不連続量であるΔＥcを調節
する事が可能となった。これにより量子井戸内の量子準
位を基底準位のみに設計する或いは注入された電子が均
一になるように量子障壁層の障壁の高さを調整すること
が可能となり、駆動電流による発振波長の変動の低減及
び閾値の低減が実現でき素子特性の向上が図れた。
ＧａＡｓＮ層を含んだ半導体レーザ素子において、量子
障壁層にＩｎＧａＡｌＡｓＮ層或いはＩｎＧａＡｓＰＮ
層を使用することで正孔のバンド不連続差であるΔＥv
を保持しつつ電子のバンド不連続量であるΔＥcを調節
する事が可能となった。これにより量子井戸内の量子準
位を基底準位のみに設計する或いは注入された電子が均
一になるように量子障壁層の障壁の高さを調整すること
が可能となり、駆動電流による発振波長の変動の低減及
び閾値の低減が実現でき素子特性の向上が図れた。
【００２８】また量子井戸層と量子障壁層界面で成長温
度最適化の為の待ち時間を設ける必要が無くなった為、
結晶性の向上が図れ低閾値化及び信頼性の改善が図れ
た。
度最適化の為の待ち時間を設ける必要が無くなった為、
結晶性の向上が図れ低閾値化及び信頼性の改善が図れ
た。
【００２９】さらに光導波路層をＩｎＧａＡｌＡｓＮ層
或いはＩｎＧａＡｓＰＮ層で構成することにより量子井
戸構造と光導波路層の界面で成長温度最適化の為の待ち
時間を設ける必要が無く結晶性の向上により低閾値化が
図れると共に、光導波路層の層構造の設計の自由度が増
した。ＩｎＧａＡｌＡｓＮ層で構成した場合、界面でＶ
族組成を変えることなくバンドギャップの異なる光導波
路層を形成することができ、組成制御性が向上した。
或いはＩｎＧａＡｓＰＮ層で構成することにより量子井
戸構造と光導波路層の界面で成長温度最適化の為の待ち
時間を設ける必要が無く結晶性の向上により低閾値化が
図れると共に、光導波路層の層構造の設計の自由度が増
した。ＩｎＧａＡｌＡｓＮ層で構成した場合、界面でＶ
族組成を変えることなくバンドギャップの異なる光導波
路層を形成することができ、組成制御性が向上した。
【００３０】さらにクラッド層をＩｎＧａＡｌＡｓＮ層
或いはＩｎＧａＡｓＰＮ層で構成することにより成長温
度を各層毎に最適温度に変える必要がなく、混晶比を変
化させるだけで素子が構成でき、この為従来の構造もの
に比べ界面での結晶性が向上でき素子寿命を改善するこ
とができた。
或いはＩｎＧａＡｓＰＮ層で構成することにより成長温
度を各層毎に最適温度に変える必要がなく、混晶比を変
化させるだけで素子が構成でき、この為従来の構造もの
に比べ界面での結晶性が向上でき素子寿命を改善するこ
とができた。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例を示した図であ
り、（ｂ）は本発明の第１の実施例における量子井戸構
造の構成図である。
り、（ｂ）は本発明の第１の実施例における量子井戸構
造の構成図である。
【図２】ＧａＡｌＡｓ系への窒素，インジウム添加にお
けるバンドギャップの関係を示す図である。
けるバンドギャップの関係を示す図である。
【図３】（ａ）は本発明の第２の実施例を示した図であ
り、（ｂ）は本発明の第２の実施例における量子井戸構
造の構成図である。
り、（ｂ）は本発明の第２の実施例における量子井戸構
造の構成図である。
【図４】本発明の第３の実施例を示した図である。
【図５】ＩｎＧａＡｓＮ系の窒素、インジウム濃度によ
るバンドギャップの関係を示す図である。
るバンドギャップの関係を示す図である。
【図６】（ａ）は従来のＩｎＧａＡｓＮ系半導体レーザ
素子における量子井戸構造において、ＧａＡｓ層を量子
障壁層に使用した場合のバンド構造図であり、（ｂ）は
従来のＩｎＧａＡｓＮ系半導体レーザ素子においる量子
井戸構造において、ＡｌＧａＡｓ層を量子障壁層に使用
した場合のバンド構造図である。
素子における量子井戸構造において、ＧａＡｓ層を量子
障壁層に使用した場合のバンド構造図であり、（ｂ）は
従来のＩｎＧａＡｓＮ系半導体レーザ素子においる量子
井戸構造において、ＡｌＧａＡｓ層を量子障壁層に使用
した場合のバンド構造図である。
【図７】ＧＲＩＮ−ＳＣＨ構造作製における基板温度の
シーケンスである。
シーケンスである。
【図８】ＧａＩｎＮＡｓ層に対するＡｌＧａＡｓ、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層のバンド構造図である。
ＧａＡｓＰ層のバンド構造図である。
１００ ｎ型ＧａＡｓ基板 １０１ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 １０２ ｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓクラッド層 １０３ 量子井戸活性層 １０４ ｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓクラッド層 １０５ ＳｉＯ2膜 １０６ ｐ型ＧａＡｓ層 １０７ ｎ型電極 １０８ ｐ型電極 １０９ 量子井戸層 １１０ 量子障壁層 ３００ ｐ型ＧａＡｓ基板 ３０１ ｐ型ＧａＡｓバッファ層 ３０２ ｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓクラッド層 ３０３ 量子井戸活性層 ３０４ ｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓクラッド層 ３０５ ｎ型ＧａＡｓ層 ３０６ 量子井戸層 ３０７ 量子障壁層 ３０８ 光導波路層 ４００ ｐ型ＩｎＧａＰバッファ層 ４０１ ｐ型ＩｎＧａＡｓＰＮ下クラッド層 ４０２ 量子井戸構造活性層 ４０３ ｎ型ＩｎＧａＡｓＰＮ上クラッド層 ４０４ ｎ型ＩｎＧａＰ電流光閉じ込め層 ４０５ ｐ型ＩｎＧａＰ電流光閉じ込め層 ４０６ ｎ型ＩｎＧａＰ電流光閉じ込め層 ４０７ ｎ型ＩｎＧａＡｓＰＮ上クラッド層 ４０８ ｎ型ＧａＡｓコンタクト層 ６００ ＧａＡｓ量子障壁層 ６０１ ＡｌＧａＡｓ量子障壁層 ６０２ ＩｎＧａＡｓＮ活性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 裕章 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上に少なくとも第１の導電型
のクラッド層と、活性領域と、第２の導電型のクラッド
層を有し、前記活性領域の少なくとも１部が窒素を含む
ＩｎxＧａ1-xＡｓαＮ1-α層（０＜ｘ，α＜１）から構
成されている半導体レーザ素子において、 Ｉｎx'Ｇａ1-x'-y'Ａｌy’Ａｓα'Ｎ1-α'層（０＜
ｘ'，ｙ'，α'＜１）かＩｎx''Ｇａ1-x''Ａｓα''
Ｐβ''Ｎ1-α''-β''層（０＜ｘ''，α''，β''＜１）
の少なくともどちらかからなる層を含むことを特徴とす
る半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 前記半導体レーザ素子は、その活性領域
が量子井戸層と量子障壁層とが交互に１層又は複数層積
層された量子井戸構造を有し、前記量子障壁層がＩｎx'
Ｇａ1-x'-y'Ａｌy'Ａｓα'Ｎ1-α'層（０＜ｘ'，ｙ'，
α'＜１）かＩｎx''Ｇａ1-x''Ａｓα''Ｐβ''Ｎ1-α''
-β''層（０＜ｘ''，α''，β''＜１）の少なくともど
ちらかを含んだ層で構成されていることを特徴とする請
求項１に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項３】 前記半導体レーザ素子は、活性層からの
光を導波する光導波路層を有し、前記光導波層がＩｎx'
Ｇａ1-x'-y'Ａｌy'Ａｓα'Ｎ1-α'層（０＜ｘ'，ｙ'，
α'＜１）かＩｎx''Ｇａ1-x''Ａｓα''Ｐβ''Ｎ1-α''
-β''層（０＜ｘ''，α''，β''＜１）の少なくともど
ちらかを含んだ層で構成されていることを特徴とする請
求項１に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項４】 前記半導体レーザ素子は、第１の導電型
のクラッド層と第２の導電型のクラッド層の少なくとも
１方がＩｎx'Ｇａ1-x'-y'Ａｌy'Ａｓα'Ｎ1-α'層（０
＜ｘ'，ｙ'，α'＜１）かＩｎx''Ｇａ1-x''Ａｓα''Ｐ
β''Ｎ1-α''-β''層（０＜ｘ''，α''，β''＜１）の
少なくともどちらかを含んだ層で構成されていることを
特徴とする請求項２または３に記載の半導体レーザ素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16988297A JP3938976B2 (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16988297A JP3938976B2 (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117284A true JPH1117284A (ja) | 1999-01-22 |
| JP3938976B2 JP3938976B2 (ja) | 2007-06-27 |
Family
ID=15894710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16988297A Expired - Fee Related JP3938976B2 (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3938976B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1115145A1 (en) * | 1998-09-11 | 2001-07-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming compound semiconductor layer and compound semiconductor device |
| KR20040047132A (ko) * | 2002-11-29 | 2004-06-05 | (주)옵트로닉스 | 다중 양자우물 구조를 갖는 질화물 반도체 소자 |
| KR100649749B1 (ko) | 2005-10-25 | 2006-11-27 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
| JP2009021302A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子を作製する方法 |
| KR100928963B1 (ko) * | 2003-01-10 | 2009-11-26 | 삼성전자주식회사 | 양자우물을 가지는 광소자 |
| JP2015525965A (ja) * | 2012-07-05 | 2015-09-07 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 窒素及びリンを含有する発光層を有する発光ダイオード |
-
1997
- 1997-06-26 JP JP16988297A patent/JP3938976B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1115145A1 (en) * | 1998-09-11 | 2001-07-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming compound semiconductor layer and compound semiconductor device |
| EP1115145A4 (en) * | 1998-09-11 | 2003-01-02 | Sharp Kk | METHOD FOR MANUFACTURING A COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE |
| US6821806B1 (en) | 1998-09-11 | 2004-11-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming compound semiconductor layer and compound semiconductor apparatus |
| KR20040047132A (ko) * | 2002-11-29 | 2004-06-05 | (주)옵트로닉스 | 다중 양자우물 구조를 갖는 질화물 반도체 소자 |
| KR100928963B1 (ko) * | 2003-01-10 | 2009-11-26 | 삼성전자주식회사 | 양자우물을 가지는 광소자 |
| KR100649749B1 (ko) | 2005-10-25 | 2006-11-27 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
| JP2009021302A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子を作製する方法 |
| JP2015525965A (ja) * | 2012-07-05 | 2015-09-07 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 窒素及びリンを含有する発光層を有する発光ダイオード |
| US10147840B2 (en) | 2012-07-05 | 2018-12-04 | Lumileds Llc | Light emitting diode with light emitting layer containing nitrogen and phosphorus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3938976B2 (ja) | 2007-06-27 |
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