JPS61160987A - 集積型半導体光素子とその製造方法 - Google Patents
集積型半導体光素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPS61160987A JPS61160987A JP60001647A JP164785A JPS61160987A JP S61160987 A JPS61160987 A JP S61160987A JP 60001647 A JP60001647 A JP 60001647A JP 164785 A JP164785 A JP 164785A JP S61160987 A JPS61160987 A JP S61160987A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- semiconductor
- stripe
- contact layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は集積型半導体光素子とその製造方法に関するも
のである。
のである。
（従来技術とその問題点）
分布帰還型の半導体レーザ（以下ＤＦＢレーザと称する
）は、素子内部に形成された回折格子の分布帰還とその
波長選択性を利用して単一波長で発振するため、長距離
大容量の光フアイバ通信用の光源として有望である。ま
た、従来の７アプリペロ一型半導体レーザと異な）襞間
端面を必要としないため、他の光素子との集積化が容易
にでき、光集積回路用光源としても有望視されている。
）は、素子内部に形成された回折格子の分布帰還とその
波長選択性を利用して単一波長で発振するため、長距離
大容量の光フアイバ通信用の光源として有望である。ま
た、従来の７アプリペロ一型半導体レーザと異な）襞間
端面を必要としないため、他の光素子との集積化が容易
にでき、光集積回路用光源としても有望視されている。
このＤＦＢレーザと他の光素子を集積化した例として、
昭和５９年度秋の電子通信学会光・電波部門全国大会講
演論文集９分冊２の第２７２番で本願の発明者らが報告
した集積型のＤＦＢレーザがある。この素子は素子内部
の活性層に近接した光ガイド層に局所的に回折格子を形
成した領域と、そうでない領域とからなり、それぞれの
領域には別々に電極を形成した構造としている。そして
、回折格子が形成されている領域をＤＦＢレーザとして
発振させ、平坦な光ガイド層を含んだ領域を変調器とし
て動作させている。この素子の裏作の目的は、ＤＦＢレ
ーザを一定駆動電流で単一波長で定常発振させ、変調器
側でそのレーザ光を振幅変調することによって、従来Ｄ
ＦＢレーザを直接変調した時の活性層内部のキャリア密
度の揺らぎによって生じる波長チャーピングを抑制する
ことであった。ところがこの素子は、ＤＦＢレーザと変
調器との間の電気的絶縁をとるために、２つの電極間の
Ｐ”−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層を除去したにすぎ
。
昭和５９年度秋の電子通信学会光・電波部門全国大会講
演論文集９分冊２の第２７２番で本願の発明者らが報告
した集積型のＤＦＢレーザがある。この素子は素子内部
の活性層に近接した光ガイド層に局所的に回折格子を形
成した領域と、そうでない領域とからなり、それぞれの
領域には別々に電極を形成した構造としている。そして
、回折格子が形成されている領域をＤＦＢレーザとして
発振させ、平坦な光ガイド層を含んだ領域を変調器とし
て動作させている。この素子の裏作の目的は、ＤＦＢレ
ーザを一定駆動電流で単一波長で定常発振させ、変調器
側でそのレーザ光を振幅変調することによって、従来Ｄ
ＦＢレーザを直接変調した時の活性層内部のキャリア密
度の揺らぎによって生じる波長チャーピングを抑制する
ことであった。ところがこの素子は、ＤＦＢレーザと変
調器との間の電気的絶縁をとるために、２つの電極間の
Ｐ”−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層を除去したにすぎ
。
ず、従って、両電極間の抵抗は４５Ωと小さく、電気的
絶縁が不十分であった。その結果、変調器側注入電流の
一部がＤＦＢレーザ側に漏れ込み、それがＤＦＢレーザ
の発振波長を変化させてしまうため、必ずしも十分な特
性が得られなかった。
絶縁が不十分であった。その結果、変調器側注入電流の
一部がＤＦＢレーザ側に漏れ込み、それがＤＦＢレーザ
の発振波長を変化させてしまうため、必ずしも十分な特
性が得られなかった。
このようにＤＦＢレーザと変調器を集積化した素子のみ
ならず、一般に複数の光素子を集積化ヂる場合、素子間
の電気的絶縁は十分くとる必要がある。例えば、半導体
レーザなどの光素子の端子間電圧はＬ５〜２ｖ程度であ
るから、漏れ込み電流を１ｊｌＡ以下にするためには、
電気抵抗にして２にΩ以上が必要とされる。更に、素子
間は光学的には十分に結合してなくてはならない。
ならず、一般に複数の光素子を集積化ヂる場合、素子間
の電気的絶縁は十分くとる必要がある。例えば、半導体
レーザなどの光素子の端子間電圧はＬ５〜２ｖ程度であ
るから、漏れ込み電流を１ｊｌＡ以下にするためには、
電気抵抗にして２にΩ以上が必要とされる。更に、素子
間は光学的には十分に結合してなくてはならない。
（発明の目的）
本発明の目的は、光学的には十分に結合し、電気的には
十分絶縁された複数の光素子を集積化し丸集積型半導体
光素子とその製造方法を提供することＫある。
十分絶縁された複数の光素子を集積化し丸集積型半導体
光素子とその製造方法を提供することＫある。
（発明の構成）
本発明による集積型半導体光素子は、光の発光吸収また
は導波機能を有するストライプ状活性領域を含む多層構
造半導体からなり、前記多層構造半導体の上には前記ス
トライプ方向に複数に分割された電極を有し、前記電極
間において、前記多層構造半導体が前記ストライプ状活
性領域を含むメサストライプをなし、前記メサストライ
プ以外の部分では前記活性領域より下の半導体層が露出
している構造を特徴としている。
は導波機能を有するストライプ状活性領域を含む多層構
造半導体からなり、前記多層構造半導体の上には前記ス
トライプ方向に複数に分割された電極を有し、前記電極
間において、前記多層構造半導体が前記ストライプ状活
性領域を含むメサストライプをなし、前記メサストライ
プ以外の部分では前記活性領域より下の半導体層が露出
している構造を特徴としている。
その製造方法は、光の発光、吸収または導波機能を有す
るストライプ状活性領域を含み、最上層が前記ストライ
プ状活性領域の上に前記ストライプと平行な窪みを有す
る多層構造半導体を形成する工程と、前記最上層とは組
成の異なるコンタクト層を前記窪み部分を平坦に埋める
ように形成する工程と、前記コンタクト層の上に前記ス
トライプ方向に複数に分割した電極を形成する工程と、
前記電極間において、前記コンタクト層が前記窪み部分
にのみ残るように前記コンタクト層を一様にエツチング
する工程と、前記窪み部分に残ったコンタクト層をエツ
チングマスクとして、前記多層構造半導体をメサストラ
イプ状にエツチングし、前記メサストライプ以外の部分
で前記活性領域よりも下の半導体層を露出させる工程と
、前記窪み部分に残り九コンタクト層を除去する工程と
を含んだことを特徴としている。
るストライプ状活性領域を含み、最上層が前記ストライ
プ状活性領域の上に前記ストライプと平行な窪みを有す
る多層構造半導体を形成する工程と、前記最上層とは組
成の異なるコンタクト層を前記窪み部分を平坦に埋める
ように形成する工程と、前記コンタクト層の上に前記ス
トライプ方向に複数に分割した電極を形成する工程と、
前記電極間において、前記コンタクト層が前記窪み部分
にのみ残るように前記コンタクト層を一様にエツチング
する工程と、前記窪み部分に残ったコンタクト層をエツ
チングマスクとして、前記多層構造半導体をメサストラ
イプ状にエツチングし、前記メサストライプ以外の部分
で前記活性領域よりも下の半導体層を露出させる工程と
、前記窪み部分に残り九コンタクト層を除去する工程と
を含んだことを特徴としている。
（発明の原理）
例えば、ｎ型半導体基板を用いた半導体レーザと、他の
光素子との集積素子の場合、２つの素子間の電気抵抗を
大きくし、且つ光の結合を十分くするためには、素子間
において、光の導波機能を持つ活性層と、その近傍の半
導体をメサストライプ状に残すようＫして、それ以外の
ｐ型半導体層をできるだけ′多く除去すればよい。一般
にＩｎＰなどのｐ型半導体の抵抗率は、キャリア濃度ｌ
Ｘｌ０”１ 程度の場合で０．１Ω１程度である。従っ
て、２つの素子間の間隔が２０μｍ、活性層より上のｐ
型半導体層の厚さが２μｍとすれば、素子間抵抗２にΩ
以上を実現するためには、メサストライプ幅を５μｍ以
下にすればよいのである。このような構造を製作する場
合、幅数〜１０μｍ程度のメチストライプ内に幅２μ屑
程度の活性層が入るように加工しなくてはならないため
、高い加工精度が要求される。しかし、次に述べるよう
な構造を特徴とする光素子の場合には、簡単な製作工程
で上述のメサストライプ構造が得られる。
光素子との集積素子の場合、２つの素子間の電気抵抗を
大きくし、且つ光の結合を十分くするためには、素子間
において、光の導波機能を持つ活性層と、その近傍の半
導体をメサストライプ状に残すようＫして、それ以外の
ｐ型半導体層をできるだけ′多く除去すればよい。一般
にＩｎＰなどのｐ型半導体の抵抗率は、キャリア濃度ｌ
Ｘｌ０”１ 程度の場合で０．１Ω１程度である。従っ
て、２つの素子間の間隔が２０μｍ、活性層より上のｐ
型半導体層の厚さが２μｍとすれば、素子間抵抗２にΩ
以上を実現するためには、メサストライプ幅を５μｍ以
下にすればよいのである。このような構造を製作する場
合、幅数〜１０μｍ程度のメチストライプ内に幅２μ屑
程度の活性層が入るように加工しなくてはならないため
、高い加工精度が要求される。しかし、次に述べるよう
な構造を特徴とする光素子の場合には、簡単な製作工程
で上述のメサストライプ構造が得られる。
すなわち、半導体レーザの中には、ストライプ状活性層
の上の半導体層表面に、この活性層と平行な幅１０μｍ
程度の窪みを有し、更にその上にこの窪み部分を平坦に
埋めるように形成されたコン見りト層を有するものがあ
る。このような半導体レーザのコンタクト層を一様にエ
ツチングしていくと、前述の窪み部分にのみ幅数〜１０
μｍのコンタクト層が残る状態が得られる。ストライプ
状活性層はこの残ったコンタクト層の真下に存在するこ
とになる。次に、このコンタクト層はエツチングされず
、それ以外の半導体層だけがエツチングされるエツチン
グ液を用いて多層半導体層をエツチングすればコンタク
ト層がエツチングマスクとして働き、このコンタクト層
の下にストライプ状活性層を含んだ幅数〜ｌＯμｍ程度
のメチストライプが裏作できることになる。この製作工
程は高い目合わせ精度を要するホトリックラフィ技術等
を必要とせず、簡便で再現性のあるものとなる。
の上の半導体層表面に、この活性層と平行な幅１０μｍ
程度の窪みを有し、更にその上にこの窪み部分を平坦に
埋めるように形成されたコン見りト層を有するものがあ
る。このような半導体レーザのコンタクト層を一様にエ
ツチングしていくと、前述の窪み部分にのみ幅数〜１０
μｍのコンタクト層が残る状態が得られる。ストライプ
状活性層はこの残ったコンタクト層の真下に存在するこ
とになる。次に、このコンタクト層はエツチングされず
、それ以外の半導体層だけがエツチングされるエツチン
グ液を用いて多層半導体層をエツチングすればコンタク
ト層がエツチングマスクとして働き、このコンタクト層
の下にストライプ状活性層を含んだ幅数〜ｌＯμｍ程度
のメチストライプが裏作できることになる。この製作工
程は高い目合わせ精度を要するホトリックラフィ技術等
を必要とせず、簡便で再現性のあるものとなる。
（実施例１）
以下に本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明の実施例である集積型半導体光素子、
特にＤＦＢレーザと変調器とを集積化した素子の斜視図
である。この集積型半導体光素子はｎ型ＩｎＰ基板１の
上にｎ型ＩｎＰバッファ層２、波長組成Ｌ５５ Ａｆｌ
ｌのノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層３、局所的に周期
２４００Ｘの回折格子１２を有する波長組成Ｌ２μｍの
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４、及びｐ型エ一り２ラ
ド層５が順に積層され次長層半導体層と、この多層半導
体層中に形成された活性層３よりも深い２本の溝１０と
それによって狭まれたメサストライプ１１と、更にその
上には、メサストライプ１１の上部を除いて積層された
ｐ型ニーブロック層６、ａｌｌＩｎＰブロック層７と、
そして全面に積層されたｐ型ＩｎＰ埋め込み層８、ｐ＋
型ＩｎＧｍＡａＰ コンタクト層９とからなる層構造
をなしておル、ＤＣ−ＰＢＨ構造半導体レーザと呼ばれ
る。ｎ−ＩｎＰ基板１の下にはｎ側電極１８を有し、回
折格子１２が形成された領域１３と、光ガイド層４が平
坦な領域１４のｐ型Ｉ ｎＧａＡｓＰコンタクト層９の
上には２つのｐ側電極１６．１７を有している。この２
つのｐ側電極１６．１７間においては、ｐ十型１ｎＧａ
ＡｓＰコンタク層９が除去されておシ、ノンドーグｈρ
ａＡｓＰ活性層３からｐ型ＩｎＰ埋め込み層８までの層
も、ストライプ状活性層３′の近傍を除去されておシ、
前記ストライプ状□ 活性層３′を含んだメサストラ
イプ１５が形成されている。この集積型半導体光素子は
、回折格子１２が形成された領域１３側をＤＦＢレーザ
として動作させ、他方の領域１４を変調器として使用す
るものである。変調器１４側の端面には無反射コーテイ
ング膜１９を有しておプ、変調器１４側からＤＦＢレー
ザ１３側への反射光を極力抑えている。第２図は第１図
中Ａ−Ａ’断面を示す断面図である。この集積屋半導体
素子の場合、２つの電極１６．１７間において、電気的
導通の要因となるｐ型工ｎＰ埋め込み層８が、メサスト
ライプ１５部分を除いてはとんど除去されているため、
２つの電極１６．１７間の電気抵抗を太き、くすること
ができる。因みに、ｐ型ＩｎＰ埋め込み層のキャリア濃
度を１ＸＩＱ’ｃｇ＊−”、厚さをｚｐｍＡｔ極１６，
１７間の間隔が２０μｍのとき、メサストライプ１５の
幅を５μｍ程度にすれば、電極１６．１７間の電気抵抗
はＩＫΩ以上となる。また、この集積型半導体光素子の
場合には、ＤＦＢレーザ部１３と変調器１４とがストラ
イプ状活性層３′を介して光学的に十分に結合している
。
特にＤＦＢレーザと変調器とを集積化した素子の斜視図
である。この集積型半導体光素子はｎ型ＩｎＰ基板１の
上にｎ型ＩｎＰバッファ層２、波長組成Ｌ５５ Ａｆｌ
ｌのノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層３、局所的に周期
２４００Ｘの回折格子１２を有する波長組成Ｌ２μｍの
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４、及びｐ型エ一り２ラ
ド層５が順に積層され次長層半導体層と、この多層半導
体層中に形成された活性層３よりも深い２本の溝１０と
それによって狭まれたメサストライプ１１と、更にその
上には、メサストライプ１１の上部を除いて積層された
ｐ型ニーブロック層６、ａｌｌＩｎＰブロック層７と、
そして全面に積層されたｐ型ＩｎＰ埋め込み層８、ｐ＋
型ＩｎＧｍＡａＰ コンタクト層９とからなる層構造
をなしておル、ＤＣ−ＰＢＨ構造半導体レーザと呼ばれ
る。ｎ−ＩｎＰ基板１の下にはｎ側電極１８を有し、回
折格子１２が形成された領域１３と、光ガイド層４が平
坦な領域１４のｐ型Ｉ ｎＧａＡｓＰコンタクト層９の
上には２つのｐ側電極１６．１７を有している。この２
つのｐ側電極１６．１７間においては、ｐ十型１ｎＧａ
ＡｓＰコンタク層９が除去されておシ、ノンドーグｈρ
ａＡｓＰ活性層３からｐ型ＩｎＰ埋め込み層８までの層
も、ストライプ状活性層３′の近傍を除去されておシ、
前記ストライプ状□ 活性層３′を含んだメサストラ
イプ１５が形成されている。この集積型半導体光素子は
、回折格子１２が形成された領域１３側をＤＦＢレーザ
として動作させ、他方の領域１４を変調器として使用す
るものである。変調器１４側の端面には無反射コーテイ
ング膜１９を有しておプ、変調器１４側からＤＦＢレー
ザ１３側への反射光を極力抑えている。第２図は第１図
中Ａ−Ａ’断面を示す断面図である。この集積屋半導体
素子の場合、２つの電極１６．１７間において、電気的
導通の要因となるｐ型工ｎＰ埋め込み層８が、メサスト
ライプ１５部分を除いてはとんど除去されているため、
２つの電極１６．１７間の電気抵抗を太き、くすること
ができる。因みに、ｐ型ＩｎＰ埋め込み層のキャリア濃
度を１ＸＩＱ’ｃｇ＊−”、厚さをｚｐｍＡｔ極１６，
１７間の間隔が２０μｍのとき、メサストライプ１５の
幅を５μｍ程度にすれば、電極１６．１７間の電気抵抗
はＩＫΩ以上となる。また、この集積型半導体光素子の
場合には、ＤＦＢレーザ部１３と変調器１４とがストラ
イプ状活性層３′を介して光学的に十分に結合している
。
この集積型半導体光素子のＤＦＢレーザ部１３に電流注
入したところ、波長１，５５μｍで単一波長で発振し、
ま九、そのレーザ光を変調器１４でＩＧｂ／ｓのパルス
変調を行ったところ、発振波長のチャーピングもほとん
どない良好な変調特性が得られ喪。
入したところ、波長１，５５μｍで単一波長で発振し、
ま九、そのレーザ光を変調器１４でＩＧｂ／ｓのパルス
変調を行ったところ、発振波長のチャーピングもほとん
どない良好な変調特性が得られ喪。
（実施例２）
次に本発明の製造方法の実施例として、実施例１で示し
た集積型半導体光素子の製造方法を説明する。第３図は
実施例１で示した集積型素子の製造過程を示すＡ−Ａ’
断面図である。第３図（１）では肱−ＩｎＰ基板１の上
Ｋｎ−ＩｎＰｎ型ＩｎＰ基板１層ｐｍ、波長組成１．５
５７ｇＪｌのノンドープＩ ｎＧａＡｓＰ活性層３を厚
さ０．１μｍ、波長組成１２μｍのｐ型ＩｎＧａＡｉＰ
光ガイド層４を厚さ０，１μｍにエピタキシャル成
長する。その後、第３図（ａ） Ｋは示してないが、こ
のｐ型ＩｎＧａＡｓＰ 光ガイド層４０表面に第１図で
示したように局所的に周期２４００Ａの回折格子１２を
干渉露光法とケミカルエツチング法を用いて形成する。
た集積型半導体光素子の製造方法を説明する。第３図は
実施例１で示した集積型素子の製造過程を示すＡ−Ａ’
断面図である。第３図（１）では肱−ＩｎＰ基板１の上
Ｋｎ−ＩｎＰｎ型ＩｎＰ基板１層ｐｍ、波長組成１．５
５７ｇＪｌのノンドープＩ ｎＧａＡｓＰ活性層３を厚
さ０．１μｍ、波長組成１２μｍのｐ型ＩｎＧａＡｉＰ
光ガイド層４を厚さ０，１μｍにエピタキシャル成
長する。その後、第３図（ａ） Ｋは示してないが、こ
のｐ型ＩｎＧａＡｓＰ 光ガイド層４０表面に第１図で
示したように局所的に周期２４００Ａの回折格子１２を
干渉露光法とケミカルエツチング法を用いて形成する。
更にその上にｐ ＨＩＩｎＰクラッド層５をエピタキシ
ャル成長し、ｎｆｉＩ−基板ｌからｐ型１ｎＰクツッド
層５までの多層構造からなる平坦な半導体ウェハを用意
する。次にこの多層構造半導体ウェハにノンドープＩｎ
ＧａＡｓＰ 活性層３より深い幅８μｍの２本の溝１０
とそれによって狭まれ走＠２μｍのメチストライプ１１
を形成し先後、その上に、メサストライプ１１の上部を
除いてｐ ｌＩ ＩｎＰブロック層６、ｎ型ニーブロッ
ク層７を、全面ＫｐｆｉＩ−理め込み層８、ｐ＋型Ｉｎ
ＧａＡｓＰ コンタクト層９をそれぞれ平坦部での厚
さが２μｓ、１μｍ、２μｓ、１μｍとなるように液相
エピタキシャル法を用いて形成する。この際、発光領域
を含むメサストライプ１１の上のｐ型ＩｎＰ埋め込み層
８０表面には＠１０μ屑程度０窪み２０ができ、その上
に、＋型ＩｎＧａＡ−コンタクト層９を液相エピタキシ
ャル法を用いて成長すると、この窪み２０は平坦に埋め
込まれる。更に％ｐ十型ＩｎＧμｓＰ コンタクト層
９の上Ｋｐ側電極１６゜１７を、ｎ型ＩｎＰ基板１の下
にはｎ側電極１８を形成する。第３図（ｂ）では、第１
図で示したＤＦＢレーザ部！部上３調器１４との間の電
極１６．１７を除去し、更に、 ｐ＋型Ｉ ｎＧａＡｓ
Ｐ コア ｆｉ Ｉ ） 層９を例えばＨ，ｇｏ、牛馬
０．十馬０ （３：１：１）のエツチング液を用いて一
様にエツチングしていくと、ｐ＋’ｆｉｌ ＩｎＧａＡ
ｓＰコンタクト層９が窪み部分２０にのみ数μｍの幅で
残る状態が得られ、そこでエツチングを止める。この時
、窪み部分２０に残ったｐ＋型ＩｎＧａＡｓＰコンタク
ト層９は必ずストライプ状活性層３′の真上くくる。第
３図（ｃ）では残つたｐ生温Ｉ ｎＧａＡｍＰコンタク
ト層９をエツチングマスクとして、 ＩｎＰのみを選択
的にエツチングするＨＧＩなどのエツチング液を用いて
、ｐ型ＩｎＰ埋め込み４８からｐ型ＩｎＰクラッド層５
までの層をエツチング除去する。この時、残ったｐ＋型
ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層９の下はエツチングされな
い。第３図（ｄ）では、今度はＩｎＧａＡｓＰ のみ
を選択的にエツチングするＨ、８０４＋Ｈ，Ｏ，子馬０
（３：１：１）のエツチング液を再び用いて、ｐ十型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ ９及び、露出したｐ型１ｎＧａＡｓＰ
光ガイド層４ノンドーグＩｎＧａＡｓＰ 活性層３を除
去する。その結果、ＤＦＢレーザ１３と変調器１４０間
には、ストライプ状活性層３′を含む幅数μｍのメサス
トライプ１５が形成され、このメサストライプ１５以外
の部分では、ｎ型ＩｎＰバッファ層２が露出した構造が
得られ九。
ャル成長し、ｎｆｉＩ−基板ｌからｐ型１ｎＰクツッド
層５までの多層構造からなる平坦な半導体ウェハを用意
する。次にこの多層構造半導体ウェハにノンドープＩｎ
ＧａＡｓＰ 活性層３より深い幅８μｍの２本の溝１０
とそれによって狭まれ走＠２μｍのメチストライプ１１
を形成し先後、その上に、メサストライプ１１の上部を
除いてｐ ｌＩ ＩｎＰブロック層６、ｎ型ニーブロッ
ク層７を、全面ＫｐｆｉＩ−理め込み層８、ｐ＋型Ｉｎ
ＧａＡｓＰ コンタクト層９をそれぞれ平坦部での厚
さが２μｓ、１μｍ、２μｓ、１μｍとなるように液相
エピタキシャル法を用いて形成する。この際、発光領域
を含むメサストライプ１１の上のｐ型ＩｎＰ埋め込み層
８０表面には＠１０μ屑程度０窪み２０ができ、その上
に、＋型ＩｎＧａＡ−コンタクト層９を液相エピタキシ
ャル法を用いて成長すると、この窪み２０は平坦に埋め
込まれる。更に％ｐ十型ＩｎＧμｓＰ コンタクト層
９の上Ｋｐ側電極１６゜１７を、ｎ型ＩｎＰ基板１の下
にはｎ側電極１８を形成する。第３図（ｂ）では、第１
図で示したＤＦＢレーザ部！部上３調器１４との間の電
極１６．１７を除去し、更に、 ｐ＋型Ｉ ｎＧａＡｓ
Ｐ コア ｆｉ Ｉ ） 層９を例えばＨ，ｇｏ、牛馬
０．十馬０ （３：１：１）のエツチング液を用いて一
様にエツチングしていくと、ｐ＋’ｆｉｌ ＩｎＧａＡ
ｓＰコンタクト層９が窪み部分２０にのみ数μｍの幅で
残る状態が得られ、そこでエツチングを止める。この時
、窪み部分２０に残ったｐ＋型ＩｎＧａＡｓＰコンタク
ト層９は必ずストライプ状活性層３′の真上くくる。第
３図（ｃ）では残つたｐ生温Ｉ ｎＧａＡｍＰコンタク
ト層９をエツチングマスクとして、 ＩｎＰのみを選択
的にエツチングするＨＧＩなどのエツチング液を用いて
、ｐ型ＩｎＰ埋め込み４８からｐ型ＩｎＰクラッド層５
までの層をエツチング除去する。この時、残ったｐ＋型
ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層９の下はエツチングされな
い。第３図（ｄ）では、今度はＩｎＧａＡｓＰ のみ
を選択的にエツチングするＨ、８０４＋Ｈ，Ｏ，子馬０
（３：１：１）のエツチング液を再び用いて、ｐ十型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ ９及び、露出したｐ型１ｎＧａＡｓＰ
光ガイド層４ノンドーグＩｎＧａＡｓＰ 活性層３を除
去する。その結果、ＤＦＢレーザ１３と変調器１４０間
には、ストライプ状活性層３′を含む幅数μｍのメサス
トライプ１５が形成され、このメサストライプ１５以外
の部分では、ｎ型ＩｎＰバッファ層２が露出した構造が
得られ九。
ここに示し先光素子分離方法は、幅２μｍのストライプ
状活性層３′が必ずメサストライプ１５の中央部にくる
ことが特徴で、高精度な目合わせ露光法等ダを必要とし
ない利点がある。また、メサストライプ１５の幅は必ず
数〜１０μｍ程度以下になるため、光素子間の十分な電
気的絶縁が得られる。
状活性層３′が必ずメサストライプ１５の中央部にくる
ことが特徴で、高精度な目合わせ露光法等ダを必要とし
ない利点がある。また、メサストライプ１５の幅は必ず
数〜１０μｍ程度以下になるため、光素子間の十分な電
気的絶縁が得られる。
尚実施例１では、この集積型半導体光素子をＤＦＢレー
ザ１３と変調器１４として使用したが、他の使用法もあ
シ、例えば領域１４側を光検出器あるいはＤＦＢレーザ
１３の波長制御領域として使用してもよく、更に、領域
１４側に電流注入にレーザ発振させれば分布反射型半導
体レーザ（ＤＢＲレーザ）として動作し、領域１３１［
はこのＤＢＲレーザの波長制御領域としても使用できる
。
ザ１３と変調器１４として使用したが、他の使用法もあ
シ、例えば領域１４側を光検出器あるいはＤＦＢレーザ
１３の波長制御領域として使用してもよく、更に、領域
１４側に電流注入にレーザ発振させれば分布反射型半導
体レーザ（ＤＢＲレーザ）として動作し、領域１３１［
はこのＤＢＲレーザの波長制御領域としても使用できる
。
本実施例では、レーザ構造とじてＤＣ−ＰＢＨ構造の例
を示したが、本第１の発明は他のレーザ構造でもよく、
更に１本第２の発明はストライプ状活性層３′の上に窪
みを有し、この窪みを平坦に埋めるコンタクト層９が形
成された半導体レーザであれば応用が可能である。また
本実施例では、半導体基板１にｎ型半導体を用いたが、
半導体基板１はｐ型でもよく、その場合は実施例で示し
た各層の導伝型を反転すればよい。更に、本実施例では
Ｉ ｎＰ／Ｉ ｎＧａＡｓＰ系の光素子を例にしたが、
用いる半導体材料はＧａＡｓ／ＡｌＧｍＡｍ等弛のもの
でもよい。
を示したが、本第１の発明は他のレーザ構造でもよく、
更に１本第２の発明はストライプ状活性層３′の上に窪
みを有し、この窪みを平坦に埋めるコンタクト層９が形
成された半導体レーザであれば応用が可能である。また
本実施例では、半導体基板１にｎ型半導体を用いたが、
半導体基板１はｐ型でもよく、その場合は実施例で示し
た各層の導伝型を反転すればよい。更に、本実施例では
Ｉ ｎＰ／Ｉ ｎＧａＡｓＰ系の光素子を例にしたが、
用いる半導体材料はＧａＡｓ／ＡｌＧｍＡｍ等弛のもの
でもよい。
（発明の効果）
本発明による集積型半導体光素子の構造は、各光素子間
の十分な電気的絶縁と、良好な光結合を得ることができ
、その製造方法は高精度な目合わせ露光法等を必要とせ
ず、簡便で再現性に富むことを特徴としている。従って
、本発明の構造及び製造方法は、３つ以上の多くの光素
子を同一基板上に集積する場合にも非常に有効である。
の十分な電気的絶縁と、良好な光結合を得ることができ
、その製造方法は高精度な目合わせ露光法等を必要とせ
ず、簡便で再現性に富むことを特徴としている。従って
、本発明の構造及び製造方法は、３つ以上の多くの光素
子を同一基板上に集積する場合にも非常に有効である。
第１図は本発明の実施例１で示した集積型半導体光素子
の斜視図であシ、第２図はそのＡ−Ａ’断面図である。 第３図（ａ）〜（ｄｌは実施例２で述べた実施例１の集
積型半導体光素子の製造方法をその工程順に説明するＡ
−Ａ’断面図である。符号及び名称は、ｌがｎ型ＩｎＰ
基板、２がｎ型ニーバッファ層、３がノンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層、４がｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、
５がｐ型ＩｎＰクラッド層、６がｐ型ＩｎＰブロック層
、７がｎ型ＩｎＰブロック 一層、８がｐ型■−理め
込み層、９がｐ十型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、１０
が２本の平行な溝、１１がメサストライプ、１２が回折
格子、１３がＤＦＢレーザ、１４が変調器、１５がメサ
ストライプ、′１６．１７はｐ側電極、１８はｎ側電極
、１９が無反射コーテイング膜、２０が窪み部分である
。 ／′ ；碑界ガこ士内原 晋（゛ オ １ 図 Ａ−ｐ：断面 第３図 （ａ） （ｂ） 第３図 （Ｃ） （ｄ）
の斜視図であシ、第２図はそのＡ−Ａ’断面図である。 第３図（ａ）〜（ｄｌは実施例２で述べた実施例１の集
積型半導体光素子の製造方法をその工程順に説明するＡ
−Ａ’断面図である。符号及び名称は、ｌがｎ型ＩｎＰ
基板、２がｎ型ニーバッファ層、３がノンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層、４がｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、
５がｐ型ＩｎＰクラッド層、６がｐ型ＩｎＰブロック層
、７がｎ型ＩｎＰブロック 一層、８がｐ型■−理め
込み層、９がｐ十型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、１０
が２本の平行な溝、１１がメサストライプ、１２が回折
格子、１３がＤＦＢレーザ、１４が変調器、１５がメサ
ストライプ、′１６．１７はｐ側電極、１８はｎ側電極
、１９が無反射コーテイング膜、２０が窪み部分である
。 ／′ ；碑界ガこ士内原 晋（゛ オ １ 図 Ａ−ｐ：断面 第３図 （ａ） （ｂ） 第３図 （Ｃ） （ｄ）
Claims (2)
- （１）光の発光、吸収または導波機能を有するストライ
プ状活性領域を含む多層構造半導体からなり、前記多層
構造半導体の上には前記ストライプ方向に複数に分割さ
れた電極を有し、前記電極間において、前記多層構造半
導体が前記ストライプ状活性領域を含むメサストライプ
をなし、前記メサストライプ周囲の部分では、前記活性
領域より下の半導体層が露出している構造を特徴とする
集積型半導体光素子。 - （２）光の発光、吸収または導波機能を有するストライ
プ状活性領域を含み、最上層が前記ストライプ状活性領
域の上に前記ストライプと平行な窪みを有するように多
層構造半導体を形成する工程と、前記最上層とは組成の
異なるコンタクト層を前記窪み部分を平坦に埋めるよう
に形成する工程と、前記コンタクト層の上に前記ストラ
イプ方向に複数に分割した電極を形成する工程と、前記
電極間において、前記コンタクト層が前記窪み部分にの
み残るように前記コンタクト層を一様にエッチングする
工程と、前記窪み部分に残ったコンタクト層をエッチン
グマスクとして、前記多層構造半導体をメサストライプ
状にエッチングし、前記メサストライプ周囲の部分で前
記活性領域よりも下の半導体層を露出させる工程と、前
記窪み部分に残ったコンタクト層を除去する工程とを含
むことを特徴とする集積型光素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001647A JPS61160987A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | 集積型半導体光素子とその製造方法 |
| US06/816,498 US4759023A (en) | 1985-01-09 | 1986-01-06 | Monolithically integrated semiconductor optical device and method of fabricating same |
| DE8686100154T DE3678301D1 (de) | 1985-01-09 | 1986-01-08 | Monolithisch integrierte optische halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung. |
| EP86100154A EP0187662B1 (en) | 1985-01-09 | 1986-01-08 | Monolithically integrated semiconductor optical device and method of fabricating same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001647A JPS61160987A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | 集積型半導体光素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160987A true JPS61160987A (ja) | 1986-07-21 |
Family
ID=11507307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60001647A Pending JPS61160987A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | 集積型半導体光素子とその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4759023A (ja) |
| EP (1) | EP0187662B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61160987A (ja) |
| DE (1) | DE3678301D1 (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4902644A (en) * | 1986-03-28 | 1990-02-20 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Preservation of surface features on semiconductor surfaces |
| JP2659187B2 (ja) * | 1987-04-14 | 1997-09-30 | 日本電気株式会社 | 光フィルタ素子 |
| JP2659199B2 (ja) * | 1987-11-11 | 1997-09-30 | 日本電気株式会社 | 可変波長フィルタ |
| US5147825A (en) * | 1988-08-26 | 1992-09-15 | Bell Telephone Laboratories, Inc. | Photonic-integrated-circuit fabrication process |
| US5040033A (en) * | 1989-06-26 | 1991-08-13 | At&T Bell Laboratories | Optical amplifier-photodetector assemblage |
| US5091799A (en) * | 1990-10-31 | 1992-02-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Buried heterostructure laser modulator |
| US5151915A (en) * | 1990-12-27 | 1992-09-29 | Xerox Corporation | Array and method of operating a modulated solid state laser array with reduced thermal crosstalk |
| FR2681191A1 (fr) * | 1991-09-06 | 1993-03-12 | France Telecom | Composant integre laser-modulateur a super-reseau tres couple. |
| JPH06204454A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | 光変調器付半導体レーザ及びその製造方法 |
| JPH0738204A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光デバイス及びその製造方法 |
| GB2292011B (en) * | 1993-07-20 | 1997-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor optical devices and methods for fabricating semiconductor optical devices |
| JPH07288361A (ja) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Nec Kansai Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2871635B2 (ja) * | 1996-07-24 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JPH10335751A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| GB2352085A (en) * | 1999-07-15 | 2001-01-17 | Univ Bristol | Integrated semiconductor optical devices |
| US6931003B2 (en) * | 2000-02-09 | 2005-08-16 | Bookline Flolmstead Llc | Packet prioritization protocol for a large-scale, high speed computer network |
| US6613596B2 (en) * | 2000-10-04 | 2003-09-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Monolithically integrated photonic circuit |
| EP1372229B1 (en) * | 2002-06-12 | 2006-02-15 | Agilent Technologies Inc., A Delaware Corporation | Integrated semiconductor laser and waveguide device |
| DE60215131T2 (de) * | 2002-06-12 | 2007-03-15 | Agilent Technologies, Inc. (n.d.Ges.d.Staates Delaware), Palo Alto | Integriertes Halbleiterlaser-Wellenleiter-Element |
| US7043106B2 (en) * | 2002-07-22 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Optical ready wafers |
| US7072534B2 (en) * | 2002-07-22 | 2006-07-04 | Applied Materials, Inc. | Optical ready substrates |
| US7110629B2 (en) * | 2002-07-22 | 2006-09-19 | Applied Materials, Inc. | Optical ready substrates |
| KR100493089B1 (ko) * | 2002-12-17 | 2005-06-02 | 삼성전자주식회사 | 집적광학장치 |
| CN1795408A (zh) * | 2003-05-29 | 2006-06-28 | 应用材料股份有限公司 | 光学信号的连续发送 |
| CN1813381A (zh) * | 2003-06-27 | 2006-08-02 | 应用材料公司 | 具有低抖动的脉冲量子点激光器系统 |
| US20050016446A1 (en) | 2003-07-23 | 2005-01-27 | Abbott John S. | CaF2 lenses with reduced birefringence |
| US20060222024A1 (en) * | 2005-03-15 | 2006-10-05 | Gray Allen L | Mode-locked semiconductor lasers with quantum-confined active region |
| US20060227825A1 (en) * | 2005-04-07 | 2006-10-12 | Nl-Nanosemiconductor Gmbh | Mode-locked quantum dot laser with controllable gain properties by multiple stacking |
| WO2007027615A1 (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Applied Materials, Inc. | Ridge technique for fabricating an optical detector and an optical waveguide |
| US7561607B2 (en) * | 2005-12-07 | 2009-07-14 | Innolume Gmbh | Laser source with broadband spectrum emission |
| WO2007065614A2 (en) * | 2005-12-07 | 2007-06-14 | Innolume Gmbh | Laser source with broadband spectrum emission |
| US7835408B2 (en) * | 2005-12-07 | 2010-11-16 | Innolume Gmbh | Optical transmission system |
| WO2010065731A2 (en) * | 2008-12-03 | 2010-06-10 | Innolume Gmbh | Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser |
| GB2480265B (en) * | 2010-05-10 | 2013-10-02 | Toshiba Res Europ Ltd | A semiconductor device and a method of fabricating a semiconductor device |
| WO2018147307A1 (ja) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | 古河電気工業株式会社 | 光導波路構造 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5244192A (en) * | 1975-10-06 | 1977-04-06 | Hitachi Ltd | Optical integrated circuit |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4054363A (en) * | 1975-12-15 | 1977-10-18 | Tokyo Institute Of Technology | Multi-hetero-structure waveguide type optical integrated circuitry |
| US4470143A (en) * | 1981-08-18 | 1984-09-04 | Nippon Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser having an etched mirror and a narrow stripe width, with an integrated photodetector |
| DE3379442D1 (en) * | 1982-10-12 | 1989-04-20 | Nec Corp | Double heterostructure semiconductor laser with periodic structure formed in guide layer |
| US4503541A (en) * | 1982-11-10 | 1985-03-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Controlled-linewidth laser source |
| JPS59181588A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS59198786A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レ−ザ |
| US4558449A (en) * | 1983-07-08 | 1985-12-10 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor laser with coupled loss modulator for optical telecommunications |
-
1985
- 1985-01-09 JP JP60001647A patent/JPS61160987A/ja active Pending
-
1986
- 1986-01-06 US US06/816,498 patent/US4759023A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-01-08 DE DE8686100154T patent/DE3678301D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-01-08 EP EP86100154A patent/EP0187662B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5244192A (en) * | 1975-10-06 | 1977-04-06 | Hitachi Ltd | Optical integrated circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4759023A (en) | 1988-07-19 |
| DE3678301D1 (de) | 1991-05-02 |
| EP0187662A2 (en) | 1986-07-16 |
| EP0187662A3 (en) | 1987-12-02 |
| EP0187662B1 (en) | 1991-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61160987A (ja) | 集積型半導体光素子とその製造方法 | |
| JPH0666509B2 (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ装置 | |
| US4870468A (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| US4589117A (en) | Butt-jointed built-in semiconductor laser | |
| US4974232A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH03256386A (ja) | 半導体レーザ、その製造方法及び光通信システム | |
| JPH1197799A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4791647A (en) | Semiconductor laser | |
| JPH01164077A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JP4164248B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法、及び半導体光装置 | |
| JPS61242091A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS5840881A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ・フオトダイオ−ド光集積化素子の製造方法 | |
| JP2932690B2 (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| JPH0376293A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6342874B2 (ja) | ||
| JPH03192787A (ja) | 集積型光変調器 | |
| KR100237858B1 (ko) | 역메사 리지 웨이브가이드 구조의 분포귀환형 레이저 다이오드 | |
| JP4024319B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3887733B2 (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| JPS62189784A (ja) | 埋込み型半導体レ−ザ及びその製造方法 | |
| JPH05275808A (ja) | 光デバイス | |
| JP2001274515A (ja) | 半導体光装置の製造方法及び半導体光装置 | |
| JPH0546995B2 (ja) | ||
| JPS61212082A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JPH11135876A (ja) | 集積型半導体光素子 |