JPS5864086A - 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ - Google Patents
埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS5864086A JPS5864086A JP16302081A JP16302081A JPS5864086A JP S5864086 A JPS5864086 A JP S5864086A JP 16302081 A JP16302081 A JP 16302081A JP 16302081 A JP16302081 A JP 16302081A JP S5864086 A JPS5864086 A JP S5864086A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mesa
- stripe
- active layer
- buried
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は活性層の周囲をよりエネルギーギャップが大き
く、屈折率が小さな半導体材料でおおわれた纏め込みへ
テロ構造半導体レーザに関する。
く、屈折率が小さな半導体材料でおおわれた纏め込みへ
テロ構造半導体レーザに関する。
厘め込みへテロ構造半導体レーザ（以下ＢＨ−ＬＤと略
す、）は低い発振しきい値電流、安定化された発振横モ
ード、高温動作可能などの優れた特性を有している光め
光フアイバ通信用光源として注目を集めている０本発明
者らは特願昭５５−１２３２６１号に示した様に、活性
層を含むメサストライプ以外で確実に電流プロ、り層が
形成でき、したがって温度特性にすぐれ、製作歩留りの
向上したＩｎ−ＧａＡｓＰ ＢＨ−ＬＤｔ−発明しり、
シかしながらコノ構造のＢＨ−ＬＤではエツチングして
形成され九メサストライプがウェファ全体に対して小さ
ま突起物となっている九め、メサエッチング後の基板処
理、あるいはそれにつづく埋め込み成長過程において機
械的なダメージを受けやすく、歩留りの低減をまねいて
いた。
す、）は低い発振しきい値電流、安定化された発振横モ
ード、高温動作可能などの優れた特性を有している光め
光フアイバ通信用光源として注目を集めている０本発明
者らは特願昭５５−１２３２６１号に示した様に、活性
層を含むメサストライプ以外で確実に電流プロ、り層が
形成でき、したがって温度特性にすぐれ、製作歩留りの
向上したＩｎ−ＧａＡｓＰ ＢＨ−ＬＤｔ−発明しり、
シかしながらコノ構造のＢＨ−ＬＤではエツチングして
形成され九メサストライプがウェファ全体に対して小さ
ま突起物となっている九め、メサエッチング後の基板処
理、あるいはそれにつづく埋め込み成長過程において機
械的なダメージを受けやすく、歩留りの低減をまねいて
いた。
本発明の目的は上記の欠点を除去すべく、発光再結合す
るＩｎＧａＡｓＰ 活性層をふくむメサストライプを
機械的なダメージから防ぎ、製作歩留りのよいＢＨ−Ｌ
Ｄ ｔ−提供することにある。
るＩｎＧａＡｓＰ 活性層をふくむメサストライプを
機械的なダメージから防ぎ、製作歩留りのよいＢＨ−Ｌ
Ｄ ｔ−提供することにある。
本発明によればｇｉ導電型牛導体基板上に少くとも活性
層を含む半導体多層膜を成長させた多層膜構造半導体ウ
ェファを活性層よりも深くメナエ、チングして、メサス
トライプを形成してなる埋め込みへテロ構造半導体レー
ザにおいて、発光再結合する活性層を含む第１のメサス
トライプの両側に活性層を含み、第１０メサストライプ
にほぼ平行に形成され九メサストライプを少＜と４１）
ずつ有しており、第１のメサストライプの上面のみを除
いて第２導電型半導体電流プロ、り層、第１導電型半導
体電流ブロック層が積層され、さらに第２導電型牛導体
埋め込み層が全面にわ九つて積層されてなることを特徴
とする埋め込みへテロ構造半導体レーザが得られる。
層を含む半導体多層膜を成長させた多層膜構造半導体ウ
ェファを活性層よりも深くメナエ、チングして、メサス
トライプを形成してなる埋め込みへテロ構造半導体レー
ザにおいて、発光再結合する活性層を含む第１のメサス
トライプの両側に活性層を含み、第１０メサストライプ
にほぼ平行に形成され九メサストライプを少＜と４１）
ずつ有しており、第１のメサストライプの上面のみを除
いて第２導電型半導体電流プロ、り層、第１導電型半導
体電流ブロック層が積層され、さらに第２導電型牛導体
埋め込み層が全面にわ九つて積層されてなることを特徴
とする埋め込みへテロ構造半導体レーザが得られる。
実施例を説明するまえに従来例と本発明によるＢＨ−Ｌ
Ｄのメサ構造の違いを簡単に説明する。第１図は従来例
の特願昭５５−１２３２６１に示したＢ）ＩによるＢＨ
−ＬＤの壇め込み前の素子断面図である。第１図（ａｌ
に示すように従来例のＢＨ−ＬＤにおいては、はぼ平担
な基板上に幅約２μ八高さ約１５μｍというきわめて小
さなメサストライプ１０５がいわば突起物のように形成
されている。その友めメサエッチング後の基板洗浄過程
、埋め込み成長直前のプリエツチング過程、あるいは埋
め込み成長時のカーボンボートのスライド中にこの小さ
なメサストライプ１０５が特に機械的な損傷を受けやす
かっ友、ところで第１図（ｂｌに示したように発光再結
合するＩｎＧａＡｓＰ 活性層１０３ｖｉ−含むメサ
ストライプ１０６の両側に２０〜３０＃ｍ 離れて幅約
５０μｍ の保護用ストライプ１０〕、１０８を設けて
おくと、上記のような損傷を受けにく込。
Ｄのメサ構造の違いを簡単に説明する。第１図は従来例
の特願昭５５−１２３２６１に示したＢ）ＩによるＢＨ
−ＬＤの壇め込み前の素子断面図である。第１図（ａｌ
に示すように従来例のＢＨ−ＬＤにおいては、はぼ平担
な基板上に幅約２μ八高さ約１５μｍというきわめて小
さなメサストライプ１０５がいわば突起物のように形成
されている。その友めメサエッチング後の基板洗浄過程
、埋め込み成長直前のプリエツチング過程、あるいは埋
め込み成長時のカーボンボートのスライド中にこの小さ
なメサストライプ１０５が特に機械的な損傷を受けやす
かっ友、ところで第１図（ｂｌに示したように発光再結
合するＩｎＧａＡｓＰ 活性層１０３ｖｉ−含むメサ
ストライプ１０６の両側に２０〜３０＃ｍ 離れて幅約
５０μｍ の保護用ストライプ１０〕、１０８を設けて
おくと、上記のような損傷を受けにく込。
すなわち４メサエ、チング後、埋め込み成長直前の基板
洗浄過程でのビンセット等による損傷、あるい＃′ｉ埋
め込み成長中のカーボンボートのスライドによるメルト
ホルダーとの接触による損傷等を受けにくい。し九がり
て本発明にょるＢＨ−ＬＤにおいては発光再結合するＩ
ｎＧａＡｓＰ 活性層を含むメサストライプ１０６の
両側に保護用のストライブ１０７，１０８を設けること
により、上記のような機械的損傷を受けにくくすること
ができｔしたがって製作歩留りのすぐれたＢＨ−Ｌｌ＞
を得ることかできる。
洗浄過程でのビンセット等による損傷、あるい＃′ｉ埋
め込み成長中のカーボンボートのスライドによるメルト
ホルダーとの接触による損傷等を受けにくい。し九がり
て本発明にょるＢＨ−ＬＤにおいては発光再結合するＩ
ｎＧａＡｓＰ 活性層を含むメサストライプ１０６の
両側に保護用のストライブ１０７，１０８を設けること
により、上記のような機械的損傷を受けにくくすること
ができｔしたがって製作歩留りのすぐれたＢＨ−Ｌｌ＞
を得ることかできる。
以下図を用いて本発明の詳細な説明する。第２図は本発
明の一実施例のＢＨ−ＬＤの製造方法を示すための断面
図である。まず第２図（１）に示すヨウニ、（１００）
ｎ−ＩｎＰ基板２０１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２０２
、ＩｎＧａＡａｐ活性１層２０３、ｐＩｎＰバ、ファ層
２０４を順次成長させた多層婁構造ウェファに＜０１１
＞方向に平行に幅２μｍ。
明の一実施例のＢＨ−ＬＤの製造方法を示すための断面
図である。まず第２図（１）に示すヨウニ、（１００）
ｎ−ＩｎＰ基板２０１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２０２
、ＩｎＧａＡａｐ活性１層２０３、ｐＩｎＰバ、ファ層
２０４を順次成長させた多層婁構造ウェファに＜０１１
＞方向に平行に幅２μｍ。
５０μｍ のストライプを通常の７オトレジストの手法
により形成して、ＩｎＧａムｓＩ’ 活性層２０３よ
）４深くメサエッチングする。それによって発光再結合
するＩｎＧａＡｓＰ 活佳層２０３ｔ−含む幅２μｍ高
さ１．５μｍのメサストライプ２０５、それよりも２０
μｍ離れて、幅５０μｍの保護用ノナストライブ２０６
，２０フ管形成する０次に第２図（２）Ｋかいて、ＢＨ
−ＬＤＯ埋め込み成長を行なう。
により形成して、ＩｎＧａムｓＩ’ 活性層２０３よ
）４深くメサエッチングする。それによって発光再結合
するＩｎＧａＡｓＰ 活佳層２０３ｔ−含む幅２μｍ高
さ１．５μｍのメサストライプ２０５、それよりも２０
μｍ離れて、幅５０μｍの保護用ノナストライブ２０６
，２０フ管形成する０次に第２図（２）Ｋかいて、ＢＨ
−ＬＤＯ埋め込み成長を行なう。
第２図（１）の段階で得られたＤＨウェファにｐ−Ｉｎ
Ｐ電流電流クロッ４層２０８％−ＩｎＰ電流ブロック層
２０９ｓ Ｉ）−ＩｎＰ埋め込み層２１０ｓ ｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ電極層２１１を順次成長させる。なおこの際
、本願の発明者らが特願昭５５−１２３２６１号におい
て示したように幅のせまいメサストライプ２０５の上面
のみ、ｐ−ＩｎＰ電流プロ、り層２０８． ｒｌ−Ｉ
ｎＰ 電流プロ、り層２０９がとぎれるように成長させ
ることができる。ｔたそれと同時にこれら２つの電流ブ
ロック層２０８，２０９はそれぞれ幅の広い保護用メサ
ストライプの上面には積層させることができる０本発明
のＢＨ−ＬＤに、おいて社この埋め込み成長の段階での
カーボンボートとの接触による基板の損傷が生じに（（
、ＢＨ−ＬＤの製作歩留りが大幅に改善した。最後に第
２図（３）に示すように、ウェファのプロセシングを行
なう。
Ｐ電流電流クロッ４層２０８％−ＩｎＰ電流ブロック層
２０９ｓ Ｉ）−ＩｎＰ埋め込み層２１０ｓ ｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ電極層２１１を順次成長させる。なおこの際
、本願の発明者らが特願昭５５−１２３２６１号におい
て示したように幅のせまいメサストライプ２０５の上面
のみ、ｐ−ＩｎＰ電流プロ、り層２０８． ｒｌ−Ｉ
ｎＰ 電流プロ、り層２０９がとぎれるように成長させ
ることができる。ｔたそれと同時にこれら２つの電流ブ
ロック層２０８，２０９はそれぞれ幅の広い保護用メサ
ストライプの上面には積層させることができる０本発明
のＢＨ−ＬＤに、おいて社この埋め込み成長の段階での
カーボンボートとの接触による基板の損傷が生じに（（
、ＢＨ−ＬＤの製作歩留りが大幅に改善した。最後に第
２図（３）に示すように、ウェファのプロセシングを行
なう。
ｐ側にｐ形不鈍物であるＺｎｆｎ−ＩｎＰ電流ブμツク
層２０９に至らないように全面拡散してＺｎ拡散層２１
２ｔ−形成し、ＡｕＺｎ電極２１３ｔ−蒸着。
層２０９に至らないように全面拡散してＺｎ拡散層２１
２ｔ−形成し、ＡｕＺｎ電極２１３ｔ−蒸着。
熱処理してオーミック性電極を形成する。そののち裏面
研磨してｎ側にＡｕＳｎオーミ、り性電極２１４を形成
し、ベレットに切りだしてＩｎＧａＡｓＰ ＢＨ−ＬＤ
を得る。
研磨してｎ側にＡｕＳｎオーミ、り性電極２１４を形成
し、ベレットに切りだしてＩｎＧａＡｓＰ ＢＨ−ＬＤ
を得る。
以上述べ危機に本発明の実施例においては、活性層を含
むメサストライプの両側に保護用のメサストライプをも
つ構造である念め、メサエッチング後の基板処理、埋め
込み成長時等の素子作製時に起こる機械的なダメージを
防ぐことができ、それによってＢ）ｌ−ＬＤの製造歩留
りが大幅に改善した。上記のような構造をもつＢＨ−Ｌ
Ｄにより、１枚のウェファ内で発振しきｂ値電流が１ト
２０ｍＡ、 微分量子効率が５０〜６０％というレー
ザが均一に得られた。またウェファ間でのバラツキも少
な（、ＢＨ−ＬＤの特性上の再現性、製造歩留りが大幅
に向上した０本発明においては、本願の発明者らが新た
に開発した酸鼻法を採用することにより、活性層を含む
メサストライプの両側の広いメサストライプの上にはｎ
−ＩｎＰ層が積層されるので、この部分を通じて電流が
流れることは表く、電流は活性層を含むメサスジライプ
のみに集中して流れる。従って、拡散層２１２はストラ
イプ状に限定する必１ｊＩＩｆｉなく、全面にすれば良
いので、製作はきわめて容易である。
むメサストライプの両側に保護用のメサストライプをも
つ構造である念め、メサエッチング後の基板処理、埋め
込み成長時等の素子作製時に起こる機械的なダメージを
防ぐことができ、それによってＢ）ｌ−ＬＤの製造歩留
りが大幅に改善した。上記のような構造をもつＢＨ−Ｌ
Ｄにより、１枚のウェファ内で発振しきｂ値電流が１ト
２０ｍＡ、 微分量子効率が５０〜６０％というレー
ザが均一に得られた。またウェファ間でのバラツキも少
な（、ＢＨ−ＬＤの特性上の再現性、製造歩留りが大幅
に向上した０本発明においては、本願の発明者らが新た
に開発した酸鼻法を採用することにより、活性層を含む
メサストライプの両側の広いメサストライプの上にはｎ
−ＩｎＰ層が積層されるので、この部分を通じて電流が
流れることは表く、電流は活性層を含むメサスジライプ
のみに集中して流れる。従って、拡散層２１２はストラ
イプ状に限定する必１ｊＩＩｆｉなく、全面にすれば良
いので、製作はきわめて容易である。
なお上述の実施例においては、電流プロ、り層としてｐ
−ＩｎＰ電流プｏ、り層２０８、ｎ−ＩｎＰ電流ブロッ
ク層２０９ｔ−用いたが、ＩｎＰ に限ることなく、活
性層よりもエネルギーギャップの大きなＩｎＧａＡｓＰ
層、あるいは中絶縁性のＩｎＰ層を用いてもさしつかえ
ない。
−ＩｎＰ電流プｏ、り層２０８、ｎ−ＩｎＰ電流ブロッ
ク層２０９ｔ−用いたが、ＩｎＰ に限ることなく、活
性層よりもエネルギーギャップの大きなＩｎＧａＡｓＰ
層、あるいは中絶縁性のＩｎＰ層を用いてもさしつかえ
ない。
本発明の特徴は通常のＨＨ−ＬＤにおける活性層を含む
メサストライプの両側に同程度の高さの幅の広いメサス
トライプを形成し几ことであり、それによってメサエッ
チング後の基板処理、埋め込み成長時に起こる機械的ダ
メージ１防ぐことができた。その几め高性能なりＨ−Ｌ
Ｄの製造歩留りを大幅に改善することができた。
メサストライプの両側に同程度の高さの幅の広いメサス
トライプを形成し几ことであり、それによってメサエッ
チング後の基板処理、埋め込み成長時に起こる機械的ダ
メージ１防ぐことができた。その几め高性能なりＨ−Ｌ
Ｄの製造歩留りを大幅に改善することができた。
第１図は従来例のＢＨ−ＬＤ、および本発明によるＢＨ
−ＬＤのメサエッチング後の断面図、第２図は本発明の
一実施例の製造方法を示すための素子断面図である０図
中、１０１，２０１・・・・・印・（１００）ｎ−Ｉｎ
Ｐ４ｉ板、１０２ 、２０２−・・−ｎ−１ｎＰバッフ
ァ層、１０３ 、２０３−−−−・−ＩｎＧａＡｓＰ
活性層、１０４ 、 ２０４−−−１）−ＩｎＰクラ、
ド層、１０５．１０６，２０５・・・・・・発光再結合
する活性層を含むメサストライプ、１０７，１０８，２
０７゜２０８・・・・・・保護用メサストライプ、２ｏ
８・・・・・・・・・ｐ−ＩｎＰ電流電流クロッ２層０
９・・・・・・ｎ−ＩｎＰ電流電流クロッ２層１ｏ・・
川・ｐ−ＩｎＰ埋め込み層、２１１−＝−ｐ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ電極層、２１２−−−−−− Ｚｎ拡散層、２１
３・・・・・・ＡｕＺｎオー２ツタ電極、２１４・・・
・・・ＡｕＳｎオーミッタ電極、である。 年１回 腐 んυ ／θ２ １０／ １０３ ／（に’ ／ｌｌ／
−ＬＤのメサエッチング後の断面図、第２図は本発明の
一実施例の製造方法を示すための素子断面図である０図
中、１０１，２０１・・・・・印・（１００）ｎ−Ｉｎ
Ｐ４ｉ板、１０２ 、２０２−・・−ｎ−１ｎＰバッフ
ァ層、１０３ 、２０３−−−−・−ＩｎＧａＡｓＰ
活性層、１０４ 、 ２０４−−−１）−ＩｎＰクラ、
ド層、１０５．１０６，２０５・・・・・・発光再結合
する活性層を含むメサストライプ、１０７，１０８，２
０７゜２０８・・・・・・保護用メサストライプ、２ｏ
８・・・・・・・・・ｐ−ＩｎＰ電流電流クロッ２層０
９・・・・・・ｎ−ＩｎＰ電流電流クロッ２層１ｏ・・
川・ｐ−ＩｎＰ埋め込み層、２１１−＝−ｐ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ電極層、２１２−−−−−− Ｚｎ拡散層、２１
３・・・・・・ＡｕＺｎオー２ツタ電極、２１４・・・
・・・ＡｕＳｎオーミッタ電極、である。 年１回 腐 んυ ／θ２ １０／ １０３ ／（に’ ／ｌｌ／
Claims (1)
- 第１導電型半導体基板上に少くとも活性層を含む半導体
多層膜を成長させた多層膜構造中導体ウェファを前記活
性層よりも深くメサエッチングして、メサストライプを
形成してなる埋め込みへテロ構造半導体レーザにおいて
、発光再結合する活性層を含む第１０メサストライプの
両側に前記活性層を含み、前記第１０メサストライプに
ｔｌぼ平行に形成されたメサストライプを少くとも１つ
ずつ有しており、前記第１のメサストライプの上面のみ
を除いて第２導電型半導体電流プロ、り層、第１導電型
半導体電流プｏ、り層がこの履に積層され、さらに第２
導電型半導体場め込み層が全面にわたって積層されてな
ることを特徴とする壌め込みへテロ構造半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16302081A JPS5864086A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16302081A JPS5864086A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5864086A true JPS5864086A (ja) | 1983-04-16 |
| JPS627719B2 JPS627719B2 (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=15765662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16302081A Granted JPS5864086A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5864086A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0704913A2 (en) * | 1994-09-28 | 1996-04-03 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical semiconductor device and method of fabricating the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513315A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-30 | Matsushita Electric Works Ltd | Beam connection apparatus |
| JPS5548990A (en) * | 1978-09-21 | 1980-04-08 | Nec Corp | Semiconductor joining laser forming method |
| JPS5639072A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-14 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Novel oxidatively coloring substance |
-
1981
- 1981-10-13 JP JP16302081A patent/JPS5864086A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513315A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-30 | Matsushita Electric Works Ltd | Beam connection apparatus |
| JPS5548990A (en) * | 1978-09-21 | 1980-04-08 | Nec Corp | Semiconductor joining laser forming method |
| JPS5639072A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-14 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Novel oxidatively coloring substance |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0704913A2 (en) * | 1994-09-28 | 1996-04-03 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical semiconductor device and method of fabricating the same |
| EP0704913A3 (en) * | 1994-09-28 | 1997-03-19 | Nippon Telegraph & Telephone | Semiconductor optical device and method of manufacturing |
| US5783844A (en) * | 1994-09-28 | 1998-07-21 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical semiconductor device |
| US6790697B2 (en) | 1994-09-28 | 2004-09-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical semiconductor device and method of fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS627719B2 (ja) | 1987-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1151275A (en) | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same | |
| EP0260909B1 (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| US6200826B1 (en) | Method of fabricating a reverse mesa ridge waveguide type laser diode | |
| US5441912A (en) | Method of manufacturing a laser diode | |
| JPS5864086A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ | |
| JP3108183B2 (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| JP2542570B2 (ja) | 光集積素子の製造方法 | |
| JPH05218585A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH07111361A (ja) | 埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPS6244440B2 (ja) | ||
| JPS61242091A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS622718B2 (ja) | ||
| JPS596588A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH06120615A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS641072B2 (ja) | ||
| JPS641073B2 (ja) | ||
| JPH07297497A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| JPS6237914B2 (ja) | ||
| JPS6342874B2 (ja) | ||
| JPH0436598B2 (ja) | ||
| JPH03120775A (ja) | 埋め込み構造半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH02181491A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2000216472A (ja) | 半導体レ―ザ製造方法及び半導体レ―ザ装置 | |
| JPS61166192A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JPH05121721A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 |