JPS61214494A - 半導体レ−ザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザおよびその製造方法Info
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- JPS61214494A JPS61214494A JP5538185A JP5538185A JPS61214494A JP S61214494 A JPS61214494 A JP S61214494A JP 5538185 A JP5538185 A JP 5538185A JP 5538185 A JP5538185 A JP 5538185A JP S61214494 A JPS61214494 A JP S61214494A
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- type semiconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
基板上にある発光領域の両側部に帯状の溝を形成し溝の
内部および二つの溝の外側をブロック層で埋込んでなる
製造歩留りの良い半導体レーザにおいて、 二つの溝の外側の基板とブロック層との間に漏洩電流に
対して逆方向のＰ −Ｎ接合を形成する半導体層を介在
させることにより、 漏洩電流を低減させ発振しきい値電流の低減を図ったも
のである。
内部および二つの溝の外側をブロック層で埋込んでなる
製造歩留りの良い半導体レーザにおいて、 二つの溝の外側の基板とブロック層との間に漏洩電流に
対して逆方向のＰ −Ｎ接合を形成する半導体層を介在
させることにより、 漏洩電流を低減させ発振しきい値電流の低減を図ったも
のである。
本発明は、半導体Ｌ−ザおよびその製造方法に関す。
半導体レーザは、光を媒体にして多量の情報を扱う光通
信や情報処理の光信号源として多用されるようになって
きた。
信や情報処理の光信号源として多用されるようになって
きた。
このように使用される半導体レーザは、しきい値電流が
小さく効率が高く然も製造歩留りが良いものであること
が望まれる。
小さく効率が高く然も製造歩留りが良いものであること
が望まれる。
従来の低しきい値電流、高効率の半導体レーザの代表的
なものとして、第３図の側断面図に構成を示した埋込型
半導体レーザがある。
なものとして、第３図の側断面図に構成を示した埋込型
半導体レーザがある。
同図において、ｌはｎ型インジウム＊（ＩｎＰ）の基板
、２はｎ型１ｎＰのクラッド層、３はインジウムガリウ
ム砒素燐（ＩｎＧａＡｓＰ）の活性層、４はｐ型ＩｎＰ
のクラッド層、５はｐ＋型１ｎＧａＡｓＰのコンタクト
層、６と７はそれぞれｐ型ＩｎＰとｎ型１ｎＰのプロ・
ツク層、８と９はそれぞれ金属の電極である。
、２はｎ型１ｎＰのクラッド層、３はインジウムガリウ
ム砒素燐（ＩｎＧａＡｓＰ）の活性層、４はｐ型ＩｎＰ
のクラッド層、５はｐ＋型１ｎＧａＡｓＰのコンタクト
層、６と７はそれぞれｐ型ＩｎＰとｎ型１ｎＰのプロ・
ツク層、８と９はそれぞれ金属の電極である。
この半導体レーザは、活性層３がダブルへテロ接合をな
しており、電極８と９との間に電極８を正にした電流を
通ずると、ブロック層７と６とのＰ−Ｎ接合で電流が阻
止され、また活性層３領域の立ち上がり電圧がブロック
層６のクラッド層２および基板１との接合の立ち上がり
電圧より小さいことから、活性層３領域は電流が集中し
て発光領域となり、低しきい値電流、高効率でレーザ光
を出射する。
しており、電極８と９との間に電極８を正にした電流を
通ずると、ブロック層７と６とのＰ−Ｎ接合で電流が阻
止され、また活性層３領域の立ち上がり電圧がブロック
層６のクラッド層２および基板１との接合の立ち上がり
電圧より小さいことから、活性層３領域は電流が集中し
て発光領域となり、低しきい値電流、高効率でレーザ光
を出射する。
しかしながらこの半導体レーザは、その製造において、
クラッド層２、活性層３、クラッド層４、コンタクト層
５からなる帯状のメサをエツチングで形成（所謂メサス
トライプ形成）した後にブロック層６．７を埋込み成長
するため、埋込み成長の面が下がって広いため、ブロッ
ク層６に未成長部分が発生して電流の異常漏洩の原因に
なる欠点があって製造歩留りが悪く、その上成長後の表
面が平面にならないため電極８の形成後のパッケージへ
の取付けに不具合である欠点がある。
クラッド層２、活性層３、クラッド層４、コンタクト層
５からなる帯状のメサをエツチングで形成（所謂メサス
トライプ形成）した後にブロック層６．７を埋込み成長
するため、埋込み成長の面が下がって広いため、ブロッ
ク層６に未成長部分が発生して電流の異常漏洩の原因に
なる欠点があって製造歩留りが悪く、その上成長後の表
面が平面にならないため電極８の形成後のパッケージへ
の取付けに不具合である欠点がある。
これらの欠点を改良するものとして、第４図の側断面図
で構成を示した半導体レーザが提案されている（例えば
、公開特許公報、昭５８−８５５８４）。
で構成を示した半導体レーザが提案されている（例えば
、公開特許公報、昭５８−８５５８４）。
同図において、１１はｎ型１ｎＰの基板、１２はｎ型Ｉ
ｎＰのクラッド層、１３はＩｎＧａＡｓＰの活性層、１
４はｐ型ＩｎＰのクラッド層、１４ａはｎ型１ｎＰのバ
ッファ層、１５はｐ＋型１ｎＧａＡｓＰのコンタクト層
、１６と１７はそれぞれｎ型１ｎＰとｎ型１ｎＰのブロ
ック層、１８と１９はそれぞれ金属の電極、２０はメサ
ストライプ、２１と２２は溝である。ここで、第３図図
示に対応する対象物の符号は、第３図図示の符号にｌＯ
を加えた符号にしである。
ｎＰのクラッド層、１３はＩｎＧａＡｓＰの活性層、１
４はｐ型ＩｎＰのクラッド層、１４ａはｎ型１ｎＰのバ
ッファ層、１５はｐ＋型１ｎＧａＡｓＰのコンタクト層
、１６と１７はそれぞれｎ型１ｎＰとｎ型１ｎＰのブロ
ック層、１８と１９はそれぞれ金属の電極、２０はメサ
ストライプ、２１と２２は溝である。ここで、第３図図
示に対応する対象物の符号は、第３図図示の符号にｌＯ
を加えた符号にしである。
この半導体レーザは、電流がブロック層１６と１７との
接合で阻止されメサストライプ２０が発光領域となって
レーザ光を出射する。そして、メサストライプ２０の両
側に溝２１と２２とがあってその外側がメサストライプ
２０と同じ高さであるため、ブロック層１６．１７の埋
込み成長が第３図図示の場合より良好になり製造歩留り
が向上する。また、電極１８が略平面に形成されてパン
ケージへの取付けにも具合が良い。
接合で阻止されメサストライプ２０が発光領域となって
レーザ光を出射する。そして、メサストライプ２０の両
側に溝２１と２２とがあってその外側がメサストライプ
２０と同じ高さであるため、ブロック層１６．１７の埋
込み成長が第３図図示の場合より良好になり製造歩留り
が向上する。また、電極１８が略平面に形成されてパン
ケージへの取付けにも具合が良い。
［発明が解決しようとする問題点〕 。
しかしながら製造歩留りの良いこの半導体レーザは、溝
２１と２２との外側に活性層１３があってその領域の立
ち上がり電圧がメサストライプ２０領域と同一になり、
第４図図示ａで示す漏洩電流が生じて第３図図示半導体
レーザよりしきい値電流が上昇すると言う問題がある。
２１と２２との外側に活性層１３があってその領域の立
ち上がり電圧がメサストライプ２０領域と同一になり、
第４図図示ａで示す漏洩電流が生じて第３図図示半導体
レーザよりしきい値電流が上昇すると言う問題がある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、本発明の要旨を示す第１図の側断面図に
示すような、一導電型半導体の基板１１上にあって活性
層１３を含み平行する二つの溝２１．２２に挟まれて帯
状をなす半導体多層メサストライプ２０と、溝２１．２
２の内面に接し二つの溝２１．２２の外側に延在する逆
導電型の第一のブロック層１６と、第一のブロック層上
に接する一導電型の第二のブロック層１７とを有し、且
つ二つのａ２１．２２の外側における基板１１と第一の
ブロック層１６との間に逆導電型半導体層１４と一導電
型半導体層２４が逆導電型半導体層１４を基板１１側に
して介在する半導体レーザによって解決され、 また、一導電型半導体の基板１１上に少なくとも活性層
１３と逆導電型半導体層１４と一導電型半導体層２４と
をその順序になるように重ねて形成する工程と、一導電
型半導体層２４を除去して逆導電型半導体層１４を帯状
に表出させる工程と、帯伏表出部の両側部のそれぞれに
帯状の溝２１．２２を形成する工程と、溝２１．２２の
内面および二つの溝２１．２２の外側の面に連通して接
して逆導電型半導体の第一のブロック層１６を形成する
工程と、第一のブロック層に接して一導電型半導体の第
二のブロック層１７を形成する工程とを含む製造方法に
よって解決される。
示すような、一導電型半導体の基板１１上にあって活性
層１３を含み平行する二つの溝２１．２２に挟まれて帯
状をなす半導体多層メサストライプ２０と、溝２１．２
２の内面に接し二つの溝２１．２２の外側に延在する逆
導電型の第一のブロック層１６と、第一のブロック層上
に接する一導電型の第二のブロック層１７とを有し、且
つ二つのａ２１．２２の外側における基板１１と第一の
ブロック層１６との間に逆導電型半導体層１４と一導電
型半導体層２４が逆導電型半導体層１４を基板１１側に
して介在する半導体レーザによって解決され、 また、一導電型半導体の基板１１上に少なくとも活性層
１３と逆導電型半導体層１４と一導電型半導体層２４と
をその順序になるように重ねて形成する工程と、一導電
型半導体層２４を除去して逆導電型半導体層１４を帯状
に表出させる工程と、帯伏表出部の両側部のそれぞれに
帯状の溝２１．２２を形成する工程と、溝２１．２２の
内面および二つの溝２１．２２の外側の面に連通して接
して逆導電型半導体の第一のブロック層１６を形成する
工程と、第一のブロック層に接して一導電型半導体の第
二のブロック層１７を形成する工程とを含む製造方法に
よって解決される。
第４図図示半導体レーザの漏洩電流ａが大きいのは、先
に説明したように溝２１と２２との外側が活性層１３の
存在により電流阻止機能を失うことにあった。
に説明したように溝２１と２２との外側が活性層１３の
存在により電流阻止機能を失うことにあった。
これに対し、第１図図示の構成は溝２１と２２との外側
に基板１１と同一導電型の一導電型半導体層２４が付加
されて逆導電型半導体層１４（この層はメサストライプ
２０部分でクラッド層として機能している）と上記漏洩
電流に対して逆方向のＰ−Ｎ接合を形成するので、バッ
ファ層１４ａからクラッド層１４を通って第一のブロッ
ク層１６に入り基板１１に抜ける該漏洩電流は、その通
路が逆導電型半導体層１４の側面のみに制限されて活性
層１３の存在にかかわらず第４図図示の場合より大幅に
低減する。
に基板１１と同一導電型の一導電型半導体層２４が付加
されて逆導電型半導体層１４（この層はメサストライプ
２０部分でクラッド層として機能している）と上記漏洩
電流に対して逆方向のＰ−Ｎ接合を形成するので、バッ
ファ層１４ａからクラッド層１４を通って第一のブロッ
ク層１６に入り基板１１に抜ける該漏洩電流は、その通
路が逆導電型半導体層１４の側面のみに制限されて活性
層１３の存在にかかわらず第４図図示の場合より大幅に
低減する。
そしてこの構成をなす半導体レーザは、上記製造方法、
即ち、バッファ層１６．１７の形成を第４図図示半導体
レーザの場合の特徴を生かした製造方法によって歩留り
良く製造することが可能である。
即ち、バッファ層１６．１７の形成を第４図図示半導体
レーザの場合の特徴を生かした製造方法によって歩留り
良く製造することが可能である。
かくして、製造歩留りが良く然も低しきい値電流、高効
率の半導体レーザを提供することが可能になる。
率の半導体レーザを提供することが可能になる。
以下本発明による半導体レーザの実施例についてその構
成と製造手順を示す第２図（ａ）〜（ｆ）の工程順側断
面図により説明する。
成と製造手順を示す第２図（ａ）〜（ｆ）の工程順側断
面図により説明する。
構成は図ｆｆｌに示すように、第４図図示構成のクラッ
ド層１４とブロック１６との間にｎ型１ｎＧａＡｓＰの
エツチングストッパ層２３とｎ型■ｎＰの一導電型半導
体層２４が付加されており、基板１１、クラッド層１２
、活性層１３、クラッド層１４（第１図図示の逆導電型
半導体層１４）、バッファＪ’５１４ａ、コンタクト層
１５、ブロック層１６．１７、電極１８．１９、メサス
トライプ２０、ｉ２１．２２、は第４図図示と変わらな
い。
ド層１４とブロック１６との間にｎ型１ｎＧａＡｓＰの
エツチングストッパ層２３とｎ型■ｎＰの一導電型半導
体層２４が付加されており、基板１１、クラッド層１２
、活性層１３、クラッド層１４（第１図図示の逆導電型
半導体層１４）、バッファＪ’５１４ａ、コンタクト層
１５、ブロック層１６．１７、電極１８．１９、メサス
トライプ２０、ｉ２１．２２、は第４図図示と変わらな
い。
この構成は、第１図図示に比べて、クラッド層１４（第
１図図示の逆導電型半導体層１４）と一導電型半導体層
２４との間にエツチングストッパ層２３が余分に存在す
るが、これは後程説明する製造の都合により追加された
もので、クラッド層１４と一導電型半導体層２４とで形
成する先に説明した所望のＰ−Ｎ接合は問題なく確保さ
れる。
１図図示の逆導電型半導体層１４）と一導電型半導体層
２４との間にエツチングストッパ層２３が余分に存在す
るが、これは後程説明する製造の都合により追加された
もので、クラッド層１４と一導電型半導体層２４とで形
成する先に説明した所望のＰ−Ｎ接合は問題なく確保さ
れる。
この半導体レーザの製造手順は以下の如くである。
即ち〔図（ａｌ参照） 、（１００）面の基板１１上ニ
、厚さ約２μｍのクラッドｊｉｉｆ１２、厚さ約０．２
μｍの活性層１３、厚さ約０．２μｍのクラッド層１４
、厚さ約０．２μｍのエツチングストッパＮ２３、厚さ
約０．６μｍの一導電型半導体層１４をその順に液相成
長法により成長させる。成長温度は約６００℃で、各々
の成長メルトの組成は、それぞれ、インジウム（Ｉｎ）
：ＩｎＰ ：錫（Ｓｎ） ＝ １ ｇ ： ５．５
ｍｇ ： ３０ｍｇ、 Ｉｎ ：インジウム砒素（Ｉｎ
Ａｓ） ：ガリウム砒素（ＧａＡｓ） ： ＩｎＰ
＝ １ ｇ ：４４．３＋＋＋ｇ： ９．２
ｍｇ： Ｌ５＋＋＋ｇ、 ｌｎ： ＩｎＰ
：カドミウム（Ｃｄ） ＝ １ ｇ ： ５．５ｍ
ｇ ： ３０ｍｇ、 Ｉｎ ： ＩｎＡｓ：ＧａＡｓ：
ＩｎＰ ：Ｓｎ＝ １ ｇ ：４４．３
ｍｇ： ９．２ｍｇ： １．５ｍｇ：３０ｍｇ
、 Ｉｎ：ＩｎＰ ：Ｓｎ＝ １ ｇ ： ５．５
ｍｇ：３０ｍｇ。
、厚さ約２μｍのクラッドｊｉｉｆ１２、厚さ約０．２
μｍの活性層１３、厚さ約０．２μｍのクラッド層１４
、厚さ約０．２μｍのエツチングストッパＮ２３、厚さ
約０．６μｍの一導電型半導体層１４をその順に液相成
長法により成長させる。成長温度は約６００℃で、各々
の成長メルトの組成は、それぞれ、インジウム（Ｉｎ）
：ＩｎＰ ：錫（Ｓｎ） ＝ １ ｇ ： ５．５
ｍｇ ： ３０ｍｇ、 Ｉｎ ：インジウム砒素（Ｉｎ
Ａｓ） ：ガリウム砒素（ＧａＡｓ） ： ＩｎＰ
＝ １ ｇ ：４４．３＋＋＋ｇ： ９．２
ｍｇ： Ｌ５＋＋＋ｇ、 ｌｎ： ＩｎＰ
：カドミウム（Ｃｄ） ＝ １ ｇ ： ５．５ｍ
ｇ ： ３０ｍｇ、 Ｉｎ ： ＩｎＡｓ：ＧａＡｓ：
ＩｎＰ ：Ｓｎ＝ １ ｇ ：４４．３
ｍｇ： ９．２ｍｇ： １．５ｍｇ：３０ｍｇ
、 Ｉｎ：ＩｎＰ ：Ｓｎ＝ １ ｇ ： ５．５
ｍｇ：３０ｍｇ。
である。
次いで〔図（ｂ）参照〕、一導電型半導体層２４上く０
１１〉方向に幅約５μｍの帯状窓を有する二酸化シリコ
ン（Ｓｉ０２）マスク２５を形成し、これをマスクにし
て、一導電型半導体層２４と工、チンゲストツバ層２３
とをそれぞれエツチングスト、７パ層２３とクラッド層
１４をエツチングストッパにした選択的エツチングによ
りエツチングして帯状の溝２６を形成しクラッド層１４
を表出させる。この際のエツチング液は、それぞれ、塩
酸（ＩＩｃＩ） ：燐酸（ｌＩ３Ｐ０４）〒３：ｌ、
硫酸（Ｈｚ ＳＯａ ） ：過酸化水素水（１１２０
２）：水（Ｈ２０）＝９０： ５ ： ５、の混合液で
良い。
１１〉方向に幅約５μｍの帯状窓を有する二酸化シリコ
ン（Ｓｉ０２）マスク２５を形成し、これをマスクにし
て、一導電型半導体層２４と工、チンゲストツバ層２３
とをそれぞれエツチングスト、７パ層２３とクラッド層
１４をエツチングストッパにした選択的エツチングによ
りエツチングして帯状の溝２６を形成しクラッド層１４
を表出させる。この際のエツチング液は、それぞれ、塩
酸（ＩＩｃＩ） ：燐酸（ｌＩ３Ｐ０４）〒３：ｌ、
硫酸（Ｈｚ ＳＯａ ） ：過酸化水素水（１１２０
２）：水（Ｈ２０）＝９０： ５ ： ５、の混合液で
良い。
次いで〔図（Ｃ１参照〕、マスク２５を弗酸（ＩＩＦ）
で除去した後、再び２７で示す５ｉ０２マスクを形成す
る。
で除去した後、再び２７で示す５ｉ０２マスクを形成す
る。
このマスク２７は、溝２６が中心になる幅約８μｍの帯
状窓を有して一導電型半導体層２４を覆い、更に、溝２
６の幅の中央部を約２μｍの幅でクラッド層１４を覆う
ようにする。
状窓を有して一導電型半導体層２４を覆い、更に、溝２
６の幅の中央部を約２μｍの幅でクラッド層１４を覆う
ようにする。
次いで〔図（ｄ）参照〕、マスク２７をマスクにしブロ
ムメタノール（ＢｒとＣＨ３０Ｈとの混合液）でエツチ
ングして、クラツド層１４上面からの深さが約１゜５μ
ｍの溝２１．２２を形成する。さすれば、幅約２μ−の
活性層１３を有するメサストライプ２０が形成される。
ムメタノール（ＢｒとＣＨ３０Ｈとの混合液）でエツチ
ングして、クラツド層１４上面からの深さが約１゜５μ
ｍの溝２１．２２を形成する。さすれば、幅約２μ−の
活性層１３を有するメサストライプ２０が形成される。
次いで〔図（ｅ）参照〕、マスク２７の中のメサストラ
イプ２０を覆っている部分を残してｎ型１ｎＰ層２４を
覆っている部分を除去した後、一導電型半導体層２４上
の厚さがそれぞれ約１μｍ、０．５μｍになるようにブ
ロック層１６と１７とをその順に液相成長法により成長
させる。成長温度は約６００℃で、各々の成長メルトの
組成は、それぞれ、Ｉｎ：ＩｎＰ：Ｃｄ＝ ｌ ｇ ：
５．１ｍｇ：３０ｍｇ、 Ｉｎ： ＩｎＰ ：Ｓ
ｎ＝ １ ｇ ：５．１ ｍｇ ： ３０ｍｇ、である
。
イプ２０を覆っている部分を残してｎ型１ｎＰ層２４を
覆っている部分を除去した後、一導電型半導体層２４上
の厚さがそれぞれ約１μｍ、０．５μｍになるようにブ
ロック層１６と１７とをその順に液相成長法により成長
させる。成長温度は約６００℃で、各々の成長メルトの
組成は、それぞれ、Ｉｎ：ＩｎＰ：Ｃｄ＝ ｌ ｇ ：
５．１ｍｇ：３０ｍｇ、 Ｉｎ： ＩｎＰ ：Ｓ
ｎ＝ １ ｇ ：５．１ ｍｇ ： ３０ｍｇ、である
。
次いで〔図（ｆ）参照〕、先に残したメサストライプ２
０上のマスク２７を除去した後、一導電型半導体層２４
領域上の厚さがそれぞれ約２μ信、０．５μｍになるよ
うにバッファ層１４ａとコンタクト層１５とをその順に
液相成長法により成長させる。成長温度は約６００℃で
、各々の成長メルトの組成は、それぞれ、Ｉｎ： Ｉｎ
Ｐ ：Ｃｄ＝ １ ｇ ： ５．５ｎ＋ｇ：３０ｍｇ、
ｉｎ： ＩｎＡｓ ： ＧａＡｓ ： ＩｎＰ ：
亜鉛（Ｚｎ） −１ｇ ： ４４．３ｍｇ ：９．２ｍ
ｇ ： １．５ｍｇ ： ０．２５ｍｇ、である。
０上のマスク２７を除去した後、一導電型半導体層２４
領域上の厚さがそれぞれ約２μ信、０．５μｍになるよ
うにバッファ層１４ａとコンタクト層１５とをその順に
液相成長法により成長させる。成長温度は約６００℃で
、各々の成長メルトの組成は、それぞれ、Ｉｎ： Ｉｎ
Ｐ ：Ｃｄ＝ １ ｇ ： ５．５ｎ＋ｇ：３０ｍｇ、
ｉｎ： ＩｎＡｓ ： ＧａＡｓ ： ＩｎＰ ：
亜鉛（Ｚｎ） −１ｇ ： ４４．３ｍｇ ：９．２ｍ
ｇ ： １．５ｍｇ ： ０．２５ｍｇ、である。
更に、オーミック接合する全屈の電極１８と１９とを形
成し、共振長（メサストライプ２０の長さ）を３００μ
ｍにして臂開し、所望の半導体レーザを完成する。
成し、共振長（メサストライプ２０の長さ）を３００μ
ｍにして臂開し、所望の半導体レーザを完成する。
かく製造された半導体レーザは、しきい値電流が約１５
ｍＡ、効率が約０．３ｍＷ／ｍＡと言う高性能を示し、
然も製造歩留りが第′４図図示の半導体レーザと同等に
良かった。
ｍＡ、効率が約０．３ｍＷ／ｍＡと言う高性能を示し、
然も製造歩留りが第′４図図示の半導体レーザと同等に
良かった。
ちなみに、本半導体レーザと性能を比較するように製造
した第３図および第４図図示の半導体レーザの特性は、
それぞれ、しきい値電流が約１５ｍＡおよび約２０ｍＡ
、効率が約０．３ｍＷ／ｍＡおよび約０．３ｍＷ／ｍ
八である。
した第３図および第４図図示の半導体レーザの特性は、
それぞれ、しきい値電流が約１５ｍＡおよび約２０ｍＡ
、効率が約０．３ｍＷ／ｍＡおよび約０．３ｍＷ／ｍ
八である。
以上説明したように、本発明の構成によれば、製造歩留
りが良く然も低しきい値電流、高効率である半導体レー
ザが提供出来て、光信号源として優れた半導体レーザの
提供を容易にさせる効果がある。
りが良く然も低しきい値電流、高効率である半導体レー
ザが提供出来て、光信号源として優れた半導体レーザの
提供を容易にさせる効果がある。
第１図は本発明の要旨を示す側断面図、第２図（ａｌ〜
（ｆ）は本発明による半導体レーザの実施例の構成とそ
の製造手順を示す工程 順側断面図、 第３図は従来の代表的半導体レーザの構成を示す側断面
図、 第４図はそれを改良した半導体レーザの構成を示す側断
面図である。 第１図〜第４図において、 １．１１は一導電型の基板、 ２．１２は一導電型のクラッド層、 ３．１３は活性層、 ４は逆導電型のクラッド層、 １４は逆導電型のクラッド層（逆導電型半導体層）、１
４ａは逆導電型のバッファ層、 ５．１５は逆導電型のコンタクｌ一層、６．１６は逆導
電型のブロック層、 ７．１７は一導電型のブロック層、 ８．１８．９．１９は電極、 ２０はメサストライプ、 ２１．２２は溝、 ２３ハ工ツチングストソパ層、 ２４は一導電型半導体層、 ２５．２７はマスク、 ａは漏洩電流、である。 ボに月３軸去ホ■側釘雨口 ＄１ 日
（ｆ）は本発明による半導体レーザの実施例の構成とそ
の製造手順を示す工程 順側断面図、 第３図は従来の代表的半導体レーザの構成を示す側断面
図、 第４図はそれを改良した半導体レーザの構成を示す側断
面図である。 第１図〜第４図において、 １．１１は一導電型の基板、 ２．１２は一導電型のクラッド層、 ３．１３は活性層、 ４は逆導電型のクラッド層、 １４は逆導電型のクラッド層（逆導電型半導体層）、１
４ａは逆導電型のバッファ層、 ５．１５は逆導電型のコンタクｌ一層、６．１６は逆導
電型のブロック層、 ７．１７は一導電型のブロック層、 ８．１８．９．１９は電極、 ２０はメサストライプ、 ２１．２２は溝、 ２３ハ工ツチングストソパ層、 ２４は一導電型半導体層、 ２５．２７はマスク、 ａは漏洩電流、である。 ボに月３軸去ホ■側釘雨口 ＄１ 日
Claims (2)
- （１）一導電型半導体の基板（１１）上にあって活性層
（１３）を含み平行する二つの溝（２１、２２）に挟ま
れて帯状をなす半導体多層メサストライプ（２０）と、
該溝（２１、２２）の内面に接し二つの該溝（２１、２
２）の外側に延在する逆導電型の第一のブロック層（１
６）と、 該第一のブロック層（１６）上に接する一導電型の第二
のブロック層（１７）とを有し、 且つ該二つの溝（２１、２２）の外側における該基板（
１１）と該第一のブロック層（１６）との間に逆導電型
半導体層（１４）と一導電型半導体層（２４）が該逆導
電型半導体層（１４）を該基板（１１）側にして介在す
ることを特徴とする半導体レーザ。 - （２）一導電型半導体の基板（１１）上に少なくとも活
性層（１３）と逆導電型半導体層（１４）と一導電型半
導体層（２４）とをその順序になるように重ねて形成す
る工程と、 該一導電型半導体層（２４）を除去して該逆導電型半導
体層（１４）を帯状に表出させる工程と、該帯状表出部
の両側部のそれぞれに帯状の溝（２１、２２）を形成す
る工程と、 該溝（２１、２２）の内面および二つの該溝（２１、２
２）の外側の面に連通して接して逆導電型半導体の第一
のブロック層（１６）を形成する工程と、該第一のブロ
ック層に接して一導電型半導体の第二のブロック層（１
７）を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レ
ーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5538185A JPS61214494A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5538185A JPS61214494A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61214494A true JPS61214494A (ja) | 1986-09-24 |
Family
ID=12996912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5538185A Pending JPS61214494A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61214494A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013110346A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP5538185A patent/JPS61214494A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013110346A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
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