JPS589592B2 - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPS589592B2 JPS589592B2 JP54067305A JP6730579A JPS589592B2 JP S589592 B2 JPS589592 B2 JP S589592B2 JP 54067305 A JP54067305 A JP 54067305A JP 6730579 A JP6730579 A JP 6730579A JP S589592 B2 JPS589592 B2 JP S589592B2
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- light emitting
- emitting device
- semiconductor light
- stripe
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、単一横モード発振が可能なストライプ型二重
へテロ構造の半導体発光装置に関するものである。
へテロ構造の半導体発光装置に関するものである。
レーザ発振を行ない得る活性層をそれよりも禁制帯幅が
大きく且つ屈折率が小さいクラツド層で挾んだ二重へテ
ロ構造の半導体発光装置は、活性層平面に垂直な方向に
関しては、クラツド層の存在により良好な光閉じ込めを
行なうことができ単一モード化が可能であるが、活性層
平面に水平な方向、即ち横方向に関しては、光閉じ込め
効果を奏する構造物が何もない為、横モードを安定に且
つ単一にすることができない。
大きく且つ屈折率が小さいクラツド層で挾んだ二重へテ
ロ構造の半導体発光装置は、活性層平面に垂直な方向に
関しては、クラツド層の存在により良好な光閉じ込めを
行なうことができ単一モード化が可能であるが、活性層
平面に水平な方向、即ち横方向に関しては、光閉じ込め
効果を奏する構造物が何もない為、横モードを安定に且
つ単一にすることができない。
そこで、接合方向への光の拡がりを防ぎ横モードを単一
化する為に、従来より各種ストライプ構造の半導体発光
装置が提案されている。
化する為に、従来より各種ストライプ構造の半導体発光
装置が提案されている。
第１図乃至第３図は、従来のストライプ型二重へテロ構
造半導体発光装置の典型的な例を表わす断面図であり、
各図に於いて、１０はｎ ＧａＡｓ基板、１１はｎ−
ＧａＡｔＡｓクラツド層、１２はｐ又はｎ−ＧａＡａ活
性層、１３はｐ − Ｇａｋｌ Ａｓクラツド層、１４
はｐ − Ｇａ Ａ ｓオーミツクコンタクト層、１５
．１６はｐ側及びｎ側電極、１７はｐ＋＋拡散領域、１
８はｐ − ＧａＡＺ Ａｓ層である。
造半導体発光装置の典型的な例を表わす断面図であり、
各図に於いて、１０はｎ ＧａＡｓ基板、１１はｎ−
ＧａＡｔＡｓクラツド層、１２はｐ又はｎ−ＧａＡａ活
性層、１３はｐ − Ｇａｋｌ Ａｓクラツド層、１４
はｐ − Ｇａ Ａ ｓオーミツクコンタクト層、１５
．１６はｐ側及びｎ側電極、１７はｐ＋＋拡散領域、１
８はｐ − ＧａＡＺ Ａｓ層である。
第１図は、ｐ側電極１５をストライプ形状にした所謂電
極ストライプ型のものであり、構造は比較的単純である
が、活性層１２とｐ側電極１５との距離が４μｍ〜６μ
ｍある為、ストライプ電極幅をｌＯμｍ以下とした場合
にも活性層１２での電流集中を充分に行なうことができ
ず横モードが不安定になる欠点がある。
極ストライプ型のものであり、構造は比較的単純である
が、活性層１２とｐ側電極１５との距離が４μｍ〜６μ
ｍある為、ストライプ電極幅をｌＯμｍ以下とした場合
にも活性層１２での電流集中を充分に行なうことができ
ず横モードが不安定になる欠点がある。
また第２図は、活性層１２とクラツド層１３との接合面
近傍までＺｎ等を拡散して高濃度ｐ型拡散領域１７を形
成した所謂拡散ストライプ型のものであり、前記電極ス
トライプ型に比べ放熱性は良いが、拡散深さの制御が難
かしく、また高濃度不純物拡散による結晶の乱れに起因
して発生する欠陥により特性が劣化し易い欠点がある。
近傍までＺｎ等を拡散して高濃度ｐ型拡散領域１７を形
成した所謂拡散ストライプ型のものであり、前記電極ス
トライプ型に比べ放熱性は良いが、拡散深さの制御が難
かしく、また高濃度不純物拡散による結晶の乱れに起因
して発生する欠陥により特性が劣化し易い欠点がある。
更に拡散深さと同程度に横方向にも拡散が拡がる為、幅
の狭いストライプを形成するのが困難である。
の狭いストライプを形成するのが困難である。
これに対し第３図に示す埋込みストライプ型構造のもの
は、拡散工程を含まないが、メサエツチングによりスト
ライプ状に残された多層構造の外側に再びエビタキシャ
ル成長によりｐ−ＧａＡｌＡｓ層１８を成長させる為、
エビタキシャル成長工程が２回になり、その間に活性層
１２とｐ−ＧａＡｌＡｓ層１８との界面が外気に曝され
、その界面から欠陥が発生し易い欠点がある。
は、拡散工程を含まないが、メサエツチングによりスト
ライプ状に残された多層構造の外側に再びエビタキシャ
ル成長によりｐ−ＧａＡｌＡｓ層１８を成長させる為、
エビタキシャル成長工程が２回になり、その間に活性層
１２とｐ−ＧａＡｌＡｓ層１８との界面が外気に曝され
、その界面から欠陥が発生し易い欠点がある。
また、このようなメサエツチングでは十分に幅の狭いス
トライプを形成することが困難である。
トライプを形成することが困難である。
このように従来のストライプ型二重へテロ構造半導体発
光装置は、その構造面に於いても又その製造工程に於い
ても各種の欠点を有しており、必ずしも満足するもので
はなかった。
光装置は、その構造面に於いても又その製造工程に於い
ても各種の欠点を有しており、必ずしも満足するもので
はなかった。
本発明はこのような従来の欠点を改善した新規な発明で
あり、その目的は、単一横モード発振を安定に行なうこ
とができる発光特性の優れたストライプ型二重へテロ構
造半導体発光装置を得られるようにすることにある。
あり、その目的は、単一横モード発振を安定に行なうこ
とができる発光特性の優れたストライプ型二重へテロ構
造半導体発光装置を得られるようにすることにある。
本発明を簡単に説明すると、凸部に於けるエビタキシャ
ル成長速度が零または負になることを利用し、半導体基
板と下側クラツド層との間に設けた電流阻止層の一部を
、基板主面に形成した断面が三角形状で且つ一方向にス
トライプ状に伸びる刃状メサ部の頂部に於いてストライ
プ状に欠損させ、この欠損部に電流を集中させることに
より活性層の微小な領域でレーザ発振を可能としたもの
である。
ル成長速度が零または負になることを利用し、半導体基
板と下側クラツド層との間に設けた電流阻止層の一部を
、基板主面に形成した断面が三角形状で且つ一方向にス
トライプ状に伸びる刃状メサ部の頂部に於いてストライ
プ状に欠損させ、この欠損部に電流を集中させることに
より活性層の微小な領域でレーザ発振を可能としたもの
である。
以下実施例について詳細に説明する。
第４図は本発明の方法によって作られる半導体発光装置
の一例を表わす側断面図であり、２０はｎ−Ｇａ Ａ
ｓ基板、２１はｐ − Ｇａ Ｉ− ｘｋｌｘＡｓ電流
阻止層、２２はｎ Ｇａ ，− ｘ Ａ ｔ ｘ Ａ
ｓクラツド層、２３はｎ又はｐ形のＧａＡｓ活性層、
２４はｐＧａ １ − ｘ Ａ ｔｘＡ ｓクラツド層
、２５はｐ一ＧａＡｓオーミツクコンタクト層、２６．
２７はｐ側及びｎ側電極、２８は刃状メサ部、２９は欠
損部、３０は発光領域である。
の一例を表わす側断面図であり、２０はｎ−Ｇａ Ａ
ｓ基板、２１はｐ − Ｇａ Ｉ− ｘｋｌｘＡｓ電流
阻止層、２２はｎ Ｇａ ，− ｘ Ａ ｔ ｘ Ａ
ｓクラツド層、２３はｎ又はｐ形のＧａＡｓ活性層、
２４はｐＧａ １ − ｘ Ａ ｔｘＡ ｓクラツド層
、２５はｐ一ＧａＡｓオーミツクコンタクト層、２６．
２７はｐ側及びｎ側電極、２８は刃状メサ部、２９は欠
損部、３０は発光領域である。
本発明（こよって作られる半導体発光装置は同図に示す
ように、断面が三角形であり且つ一方向にストライプ状
に伸びた刃状メサ部２８が、ｎ −ＧａＡｓ基板２０の
上面に形成され、その刃状メサ部２８の先端でストライ
プ状の欠損部２９が生じるように、ｐ Ｇａ １ −
ｘ Ａ ｔ ｘ Ａ ｓ電流阻止層２１がｎ − Ｇ
ａ Ａ ｓ基板２０の全面に形成され、その上面にｎ
Ｇａ １− ｘ ＡｌｘＡ ｓクラツド層２２、ｎ又
？ｐ形のＧａＡｓ活性層２３、ｐ Ｇａ ，− ｘＡ
ｌｘＡｓクラツド層２４及びｐ − Ｇａ Ａ ｓオ
ーミツクコンタクト層２５が順次形成されているもので
あり、最上層にｐ側電極２６、基板２０４こｎ側電極が
設けられている。
ように、断面が三角形であり且つ一方向にストライプ状
に伸びた刃状メサ部２８が、ｎ −ＧａＡｓ基板２０の
上面に形成され、その刃状メサ部２８の先端でストライ
プ状の欠損部２９が生じるように、ｐ Ｇａ １ −
ｘ Ａ ｔ ｘ Ａ ｓ電流阻止層２１がｎ − Ｇ
ａ Ａ ｓ基板２０の全面に形成され、その上面にｎ
Ｇａ １− ｘ ＡｌｘＡ ｓクラツド層２２、ｎ又
？ｐ形のＧａＡｓ活性層２３、ｐ Ｇａ ，− ｘＡ
ｌｘＡｓクラツド層２４及びｐ − Ｇａ Ａ ｓオ
ーミツクコンタクト層２５が順次形成されているもので
あり、最上層にｐ側電極２６、基板２０４こｎ側電極が
設けられている。
刃状メサ部２８は３μｍ以上の高さ、電流阻止層２１は
刃状メサ部２８の裾から２０μｍ以上離れた領域でその
高さの％以下の厚さ、下側クラツド層２２、上側クラツ
ド層２４及びオーミツクコンタクト層２５は２〜３μｍ
の厚さ、活性層２３は０．５〜ｌμｍの厚さとするもの
である。
刃状メサ部２８の裾から２０μｍ以上離れた領域でその
高さの％以下の厚さ、下側クラツド層２２、上側クラツ
ド層２４及びオーミツクコンタクト層２５は２〜３μｍ
の厚さ、活性層２３は０．５〜ｌμｍの厚さとするもの
である。
また、下側クラツド層２２、活性層２３、上側クラツド
層２４の禁制帯幅及び屈折率をそれぞれＥ２＋ Ｅｇ３
＋ Ｅｇ４ ｒ Ｎ２ ｔ Ｎ３’ ＋ Ｎ４とする
と、Ｅｇ３くＥｇ２，ＥｇいＮ３〉Ｎ２，Ｎ４とするも
のである。
層２４の禁制帯幅及び屈折率をそれぞれＥ２＋ Ｅｇ３
＋ Ｅｇ４ ｒ Ｎ２ ｔ Ｎ３’ ＋ Ｎ４とする
と、Ｅｇ３くＥｇ２，ＥｇいＮ３〉Ｎ２，Ｎ４とするも
のである。
さて、このような構造を有する半導体発光装置にｐ側電
極２６を正、ｎ側電極２７を負として電圧を印加すると
、ｐ Ｇａ Ｈ − ｘ Ａ ｔｘ Ａ ｓ電流阻止
層２１とｎ − Ｇａ ｌ−ｘＡｔｘＡｓクラツド層２
２とのＰＮ接合面は逆バイアスになるので、電流は欠損
部２９に集中して流れることになり、その結果発光領域
は符号３０に示すように幅の狭い領域に限定される。
極２６を正、ｎ側電極２７を負として電圧を印加すると
、ｐ Ｇａ Ｈ − ｘ Ａ ｔｘ Ａ ｓ電流阻止
層２１とｎ − Ｇａ ｌ−ｘＡｔｘＡｓクラツド層２
２とのＰＮ接合面は逆バイアスになるので、電流は欠損
部２９に集中して流れることになり、その結果発光領域
は符号３０に示すように幅の狭い領域に限定される。
また、発光領域３０は、実質的にスト・ライブ方向に垂
直な方向が活性層２３よりも禁制帯幅が犬かつ屈折率が
小のクラツド層２２，２４で囲まれた構造と等価である
から、電流及び光の閉込め効果を有し、横モードを安定
に且つ単？基本モードとすることができる。
直な方向が活性層２３よりも禁制帯幅が犬かつ屈折率が
小のクラツド層２２，２４で囲まれた構造と等価である
から、電流及び光の閉込め効果を有し、横モードを安定
に且つ単？基本モードとすることができる。
このような構造を有する半導体発光装置の製造方法とし
ての一例を示せば、まずｎ − Ｇａ Ａ ｓ基板１２
０上面にストライプ形状のマスクを設けて基板２０にエ
ッチングを行ない、断面が三角形状で且つ一方向にスト
ライプ状に伸びた刃状メサ部２８をその高さが３μｍ以
上になるように形成する。
ての一例を示せば、まずｎ − Ｇａ Ａ ｓ基板１２
０上面にストライプ形状のマスクを設けて基板２０にエ
ッチングを行ない、断面が三角形状で且つ一方向にスト
ライプ状に伸びた刃状メサ部２８をその高さが３μｍ以
上になるように形成する。
この場合、エッチング液としては例えばＨ３Ｐ０４；と
Ｈ２０との混合液を用いると良く、刃状メサ部２８の高
さは、マスク幅及びエッチング時間により調整すること
ができる。
Ｈ２０との混合液を用いると良く、刃状メサ部２８の高
さは、マスク幅及びエッチング時間により調整すること
ができる。
尚、例えばｎ − ＧａＡｓ基板２０主面を（１００）
面とし、ストライプの方向を＜０１１＞方向とすれば、
（１１１）面が表出される。
面とし、ストライプの方向を＜０１１＞方向とすれば、
（１１１）面が表出される。
次に刃状メサ部２８の裾から２０μｍ以上離れた領域で
の厚さがその刃状メサ部２８の高さの％以上の厚さにな
るように、ｐ−Ｇａｌ−ｘＡｔｘＡｓ電流阻止層２１を
液相エピタキシャル成長法によりｎ ＧａＡｓ基板２
０上に形成する。
の厚さがその刃状メサ部２８の高さの％以上の厚さにな
るように、ｐ−Ｇａｌ−ｘＡｔｘＡｓ電流阻止層２１を
液相エピタキシャル成長法によりｎ ＧａＡｓ基板２
０上に形成する。
この場合、エビタキシャル成長速度が凸部で零又は負に
なることに起因して、電流阻止層２１の一部が刃状メサ
部２９の頂部により切断され、電流集中領域となる欠損
部２９が形成される。
なることに起因して、電流阻止層２１の一部が刃状メサ
部２９の頂部により切断され、電流集中領域となる欠損
部２９が形成される。
次に電流阻止層２１の上面に液相エピタキシャル成長法
により、２−３ｐｍの厚さのｎ Ｇａ１−ＸＡｔ ｘ
Ａｓクラッド層２２、０．５〜１μｍの厚さのｎ又はｐ
形のＧａＡｓ活性層２３、２〜３μｍの厚さのｐ一Ｇａ
１−ＸＡｌｘＡｓクラツド層２４及びｐ − Ｇａ Ａ
ｓオーミツクコンタクト層２５を順次形成し、最上層に
ｐ側電極２６、基板２０にｎ側電極２７を形成して完成
する。
により、２−３ｐｍの厚さのｎ Ｇａ１−ＸＡｔ ｘ
Ａｓクラッド層２２、０．５〜１μｍの厚さのｎ又はｐ
形のＧａＡｓ活性層２３、２〜３μｍの厚さのｐ一Ｇａ
１−ＸＡｌｘＡｓクラツド層２４及びｐ − Ｇａ Ａ
ｓオーミツクコンタクト層２５を順次形成し、最上層に
ｐ側電極２６、基板２０にｎ側電極２７を形成して完成
する。
前記ｎ Ｇａ １− Ｘ Ａ ｌｘ Ａ ｓクラツド
層２２は欠損部が生じない程度の厚さとするものである
。
層２２は欠損部が生じない程度の厚さとするものである
。
具体例を示すと、刃状メサ部２８の高さを６ｐｍ１ｐ−
Ｇａ１−ｘＡｔｘＡｓ電流阻止層２１の厚さを刃状メサ
部２８の裾より２０μｍ以上離れた領域で１．５μｍと
した場合、電流阻止層２１の欠損部２９は約１μｍ幅の
ストライプとなり、発光領域３０の横幅は約５μｍとな
る。
Ｇａ１−ｘＡｔｘＡｓ電流阻止層２１の厚さを刃状メサ
部２８の裾より２０μｍ以上離れた領域で１．５μｍと
した場合、電流阻止層２１の欠損部２９は約１μｍ幅の
ストライプとなり、発光領域３０の横幅は約５μｍとな
る。
このように、本発明によれば、半導体発光装置は連続し
た一回の液相エピタキシャル成長工程により各層２１〜
２５を形成することができるので活性層２３が外気に曝
されることがなく、従って従来の埋込みストライプ型構
造のように欠陥が発生することはない。
た一回の液相エピタキシャル成長工程により各層２１〜
２５を形成することができるので活性層２３が外気に曝
されることがなく、従って従来の埋込みストライプ型構
造のように欠陥が発生することはない。
また電流阻止層２１の一部を欠損させるに当っては、刃
状メサ部２８がメサ形の形状になっている為比較的容易
に欠損部２９を形成することができ、それだけ電流集中
を効果的に行なうことができる。
状メサ部２８がメサ形の形状になっている為比較的容易
に欠損部２９を形成することができ、それだけ電流集中
を効果的に行なうことができる。
以上の実施例は、ＧａＡｔＡｓとＧａＡｓとの二重へテ
ロ接合構造についてのものであるが、他の多元化合物、
例えばＩｎＰとＩｎＧａＡｓＰとの二重へテロ接合を有
する半導体発光装置にも、本発明を適用し得ることは勿
論のことである。
ロ接合構造についてのものであるが、他の多元化合物、
例えばＩｎＰとＩｎＧａＡｓＰとの二重へテロ接合を有
する半導体発光装置にも、本発明を適用し得ることは勿
論のことである。
また、先の実施例に於いては、ｐ側電極２６をオーミツ
クコンタクト層２５の全面に形成したが、ｐ側電極２６
を刃状メサ部２８の長尺方向に沿ってストライプ状に形
成することも可能であり、こうすることにより電流集中
の効果をより一層高めることができる。
クコンタクト層２５の全面に形成したが、ｐ側電極２６
を刃状メサ部２８の長尺方向に沿ってストライプ状に形
成することも可能であり、こうすることにより電流集中
の効果をより一層高めることができる。
更に、第４図と同一部分は同一符号をもって表わした第
５図に示すように、刃状メサ部２８の裾から５μｍ程度
以上離れた領域に於けるエビタキシャル層２１〜２５を
エッチング等により除去して、基板２０を表出させ、こ
の基板２０の表出面にｎ側電極２７を形成する構造とす
ることも可能である。
５図に示すように、刃状メサ部２８の裾から５μｍ程度
以上離れた領域に於けるエビタキシャル層２１〜２５を
エッチング等により除去して、基板２０を表出させ、こ
の基板２０の表出面にｎ側電極２７を形成する構造とす
ることも可能である。
この構造を採用すれば、半導体素子の一方の面のみから
電極を取り出すことが可能となる。
電極を取り出すことが可能となる。
以上の説明で判るように、本発明の製造方法に於いては
、半導体基板とこれと同一導電型の下側クラツド層との
間に設けたそれらと異なる導電型を有する電流阻止層の
一部を、前記半導体基板主面に形成した一方向にストラ
イプ状に伸びた刃状メサ部の頂部に於いて、エビタキシ
ャル成長速度が凸部に於いて零又は負になることを利用
して、ストライプ状に切断したものであり、その切断に
より生じた幅の狭いストライプ状の欠損部に逆バイアス
となる周囲のＰＮ接合を利用して電流を集中させる半導
体発光装置を作ることができる。
、半導体基板とこれと同一導電型の下側クラツド層との
間に設けたそれらと異なる導電型を有する電流阻止層の
一部を、前記半導体基板主面に形成した一方向にストラ
イプ状に伸びた刃状メサ部の頂部に於いて、エビタキシ
ャル成長速度が凸部に於いて零又は負になることを利用
して、ストライプ状に切断したものであり、その切断に
より生じた幅の狭いストライプ状の欠損部に逆バイアス
となる周囲のＰＮ接合を利用して電流を集中させる半導
体発光装置を作ることができる。
従って微小な発光領域が得られると共に、発光領域が実
質的に禁制帯幅が犬かつ屈折率が小である上側クラツド
層及び下側クラツド層によって囲まれる構造と等価とな
り電流及び光の閉込め効果が現われるので、横モードを
安定に且つ単一基本モードとすることができる。
質的に禁制帯幅が犬かつ屈折率が小である上側クラツド
層及び下側クラツド層によって囲まれる構造と等価とな
り電流及び光の閉込め効果が現われるので、横モードを
安定に且つ単一基本モードとすることができる。
また、拡散行程が不要で連続した一回のエビタキシャル
工程で各半導体層を形成することができるので、活性層
が外気に曝されることがなく、素子の特性が劣化しない
という利点がある。
工程で各半導体層を形成することができるので、活性層
が外気に曝されることがなく、素子の特性が劣化しない
という利点がある。
更に、電流阻止層の切断を、メサ形の形状を有する刃状
メサ部の頂部を直接利用して行なうので、その切断が比
較的容易に行なえる利点もある。
メサ部の頂部を直接利用して行なうので、その切断が比
較的容易に行なえる利点もある。
第１図乃至第３図は従来のストライプ型二重へトロ構造
半導体発光装置の側断面図、第４図及び第５図は本発明
のそれぞれ異なる実施例を表わす為の側断面図である。 ２０はｎ−ＧａＡｓ基板、２１はｐ−Ｇａ １ −ｘＡ
ｔｘＡｓ電流阻止層、２２はｎ Ｇａ １−ｘ Ａ
ｌ ｘＡ ｓ クラツド層、２３はｎ又はｐ形のＧ ａ
Ａ ｓ活性層、２４はｐ Ｇａ ） − ｘ Ａ
ｌ ｘＡ ｓクラッド層、２５はｐ一ＧａＡｓオーミツ
クコンタクト層、２６．２７はｐ側及びｎ側電極、２８
は刃状メサ部、２９は欠損部、３０は発光領域である。
半導体発光装置の側断面図、第４図及び第５図は本発明
のそれぞれ異なる実施例を表わす為の側断面図である。 ２０はｎ−ＧａＡｓ基板、２１はｐ−Ｇａ １ −ｘＡ
ｔｘＡｓ電流阻止層、２２はｎ Ｇａ １−ｘ Ａ
ｌ ｘＡ ｓ クラツド層、２３はｎ又はｐ形のＧ ａ
Ａ ｓ活性層、２４はｐ Ｇａ ） − ｘ Ａ
ｌ ｘＡ ｓクラッド層、２５はｐ一ＧａＡｓオーミツ
クコンタクト層、２６．２７はｐ側及びｎ側電極、２８
は刃状メサ部、２９は欠損部、３０は発光領域である。
Claims (1)
- １ ストライブ型二重へテロ構造半導体発光装置の製造
方法に於いて、第１導電型を有する半導体基板上に断面
が三角形状で且つ一方向にストライブ状に伸びる刃状メ
サ部を形成し、次に連続エビタキシャル成長法により、
第２導電型の電流阻止層を該層の一部が前記刃状メサ部
の頂部により切断されて電流集中領域となるストライブ
状の欠損部が形成される程度の厚さに形成し、次に第１
導電型の下側クラツド層を前記欠損部を完全に覆う程度
の厚さに形成し、次に第１または第２導電型の活性層及
び第２導電型の上側クラツド層を形成する工程を含むこ
とを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54067305A JPS589592B2 (ja) | 1979-05-30 | 1979-05-30 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54067305A JPS589592B2 (ja) | 1979-05-30 | 1979-05-30 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55158689A JPS55158689A (en) | 1980-12-10 |
| JPS589592B2 true JPS589592B2 (ja) | 1983-02-22 |
Family
ID=13341159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54067305A Expired JPS589592B2 (ja) | 1979-05-30 | 1979-05-30 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589592B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57118687A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of semiconductor laser |
| US5202285A (en) * | 1990-04-26 | 1993-04-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing same |
| EP0454476A3 (en) | 1990-04-26 | 1992-04-01 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing the same |
| US5255281A (en) * | 1990-04-26 | 1993-10-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure |
| JPH06120618A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 半導体発光素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52100885A (en) * | 1976-02-19 | 1977-08-24 | Sony Corp | Production of semiconductor device by liquid epitaxial growth |
-
1979
- 1979-05-30 JP JP54067305A patent/JPS589592B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55158689A (en) | 1980-12-10 |
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