JPS6076184A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS6076184A JPS6076184A JP18486183A JP18486183A JPS6076184A JP S6076184 A JPS6076184 A JP S6076184A JP 18486183 A JP18486183 A JP 18486183A JP 18486183 A JP18486183 A JP 18486183A JP S6076184 A JPS6076184 A JP S6076184A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mesa stripe
- current blocking
- groove
- blocking layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
- H01S5/1064—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying width along the optical axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は活性層の周囲を、活性層よ夕もエネルギーギャ
ップが大きく、屈折率が小さ々半導体材料で埋め込んだ
半導体レーザ、特に大出力特性の改善された埋め込みへ
テロ構造半導体レーザに関する。
ップが大きく、屈折率が小さ々半導体材料で埋め込んだ
半導体レーザ、特に大出力特性の改善された埋め込みへ
テロ構造半導体レーザに関する。
埋め込みへテロ構造半導体レーザ（ＢＨ−ＬＤ ）は低
い発振しきい値電流、安定化された発振横モード、高温
動作可能などの優れた特性を有しているため、光フアイ
バ通信用光源として注目を集めている。本願の発明者ら
蝶特願昭５６−１６６６６６ Ｋ示した様［２本ｏはぼ
平行す１ｆｌＫはさまれて形成された発光再結合する活
性層を含むメサストライプの周囲で確実圧電流ブロック
層が形成でき、したがって温度特性に優れ、種々の基本
処理過程でのダメージを受けることが少なく、製造歩留
シの向上したＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＢＨ−ＬＤを発明
した。仁のＢＨ−ＬＤにおいて発振し龜い値電流ｌＯ〜
２０ ｍＡ ｓ微分量子効率６０％程度で、片面光出力
２０ｍＷまでＩ−Ｌ特性がはぼ直線的々レーザが再現性
よく得られている。
い発振しきい値電流、安定化された発振横モード、高温
動作可能などの優れた特性を有しているため、光フアイ
バ通信用光源として注目を集めている。本願の発明者ら
蝶特願昭５６−１６６６６６ Ｋ示した様［２本ｏはぼ
平行す１ｆｌＫはさまれて形成された発光再結合する活
性層を含むメサストライプの周囲で確実圧電流ブロック
層が形成でき、したがって温度特性に優れ、種々の基本
処理過程でのダメージを受けることが少なく、製造歩留
シの向上したＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＢＨ−ＬＤを発明
した。仁のＢＨ−ＬＤにおいて発振し龜い値電流ｌＯ〜
２０ ｍＡ ｓ微分量子効率６０％程度で、片面光出力
２０ｍＷまでＩ−Ｌ特性がはぼ直線的々レーザが再現性
よく得られている。
ところでこのようなりＨ−ＬＤを１００〜２００ｍＷ程
度の高光出力で長時間動作させようとすると、時として
へき開によって形成した共振器面に劣化が生ずることが
観測され、それによって所望の光出力を紐持することが
困難になることがあった。このようなレーザ共振器面の
端面破壊状ＧａＡｓ を活性層とし、ＧａＡｌＡｓをク
ラッド層とするＧａＡ ＩＡｓ／ＧａＡｓ系半導体レー
ザＩｃおいて特に顕著であり、Ｉ ｎＧａＡｓＰ／ｒ
ｎＰ系半導体レーザにおいてはあｔＪ大きな劣化要因で
はないとされていた。しかしながら、活性層端面がＱ、
ｌＸ２μ−程度のきわめて小さな面積ｔもつＢＨ−ＬＤ
においては、とｎだけの小さな面積の領域処１００ｍＷ
程度の光強度が集中するξとＫよって、直接外気と触れ
る共振器端面が損傷を受けやすい。特に７０℃程度の高
温度雰囲気中で加速試験を行なった後、１００ｍＷ以上
の高出力動作時ｉると、このような共振器端面の劣化が
促進されやすい。高出力動作時の端面劣化を防ぐためＫ
これまで例えば不純物拡散によシ、共振器端面付近のみ
を電流非注入領域とすることが行なりｎている。すなわ
ち、エピタキシャル成長の際の最終成長層ｋｍ型として
おき、レーザ共振器端面付近のみを除いてＰ型不純物全
拡散して電流注入領域を形成する方法である。しかしな
がらこの場合には不純物拡散を行なう拡散エッヂから転
位が走９やすくなシ、それ処よって素子の信頼性を下げ
ていた。
度の高光出力で長時間動作させようとすると、時として
へき開によって形成した共振器面に劣化が生ずることが
観測され、それによって所望の光出力を紐持することが
困難になることがあった。このようなレーザ共振器面の
端面破壊状ＧａＡｓ を活性層とし、ＧａＡｌＡｓをク
ラッド層とするＧａＡ ＩＡｓ／ＧａＡｓ系半導体レー
ザＩｃおいて特に顕著であり、Ｉ ｎＧａＡｓＰ／ｒ
ｎＰ系半導体レーザにおいてはあｔＪ大きな劣化要因で
はないとされていた。しかしながら、活性層端面がＱ、
ｌＸ２μ−程度のきわめて小さな面積ｔもつＢＨ−ＬＤ
においては、とｎだけの小さな面積の領域処１００ｍＷ
程度の光強度が集中するξとＫよって、直接外気と触れ
る共振器端面が損傷を受けやすい。特に７０℃程度の高
温度雰囲気中で加速試験を行なった後、１００ｍＷ以上
の高出力動作時ｉると、このような共振器端面の劣化が
促進されやすい。高出力動作時の端面劣化を防ぐためＫ
これまで例えば不純物拡散によシ、共振器端面付近のみ
を電流非注入領域とすることが行なりｎている。すなわ
ち、エピタキシャル成長の際の最終成長層ｋｍ型として
おき、レーザ共振器端面付近のみを除いてＰ型不純物全
拡散して電流注入領域を形成する方法である。しかしな
がらこの場合には不純物拡散を行なう拡散エッヂから転
位が走９やすくなシ、それ処よって素子の信頼性を下げ
ていた。
本発明の目的は上述の欠点を除去すぺく、結晶成長時に
共振器端面付近に非注入領域全形成することができ、製
造歩留りが高く、特に高出力動作時の信頼性が大幅に同
上した１０１−ＬＤを提供することにある〇 本発明による半導体レーザの構成は半導体基板上に少く
とも活性ｌ―を含む半導体多層膜を積層させた多層膜構
造半導体ウェファに、前記活性層よりも深く形成された
２本の平行な溝によってはさま扛たメサストライプを形
成した後埋め込み成長してなる埋め込みへテロ構造半導
体レーザにおいて、前記溝が共振器端面付近で狭くなっ
た領域を有し、前記溝の狭い幅の領域でのみ電流ブロッ
ク層が前記メサストライプをおおって形成さルてなるこ
とを特徴とする。
共振器端面付近に非注入領域全形成することができ、製
造歩留りが高く、特に高出力動作時の信頼性が大幅に同
上した１０１−ＬＤを提供することにある〇 本発明による半導体レーザの構成は半導体基板上に少く
とも活性ｌ―を含む半導体多層膜を積層させた多層膜構
造半導体ウェファに、前記活性層よりも深く形成された
２本の平行な溝によってはさま扛たメサストライプを形
成した後埋め込み成長してなる埋め込みへテロ構造半導
体レーザにおいて、前記溝が共振器端面付近で狭くなっ
た領域を有し、前記溝の狭い幅の領域でのみ電流ブロッ
ク層が前記メサストライプをおおって形成さルてなるこ
とを特徴とする。
以下実施例を示す図面を参照しつつ本発明を説明する〇
第１図はメサストライプ、およびエツチング溝形成後の
多層膜構造半導体ウェファの平面図である。活性層を含
む多層膜構造半導体ウェファｌ０ＩＫ、幅２μｍのメサ
ストライプ１０３および溝幅の比較的広い部分で１（１
＃ｎ１．狭い部分で４ ｐ（Ｈの幅をもつエツチング溝
１０２が形成されている。後に述べる様にこのエツチン
グ溝１０２は活性層よりも深く形成されている。第２図
（ａｌは、そのようにしてエツチング溝およびメサスト
ライプを形成した半導体ウェファに埋め込み成長を行な
ってＢＨ−ＬＤを作製した場合のエツチング溝の幅の広
い部分の断面図、すなわち第１図中Ａ−ｘで示した部分
の埋め込み成長後の断面図である。また第２図（ｂ）は
エツチング溝の幅が狭い部分、すなわち、第１図中Ｂ−
Ｂ’で示し九部分の埋め込み成長後の断面図である。こ
のようなりＨ−ＬＤを得る忙は、まず（１００）ｎ−１
ｎＰ基板２０１上ＫｎｒｎＰバツフアＪ５２０２ 、発
光波長１．３７１ｒｒ１相当のＩｎｏ、ｙｚＧａｏ、ｚ
ｓＡｓｏ、５ｔＰｏ、ａｓ活性層２０３、Ｐ−ｒｎＰク
ラッド層２０４を順次積層させ、活性層を含む多層膜構
造半導体ウェファを得る。次に（０１１）方向に千行姉
メサストライプが形成される様に１第１図に示した様な
エツチングパターンを用いてメサストライプ１０３およ
びエツチング溝１０２を形成する。この際エツチング？
＃１０２は活性層よシも深く形成する。このようにして
エツチング１１０２および発光再結合する活性層を含む
メサストライプ１０３が形成された多層膜構造半導体ウ
ェファ１０１ Ｋ埋め込み成長を行なう＠埋め込み成長
においては、まずＰ−１ｎＰ電流プＯｙり層２０５、ｎ
−（ｎＰ電流ブロック層２０６ｔ−ｍ層させる。この際
エツチング溝１０２０幅の広い部分、すなわち発光再結
合する部分ではこれらの電流ブロック層がメサストライ
プ上面をおおわないようにし、また溝幅の狭い部分、す
なわちレーザ端面近傍では少なくともｎ１ｎＰ電流ブロ
ック層２０６がメサストライプ上面をおおっていること
が必要である。このような結晶成長を行なわせるためＫ
は、例えばｒｎメルト中ＫＩｎＰ小片が浮かんでいる２
相溶液法を用いればよい。エツチング溝１０２０幅の狭
い部分では幅の広い部分よりもエツチングされる深さが
浅くなるので、このようなことは容易であり、電流ブロ
ック層の成長時間を適当に選んでやればよい。本発明の
実施例に示したものでは溝幅の広い部分で幅１０ ｐｍ
ｓ深さ３μｍであり、溝幅の狭い部分では幅５μｍ、深
さ１．８７ｍであった。続けてＰ−ｒｎＰ埋め込み層２
０７、および発光波長ｌ、３ｊ１ｍｌ’ｉ（相当するＰ
−（ｎｏ、ｙ２Ｇａｏ２ｓＡｓｏ、ａｓ Ｐｏ、ｓｅ
電極層２０８を全面にわた−）テ積層させる。その後オ
ーミック電極の形成を行ない、所望のＢＨ−ＬＤが得ら
れる。このような端面保護構造をもったＢＨ−ＬＤにお
いて室温でのＣＷ発振しきい値電流３０ ｍＡ ｓ微分
量子効率５０％という素子が再現性良く得られた。また
１００ｄｉｒ以上の高出力動作も長時間安定に得らｎｌ
また７０℃の高温度加速試験後も１００ ｍＷ以上の高
出力動作が安定に得られ、端面劣化に起因するＬＤ出力
の減少れみられなかりた。
多層膜構造半導体ウェファの平面図である。活性層を含
む多層膜構造半導体ウェファｌ０ＩＫ、幅２μｍのメサ
ストライプ１０３および溝幅の比較的広い部分で１（１
＃ｎ１．狭い部分で４ ｐ（Ｈの幅をもつエツチング溝
１０２が形成されている。後に述べる様にこのエツチン
グ溝１０２は活性層よりも深く形成されている。第２図
（ａｌは、そのようにしてエツチング溝およびメサスト
ライプを形成した半導体ウェファに埋め込み成長を行な
ってＢＨ−ＬＤを作製した場合のエツチング溝の幅の広
い部分の断面図、すなわち第１図中Ａ−ｘで示した部分
の埋め込み成長後の断面図である。また第２図（ｂ）は
エツチング溝の幅が狭い部分、すなわち、第１図中Ｂ−
Ｂ’で示し九部分の埋め込み成長後の断面図である。こ
のようなりＨ−ＬＤを得る忙は、まず（１００）ｎ−１
ｎＰ基板２０１上ＫｎｒｎＰバツフアＪ５２０２ 、発
光波長１．３７１ｒｒ１相当のＩｎｏ、ｙｚＧａｏ、ｚ
ｓＡｓｏ、５ｔＰｏ、ａｓ活性層２０３、Ｐ−ｒｎＰク
ラッド層２０４を順次積層させ、活性層を含む多層膜構
造半導体ウェファを得る。次に（０１１）方向に千行姉
メサストライプが形成される様に１第１図に示した様な
エツチングパターンを用いてメサストライプ１０３およ
びエツチング溝１０２を形成する。この際エツチング？
＃１０２は活性層よシも深く形成する。このようにして
エツチング１１０２および発光再結合する活性層を含む
メサストライプ１０３が形成された多層膜構造半導体ウ
ェファ１０１ Ｋ埋め込み成長を行なう＠埋め込み成長
においては、まずＰ−１ｎＰ電流プＯｙり層２０５、ｎ
−（ｎＰ電流ブロック層２０６ｔ−ｍ層させる。この際
エツチング溝１０２０幅の広い部分、すなわち発光再結
合する部分ではこれらの電流ブロック層がメサストライ
プ上面をおおわないようにし、また溝幅の狭い部分、す
なわちレーザ端面近傍では少なくともｎ１ｎＰ電流ブロ
ック層２０６がメサストライプ上面をおおっていること
が必要である。このような結晶成長を行なわせるためＫ
は、例えばｒｎメルト中ＫＩｎＰ小片が浮かんでいる２
相溶液法を用いればよい。エツチング溝１０２０幅の狭
い部分では幅の広い部分よりもエツチングされる深さが
浅くなるので、このようなことは容易であり、電流ブロ
ック層の成長時間を適当に選んでやればよい。本発明の
実施例に示したものでは溝幅の広い部分で幅１０ ｐｍ
ｓ深さ３μｍであり、溝幅の狭い部分では幅５μｍ、深
さ１．８７ｍであった。続けてＰ−ｒｎＰ埋め込み層２
０７、および発光波長ｌ、３ｊ１ｍｌ’ｉ（相当するＰ
−（ｎｏ、ｙ２Ｇａｏ２ｓＡｓｏ、ａｓ Ｐｏ、ｓｅ
電極層２０８を全面にわた−）テ積層させる。その後オ
ーミック電極の形成を行ない、所望のＢＨ−ＬＤが得ら
れる。このような端面保護構造をもったＢＨ−ＬＤにお
いて室温でのＣＷ発振しきい値電流３０ ｍＡ ｓ微分
量子効率５０％という素子が再現性良く得られた。また
１００ｄｉｒ以上の高出力動作も長時間安定に得らｎｌ
また７０℃の高温度加速試験後も１００ ｍＷ以上の高
出力動作が安定に得られ、端面劣化に起因するＬＤ出力
の減少れみられなかりた。
本発明の実施例においてはメサストライプ１０３をはさ
んでいる２本のエツチング１９７１０２が端面付近で幅
が狭くなっておシ、その部分で紘エツチング深さも浅く
なるため、端面付近でのみ電流プ’Ｏｙり層がメサスト
ライプ１０３をおおい、非注入領域を結晶成長の段階で
形成することができた。これ忙よって高出力動作時の端
面劣化に起因する出力減少を防止することができた。端
面付近の非注入領域が結晶成長によって形成できるため
再現性、歩留シがきわめてよかった０ なお本発明の実施例においてはｒｎＧａＡｓＰ を活性
層とし、ｒｎＰ ｔ−基板とする波長１μｍ 帯のＢＨ
−ＬＤを示したが、用いる材料系はこれに＠ることはな
い。特に波長の煙い可視光領域のＬＤ ＋ Ｇ ａＡ
Ｉ Ａ ｓ系やＧａ１ｎＰ 、 ＧａＡｓを基板とし、
そ牡にほぼ格子整合した可視光領域のｒｎＧａＡｓＰ活
性層を有するもの等には特に有効である。また実施例圧
おいてａｎ−ＩｎＰ基板を用いたが、Ｐ型基板を用いて
、Ｐとｎとをすべて逆転させてもかまわない。電流ブロ
ック層もＰｉＪＩＬ、ｎ１ｌｌと２段階Ｋｍ層したが、
あらかじめメサストライプ以外の部分に電流ブロック層
を形成しておき、埋め込み成長においては１層だけ電流
ブロック層ｔ−積層させてもよい。さらに実施例では全
面電極型のＬＤ１に示したが、メサストライプ上部以外
に絶縁膜を形成したり、あるいは最終成長層をｎ型（あ
るいはＰ型）にし、不純物拡散によシメサストライプ上
部のみＰ型（あるいはｎＷ）とする、いわゆるプレーナ
ストライプ構造としてもよい。
んでいる２本のエツチング１９７１０２が端面付近で幅
が狭くなっておシ、その部分で紘エツチング深さも浅く
なるため、端面付近でのみ電流プ’Ｏｙり層がメサスト
ライプ１０３をおおい、非注入領域を結晶成長の段階で
形成することができた。これ忙よって高出力動作時の端
面劣化に起因する出力減少を防止することができた。端
面付近の非注入領域が結晶成長によって形成できるため
再現性、歩留シがきわめてよかった０ なお本発明の実施例においてはｒｎＧａＡｓＰ を活性
層とし、ｒｎＰ ｔ−基板とする波長１μｍ 帯のＢＨ
−ＬＤを示したが、用いる材料系はこれに＠ることはな
い。特に波長の煙い可視光領域のＬＤ ＋ Ｇ ａＡ
Ｉ Ａ ｓ系やＧａ１ｎＰ 、 ＧａＡｓを基板とし、
そ牡にほぼ格子整合した可視光領域のｒｎＧａＡｓＰ活
性層を有するもの等には特に有効である。また実施例圧
おいてａｎ−ＩｎＰ基板を用いたが、Ｐ型基板を用いて
、Ｐとｎとをすべて逆転させてもかまわない。電流ブロ
ック層もＰｉＪＩＬ、ｎ１ｌｌと２段階Ｋｍ層したが、
あらかじめメサストライプ以外の部分に電流ブロック層
を形成しておき、埋め込み成長においては１層だけ電流
ブロック層ｔ−積層させてもよい。さらに実施例では全
面電極型のＬＤ１に示したが、メサストライプ上部以外
に絶縁膜を形成したり、あるいは最終成長層をｎ型（あ
るいはＰ型）にし、不純物拡散によシメサストライプ上
部のみＰ型（あるいはｎＷ）とする、いわゆるプレーナ
ストライプ構造としてもよい。
本発明の特徴は、メサストライプをはさんでいる２本の
エツチング溝が端面付近で幅が狭くなっており、その部
分のみで電流ブロック層がメサストライプをおおうよう
に積層し、非注入領域を端面付近で形成したことである
。端面近傍の溝幅の狭い部分ではエツチング深さも浅く
なるためにこの部分でのみ電流ブロック層をメサストラ
イプ上面に積層させることが容易をζできる０このよう
に結晶成長の段階で非注入領域を形成することができ、
Ｂ Ｈ−Ｌ Ｄの高出力動作時の端面劣化忙起因する出
力減少を防止することができる。従来例の様な不純物拡
散によって非注入領域を形成する場合と比べて、拡散エ
ッチから転位がのびるというようなことがなく、素子特
性の再現性、素子の信頼性が大幅に改善された。
エツチング溝が端面付近で幅が狭くなっており、その部
分のみで電流ブロック層がメサストライプをおおうよう
に積層し、非注入領域を端面付近で形成したことである
。端面近傍の溝幅の狭い部分ではエツチング深さも浅く
なるためにこの部分でのみ電流ブロック層をメサストラ
イプ上面に積層させることが容易をζできる０このよう
に結晶成長の段階で非注入領域を形成することができ、
Ｂ Ｈ−Ｌ Ｄの高出力動作時の端面劣化忙起因する出
力減少を防止することができる。従来例の様な不純物拡
散によって非注入領域を形成する場合と比べて、拡散エ
ッチから転位がのびるというようなことがなく、素子特
性の再現性、素子の信頼性が大幅に改善された。
第１図はメサストライプ形成後の半導体ウェファ平面図
、第２図（ａｌ 、 （ｂ）は第１し１で示した半導体
ウェファに埋め込み成長を行なった後のＡ−Ａ′、 Ｂ
−ｎ１部分での断面図をそ扛ぞｎあられす。図中１０１
は多層膜榴造半導体ウェファ、１０２はエツチング溝、
１０３はメサストライプ、２０１ｄｎ−ＩｎＰ基板、２
０２ａｎ−ＩｎＰバッファ層、２０３は１ｎｏ、ｙ２Ｇ
ａｏ、ｚｓＡｓｏ、ｃ＋ＩＰｏ、ｓ９活性層、２０４は
Ｐ−ＩｎＰクラッド層、２０５はＰ−ＩｎＰｔ流ブロッ
ク層、２０６はｎ−ＩｎＰ電流電流プロ層、２０７はＰ
−ＩｎＰ ｊＪｌめ込み７ｉ！、２０ＢはＰ Ｉｎ０．
７２Ｇ８０．２８ＡＳ０．６１ＰＯＪ９電極層、をそれ
ぞれあられすＯ ＼ｔ−７、 牙 ｌ 図
、第２図（ａｌ 、 （ｂ）は第１し１で示した半導体
ウェファに埋め込み成長を行なった後のＡ−Ａ′、 Ｂ
−ｎ１部分での断面図をそ扛ぞｎあられす。図中１０１
は多層膜榴造半導体ウェファ、１０２はエツチング溝、
１０３はメサストライプ、２０１ｄｎ−ＩｎＰ基板、２
０２ａｎ−ＩｎＰバッファ層、２０３は１ｎｏ、ｙ２Ｇ
ａｏ、ｚｓＡｓｏ、ｃ＋ＩＰｏ、ｓ９活性層、２０４は
Ｐ−ＩｎＰクラッド層、２０５はＰ−ＩｎＰｔ流ブロッ
ク層、２０６はｎ−ＩｎＰ電流電流プロ層、２０７はＰ
−ＩｎＰ ｊＪｌめ込み７ｉ！、２０ＢはＰ Ｉｎ０．
７２Ｇ８０．２８ＡＳ０．６１ＰＯＪ９電極層、をそれ
ぞれあられすＯ ＼ｔ−７、 牙 ｌ 図
Claims (1)
- 半導体基板上に少なくとも活性層を含む半導体多層膜ヲ
稍層させた多層膜構造半導体ウェファに、前記活性層よ
りも深く形成された２本の平行な溝によってはさまれた
メサストライプを形成した後埋め八み成長してなる埋め
込みへテロ構造半導体レーザにおいて、前記溝が共振器
端面付近で狭くなった領域を有し、前記狭い幅の溝部で
狭まれたストライプ領域でのみ電流ブロック層が前記メ
サストライプをおおって形成されてなることを特徴とす
る半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18486183A JPS6076184A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18486183A JPS6076184A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076184A true JPS6076184A (ja) | 1985-04-30 |
| JPS6353718B2 JPS6353718B2 (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=16160586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18486183A Granted JPS6076184A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076184A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0413567A2 (en) * | 1989-08-15 | 1991-02-20 | Sony Corporation | Semiconductor lasers |
| JPH06283800A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Nec Corp | 半導体レーザ |
-
1983
- 1983-10-03 JP JP18486183A patent/JPS6076184A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0413567A2 (en) * | 1989-08-15 | 1991-02-20 | Sony Corporation | Semiconductor lasers |
| JPH06283800A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Nec Corp | 半導体レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6353718B2 (ja) | 1988-10-25 |
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