JPS6237913B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6237913B2 JPS6237913B2 JP18161781A JP18161781A JPS6237913B2 JP S6237913 B2 JPS6237913 B2 JP S6237913B2 JP 18161781 A JP18161781 A JP 18161781A JP 18161781 A JP18161781 A JP 18161781A JP S6237913 B2 JPS6237913 B2 JP S6237913B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductivity type
- buried
- current blocking
- semiconductor
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- Expired
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
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- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
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- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はInGaAsP活性層の周囲をInP層で埋め
込んだ埋め込みヘテロ構造半導体レーザに関す
る。
込んだ埋め込みヘテロ構造半導体レーザに関す
る。
埋め込みヘテロ構造半導体レーザ（BH―LD）
は低い発振しきい値電流、安定化された発振横モ
ード、高温動作可能など優れた特性を有している
ため、光フアイバ通信用光源として注目を集めて
いる。本出願人は昭和56年10月19日付で出願した
特許出願明細書に示した様に、２本のほぼ平行な
溝にはさまれて形成された発光再結合する活性層
を含むメサストライプ以外で確実に電流ブロツク
層が形成でき、したがつて温度特性に優れ、種々
の基板処理過程でのダメージを受けることが少な
く製造歩留りの向上したInGaAsP BH―LDを発
明した。しかしながらこの構造のBH―LDでは発
光再結合する活性層を含むメサストライプをはさ
んでいる溝の部分においては電流ブロツク層の成
長速度が速く、ｐ−InP電流ブロツク層、ｎ―
InP電流ブロツク層の積層に際し、特にｎ―InP
電流ブロツク層がメサストライプ上部で連続して
成長してしまうことがあり、歩留りの低下を招い
ていた。
は低い発振しきい値電流、安定化された発振横モ
ード、高温動作可能など優れた特性を有している
ため、光フアイバ通信用光源として注目を集めて
いる。本出願人は昭和56年10月19日付で出願した
特許出願明細書に示した様に、２本のほぼ平行な
溝にはさまれて形成された発光再結合する活性層
を含むメサストライプ以外で確実に電流ブロツク
層が形成でき、したがつて温度特性に優れ、種々
の基板処理過程でのダメージを受けることが少な
く製造歩留りの向上したInGaAsP BH―LDを発
明した。しかしながらこの構造のBH―LDでは発
光再結合する活性層を含むメサストライプをはさ
んでいる溝の部分においては電流ブロツク層の成
長速度が速く、ｐ−InP電流ブロツク層、ｎ―
InP電流ブロツク層の積層に際し、特にｎ―InP
電流ブロツク層がメサストライプ上部で連続して
成長してしまうことがあり、歩留りの低下を招い
ていた。
本発明の目的は上記の欠点を除去し、あらかじ
めメサストライプ以外の電流ブロツク層が形成さ
れ、電流ブロツク層はただ１層のみ成長させれば
よく、製造歩留りの大幅に向上したBH―LDを提
供することにある。
めメサストライプ以外の電流ブロツク層が形成さ
れ、電流ブロツク層はただ１層のみ成長させれば
よく、製造歩留りの大幅に向上したBH―LDを提
供することにある。
本発明によれば第１導電型半導体基板上に少く
とも活性層を含む半導体多層膜を成長させた多層
膜構造半導体ウエフアを活性層よりも深い２本の
平行な溝によりメサストライプを形成した後埋め
込み成長してなる埋め込みヘテロ構造半導体レー
ザにおいて、前記２本の平行な溝の露出面に第２
導電型不純物拡散層が形成され。発光再結合する
活性層を含むメサストライプの上面のみを除いて
第１導電型半導体電流ブロツク層が、さらに全面
にわたつて第２導電型半導体埋め込み層が積層さ
れてなることを特徴とする埋め込みヘテロ構造半
導体レーザが得られる。
とも活性層を含む半導体多層膜を成長させた多層
膜構造半導体ウエフアを活性層よりも深い２本の
平行な溝によりメサストライプを形成した後埋め
込み成長してなる埋め込みヘテロ構造半導体レー
ザにおいて、前記２本の平行な溝の露出面に第２
導電型不純物拡散層が形成され。発光再結合する
活性層を含むメサストライプの上面のみを除いて
第１導電型半導体電流ブロツク層が、さらに全面
にわたつて第２導電型半導体埋め込み層が積層さ
れてなることを特徴とする埋め込みヘテロ構造半
導体レーザが得られる。
以下図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第１図に本発明の実施例であるInGaAsP BH―
LDの断面図を示す。このようなBH―LDを作製
するには次のようにすればよい。まず（100）ｎ
―InP基板１０１上にｎ−InPバツフア層１０
２、ノンドープInGaAsP活性層１０３、ｐ―InP
クラツド層１０４を順次積層させた多層膜構造半
導体ウエフアに〈011〉方向に平行に、InGaAsP
活性層１０３よりも深くメサエツチングして幅５
μｍ、深さ２μｍの２本の平行な溝１０５，１０
６を作り、それにより発光再結合する活性層を含
む幅３μｍのメサストライプ１０７を形成する。
この後エツチングマスクであるSiO2膜を残して
ｐ形不純物であるZnを選択拡散してZn拡散電流
ブロツク領域１０８を形成する。このようにして
得られたウエフアに液相エピタキシヤル成長法に
より、ｎ―InP電流ブロツク層１０９をメサスト
ライプ１０７の上面のみを除いて積層させ、さら
にｐ―InP埋め込み層１１０、ｐ―InGaAsP電極
層を全面にわたつて成長させ、目的のBH―LDが
得られる。
LDの断面図を示す。このようなBH―LDを作製
するには次のようにすればよい。まず（100）ｎ
―InP基板１０１上にｎ−InPバツフア層１０
２、ノンドープInGaAsP活性層１０３、ｐ―InP
クラツド層１０４を順次積層させた多層膜構造半
導体ウエフアに〈011〉方向に平行に、InGaAsP
活性層１０３よりも深くメサエツチングして幅５
μｍ、深さ２μｍの２本の平行な溝１０５，１０
６を作り、それにより発光再結合する活性層を含
む幅３μｍのメサストライプ１０７を形成する。
この後エツチングマスクであるSiO2膜を残して
ｐ形不純物であるZnを選択拡散してZn拡散電流
ブロツク領域１０８を形成する。このようにして
得られたウエフアに液相エピタキシヤル成長法に
より、ｎ―InP電流ブロツク層１０９をメサスト
ライプ１０７の上面のみを除いて積層させ、さら
にｐ―InP埋め込み層１１０、ｐ―InGaAsP電極
層を全面にわたつて成長させ、目的のBH―LDが
得られる。
本発明の実施例においては埋め込み成長の前に
あらかじめZn拡散電流ブロツク層１０８を形成
しておくことにより、従来例のようにＰ―InP電
流ブロツク層およびｎ―InP電流ブロツク層の２
層をメサ上面を除いて積層させる必要がなく、電
流ブロツク層はｎ―InPの１層だけでよいので、
電流ブロツク層がメサストライプをおおつてしま
うということが少ない。したがつてBH―LDの製
造歩留りが大幅に向上した。このようなBH―LD
において室温での発振しきい値電流が10〜
20mA、微分量子効率が50％程度の素子が再現性
よく得られた。
あらかじめZn拡散電流ブロツク層１０８を形成
しておくことにより、従来例のようにＰ―InP電
流ブロツク層およびｎ―InP電流ブロツク層の２
層をメサ上面を除いて積層させる必要がなく、電
流ブロツク層はｎ―InPの１層だけでよいので、
電流ブロツク層がメサストライプをおおつてしま
うということが少ない。したがつてBH―LDの製
造歩留りが大幅に向上した。このようなBH―LD
において室温での発振しきい値電流が10〜
20mA、微分量子効率が50％程度の素子が再現性
よく得られた。
本発明の特徴は、BH―LDの埋め込み成長前に
あらかじめZn拡散による電流ブロツク層を形成
しておくことであり、埋め込み成長時に積層させ
る電流ブロツク層はｎ―InP電流ブロツク層１層
のみでよいことである。メサストライプをはさん
でいる２本の溝での成長速度は速くとも、メサ上
面に電流ブロツク層が成長してしまうことがな
く、したがつてBH―LDの製造歩留りが大幅に向
上した。
あらかじめZn拡散による電流ブロツク層を形成
しておくことであり、埋め込み成長時に積層させ
る電流ブロツク層はｎ―InP電流ブロツク層１層
のみでよいことである。メサストライプをはさん
でいる２本の溝での成長速度は速くとも、メサ上
面に電流ブロツク層が成長してしまうことがな
く、したがつてBH―LDの製造歩留りが大幅に向
上した。
第１図は本発明のBH―LDの断面図である。
図中、１０１…ｎ―InP基板、１０２…ｎ―
InPバツフア層、１０３…InGaAsP活性層、１０
４…ｐ―InPクラツド層、１０５，１０６…溝、
１０７…メサストライプ、１０８…Zn拡散電流
ブロツク層、１０９…ｎ―Inp電流ブロツク層、
１１０…ｐ―InP埋め込み層、１１１…ｐ―
InGaAsP電極層、１１２…ｐ形オーミツク電
極、１１３はｎ形オーミツク電極である。
InPバツフア層、１０３…InGaAsP活性層、１０
４…ｐ―InPクラツド層、１０５，１０６…溝、
１０７…メサストライプ、１０８…Zn拡散電流
ブロツク層、１０９…ｎ―Inp電流ブロツク層、
１１０…ｐ―InP埋め込み層、１１１…ｐ―
InGaAsP電極層、１１２…ｐ形オーミツク電
極、１１３はｎ形オーミツク電極である。
Claims (1)
- １ 第１導電型半導体基板上に少くとも活性層を
含む半導体多層膜を成長させた多層膜構造半導体
ウエフアを前記活性層よりも深い２本の平行な溝
によりメサストライプを形成した後埋め込み成長
してなる埋め込みヘテロ構造半導体レーザにおい
て、前記２本の平行な溝の露出面に第２導電型不
純物拡散層が形成され、発光再結合する前記活性
層を含む前記メサストライプの上面のみを除いて
第１導電型半導体電流ブロツク層が、さらに全面
にわたつて第２導電型半導体埋め込み層が積層さ
れてなることを特徴とする埋め込みヘテロ構造半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18161781A JPS5884483A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18161781A JPS5884483A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884483A JPS5884483A (ja) | 1983-05-20 |
| JPS6237913B2 true JPS6237913B2 (ja) | 1987-08-14 |
Family
ID=16103923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18161781A Granted JPS5884483A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884483A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0745100U (ja) * | 1995-04-06 | 1995-12-19 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品用キャップ電極による取付け構造 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0680855B2 (ja) * | 1984-04-19 | 1994-10-12 | 日本電気株式会社 | 埋め込み構造半導体レーザ |
| JPS6261386A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS6260285A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-16 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
-
1981
- 1981-11-12 JP JP18161781A patent/JPS5884483A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0745100U (ja) * | 1995-04-06 | 1995-12-19 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品用キャップ電極による取付け構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5884483A (ja) | 1983-05-20 |
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