JPS61207090A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS61207090A JPS61207090A JP4872285A JP4872285A JPS61207090A JP S61207090 A JPS61207090 A JP S61207090A JP 4872285 A JP4872285 A JP 4872285A JP 4872285 A JP4872285 A JP 4872285A JP S61207090 A JPS61207090 A JP S61207090A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- current blocking
- substrate
- guide
- upper clad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔Ｊ１１要）
従来、ｌ−１，８ｇｍ波帯域用半導体レーザは活性層と
して ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）等を使用している場合が多く
、しかも、光軸をなすストライプ領域に平行に電流阻止
層が設けられることが多いが、この電流阻止層はｐ−ｎ
−ｐ−ｎ接合を利用することが多かった。ところが、こ
のｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合型電流阻止層は大Ｓな接合容量を
伴ないやすいので、時定数が大きくなりやすく、半導体
レーザのレスポンスタイムを短くしにくいという欠点が
あった。従来技術においては、＠ １００Ｋビツト／秒
程度が一般であり、レスポンスのすぐれている分布帰還
型半導体レーザにおいても伝送速度を１〜２Ｇビット／
秒以上にすることは困難であった。
して ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）等を使用している場合が多く
、しかも、光軸をなすストライプ領域に平行に電流阻止
層が設けられることが多いが、この電流阻止層はｐ−ｎ
−ｐ−ｎ接合を利用することが多かった。ところが、こ
のｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合型電流阻止層は大Ｓな接合容量を
伴ないやすいので、時定数が大きくなりやすく、半導体
レーザのレスポンスタイムを短くしにくいという欠点が
あった。従来技術においては、＠ １００Ｋビツト／秒
程度が一般であり、レスポンスのすぐれている分布帰還
型半導体レーザにおいても伝送速度を１〜２Ｇビット／
秒以上にすることは困難であった。
そこで、このレスポンスタイムを速くするため、ガイド
層にはｐ型ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）等の四元（三元）半導体
層を使用し、一方、電流阻１１：層には低濃度Ｐ型の
ＩｎＰ層を使用し、活性層領域以外に存在するｐ−ｎ接
合面積を小さくし、あわせて、電流阻止層の抵抗を増大
してリーク電流を減少したものである。
層にはｐ型ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）等の四元（三元）半導体
層を使用し、一方、電流阻１１：層には低濃度Ｐ型の
ＩｎＰ層を使用し、活性層領域以外に存在するｐ−ｎ接
合面積を小さくし、あわせて、電流阻止層の抵抗を増大
してリーク電流を減少したものである。
本発明は半導体発光装置の改良に関する。特に、接合容
量を減少してレスポンスタイムを短くするとともに、リ
ーク電流を減少する改良に関する。
量を減少してレスポンスタイムを短くするとともに、リ
ーク電流を減少する改良に関する。
１．３ルｍ波用、または、ｌ。５５ル鵬波川の大容量広
帯域光伝送システムの光源としての部分帰還型寥導体レ
ーザとしては、 ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）層を活性層とし
く以下簡単のために四元で説明する）。
帯域光伝送システムの光源としての部分帰還型寥導体レ
ーザとしては、 ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）層を活性層とし
く以下簡単のために四元で説明する）。
ＩｎＰ層を基板及び上部クラッ１層とし、 ＩｎＧａ
ＡｓＰ層をガイド層として構成する場合が多く、その層
構造の一例を第７図と第８図とに示す、第７図は、光軸
方向から見た図であり、第８図はそのＡ−Ａ断面図であ
る。
ＡｓＰ層をガイド層として構成する場合が多く、その層
構造の一例を第７図と第８図とに示す、第７図は、光軸
方向から見た図であり、第８図はそのＡ−Ａ断面図であ
る。
図において、ｌはｎ−ＩｎＰの基板であり、２はその底
面に凹凸が設けられているｎ −ＩｎＧａＡｓＰ層より
なるガイド層手あり、３はｎ −ＩｎＧａＡｓＰ層より
なる活性層であり、４はｐ−ＩｎＰ層よりなる上部クラ
ット層であり、５はｐ ＩｎＧａＡｇ（Ｐ）層より
なるキャップ層であり、６，７．８は、それぞれ、ｐ型
、ｎ型、ｐ型の ＩｎＰＪｅよりなり、これらの積層体
が電流阻止層を構成している。９はＳ ＋ ０２等より
なる絶縁層であり、１０．１１は、それぞれ、負・正の
電極である。
面に凹凸が設けられているｎ −ＩｎＧａＡｓＰ層より
なるガイド層手あり、３はｎ −ＩｎＧａＡｓＰ層より
なる活性層であり、４はｐ−ＩｎＰ層よりなる上部クラ
ット層であり、５はｐ ＩｎＧａＡｇ（Ｐ）層より
なるキャップ層であり、６，７．８は、それぞれ、ｐ型
、ｎ型、ｐ型の ＩｎＰＪｅよりなり、これらの積層体
が電流阻止層を構成している。９はＳ ＋ ０２等より
なる絶縁層であり、１０．１１は、それぞれ、負・正の
電極である。
か−る構造のレーザは、一旦キャップ層５まで成長形成
した後で光軸をなすストライプ領域以外から上記の各層
５．４．３．２．１を基板ｌの上部までエツチング除去
し、ここに、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合をなす電流阻止層６．
７．８を埋め込んで製造するので、埋め込み型レーザと
呼ばれる。
した後で光軸をなすストライプ領域以外から上記の各層
５．４．３．２．１を基板ｌの上部までエツチング除去
し、ここに、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合をなす電流阻止層６．
７．８を埋め込んで製造するので、埋め込み型レーザと
呼ばれる。
また、ガイド層２の底面に凹凸が設けられている理由は
分布帰還型とするためであり、三光束干渉法等を使用し
て形成される。
分布帰還型とするためであり、三光束干渉法等を使用し
て形成される。
か覧る埋め込み型のレーザにおいては、電流阻止層とし
て、上記せるとおりｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合を利用している
ため、接合容量がレーザチップのほとんど全域にわたっ
て存在することになってその値が大きくなり、したがっ
て、時定数が大きくなり、結果的にレスポンスタイムが
遅くなるという欠点が避は難い。
て、上記せるとおりｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合を利用している
ため、接合容量がレーザチップのほとんど全域にわたっ
て存在することになってその値が大きくなり、したがっ
て、時定数が大きくなり、結果的にレスポンスタイムが
遅くなるという欠点が避は難い。
レーザをＩＧビット／秒以上のディジタル信号をもって
駆動する場合、レーザの光出力波形がこの接合容量の影
響を大きく受け、正確な光伝送が困難となることは周知
である。
駆動する場合、レーザの光出力波形がこの接合容量の影
響を大きく受け、正確な光伝送が困難となることは周知
である。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、接合
容量が小さくレスポンスタイムが速く、高速変調特性が
良い半導体発光装置を提供することにある。
容量が小さくレスポンスタイムが速く、高速変調特性が
良い半導体発光装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段〕
第１（ａ）図は、本発明に係る半導体発光装置の層構成
を光軸方向から見た図であり、第１（ｂ）図はそのＢ−
Ｂ断面図である。
を光軸方向から見た図であり、第１（ｂ）図はそのＢ−
Ｂ断面図である。
第１ （ａ）、（ｂ）図において、１２はＰ−ＩｎＰ基
板であり、】３はｐ −ＩｎＧａＡｓＰ層よりなるガイ
ド層であり、１４はｎ −ＩｎＧａＡｓＰ層よりなる活
性層であり、１５はｎ−ＩｎＰ層よりなる上部クラッド
層であり、１６はｐ”’−ＩｎＰ層よりなる電流阻止層
であり、！７は５１０２等よりなる絶縁層であり、１８
、Ｉ３はそれぞれ正Φ負電極である。
板であり、】３はｐ −ＩｎＧａＡｓＰ層よりなるガイ
ド層であり、１４はｎ −ＩｎＧａＡｓＰ層よりなる活
性層であり、１５はｎ−ＩｎＰ層よりなる上部クラッド
層であり、１６はｐ”’−ＩｎＰ層よりなる電流阻止層
であり、！７は５１０２等よりなる絶縁層であり、１８
、Ｉ３はそれぞれ正Φ負電極である。
上記の層構造を有する本発明に係る半導体発光装置（レ
ーザ）内に存在するｐ−ｎ接合は、ｐ −ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層よりなるガイド層１３とｎ −ＩｎＧａＡｓＰ層よ
りなる活性層１４との間と、ｎ−ＩｎＰ層よりなる一ヒ
部りラッド層１５とｐ−−ＩｎＰ層よりなる電流阻止層
１６との間のみである。これらの二つの接合のうち、前
者はレーザ機能に必須である。しかし、後者はレーザ機
能に必須でなく、接合容量の原因をなすものである。こ
の接合の面積は、上部クラッド層１５の厚さとレーザキ
ャビティー長との積となる。ところで、従来技術におい
てはｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合型の電流阻止層８．７．６．１
が４層をもって構成されており、接合面積がかなり大き
どかスｔ： ｈ ＋、 素嶺圓し−おＬ十ス雷倍８日
１ト陽１ｆｌｔ÷１層であるから接合面積（上部クラッ
ド層１５との接触面積）は極めて小さくでき、接合容量
を小さくしうる。実験によれば、変調特性を数Ｇビット
／秒以トになしうろことが確認されている。
ーザ）内に存在するｐ−ｎ接合は、ｐ −ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層よりなるガイド層１３とｎ −ＩｎＧａＡｓＰ層よ
りなる活性層１４との間と、ｎ−ＩｎＰ層よりなる一ヒ
部りラッド層１５とｐ−−ＩｎＰ層よりなる電流阻止層
１６との間のみである。これらの二つの接合のうち、前
者はレーザ機能に必須である。しかし、後者はレーザ機
能に必須でなく、接合容量の原因をなすものである。こ
の接合の面積は、上部クラッド層１５の厚さとレーザキ
ャビティー長との積となる。ところで、従来技術におい
てはｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合型の電流阻止層８．７．６．１
が４層をもって構成されており、接合面積がかなり大き
どかスｔ： ｈ ＋、 素嶺圓し−おＬ十ス雷倍８日
１ト陽１ｆｌｔ÷１層であるから接合面積（上部クラッ
ド層１５との接触面積）は極めて小さくでき、接合容量
を小さくしうる。実験によれば、変調特性を数Ｇビット
／秒以トになしうろことが確認されている。
また、本発明に係る半導体発光装置（レーザ）において
発生するリーク電流は、上部クラッド層１５と電流阻止
層１６との間の拡散電位と活性層１４とガイド層１３と
の間の拡散電位との差と、電流阻止層１６の抵抗とによ
って決定されるから、電流阻止！！Ｉ：ｌ１３のＰ型濃
度を５ Ｘ １０１５ｃｍ−３程度とすれば、十分にリ
ーク電流を低下しうるという副次効果もある。なお、正
孔濃度はｌ Ｘ １０１５ｃｓ＋−３程度まで低濃度に
することが望ましく、この程度まで低濃度にできること
は実験的に確認されている。
発生するリーク電流は、上部クラッド層１５と電流阻止
層１６との間の拡散電位と活性層１４とガイド層１３と
の間の拡散電位との差と、電流阻止層１６の抵抗とによ
って決定されるから、電流阻止！！Ｉ：ｌ１３のＰ型濃
度を５ Ｘ １０１５ｃｍ−３程度とすれば、十分にリ
ーク電流を低下しうるという副次効果もある。なお、正
孔濃度はｌ Ｘ １０１５ｃｓ＋−３程度まで低濃度に
することが望ましく、この程度まで低濃度にできること
は実験的に確認されている。
第２〜６図を参照しつ一１本発明の一実施例に係る Ｉ
ｎＧａＡｓＰレーザの製造工程を説明して、本発明の構
成と特有の効果とを明らかにする。
ｎＧａＡｓＰレーザの製造工程を説明して、本発明の構
成と特有の効果とを明らかにする。
第２図参照
基板１２の（Ｏｌ １）方向にホログラフィック露光法
を使用して回折格子２０を形成する。
を使用して回折格子２０を形成する。
第３図参照
液相成長法を使用して、以下に述べる半導体積層体を形
成する。成長開始温度は５８０℃程度である。
成する。成長開始温度は５８０℃程度である。
回折格子２０に、に万イド層１３を形成する。これは、
Ｃｄを１０１７ｃｍ−３程度の濃度に含有したｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層であり波長は １−２μ層であり１．厚
さは０．２μｍ程度である。
Ｃｄを１０１７ｃｍ−３程度の濃度に含有したｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層であり波長は １−２μ層であり１．厚
さは０．２μｍ程度である。
ガイドｆｉ１３ｆ：に活性層１４を形成する。これはア
ンインテンショナルドーブのｎ型 ＩｎＧａＡｓＰｆｉ
であり、波長は１．３４１であり厚さは０．１５１Ｌ厘
である。
ンインテンショナルドーブのｎ型 ＩｎＧａＡｓＰｆｉ
であり、波長は１．３４１であり厚さは０．１５１Ｌ厘
である。
活性層１４上に上部クラッド層Ｉ５を形成する。これは
、 ＳｎまたはＴｅを１０１１０１８ａ程度の潤度に含
有するｎ型 ＩｎＰ層であり、厚さはＩＩＬ層程度であ
る。
、 ＳｎまたはＴｅを１０１１０１８ａ程度の潤度に含
有するｎ型 ＩｎＰ層であり、厚さはＩＩＬ層程度であ
る。
上部クラッド層１５上に保護層２１を形成する。これは
、ｎ型不純物を５ Ｘ １０１８ｃ＋＋＋−３程度の高
濃度に含有するｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層であり、波長は１
．２μ厘であり、厚さは０，２μｍ程度である。
、ｎ型不純物を５ Ｘ １０１８ｃ＋＋＋−３程度の高
濃度に含有するｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層であり、波長は１
．２μ厘であり、厚さは０，２μｍ程度である。
第４図参照
（０１１）方向に、Ｓ ＋ ０２層２２を幅５＃Ｌ層程
度のストライプ状に堆積して、エツチング用マスクとす
る。
度のストライプ状に堆積して、エツチング用マスクとす
る。
このエツチング用マスク２２を介して、 ０．２％臭素
／メタノール液を使用してケミカルエツチングを施し、
保護層２１、上部クラッド層１５、活性層１４、ガイド
層１３．基板１２の表層を除去する。
／メタノール液を使用してケミカルエツチングを施し、
保護層２１、上部クラッド層１５、活性層１４、ガイド
層１３．基板１２の表層を除去する。
第５図参照
再び液相成長法を使用してＺｎ、 Ｃｄ、 Ｍｎ等のｐ
型不純物をも−て、 ５ Ｘ １０１５ｃｍ−”以下
望ましくはｌＸ １０１５ｃｍ−３以下の低濃度に補償
されたｐ−型ＩｎＰ層よりなる電流阻止層１６を形成す
る。
型不純物をも−て、 ５ Ｘ １０１５ｃｍ−”以下
望ましくはｌＸ １０１５ｃｍ−３以下の低濃度に補償
されたｐ−型ＩｎＰ層よりなる電流阻止層１６を形成す
る。
第６図参照
エツチング用マスク２２と保護層２１とをフッ硝酸等を
使用して除去し、電流阻止層１６上にＳ ｉｏ ２層等
の絶縁層１７を形成する。
使用して除去し、電流阻止層１６上にＳ ｉｏ ２層等
の絶縁層１７を形成する。
上部クラッド層１５上と絶縁層１７Ｊ：とにＡｕＳｎ合
金等よりなる負電極１９を形成する。
金等よりなる負電極１９を形成する。
基板■２の下面にＡａ／ Ｐｔ／ Ｔｉの三重層（Ｔｉ
が基板１２側）よりなる正電極Ｉ８を形成する。
が基板１２側）よりなる正電極Ｉ８を形成する。
第１（ａ）、（ｂ）図参照
活性層１４を含むストライプが光軸方向の中心になるよ
うに、およそ２５０用膳角に臂開・切断してギヤビティ
ー長２５０糾ｌの ＩｎＧａＡｓＰレーザを完成する。
うに、およそ２５０用膳角に臂開・切断してギヤビティ
ー長２５０糾ｌの ＩｎＧａＡｓＰレーザを完成する。
以北説明せるとおり１本発明に係る ＩｎＧａＡｓＰ半
導体レーザは、ストライプ領域上面に凹凸を有するｐ型
ＩｎＰを基板とし、下面に凹凸を有するＰ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ層をガイド層とし、ｎ型 ＩｎＧａＡｓＰ層を活
性層とし、ｎ型ＩｎＰ層を上部クラッド層とし、ストラ
イプ領域を挟んで５ Ｘ １０１５ｃ■−３以下望まし
くはｌ Ｘ １０１５ｃｍ−３以下の低濃度のＰ−型
ｂ＋Ｐ層より帰還型半導体レーザであり、電流阻止層は
厚さの薄い１層であり接合面積が極めて小さいので、接
合容量が小さく、レスポンスタイムが速くなり、数Ｇビ
ット／秒以丘の高速変調特性を有することができる。ま
た、上記〔作用〕の項にも述べたとおり、リーク電流も
小さくできるという副次的効果もある。
導体レーザは、ストライプ領域上面に凹凸を有するｐ型
ＩｎＰを基板とし、下面に凹凸を有するＰ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ層をガイド層とし、ｎ型 ＩｎＧａＡｓＰ層を活
性層とし、ｎ型ＩｎＰ層を上部クラッド層とし、ストラ
イプ領域を挟んで５ Ｘ １０１５ｃ■−３以下望まし
くはｌ Ｘ １０１５ｃｍ−３以下の低濃度のＰ−型
ｂ＋Ｐ層より帰還型半導体レーザであり、電流阻止層は
厚さの薄い１層であり接合面積が極めて小さいので、接
合容量が小さく、レスポンスタイムが速くなり、数Ｇビ
ット／秒以丘の高速変調特性を有することができる。ま
た、上記〔作用〕の項にも述べたとおり、リーク電流も
小さくできるという副次的効果もある。
第１ （ａ）図は１本発明の一実施例に係る半導体発光
装置をストライプ方向から見た図である。 第１ （ｂ）図は、本発明の一実施例に係る半導体発光
装置のＢ−Ｂ断面図である。 第２〜６図は１本発明の一実施例に係る半導体発光装置
（埋め込み型分布帰還型ＩｎＧａＡｇＰレーザ）の主要
製造工程完了後の断面図である。 第７図は、従来技術に係る埋め込み型分布帰還型半導体
レーザの１例の、光軸方向から見た図である。 第８図は、従来技術に係る埋め込み型分布帰還型半導体
レーザの１例のＡ−Ａ断面図である。 ｌ・・・基板、 ２・・・ガイド層、 ３・・・活性層
、 ４・・・北部クラッド層、 ５・・−キャップ
層、 ６．７．８・・・電流阻止層。 ９・・・絶縁層、 １０−・・正電極、 １１・・・負
電極、 １２・・・基板、 １３・ ・ ・ ガイ
ド層、 １４−・・活性層、 １５・・参辷部クラッ
ド層、 １８・・・電流阻止層、 １７・・・絶縁層
、１８・・・正電極、 １９・−争負電極、 ２ｏ−ψ
・回折格子、２１・・・保護層、 ２２１１・−エッチ
本発明のレーザ馳血図 第１（Ｑ）ｙ！Ｊ ４１′発明のレーザのＢ−Ｂｌ！Ｉ而図第面（ｂ）図 玉 程 肉 工程図 第６図
装置をストライプ方向から見た図である。 第１ （ｂ）図は、本発明の一実施例に係る半導体発光
装置のＢ−Ｂ断面図である。 第２〜６図は１本発明の一実施例に係る半導体発光装置
（埋め込み型分布帰還型ＩｎＧａＡｇＰレーザ）の主要
製造工程完了後の断面図である。 第７図は、従来技術に係る埋め込み型分布帰還型半導体
レーザの１例の、光軸方向から見た図である。 第８図は、従来技術に係る埋め込み型分布帰還型半導体
レーザの１例のＡ−Ａ断面図である。 ｌ・・・基板、 ２・・・ガイド層、 ３・・・活性層
、 ４・・・北部クラッド層、 ５・・−キャップ
層、 ６．７．８・・・電流阻止層。 ９・・・絶縁層、 １０−・・正電極、 １１・・・負
電極、 １２・・・基板、 １３・ ・ ・ ガイ
ド層、 １４−・・活性層、 １５・・参辷部クラッ
ド層、 １８・・・電流阻止層、 １７・・・絶縁層
、１８・・・正電極、 １９・−争負電極、 ２ｏ−ψ
・回折格子、２１・・・保護層、 ２２１１・−エッチ
本発明のレーザ馳血図 第１（Ｑ）ｙ！Ｊ ４１′発明のレーザのＢ−Ｂｌ！Ｉ而図第面（ｂ）図 玉 程 肉 工程図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｐ型ＩｎＰよりなる基板（１２）上の光軸にそって延
在するストライプ領域にｐ型ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）層より
なるガイド層（１３）が設けられ、 該ガイド層（１３）上にｎ型ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）層より
なる活性層（１４）が設けられ、 該活性層（１４）上にｎ型ＩｎＰ層よりなる上部クラッ
ド層（１５）が設けられ、 前記ストライプ領域を挟み前記ガイド層（１３）と前記
活性層（１４）と前記上部クラッド層（１５）とに接し
て、低濃度のｐ＾−型ＩｎＰ層よりなる電流阻止層（１
６）が設けられ、 該電流阻止層（１６）上に絶縁層（１７）が設けられて
なることを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4872285A JPS61207090A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4872285A JPS61207090A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207090A true JPS61207090A (ja) | 1986-09-13 |
Family
ID=12811185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4872285A Pending JPS61207090A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61207090A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63124592A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Nec Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| EP0275209A2 (en) * | 1987-01-16 | 1988-07-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semi conductor laser device |
| US4860299A (en) * | 1987-05-19 | 1989-08-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US4862470A (en) * | 1987-04-28 | 1989-08-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US4887274A (en) * | 1986-12-15 | 1989-12-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Deterioration-resistant superlattice semiconductor laser device |
| US4894836A (en) * | 1987-02-24 | 1990-01-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| US4907239A (en) * | 1986-12-15 | 1990-03-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
-
1985
- 1985-03-12 JP JP4872285A patent/JPS61207090A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63124592A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Nec Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH0587157B2 (ja) * | 1986-11-14 | 1993-12-15 | Nippon Electric Co | |
| US4887274A (en) * | 1986-12-15 | 1989-12-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Deterioration-resistant superlattice semiconductor laser device |
| US4907239A (en) * | 1986-12-15 | 1990-03-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| EP0275209A2 (en) * | 1987-01-16 | 1988-07-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semi conductor laser device |
| US4862472A (en) * | 1987-01-16 | 1989-08-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US4894836A (en) * | 1987-02-24 | 1990-01-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| US4862470A (en) * | 1987-04-28 | 1989-08-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US4860299A (en) * | 1987-05-19 | 1989-08-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61160987A (ja) | 集積型半導体光素子とその製造方法 | |
| JPS61207090A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH01164077A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| KR19980058397A (ko) | Rwg 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| JPH059951B2 (ja) | ||
| JPH05160506A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPS61242091A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS61259593A (ja) | 分布反射型半導体レ−ザ | |
| JPS6361793B2 (ja) | ||
| JPS6057990A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2566985B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS596588A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH0983077A (ja) | 半導体光装置 | |
| JPS63177485A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS61125099A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JPS62244167A (ja) | 光，電子半導体集積回路 | |
| JPS6354234B2 (ja) | ||
| JPS5882589A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS62217690A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JPH0377675B2 (ja) | ||
| JPS61214494A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JPS641073B2 (ja) | ||
| JPS61102085A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザの製造方法 | |
| JP2000147443A (ja) | 半導体光変調器の作製方法 | |
| JPS63287080A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 |