JPS58131787A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS58131787A JPS58131787A JP1345482A JP1345482A JPS58131787A JP S58131787 A JPS58131787 A JP S58131787A JP 1345482 A JP1345482 A JP 1345482A JP 1345482 A JP1345482 A JP 1345482A JP S58131787 A JPS58131787 A JP S58131787A
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- Japan
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- layer
- active layer
- semiconductor
- groove
- semiconductor laser
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発振横モードの安定化された２Ｊｌｋへテロ構
造半導体レーザに関する。
造半導体レーザに関する。
光フアイバ通信の実用化が進み、その光源である半導体
レーザにおいて、横モードの安定化は必須の条件となっ
ている。発振横モードの安定化の丸め種々のレーザ構造
が提案、試作されておシ、そのひとつとして１９８０年
発行のエレクトロニクス・レターズ誌第１７巻、第１号
、第１７ページから第１９ページに今井氏らによシ報告
され＆８ＭＬレーザがある。この半導体レーザはｎ−１
ｎ）’基板上にｎ−１ｎＰバッツ７層、ｌｎＧａＡｍ）
’活性層ｐ−１ｎＰクラッド層、活性層と同じ発光波長
のｎ−ｎ−１ｎＧａＡ’＃を積層させた後、電流注入部
をストライプ状にｐ−１ｎ）’クラッド島までエツチン
グし、二度目のエピタキシャルｇ長で、ｔｌｌ、２（Ｄ
ｐ −１ｎＰクラッド層、ｐ−１ｎＧａＡａＰ電極層を
順次積層させ九ものである。この半導体レーザにおいて
は、ストライプ部分以外でＦｉｌｎＧａＡｍ）’活性層
とｎ−１ｎＧａＡｓＰ層とかヘテ■接合に垂直な方向で
結合導波路となるため、ストライプ部と、それ以外の結
合導波路部分での光の伝播定数の違いによシ、ストライ
プ部のみに光を集中させることができ、したがって安定
な横基本モード発振を得ることができる。
レーザにおいて、横モードの安定化は必須の条件となっ
ている。発振横モードの安定化の丸め種々のレーザ構造
が提案、試作されておシ、そのひとつとして１９８０年
発行のエレクトロニクス・レターズ誌第１７巻、第１号
、第１７ページから第１９ページに今井氏らによシ報告
され＆８ＭＬレーザがある。この半導体レーザはｎ−１
ｎ）’基板上にｎ−１ｎＰバッツ７層、ｌｎＧａＡｍ）
’活性層ｐ−１ｎＰクラッド層、活性層と同じ発光波長
のｎ−ｎ−１ｎＧａＡ’＃を積層させた後、電流注入部
をストライプ状にｐ−１ｎ）’クラッド島までエツチン
グし、二度目のエピタキシャルｇ長で、ｔｌｌ、２（Ｄ
ｐ −１ｎＰクラッド層、ｐ−１ｎＧａＡａＰ電極層を
順次積層させ九ものである。この半導体レーザにおいて
は、ストライプ部分以外でＦｉｌｎＧａＡｍ）’活性層
とｎ−１ｎＧａＡｓＰ層とかヘテ■接合に垂直な方向で
結合導波路となるため、ストライプ部と、それ以外の結
合導波路部分での光の伝播定数の違いによシ、ストライ
プ部のみに光を集中させることができ、したがって安定
な横基本モード発振を得ることができる。
しかしながら、仁の例においては菓子の製作に２度のエ
ピタキシャル成長工程を必要としてお夛、しかも一層成
長させた活性層を２度目の結晶成長時に高温度雰囲気に
保持することから熱ダメージの影響を受けやすく、歩留
シの低下を招いていた０本発明の目的は上記の欠点を除
去すべく、発振横モードが安定化され、九だ一度のエピ
タキシャル成長工程で製作でき、製造歩留）の向上した
２重ヘテｐ構造半尋体レープを提供することにある。
ピタキシャル成長工程を必要としてお夛、しかも一層成
長させた活性層を２度目の結晶成長時に高温度雰囲気に
保持することから熱ダメージの影響を受けやすく、歩留
シの低下を招いていた０本発明の目的は上記の欠点を除
去すべく、発振横モードが安定化され、九だ一度のエピ
タキシャル成長工程で製作でき、製造歩留）の向上した
２重ヘテｐ構造半尋体レープを提供することにある。
本発明による半導体レーザの構成は、２つの半導体ヘテ
四接合によってはさまれた活性層を有する２重ヘテ四構
造半導体レーザにおいて、１ｓｌ導電型半導体基板上に
＃！２導電型半導体層が形成され、第２導電製半導体層
をつきぬけるエツチング溝が形成された半導体ウェファ
上にエツチング纒部分で高さが最賜低くなるように、活
性層よシもエネルギーギャップの大きくない第１導電型
半尋体層が積層され、その上に活性層よシもエネルギー
ギャップの大きな第１導電型半尋体り２ラド層が積層さ
れ、その上に活性層がエツチング擲上部で最も厚くなる
ように形成され、さらに活性層よシもエネルギーギャッ
プの大きな第２導電型牛纏体り２ラド層が順次形成され
てなることを％徴としている。
四接合によってはさまれた活性層を有する２重ヘテ四構
造半導体レーザにおいて、１ｓｌ導電型半導体基板上に
＃！２導電型半導体層が形成され、第２導電製半導体層
をつきぬけるエツチング溝が形成された半導体ウェファ
上にエツチング纒部分で高さが最賜低くなるように、活
性層よシもエネルギーギャップの大きくない第１導電型
半尋体層が積層され、その上に活性層よシもエネルギー
ギャップの大きな第１導電型半尋体り２ラド層が積層さ
れ、その上に活性層がエツチング擲上部で最も厚くなる
ように形成され、さらに活性層よシもエネルギーギャッ
プの大きな第２導電型牛纏体り２ラド層が順次形成され
てなることを％徴としている。
以下実施例を示す図面を参照しつつ本発明を説明する。
第１図は本発明の実施例の断面図をあられす〇まず（１
００）ｎ−１ｎ）’基板１０１に１μｍ＠度の深さまで
ｐ形不純物であるＺｎを拡散し、Ｚｎ拡散層１０２を形
成する。これは１μｍ程度の厚さのｐ−１ｎＰ工ピタキ
シヤル成長層、あるいはイオン注入層部であってもよ＜
、Ｚｎ拡散層に限ることはない。その半導体基板に通常
の７オ） ＩＪソゲ２フィの手法によりストライプ状の
溝１０３を〈０１１〉方向に平行にＺｎ拡散層１０２を
つきぬけるように約１，５μｍの深さ、＠２μｍとなる
ように形成する。そのｌｋ液相エピタキシャル成長法に
よシ、まず１．４μｍ発光波長組成のｎ−１ｎｕｓＧａ
ｏ１４Ａ＠ｏ、ｔａＰｏ、ｚ＠鳩１０４を平坦部の厚さ
が１μｍとなるように、続いてｎ−１ｎＰバッファ層１
０５を平坦部で厚さ１μｍ、ｔｌｌ１０３の上部でわず
かに凹んだ形状となるように、さらに１．３μｍ発光波
長組成（Ｄ／７ −プｌｎｏ、ｔｓＧｉｏ、ｘｓＡ ｇ
ｏ、・＊Ｐｏ、ｓ＊活性層１０６をｔｌｌ０３の上部で
０．１５Ａｍ、平坦部でα１ｊＪｍとなるように、また
ｐ−１ｎＰクラッド層１０７を５４ｍ０発光波長１．１
μｍ組成のｐ−１ｎｏｓｓＧａｏ、ｕＡｓａｓｓ）’へ
６７１１極層１０８をｌｊｌｍ、順次積層させて結晶成
長を終える。この際ｎ−１ｎｏ、ａｓＯａｏ、ｓｉ Ａ
８ｏ、ｙ４）’ａｓｓ層１０層上０４分で平坦部よシ
も厚く成長するが、全面にわたって平らにはならず、溝
部分のみで凹んだ形状となるように、また先に述べたよ
うにｎ−Ｉｎ）’バラフッ層１０５は溝上部でわずかに
凹んだ形状となるように成長させる。この半導体レーザ
のｐ側に正のバイアスをかけて電流を流すと、ストライ
プ状の＄１０３以外ではＺｎ拡散層１０２があるために
ｐ−ｎ−ｐ−ｎｍ造となってお夛、溝部分のみに有効に
電流が流れる０注入電流を増していくと、活性層１０６
の発光領域はｐ−ｎ接合に平行な方向に拡がろうとする
が、−擲の上部以外ではｎ−１ｎｕｓＧａａｓａＡｓｏ
、ｔ４Ｐｏ、ｚｓ層１０４が近くに存在するためにパッ
クア層貴にしみたした光にとって損失とな少、横高次モ
ードが起つことができない。を九＠２Ｑに示した様に１
ｎｌ−ｘＧａ ＸＡＩ Ｆ ）’ １− ｙ−Ｉ ｎ）
’系ＤＨ−１．Ｄでは活性層の膜厚が０．１５〜０．２
μｍで発振しきい直置流密度が最小とｔ）、それよりも
薄く、特に０．１μｍ以下になるとす振しきい直置流密
度の上昇が着しく、同時に光活性層以外へのしみ出しも
大きくなるため、この光のとじ込め効果はさらに顕著に
なる。したがって注入電流を増していっても婢の上部の
２〜３μｍ＆＆の範囲で、横基本モードのみが安定に存
在することになる。このように活性層の結晶成長前にあ
らかじめ設けておいたＺｎ拡散層（あるいはｐ−Ｉｎ）
’層）１０２をつきぬけるように形成され大幅の狭いス
トライブ状の擲をオリ用することによル、発振横モード
の安定化された半導体レーザが、ただ１回のエピタキシ
ャル成長工程によｐ、再現性よく得られ、製造歩留シも
大幅に向上し友。共振器長２５０μｍに切ル出したこの
半導体レーザで室温での発振しきい麺電流４９ｍＡ、微
分量子効率５０係程度の素子が再現性よく祷られる。
００）ｎ−１ｎ）’基板１０１に１μｍ＠度の深さまで
ｐ形不純物であるＺｎを拡散し、Ｚｎ拡散層１０２を形
成する。これは１μｍ程度の厚さのｐ−１ｎＰ工ピタキ
シヤル成長層、あるいはイオン注入層部であってもよ＜
、Ｚｎ拡散層に限ることはない。その半導体基板に通常
の７オ） ＩＪソゲ２フィの手法によりストライプ状の
溝１０３を〈０１１〉方向に平行にＺｎ拡散層１０２を
つきぬけるように約１，５μｍの深さ、＠２μｍとなる
ように形成する。そのｌｋ液相エピタキシャル成長法に
よシ、まず１．４μｍ発光波長組成のｎ−１ｎｕｓＧａ
ｏ１４Ａ＠ｏ、ｔａＰｏ、ｚ＠鳩１０４を平坦部の厚さ
が１μｍとなるように、続いてｎ−１ｎＰバッファ層１
０５を平坦部で厚さ１μｍ、ｔｌｌ１０３の上部でわず
かに凹んだ形状となるように、さらに１．３μｍ発光波
長組成（Ｄ／７ −プｌｎｏ、ｔｓＧｉｏ、ｘｓＡ ｇ
ｏ、・＊Ｐｏ、ｓ＊活性層１０６をｔｌｌ０３の上部で
０．１５Ａｍ、平坦部でα１ｊＪｍとなるように、また
ｐ−１ｎＰクラッド層１０７を５４ｍ０発光波長１．１
μｍ組成のｐ−１ｎｏｓｓＧａｏ、ｕＡｓａｓｓ）’へ
６７１１極層１０８をｌｊｌｍ、順次積層させて結晶成
長を終える。この際ｎ−１ｎｏ、ａｓＯａｏ、ｓｉ Ａ
８ｏ、ｙ４）’ａｓｓ層１０層上０４分で平坦部よシ
も厚く成長するが、全面にわたって平らにはならず、溝
部分のみで凹んだ形状となるように、また先に述べたよ
うにｎ−Ｉｎ）’バラフッ層１０５は溝上部でわずかに
凹んだ形状となるように成長させる。この半導体レーザ
のｐ側に正のバイアスをかけて電流を流すと、ストライ
プ状の＄１０３以外ではＺｎ拡散層１０２があるために
ｐ−ｎ−ｐ−ｎｍ造となってお夛、溝部分のみに有効に
電流が流れる０注入電流を増していくと、活性層１０６
の発光領域はｐ−ｎ接合に平行な方向に拡がろうとする
が、−擲の上部以外ではｎ−１ｎｕｓＧａａｓａＡｓｏ
、ｔ４Ｐｏ、ｚｓ層１０４が近くに存在するためにパッ
クア層貴にしみたした光にとって損失とな少、横高次モ
ードが起つことができない。を九＠２Ｑに示した様に１
ｎｌ−ｘＧａ ＸＡＩ Ｆ ）’ １− ｙ−Ｉ ｎ）
’系ＤＨ−１．Ｄでは活性層の膜厚が０．１５〜０．２
μｍで発振しきい直置流密度が最小とｔ）、それよりも
薄く、特に０．１μｍ以下になるとす振しきい直置流密
度の上昇が着しく、同時に光活性層以外へのしみ出しも
大きくなるため、この光のとじ込め効果はさらに顕著に
なる。したがって注入電流を増していっても婢の上部の
２〜３μｍ＆＆の範囲で、横基本モードのみが安定に存
在することになる。このように活性層の結晶成長前にあ
らかじめ設けておいたＺｎ拡散層（あるいはｐ−Ｉｎ）
’層）１０２をつきぬけるように形成され大幅の狭いス
トライブ状の擲をオリ用することによル、発振横モード
の安定化された半導体レーザが、ただ１回のエピタキシ
ャル成長工程によｐ、再現性よく得られ、製造歩留シも
大幅に向上し友。共振器長２５０μｍに切ル出したこの
半導体レーザで室温での発振しきい麺電流４９ｍＡ、微
分量子効率５０係程度の素子が再現性よく祷られる。
なお本発明の実施例においては活性層の発光波長を１．
３μｍとし、ｎ−１ｎｔ−ｘ（ｊａｚＡｉｙＰｔ−ｙ層
１０４０発光波長組成として１．４μｍのものを選んだ
が、コノような波長組成の１Ｈｔ−ｘＧａｘＡｓｙＰｌ
−ｙ層に限ることなく、ｎ−１ｎｓ−ｘＧａｘＡｓｙ）
’１−ｙ層が活性層よりもエネルギーギャップが大きく
ない中等体材料であルさえずｆＬはよく、Ｚｎ拡散層１
０２もエピタキシャル成長法、あるいはイオン注入法等
で形成し九ｐ−Ｉｎ）’層、あるいはｐ −Ｉｎ ｔ
−ｘＧａｘＡａｙ）’ｔ−ｙ層であっても差しつかえな
い。さらに用いる半導体材料もＩｎｔ−ｘＧａｘＡａｙ
Ｐｌ−ｙ／１ｎＰ系の半導体材料に限ることなく、他の
半導体材料に対しても有効である。
３μｍとし、ｎ−１ｎｔ−ｘ（ｊａｚＡｉｙＰｔ−ｙ層
１０４０発光波長組成として１．４μｍのものを選んだ
が、コノような波長組成の１Ｈｔ−ｘＧａｘＡｓｙＰｌ
−ｙ層に限ることなく、ｎ−１ｎｓ−ｘＧａｘＡｓｙ）
’１−ｙ層が活性層よりもエネルギーギャップが大きく
ない中等体材料であルさえずｆＬはよく、Ｚｎ拡散層１
０２もエピタキシャル成長法、あるいはイオン注入法等
で形成し九ｐ−Ｉｎ）’層、あるいはｐ −Ｉｎ ｔ
−ｘＧａｘＡａｙ）’ｔ−ｙ層であっても差しつかえな
い。さらに用いる半導体材料もＩｎｔ−ｘＧａｘＡａｙ
Ｐｌ−ｙ／１ｎＰ系の半導体材料に限ることなく、他の
半導体材料に対しても有効である。
本発明の特徴は、あらかじめ半導体基板上に形成された
ｚｎ拡散層（あるいはｐ−１ｎＰ層）をつきぬけるよう
に形成した幅の狭いストライプ状の溝を利用して、この
基板上に活性層よルもエネルギーギャップの大きくない
半導体層を溝部分で凹んだ形状とし、活性層を郷土で厚
く成長させることによシ、発振横モードを溝の上部のみ
に限足し九ととであや、発振横モードの安定化された半
導体レーザがただ１回のエピタキシャル成長工程によ）
、きわめて再現性よく、かつ高歩留ｐで得られた０
ｚｎ拡散層（あるいはｐ−１ｎＰ層）をつきぬけるよう
に形成した幅の狭いストライプ状の溝を利用して、この
基板上に活性層よルもエネルギーギャップの大きくない
半導体層を溝部分で凹んだ形状とし、活性層を郷土で厚
く成長させることによシ、発振横モードを溝の上部のみ
に限足し九ととであや、発振横モードの安定化された半
導体レーザがただ１回のエピタキシャル成長工程によ）
、きわめて再現性よく、かつ高歩留ｐで得られた０
第１図は実施例の半導体レーザの断面図、第２図は波長
１．３μｍの１ｎｓ−ｘ（ｊａｘＡｓｙ）’ｔ−ｙ／Ｉ
ｎ）’ ＤＨレーザの活性層膜厚と発振しきい直置流密
度との関係を示す図である。 図中、１０１ ”” ｎ−１ｎＰ基板、１０２ ・−・
・−Ｚｆｌ拡散層あるいはｐ−１ｎＰ層、１０３・・・
・・・スト２イブ状溝、１０４ ・・・・−ｎ−１ｎｏ
、ｓ・Ｇａｏ、ｍ４ＡｓａｔａＰｏ、＊＊＊、１０５・
・・・・・ｎ−Ｉｎ）’バラフッ層、１０６・・・・・
・Ｉｎ Ｏ，７ｍＧａ ｏ、ｓ ｓＡｓ ａ・１ｐｏ、
ｓ＊活性層、１０７・・・・・・ｐ−１ｎＰクラッド層
、１０ Ｂ ・−・・・−ｐ−１ｎｏ、５ｓＧａａ１ｓ
ＡａＯ，１ｌＰＯ６７電極層、１０９・・・・・・ｐ形
オーミック性電極、１１０・・・・・・ｎ形オーミック
性電極である０棒１ 回
１．３μｍの１ｎｓ−ｘ（ｊａｘＡｓｙ）’ｔ−ｙ／Ｉ
ｎ）’ ＤＨレーザの活性層膜厚と発振しきい直置流密
度との関係を示す図である。 図中、１０１ ”” ｎ−１ｎＰ基板、１０２ ・−・
・−Ｚｆｌ拡散層あるいはｐ−１ｎＰ層、１０３・・・
・・・スト２イブ状溝、１０４ ・・・・−ｎ−１ｎｏ
、ｓ・Ｇａｏ、ｍ４ＡｓａｔａＰｏ、＊＊＊、１０５・
・・・・・ｎ−Ｉｎ）’バラフッ層、１０６・・・・・
・Ｉｎ Ｏ，７ｍＧａ ｏ、ｓ ｓＡｓ ａ・１ｐｏ、
ｓ＊活性層、１０７・・・・・・ｐ−１ｎＰクラッド層
、１０ Ｂ ・−・・・−ｐ−１ｎｏ、５ｓＧａａ１ｓ
ＡａＯ，１ｌＰＯ６７電極層、１０９・・・・・・ｐ形
オーミック性電極、１１０・・・・・・ｎ形オーミック
性電極である０棒１ 回
Claims (2)
- （１）２つの半導体へテロ接合によってはさまれた活性
層を有する２１ヘテロ榊造半専体レーザにおいて、第１
導電型半導体基板上にｗｊＪ２導電型半導体層が形成さ
れ、前記＃＆２専電型千尋体層をつきぬけるエツチング
溝が形成された半導体ウェファ上に前記エツチング溝部
分で高さが最も低くなるように、前記活性層よルもエネ
ルギーギャップの大きくない第１導電型半尋体層が積層
され、その上に＃記活性層よりもエネルギーギャップの
大きな第１導亀童半導体クラッド鳩が積層され、その上
に活性層が前記エツチング擲上部で最も厚くなるように
形成され、さらに前記活性層よりもエネルギーギャップ
の大きな第２尋電型半導体クラッド層が順次形成されて
なることを特徴とする半導体レーザ。 - （２）前記半導体基板、および前記半導体クラッド層が
ｌｎＰであり、前記活性層が１ｎｌ−ｘＱｉｘλＩＦＰ
Ｉ”Ｆ であシ、前記活性層の厚さが前記エツチング婢
上部で０．１〜α２μｍであ）、平坦部分で０．１μｍ
以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1345482A JPS58131787A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1345482A JPS58131787A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58131787A true JPS58131787A (ja) | 1983-08-05 |
Family
ID=11833588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1345482A Pending JPS58131787A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58131787A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5173913A (en) * | 1990-06-28 | 1992-12-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108789A (en) * | 1979-01-18 | 1980-08-21 | Nec Corp | Semiconductor laser |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP1345482A patent/JPS58131787A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108789A (en) * | 1979-01-18 | 1980-08-21 | Nec Corp | Semiconductor laser |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5173913A (en) * | 1990-06-28 | 1992-12-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
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