JPH10335751A - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH10335751A JPH10335751A JP9145207A JP14520797A JPH10335751A JP H10335751 A JPH10335751 A JP H10335751A JP 9145207 A JP9145207 A JP 9145207A JP 14520797 A JP14520797 A JP 14520797A JP H10335751 A JPH10335751 A JP H10335751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- layer
- trap layer
- hole trap
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2206—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on III-V materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザと外部変調器と間の分離抵抗を
向上させるためのデバイス構造を備えた半導体レーザ装
置およびその製法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザを動作させた際に発生する
レーザ発振に寄与しない無効電流を抑制するホールトラ
ップ層を分離させた。この分離は、半導体レーザ形成領
域と光変調器形成領域との間で行った。当該構造を形成
するために、ホールトラップ層の一部をエッチング処理
するようにした。また、ホールトラップ層を選択成長さ
せるようにした。
向上させるためのデバイス構造を備えた半導体レーザ装
置およびその製法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザを動作させた際に発生する
レーザ発振に寄与しない無効電流を抑制するホールトラ
ップ層を分離させた。この分離は、半導体レーザ形成領
域と光変調器形成領域との間で行った。当該構造を形成
するために、ホールトラップ層の一部をエッチング処理
するようにした。また、ホールトラップ層を選択成長さ
せるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光通信における
送信器として用いる、高速動作が可能な外部変調器集積
型の半導体レーザ装置に関するものであり、特に、半導
体レーザと外部変調器との間の分離抵抗を向上させるた
めのデバイス構造を備えた半導体レーザ装置およびその
製造方法に関するものである。
送信器として用いる、高速動作が可能な外部変調器集積
型の半導体レーザ装置に関するものであり、特に、半導
体レーザと外部変調器との間の分離抵抗を向上させるた
めのデバイス構造を備えた半導体レーザ装置およびその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信への応用を目指して、半導
体レーザと変調器とを集積化した半導体レーザ装置の開
発が進められている。これは、分布帰還型半導体レーザ
（ＤＦＢ ＬＤ：Distributed Feedback Laser Diode）
を直流動作させ、これから放射された光を光吸収変調器
で高速変調させるものである。
体レーザと変調器とを集積化した半導体レーザ装置の開
発が進められている。これは、分布帰還型半導体レーザ
（ＤＦＢ ＬＤ：Distributed Feedback Laser Diode）
を直流動作させ、これから放射された光を光吸収変調器
で高速変調させるものである。
【０００３】ところで、半導体レーザは順バイアスデバ
イスであるが、変調器は逆バイアスデバイスであるた
め、半導体レーザと変調器との間で十分な電気的アイソ
レーションを確保することが必要である。一般に半導体
レーザでは、注入電流の変化で発振波長が変化する。そ
して、外部変調器集積型半導体レーザでは、レーザ部は
定電流で駆動するのであるが、分離抵抗を介して、変調
器に印加する変調信号が半導体レーザ側へ流れる電流を
変化させてしまい、これにより、波長変動が生じるとい
う傾向がある。この波長変動により、光ファイバにおけ
る長距離伝送時に伝送波形劣化が生じ、伝送距離が制限
されてしまうという不都合がある。かかる不都合を回避
して伝送特性を改善させるためには、分離抵抗を向上さ
せることが重要である。
イスであるが、変調器は逆バイアスデバイスであるた
め、半導体レーザと変調器との間で十分な電気的アイソ
レーションを確保することが必要である。一般に半導体
レーザでは、注入電流の変化で発振波長が変化する。そ
して、外部変調器集積型半導体レーザでは、レーザ部は
定電流で駆動するのであるが、分離抵抗を介して、変調
器に印加する変調信号が半導体レーザ側へ流れる電流を
変化させてしまい、これにより、波長変動が生じるとい
う傾向がある。この波長変動により、光ファイバにおけ
る長距離伝送時に伝送波形劣化が生じ、伝送距離が制限
されてしまうという不都合がある。かかる不都合を回避
して伝送特性を改善させるためには、分離抵抗を向上さ
せることが重要である。
【０００４】図３３は、従来の半導体レーザ装置として
の外部変調器集積型半導体レーザ装置（以下、単に「装
置」という。）を示したものであり、同図(a) は外観斜
視図、同図(b) および(c) は、それぞれ同図(a) におけ
るＡ−Ａ’断面図，Ｂ−Ｂ’断面図である。
の外部変調器集積型半導体レーザ装置（以下、単に「装
置」という。）を示したものであり、同図(a) は外観斜
視図、同図(b) および(c) は、それぞれ同図(a) におけ
るＡ−Ａ’断面図，Ｂ−Ｂ’断面図である。
【０００５】図に示すように、この装置Ｌは、活性層２
下の半導体基板１上に回折格子（図示せず）を形成した
半導体レーザ部分（領域Ｉ）と、変調器部分（領域III
）と、これらを分離する分離部分（領域II）とを備え
ている。そして、同一のｎ型ＩｎＰ基板１上に、活性層
２と、ｎ型ＩｎＰクラッド層１ａおよびｐ型ＩｎＰクラ
ッド層３とからなるメサ構造部（光導波路）が形成され
ている。メサ構造部の両脇には、ＦｅドープＩｎＰ半絶
縁性半導体層５およびｎ型ＩｎＰホールトラップ層６を
順次形成した埋め込み層を有し、さらにメサ構造部と埋
め込み層の上に形成されたｐ型ＩｎＰクラッド層８，ｐ
型ＩｎＧａＡｓコンタクト層９を備えている。コンタク
ト層９の上には、絶縁膜１０および電極１１が形成され
ている。
下の半導体基板１上に回折格子（図示せず）を形成した
半導体レーザ部分（領域Ｉ）と、変調器部分（領域III
）と、これらを分離する分離部分（領域II）とを備え
ている。そして、同一のｎ型ＩｎＰ基板１上に、活性層
２と、ｎ型ＩｎＰクラッド層１ａおよびｐ型ＩｎＰクラ
ッド層３とからなるメサ構造部（光導波路）が形成され
ている。メサ構造部の両脇には、ＦｅドープＩｎＰ半絶
縁性半導体層５およびｎ型ＩｎＰホールトラップ層６を
順次形成した埋め込み層を有し、さらにメサ構造部と埋
め込み層の上に形成されたｐ型ＩｎＰクラッド層８，ｐ
型ＩｎＧａＡｓコンタクト層９を備えている。コンタク
ト層９の上には、絶縁膜１０および電極１１が形成され
ている。
【０００６】次に、装置Ｌの動作について説明すると、
この装置Ｌは、半導体レーザ部分（領域Ｉ）の活性層２
下に回折格子を備えているので、この回折格子により安
定して単一波長のレーザ発振を行うことができる。
この装置Ｌは、半導体レーザ部分（領域Ｉ）の活性層２
下に回折格子を備えているので、この回折格子により安
定して単一波長のレーザ発振を行うことができる。
【０００７】半導体レーザ部分（領域Ｉ）の活性層２と
変調器部分（領域III ）の活性層２（光吸収層）は連続
したＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層から
なっている。半導体レーザ部分（領域Ｉ）における量子
井戸内の伝導帯と価電子帯の基底準位間のエネルギー差
は、変調器部分（領域III ）におけるそれよりも小さ
い。従って、変調器部分（領域III ）にバイアス電圧が
印加されていないときは、活性層２（光吸収層）では半
導体レーザ部分（領域Ｉ）からの光の吸収が起こらな
い。しかしながら、変調器部分（領域III ）に逆バイア
ス電圧が印加されると量子閉じ込めシュタルク効果（Ｑ
ＣＳＥ：Quantum Confined Stark Effect ）により光が
吸収される。つまり、直流動作させている半導体レーザ
部分（領域Ｉ）から放射される光を変調器部分（領域II
I ）に加えるバイアス電圧を変化させることによって変
調することができる。
変調器部分（領域III ）の活性層２（光吸収層）は連続
したＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層から
なっている。半導体レーザ部分（領域Ｉ）における量子
井戸内の伝導帯と価電子帯の基底準位間のエネルギー差
は、変調器部分（領域III ）におけるそれよりも小さ
い。従って、変調器部分（領域III ）にバイアス電圧が
印加されていないときは、活性層２（光吸収層）では半
導体レーザ部分（領域Ｉ）からの光の吸収が起こらな
い。しかしながら、変調器部分（領域III ）に逆バイア
ス電圧が印加されると量子閉じ込めシュタルク効果（Ｑ
ＣＳＥ：Quantum Confined Stark Effect ）により光が
吸収される。つまり、直流動作させている半導体レーザ
部分（領域Ｉ）から放射される光を変調器部分（領域II
I ）に加えるバイアス電圧を変化させることによって変
調することができる。
【０００８】また、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導体層
５およびｎ型ＩｎＰホールトラップ層６は、上記活性層
２とその上下のクラッド層１ａ，３からなる光導波路の
両脇に埋め込まれており、いわゆる電流ブロック層とし
て機能する。Ｆｅは、ＩｎＰ中で深いアクセプタとなる
ため、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導体層５は、ｎ型Ｉ
ｎＰ基板１からの電子の拡散を阻止することができる。
また、ｎ型ＩｎＰホールトラップ層６は、ｐ型ＩｎＰク
ラッド層８からのホールの拡散を阻止することができ
る。これにより、レーザのしきい値電流の低減や効率の
向上を図っている。
５およびｎ型ＩｎＰホールトラップ層６は、上記活性層
２とその上下のクラッド層１ａ，３からなる光導波路の
両脇に埋め込まれており、いわゆる電流ブロック層とし
て機能する。Ｆｅは、ＩｎＰ中で深いアクセプタとなる
ため、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導体層５は、ｎ型Ｉ
ｎＰ基板１からの電子の拡散を阻止することができる。
また、ｎ型ＩｎＰホールトラップ層６は、ｐ型ＩｎＰク
ラッド層８からのホールの拡散を阻止することができ
る。これにより、レーザのしきい値電流の低減や効率の
向上を図っている。
【０００９】次に、図３４〜図３６を参照して、装置Ｌ
の製造方法について説明する。図３４を参照して、ま
ず、ｎ型ＩｎＰ基板１上の変調器形成領域に回折格子を
形成した後、クラッド層１ａ，活性層２、クラッド層３
をＭＯＣＶＤ法等で結晶成長させる。その上に幅１〜２
μｍのストライプ状の絶縁膜４を形成し、これをマスク
として、ドライエッチングにより２〜３μｍ程度の高さ
のメサを形成する。このメサ構造部Ｍは、光導波路を構
成する。
の製造方法について説明する。図３４を参照して、ま
ず、ｎ型ＩｎＰ基板１上の変調器形成領域に回折格子を
形成した後、クラッド層１ａ，活性層２、クラッド層３
をＭＯＣＶＤ法等で結晶成長させる。その上に幅１〜２
μｍのストライプ状の絶縁膜４を形成し、これをマスク
として、ドライエッチングにより２〜３μｍ程度の高さ
のメサを形成する。このメサ構造部Ｍは、光導波路を構
成する。
【００１０】図３５を参照して、その後、メサ構造部Ｍ
の両脇を半絶縁性半導体５及びホールトラップ層６を埋
め込み成長により形成する。さらに、図３６に示すよう
に、絶縁膜４を除去した後、クラッド層８およびコンタ
クト層９を結晶成長させる。次いで、図３７に示すよう
に、上記分離部分（領域II）に対応する部分のコンタク
ト層９を除去する。この除去範囲は、メサ構造部Ｍの形
成された方向（Ｂ−Ｂ’方向）に沿って１０〜５０μｍ
の範囲である。その後、絶縁膜１０を成膜し、電極を形
成する部分の絶縁膜を除去した後、電極１１を形成す
る。これにより、図３３に示した構造の装置Ｌが完成す
る。
の両脇を半絶縁性半導体５及びホールトラップ層６を埋
め込み成長により形成する。さらに、図３６に示すよう
に、絶縁膜４を除去した後、クラッド層８およびコンタ
クト層９を結晶成長させる。次いで、図３７に示すよう
に、上記分離部分（領域II）に対応する部分のコンタク
ト層９を除去する。この除去範囲は、メサ構造部Ｍの形
成された方向（Ｂ−Ｂ’方向）に沿って１０〜５０μｍ
の範囲である。その後、絶縁膜１０を成膜し、電極を形
成する部分の絶縁膜を除去した後、電極１１を形成す
る。これにより、図３３に示した構造の装置Ｌが完成す
る。
【００１１】なお、図３３に示した装置Ｌは、導波路形
成（メサ構造部Ｍの形成）にドライエッチングを用いた
が、図３７に示すように、導波路形成にウェットエッチ
ングを用いることもできる。そして、図３８〜図３９
は、かかるウェットエッチングを用いて装置Ｌを製造す
る場合の工程を示しているが、この場合には、導波路形
成時に等方性エッチングとなることから、絶縁膜４の幅
を幅広に（５〜８μｍ）形成する必要がある。導波路形
成にドライエッチングを用いた場合の製造方法について
は、図３７および図３８ないし図４０に、上記図３３お
よび図３４ないし図３６に付したと同様の参照符号を付
してその説明は省略する。
成（メサ構造部Ｍの形成）にドライエッチングを用いた
が、図３７に示すように、導波路形成にウェットエッチ
ングを用いることもできる。そして、図３８〜図３９
は、かかるウェットエッチングを用いて装置Ｌを製造す
る場合の工程を示しているが、この場合には、導波路形
成時に等方性エッチングとなることから、絶縁膜４の幅
を幅広に（５〜８μｍ）形成する必要がある。導波路形
成にドライエッチングを用いた場合の製造方法について
は、図３７および図３８ないし図４０に、上記図３３お
よび図３４ないし図３６に付したと同様の参照符号を付
してその説明は省略する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、装置
Ｌでは、半導体レーザ部分（領域Ｉ）と変調器部分（領
域III ）との間で十分な電気的アイソレーションが必要
である。しかしながら、従来のデバイスの構造において
は、半導体レーザ部分（領域Ｉ）と変調器部分（領域II
I ）との間では、通常キャリア濃度が高く、抵抗が低い
ホールトラップ層６を介して、変調器部分（領域III ）
に印加した高周波信号が半導体レーザ部分（領域Ｉ）側
に漏れてしまうという不具合が生じることがあった。
Ｌでは、半導体レーザ部分（領域Ｉ）と変調器部分（領
域III ）との間で十分な電気的アイソレーションが必要
である。しかしながら、従来のデバイスの構造において
は、半導体レーザ部分（領域Ｉ）と変調器部分（領域II
I ）との間では、通常キャリア濃度が高く、抵抗が低い
ホールトラップ層６を介して、変調器部分（領域III ）
に印加した高周波信号が半導体レーザ部分（領域Ｉ）側
に漏れてしまうという不具合が生じることがあった。
【００１３】本発明は、かかる背景の下になされたもの
であり、半導体レーザ部分と変調器部分との間で十分な
電気的アイソレーションを確保することができる半導体
レーザ装置およびその製造方法を提供することを目的と
するものである。
であり、半導体レーザ部分と変調器部分との間で十分な
電気的アイソレーションを確保することができる半導体
レーザ装置およびその製造方法を提供することを目的と
するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明（請求項１）に係
る半導体レーザ装置は、化合物半導体基板上に、レーザ
光を放射する半導体レーザと、この半導体レーザから放
射されたレーザ光を変調する光変調器とが形成されてい
る半導体レーザ装置であって、上記半導体レーザを動作
させた際に発生するレーザ発振に寄与しない無効電流を
抑制するホールトラップ層を含み、上記ホールトラップ
層の半導体レーザ形成領域と、上記ホールトラップ層の
光変調器形成領域とは、互いに分離されていることを特
徴とするものである。
る半導体レーザ装置は、化合物半導体基板上に、レーザ
光を放射する半導体レーザと、この半導体レーザから放
射されたレーザ光を変調する光変調器とが形成されてい
る半導体レーザ装置であって、上記半導体レーザを動作
させた際に発生するレーザ発振に寄与しない無効電流を
抑制するホールトラップ層を含み、上記ホールトラップ
層の半導体レーザ形成領域と、上記ホールトラップ層の
光変調器形成領域とは、互いに分離されていることを特
徴とするものである。
【００１５】本発明（請求項２）に係る半導体レーザ装
置は、請求項１記載の半導体レーザ装置において、上記
ホールトラップ層は、装置の電気容量を低減する半絶縁
性半導体層の上に、当該ホールトラップ層よりもバンド
ギャップ波長が長い層を介して形成されていることを特
徴とするものである。
置は、請求項１記載の半導体レーザ装置において、上記
ホールトラップ層は、装置の電気容量を低減する半絶縁
性半導体層の上に、当該ホールトラップ層よりもバンド
ギャップ波長が長い層を介して形成されていることを特
徴とするものである。
【００１６】本発明（請求項３）に係る半導体レーザ装
置は、請求項１記載の半導体レーザ装置において、上記
ホールトラップ層は、装置の電気容量を低減する半絶縁
性半導体層の上に直に形成されていることを特徴とする
ものである。
置は、請求項１記載の半導体レーザ装置において、上記
ホールトラップ層は、装置の電気容量を低減する半絶縁
性半導体層の上に直に形成されていることを特徴とする
ものである。
【００１７】本発明（請求項４）に係る半導体レーザ装
置は、請求項２または３記載の半導体レーザ装置におい
て、上記半絶縁性半導体層は、ＩｎＰを含み、上記ホー
ルトラップ層は、上記ＩｎＰと格子整合するＩｎＡｌＡ
ｓであることを特徴とするものである。
置は、請求項２または３記載の半導体レーザ装置におい
て、上記半絶縁性半導体層は、ＩｎＰを含み、上記ホー
ルトラップ層は、上記ＩｎＰと格子整合するＩｎＡｌＡ
ｓであることを特徴とするものである。
【００１８】本発明（請求項５）に係る半導体レーザ装
置は、請求項２または３記載の半導体レーザ装置におい
て、上記半絶縁性半導体層は、ＩｎＰを含み、上記ホー
ルトラップ層は、上記ＩｎＰと格子整合するＩｎＧａＡ
ｓＰであることを特徴とするものである。
置は、請求項２または３記載の半導体レーザ装置におい
て、上記半絶縁性半導体層は、ＩｎＰを含み、上記ホー
ルトラップ層は、上記ＩｎＰと格子整合するＩｎＧａＡ
ｓＰであることを特徴とするものである。
【００１９】本発明（請求項６）に係る半導体レーザ装
置の製造方法は、請求項１記載の半導体レーザ装置を製
造するための方法であって、化合物半導体基板上に、ホ
ールトラップ層を形成するホールトラップ層形成工程
と、このホールトラップ層形成工程にて形成されたホー
ルトラップ層の、レーザ形成領域に対応する部分と光変
調部形成領域に対応する部分との境界領域を、エッチン
グ除去することによってホールトラップ層を分離するホ
ールトラップ層分離工程とを含むことを特徴とするもの
である。
置の製造方法は、請求項１記載の半導体レーザ装置を製
造するための方法であって、化合物半導体基板上に、ホ
ールトラップ層を形成するホールトラップ層形成工程
と、このホールトラップ層形成工程にて形成されたホー
ルトラップ層の、レーザ形成領域に対応する部分と光変
調部形成領域に対応する部分との境界領域を、エッチン
グ除去することによってホールトラップ層を分離するホ
ールトラップ層分離工程とを含むことを特徴とするもの
である。
【００２０】本発明（請求項７）に係る半導体レーザ装
置の製造方法は、請求項６記載の半導体レーザの製造方
法において、上記ホールトラップ層分離工程にてホール
トラップ層を分離する際には、ウエットエッチング法を
採用することを特徴とするものである。
置の製造方法は、請求項６記載の半導体レーザの製造方
法において、上記ホールトラップ層分離工程にてホール
トラップ層を分離する際には、ウエットエッチング法を
採用することを特徴とするものである。
【００２１】本発明（請求項８）に係る半導体レーザ装
置の製造方法は、請求項６記載の半導体レーザ装置の製
造方法において、上記ホールトラップ層分離工程にてホ
ールトラップ層を分離する際には、ドライエッチング法
を採用することを特徴とするものである。
置の製造方法は、請求項６記載の半導体レーザ装置の製
造方法において、上記ホールトラップ層分離工程にてホ
ールトラップ層を分離する際には、ドライエッチング法
を採用することを特徴とするものである。
【００２２】本発明（請求項９）に係る半導体レーザ装
置の製造方法は、請求項６ないし８のいずれかに記載の
半導体レーザ装置の製造方法において、上記ホールトラ
ップ層形成工程に先立って、エッチングストッパ層を形
成するエッチングストッパ層形成工程をさらに含むこと
を特徴とするものである。
置の製造方法は、請求項６ないし８のいずれかに記載の
半導体レーザ装置の製造方法において、上記ホールトラ
ップ層形成工程に先立って、エッチングストッパ層を形
成するエッチングストッパ層形成工程をさらに含むこと
を特徴とするものである。
【００２３】本発明（請求項１０）に係る半導体レーザ
装置の製造方法は、請求項１記載の半導体レーザを製造
するための方法であって、化合物半導体基板上の、レー
ザ形成領域に対応する部分、および光変調器形成領域に
対応する部分に、ホールトラップ層を選択的に成長させ
て、ホールトラップ層を形成するホールトラップ層選択
成長工程を含むことを特徴とするものである。
装置の製造方法は、請求項１記載の半導体レーザを製造
するための方法であって、化合物半導体基板上の、レー
ザ形成領域に対応する部分、および光変調器形成領域に
対応する部分に、ホールトラップ層を選択的に成長させ
て、ホールトラップ層を形成するホールトラップ層選択
成長工程を含むことを特徴とするものである。
【００２４】本発明（請求項１１）に係る半導体レーザ
装置の製造方法は、請求項１１記載の半導体レーザを製
造するための方法であって、ホールトラップ層選択成長
工程にてホールトラップ層を選択的に成長させる際に
は、気相成長法を採用することを特徴とするものであ
る。
装置の製造方法は、請求項１１記載の半導体レーザを製
造するための方法であって、ホールトラップ層選択成長
工程にてホールトラップ層を選択的に成長させる際に
は、気相成長法を採用することを特徴とするものであ
る。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。 実施の形態１．図１は、本実施の形態に係る外部変調器
集積型半導体レーザ装置（以下、「装置」という。）Ｌ
を示した図であり、同図(a) は、外観斜視図、同図(b)
および(c) は、それぞれ、同図(a) におけるＡ−Ａ’断
面図およびＢ−Ｂ’断面図である。
て説明する。 実施の形態１．図１は、本実施の形態に係る外部変調器
集積型半導体レーザ装置（以下、「装置」という。）Ｌ
を示した図であり、同図(a) は、外観斜視図、同図(b)
および(c) は、それぞれ、同図(a) におけるＡ−Ａ’断
面図およびＢ−Ｂ’断面図である。
【００２６】同図を参照して、この装置Ｌは、基本的に
図３３で示した従来のものと同様の構造となっており、
半導体レーザ部分（領域Ｉ）と、活性層２下の半導体基
板１上に回折格子（図示せず）を形成した変調器部分
（領域III ）と、これらを分離する分離部分（領域II）
とを備えている。
図３３で示した従来のものと同様の構造となっており、
半導体レーザ部分（領域Ｉ）と、活性層２下の半導体基
板１上に回折格子（図示せず）を形成した変調器部分
（領域III ）と、これらを分離する分離部分（領域II）
とを備えている。
【００２７】具体的構造について説明すると、この装置
Ｌは、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、活性層２と、ｎ型ＩｎＰ
クラッド層１ａおよびｐ型ＩｎＰクラッド層３とからな
るメサ構造部（光導波路）Ｍが形成されており、このメ
サ構造部Ｍの両脇には、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導
体層５およびｎ型ＩｎＰホールトラップ層６が順次形成
されている。そして、メサ構造部Ｍ，半絶縁性半導体層
５およびホールトラップ層６の上に形成されたｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層８，さらにその上に形成されたｐ型ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層９を備えている。コンタクト層９の
上には、絶縁膜１０および電極１１が形成されている。
Ｌは、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、活性層２と、ｎ型ＩｎＰ
クラッド層１ａおよびｐ型ＩｎＰクラッド層３とからな
るメサ構造部（光導波路）Ｍが形成されており、このメ
サ構造部Ｍの両脇には、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導
体層５およびｎ型ＩｎＰホールトラップ層６が順次形成
されている。そして、メサ構造部Ｍ，半絶縁性半導体層
５およびホールトラップ層６の上に形成されたｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層８，さらにその上に形成されたｐ型ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層９を備えている。コンタクト層９の
上には、絶縁膜１０および電極１１が形成されている。
【００２８】本実施の形態の特徴とするところは、上記
ホールトラップ層６は、メサ構造部Ｍの延びる方向に沿
った中間部分で分離されている点、および上記ホールト
ラップ層６と半絶縁性半導体層５との間にエッチングス
トッパ層７が形成されている点である。そして、このエ
ッチングストッパ層７の材料としては、たとえば、ｎ型
ＩｎＧａＡｓＰを例示することができる。
ホールトラップ層６は、メサ構造部Ｍの延びる方向に沿
った中間部分で分離されている点、および上記ホールト
ラップ層６と半絶縁性半導体層５との間にエッチングス
トッパ層７が形成されている点である。そして、このエ
ッチングストッパ層７の材料としては、たとえば、ｎ型
ＩｎＧａＡｓＰを例示することができる。
【００２９】装置Ｌの各部の寸法等を例示すると、半絶
縁性半導体層５の厚みは３μｍ，ホールトラップ層６の
厚みは０．５μｍ，エッチングストッパ層７の厚みは５
０ｎｍ〜１００ｎｍ，クラッド層８の厚みは２μｍ〜３
μｍである。また、メサ構造部Ｍの幅寸法Ｍｗは、１μ
ｍ程度である。そして、装置Ｌの全体の高さ寸法ｈは、
１００μｍ程度にすることができる。
縁性半導体層５の厚みは３μｍ，ホールトラップ層６の
厚みは０．５μｍ，エッチングストッパ層７の厚みは５
０ｎｍ〜１００ｎｍ，クラッド層８の厚みは２μｍ〜３
μｍである。また、メサ構造部Ｍの幅寸法Ｍｗは、１μ
ｍ程度である。そして、装置Ｌの全体の高さ寸法ｈは、
１００μｍ程度にすることができる。
【００３０】次に、この装置Ｌの動作について説明す
る。この装置Ｌは、半導体レーザ部分（領域Ｉ）の活性
層２下に、回折格子が形成されている。従って、この回
折格子により安定して単一波長のレーザ発振を行うこと
ができる。
る。この装置Ｌは、半導体レーザ部分（領域Ｉ）の活性
層２下に、回折格子が形成されている。従って、この回
折格子により安定して単一波長のレーザ発振を行うこと
ができる。
【００３１】半導体レーザ部分（領域Ｉ）の活性層２と
変調器部分（領域III ）の活性層２（光吸収層）は連続
したＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層から
なっている。また、半導体レーザ部分（領域Ｉ）におけ
る量子井戸内の伝導帯と価電子帯の基底準位間のエネル
ギー差は、変調器部分（領域III ）におけるそれよりも
小さい。
変調器部分（領域III ）の活性層２（光吸収層）は連続
したＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層から
なっている。また、半導体レーザ部分（領域Ｉ）におけ
る量子井戸内の伝導帯と価電子帯の基底準位間のエネル
ギー差は、変調器部分（領域III ）におけるそれよりも
小さい。
【００３２】従って、変調器部分（領域III ）にバイア
ス電圧が印加されていないときは、変調器部分（領域II
I ）の活性層２では半導体レーザ部分（領域Ｉ）からの
光の吸収が起こらない。しかしながら、変調器部分（領
域III ）に逆バイアス電圧が印加されると量子閉じ込め
シュタルク効果（ＱＣＳＥ：Quantum Confined StarkEf
fect ）により光が吸収される。つまり、直流動作させ
ている半導体レーザ部分（領域Ｉ）から放射される光
を、変調器部分（領域III ）に加えるバイアス電圧を変
化させることによって変調することができる。
ス電圧が印加されていないときは、変調器部分（領域II
I ）の活性層２では半導体レーザ部分（領域Ｉ）からの
光の吸収が起こらない。しかしながら、変調器部分（領
域III ）に逆バイアス電圧が印加されると量子閉じ込め
シュタルク効果（ＱＣＳＥ：Quantum Confined StarkEf
fect ）により光が吸収される。つまり、直流動作させ
ている半導体レーザ部分（領域Ｉ）から放射される光
を、変調器部分（領域III ）に加えるバイアス電圧を変
化させることによって変調することができる。
【００３３】また、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導体層
５は、上記活性層２とその上下のＩｎＰ層１，３からな
るメサ構造部Ｍの両脇に埋め込み形成されており、いわ
ゆる電流ブロック層として機能する。Ｆｅは、ＩｎＰ中
で深いアクセプタとなるためＦｅドープＩｎＰ半絶縁性
半導体層６は、ｎ型ＩｎＰ基板１からの電子の拡散を阻
止することができ、これにより、レーザとしての装置Ｌ
のしきい値電流の低減や効率の向上を図っている。
５は、上記活性層２とその上下のＩｎＰ層１，３からな
るメサ構造部Ｍの両脇に埋め込み形成されており、いわ
ゆる電流ブロック層として機能する。Ｆｅは、ＩｎＰ中
で深いアクセプタとなるためＦｅドープＩｎＰ半絶縁性
半導体層６は、ｎ型ＩｎＰ基板１からの電子の拡散を阻
止することができ、これにより、レーザとしての装置Ｌ
のしきい値電流の低減や効率の向上を図っている。
【００３４】さらに、本実施の形態では、上記ホールト
ラップ層６は、メサ構造部Ｍが延びる方向に沿う中間部
分で分離されている。つまり、キャリア濃度が高く、抵
抗が低いホールトラップ層６が、分離部分（領域II）に
対応する部分で分離されている。従って、変調器部分
（領域III ）に印加した高周波信号が、ホールトラップ
層６を介して半導体レーザ部（領域Ｉ）側に漏れるのを
防止することができる。
ラップ層６は、メサ構造部Ｍが延びる方向に沿う中間部
分で分離されている。つまり、キャリア濃度が高く、抵
抗が低いホールトラップ層６が、分離部分（領域II）に
対応する部分で分離されている。従って、変調器部分
（領域III ）に印加した高周波信号が、ホールトラップ
層６を介して半導体レーザ部（領域Ｉ）側に漏れるのを
防止することができる。
【００３５】次に、本装置Ｌの製造方法について説明す
る。図２〜図４は、装置Ｌの製造工程中における第１段
階の製造工程，第２段階の製造工程および第３段階の製
造工程をそれぞれ示した図である。なお、各図におい
て、(a) 図は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ−
Ａ’断面図，(c) 図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図で
ある。
る。図２〜図４は、装置Ｌの製造工程中における第１段
階の製造工程，第２段階の製造工程および第３段階の製
造工程をそれぞれ示した図である。なお、各図におい
て、(a) 図は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ−
Ａ’断面図，(c) 図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図で
ある。
【００３６】図２を参照して、まず、ｎ型ＩｎＰ半導体
基板１上の半導体レーザ部分（領域Ｉ）に対応する領域
に回折格子を形成した後（図示せず）、ｎ型ＩｎＰクラ
ッド層１ａ，活性層２、ｐ型ＩｎＰクラッド層３をＭＯ
ＣＶＤ法等により結晶成長させる。活性層２は、ＩｎＧ
ａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層（いわゆるＭＱ
Ｗ）としても良いし、単一のＩｎＧａＡｓ層としても良
い。そして、活性層２の上に幅Ｗが１〜２μｍの絶縁膜
４からなるストライプを形成し、この絶縁膜４をマスク
としてドライエッチングにより２〜３μｍ程度の高さの
メサ構造部Ｍを形成して光導波路とする。
基板１上の半導体レーザ部分（領域Ｉ）に対応する領域
に回折格子を形成した後（図示せず）、ｎ型ＩｎＰクラ
ッド層１ａ，活性層２、ｐ型ＩｎＰクラッド層３をＭＯ
ＣＶＤ法等により結晶成長させる。活性層２は、ＩｎＧ
ａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層（いわゆるＭＱ
Ｗ）としても良いし、単一のＩｎＧａＡｓ層としても良
い。そして、活性層２の上に幅Ｗが１〜２μｍの絶縁膜
４からなるストライプを形成し、この絶縁膜４をマスク
としてドライエッチングにより２〜３μｍ程度の高さの
メサ構造部Ｍを形成して光導波路とする。
【００３７】その後、絶縁膜４を選択成長用マスクとし
て用い、メサ構造部Ｍの両脇に、ＭＯＣＶＤ法等でＦｅ
ドープＩｎＰ半絶縁性半導体層５，ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ
エッチングストッパ層７およびｎ型ＩｎＰホールトラッ
プ層６の埋め込み成長を行う。
て用い、メサ構造部Ｍの両脇に、ＭＯＣＶＤ法等でＦｅ
ドープＩｎＰ半絶縁性半導体層５，ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ
エッチングストッパ層７およびｎ型ＩｎＰホールトラッ
プ層６の埋め込み成長を行う。
【００３８】次に、図３に示すように、変調器部分（領
域III ）と半導体レーザ部分（領域Ｉ）とを分離する分
離部分（領域II）に対応する部分におけるホールトラッ
プ層６をウエットエッチングにより除去する。具体的に
は、絶縁膜４をつけたまま写真製版を行い、上記分離部
分（領域II）に対応する部分のホールトラップ層６を除
去する。このとき、使用するエッチング液は、ＩｎＰの
みをエッチングできる液を用いる。
域III ）と半導体レーザ部分（領域Ｉ）とを分離する分
離部分（領域II）に対応する部分におけるホールトラッ
プ層６をウエットエッチングにより除去する。具体的に
は、絶縁膜４をつけたまま写真製版を行い、上記分離部
分（領域II）に対応する部分のホールトラップ層６を除
去する。このとき、使用するエッチング液は、ＩｎＰの
みをエッチングできる液を用いる。
【００３９】本実施の形態では、エッチングストッパ層
７としてｎ型ＩｎＧａＡｓＰを採用したが、その組成
は、ＩｎＰと格子整合するバンドギャップ波長λｇが
０．９２〜１．６７μｍ（好ましくは、λｇが１．１８
〜１．６７μｍ）のものを採用することができる。バン
ドギャップ波長λｇが１．１８〜１．６７μｍのものを
採用することにより、ＩｎＰとＩｎＧａＡｓＰとのエッ
チングレートの差を十分大きくとることができ、良好な
エッチング処理を行うことができるという利点がある。
また、エッチングストッパ層７としては、化学エッチン
グでＩｎＰと選択比がとれるものであれば、他のものを
採用することが可能である。なお、エッチングする部分
の長さ（Ｂ−Ｂ’方向の長さ）は、たとえば１０〜５０
μｍである。
７としてｎ型ＩｎＧａＡｓＰを採用したが、その組成
は、ＩｎＰと格子整合するバンドギャップ波長λｇが
０．９２〜１．６７μｍ（好ましくは、λｇが１．１８
〜１．６７μｍ）のものを採用することができる。バン
ドギャップ波長λｇが１．１８〜１．６７μｍのものを
採用することにより、ＩｎＰとＩｎＧａＡｓＰとのエッ
チングレートの差を十分大きくとることができ、良好な
エッチング処理を行うことができるという利点がある。
また、エッチングストッパ層７としては、化学エッチン
グでＩｎＰと選択比がとれるものであれば、他のものを
採用することが可能である。なお、エッチングする部分
の長さ（Ｂ−Ｂ’方向の長さ）は、たとえば１０〜５０
μｍである。
【００４０】その後、図４に示すように、絶縁膜４を除
去した後、ｐ型ＩｎＰクラッド層８およびｐ型ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層９を結晶成長させる。次いで、上記分
離部分（領域II）に対応する部分のコンタクト層９を除
去する。この除去範囲は、メサ構造部Ｍの形成された方
向（Ｂ−Ｂ’方向）に沿って１０〜５０μｍの範囲であ
る。そして、図１に示すように、絶縁膜１０を成膜し、
電極１１を形成する部分の絶縁膜を除去した後、電極１
１を形成する。
去した後、ｐ型ＩｎＰクラッド層８およびｐ型ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層９を結晶成長させる。次いで、上記分
離部分（領域II）に対応する部分のコンタクト層９を除
去する。この除去範囲は、メサ構造部Ｍの形成された方
向（Ｂ−Ｂ’方向）に沿って１０〜５０μｍの範囲であ
る。そして、図１に示すように、絶縁膜１０を成膜し、
電極１１を形成する部分の絶縁膜を除去した後、電極１
１を形成する。
【００４１】このように、本実施の形態による装置Ｌで
は、低抵抗のホールトラップ層６が分離部分（領域II）
に対応する部分で分離されているから、変調器部分（領
域III ）に印加した高周波信号がホールトラップ層６を
介して半導体レーザ部（領域Ｉ）側に漏れるのを防止す
ることができる。その結果、半導体レーザ部分（領域
Ｉ）と変調器部分（領域III ）との間の分離抵抗を向上
させ、効率が高く安定した性能を発揮できる装置Ｌを提
供することができる。
は、低抵抗のホールトラップ層６が分離部分（領域II）
に対応する部分で分離されているから、変調器部分（領
域III ）に印加した高周波信号がホールトラップ層６を
介して半導体レーザ部（領域Ｉ）側に漏れるのを防止す
ることができる。その結果、半導体レーザ部分（領域
Ｉ）と変調器部分（領域III ）との間の分離抵抗を向上
させ、効率が高く安定した性能を発揮できる装置Ｌを提
供することができる。
【００４２】また、図５は、実施の形態１の変形例とし
て、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成した場合
の装置Ｌを示している。同図(a) ，(b) ，(c) は、それ
ぞれ、装置Ｌの外観斜視図，同図(a) のＡ−Ａ’断面
図，同図(a) のＢ−Ｂ’断面図である。さらに、図６〜
図８は、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成する
場合の装置Ｌの製造工程を第１段階，第２段階および第
３段階にわけて順に示しており、各図において、(a) 図
は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ−Ａ’断面
図，(c) 図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図である。
て、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成した場合
の装置Ｌを示している。同図(a) ，(b) ，(c) は、それ
ぞれ、装置Ｌの外観斜視図，同図(a) のＡ−Ａ’断面
図，同図(a) のＢ−Ｂ’断面図である。さらに、図６〜
図８は、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成する
場合の装置Ｌの製造工程を第１段階，第２段階および第
３段階にわけて順に示しており、各図において、(a) 図
は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ−Ａ’断面
図，(c) 図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図である。
【００４３】メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成
する場合に、装置Ｌの製造工程において上記ドライエッ
チングでメサ構造部Ｍを形成する場合と異なる点は、 図６(a) に示すように、エッチングを行う際に、キ
ャップ層１２（たとえば、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ）を設け
る点、 等方性のウエットエッチングであるから、絶縁膜４
の幅寸法を広くとっている点、および 図６(b) を参照して、ホールトラップ層６を選択的
にエッチングする際に、まず、絶縁膜４を除去してから
写真製版をする点である。
する場合に、装置Ｌの製造工程において上記ドライエッ
チングでメサ構造部Ｍを形成する場合と異なる点は、 図６(a) に示すように、エッチングを行う際に、キ
ャップ層１２（たとえば、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ）を設け
る点、 等方性のウエットエッチングであるから、絶縁膜４
の幅寸法を広くとっている点、および 図６(b) を参照して、ホールトラップ層６を選択的
にエッチングする際に、まず、絶縁膜４を除去してから
写真製版をする点である。
【００４４】その他については、図１〜図４で示したド
ライエッチングでメサ構造部Ｍを形成する場合と同様で
あり、このように、メサ構造部Ｍをウエットエッチング
で形成する場合であっても、上述したドライエッチング
でメサ構造部Ｍを形成する場合と同様の作用効果を奏す
ることができる。かかる変形例においては、図５〜図８
の各図に、図１〜図４に付したと同様の参照符号を付
し、その説明は省略する。
ライエッチングでメサ構造部Ｍを形成する場合と同様で
あり、このように、メサ構造部Ｍをウエットエッチング
で形成する場合であっても、上述したドライエッチング
でメサ構造部Ｍを形成する場合と同様の作用効果を奏す
ることができる。かかる変形例においては、図５〜図８
の各図に、図１〜図４に付したと同様の参照符号を付
し、その説明は省略する。
【００４５】実施の形態２．図９は、本発明の実施の形
態２による装置Ｌを示した図であり、同図(a) は、外観
斜視図、同図(b) および(c) は、それぞれ、同図(a) に
おけるＡ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ’断面図である。
態２による装置Ｌを示した図であり、同図(a) は、外観
斜視図、同図(b) および(c) は、それぞれ、同図(a) に
おけるＡ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ’断面図である。
【００４６】同図を参照して、本実施の形態に係る装置
Ｌは、基本的に図３７で示した従来のものと同様の構造
となっており、活性層２下の半導体基板１上に回折格子
（図示せず）を形成した半導体レーザ部分（領域Ｉ）
と、変調器部分（領域III ）と、これらを分離する分離
部分（領域II）とを備えている。
Ｌは、基本的に図３７で示した従来のものと同様の構造
となっており、活性層２下の半導体基板１上に回折格子
（図示せず）を形成した半導体レーザ部分（領域Ｉ）
と、変調器部分（領域III ）と、これらを分離する分離
部分（領域II）とを備えている。
【００４７】本実施の形態に係る装置Ｌが上記実施の形
態１に係る装置Ｌと異なるところは、実施の形態１に係
る装置Ｌでは、ホールトラップ層６をエッチングするた
めにエッチングストッパ層７を用いたのに対し、本実施
の形態では、かかるエッチングストッパ層７を用いず
に、ホールトラップ層６ａおよび半絶縁性半導体層５の
材料を適当に選ぶことによって、ホールトラップ層６ａ
の選択的エッチングを可能にした点である。なお、その
他の構成については、実施の形態１と同様であり、図面
には、同様の参照符号を付している。
態１に係る装置Ｌと異なるところは、実施の形態１に係
る装置Ｌでは、ホールトラップ層６をエッチングするた
めにエッチングストッパ層７を用いたのに対し、本実施
の形態では、かかるエッチングストッパ層７を用いず
に、ホールトラップ層６ａおよび半絶縁性半導体層５の
材料を適当に選ぶことによって、ホールトラップ層６ａ
の選択的エッチングを可能にした点である。なお、その
他の構成については、実施の形態１と同様であり、図面
には、同様の参照符号を付している。
【００４８】具体的構造について説明すると、この装置
Ｌは、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、活性層２と、ｎ型ＩｎＰ
クラッド層１ａおよびｐ型ＩｎＰクラッド層３とからな
るメサ構造部（光導波路）Ｍが形成されており、このメ
サ構造部Ｍの両脇には、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導
体層５およびＩｎＧａＡｓＰホールトラップ層６ａが順
次形成されている。そして、メサ構造部Ｍ，半絶縁性半
導体層５およびホールトラップ層６ａの上に形成された
ｐ型ＩｎＰクラッド層８，さらにその上に形成されたｐ
型ＩｎＧａＡｓコンタクト層９を備えている。コンタク
ト層９の上には、絶縁膜１０および電極１１が形成され
ている。
Ｌは、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、活性層２と、ｎ型ＩｎＰ
クラッド層１ａおよびｐ型ＩｎＰクラッド層３とからな
るメサ構造部（光導波路）Ｍが形成されており、このメ
サ構造部Ｍの両脇には、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導
体層５およびＩｎＧａＡｓＰホールトラップ層６ａが順
次形成されている。そして、メサ構造部Ｍ，半絶縁性半
導体層５およびホールトラップ層６ａの上に形成された
ｐ型ＩｎＰクラッド層８，さらにその上に形成されたｐ
型ＩｎＧａＡｓコンタクト層９を備えている。コンタク
ト層９の上には、絶縁膜１０および電極１１が形成され
ている。
【００４９】本実施の形態においては、ホールトラップ
層６ａとしてＩｎＧａＡｓＰを採用しているが、その組
成は、ＩｎＰと格子整合するバンドギャップ波長λｇが
０．９２〜１．６７μｍ（好ましくは、λｇが１．１８
〜１．６７μｍ）のものを採用することができる。バン
ドギャップ波長λｇが１．１８〜１．６７μｍのものを
採用することにより、ＩｎＰとＩｎＧａＡｓＰとのエッ
チングレートの差を十分大きくとることができ、良好な
エッチング処理を行うことができるという利点がある。
層６ａとしてＩｎＧａＡｓＰを採用しているが、その組
成は、ＩｎＰと格子整合するバンドギャップ波長λｇが
０．９２〜１．６７μｍ（好ましくは、λｇが１．１８
〜１．６７μｍ）のものを採用することができる。バン
ドギャップ波長λｇが１．１８〜１．６７μｍのものを
採用することにより、ＩｎＰとＩｎＧａＡｓＰとのエッ
チングレートの差を十分大きくとることができ、良好な
エッチング処理を行うことができるという利点がある。
【００５０】装置Ｌの各部の寸法等を例示すると、半絶
縁性半導体層５の厚みは、３μｍ，ホールトラップ層６
ａの厚みは、０．５μｍ，クラッド層８の厚みは、２μ
ｍ〜３μｍである。また、メサ構造部Ｍの幅寸法Ｍｗ
は、１μｍ程度であり、装置Ｌの全体の高さ寸法ｈは、
１００μｍ程度である。
縁性半導体層５の厚みは、３μｍ，ホールトラップ層６
ａの厚みは、０．５μｍ，クラッド層８の厚みは、２μ
ｍ〜３μｍである。また、メサ構造部Ｍの幅寸法Ｍｗ
は、１μｍ程度であり、装置Ｌの全体の高さ寸法ｈは、
１００μｍ程度である。
【００５１】この装置Ｌの動作については、実施の形態
１と同様であるので、その説明は省略する。
１と同様であるので、その説明は省略する。
【００５２】次に、本装置Ｌの製造方法について説明す
る。図１０〜図１２は、装置Ｌの製造工程中における第
１段階の製造工程，第２段階の製造工程および第３段階
の製造工程をそれぞれ示した図である。なお、各図にお
いて、(a) 図は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ
−Ａ’断面図，(c)図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図
である。
る。図１０〜図１２は、装置Ｌの製造工程中における第
１段階の製造工程，第２段階の製造工程および第３段階
の製造工程をそれぞれ示した図である。なお、各図にお
いて、(a) 図は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ
−Ａ’断面図，(c)図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図
である。
【００５３】図１０を参照して、まず、ｎ型ＩｎＰ半導
体基板１上の半導体レーザ部分（領域Ｉ）に対応する領
域に回折格子を形成した後（図示せず）、ｎ型ＩｎＰク
ラッド層１ａ，活性層２、ｐ型ＩｎＰクラッド層３をＭ
ＯＣＶＤ法等により結晶成長させる。活性層２は、実施
の形態１と同様に、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重
量子井戸層（いわゆるＭＱＷ）としても良いし、単一の
ＩｎＧａＡｓ層としても良い。そして、活性層２の上に
幅Ｗが１〜２μｍの絶縁膜４からなるストライプを形成
し、この絶縁膜４をマスクとしてドライエッチングによ
り２〜３μｍ程度の高さのメサ構造部Ｍを形成して光導
波路とする。
体基板１上の半導体レーザ部分（領域Ｉ）に対応する領
域に回折格子を形成した後（図示せず）、ｎ型ＩｎＰク
ラッド層１ａ，活性層２、ｐ型ＩｎＰクラッド層３をＭ
ＯＣＶＤ法等により結晶成長させる。活性層２は、実施
の形態１と同様に、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重
量子井戸層（いわゆるＭＱＷ）としても良いし、単一の
ＩｎＧａＡｓ層としても良い。そして、活性層２の上に
幅Ｗが１〜２μｍの絶縁膜４からなるストライプを形成
し、この絶縁膜４をマスクとしてドライエッチングによ
り２〜３μｍ程度の高さのメサ構造部Ｍを形成して光導
波路とする。
【００５４】その後、絶縁膜４を選択成長用マスクとし
て用い、メサ構造部Ｍの両脇に、ＭＯＣＶＤ法等でＦｅ
ドープＩｎＰ半絶縁性半導体層５およびｎ型ＩｎＧａＡ
ｓＰホールトラップ層６ａの埋め込み成長を行う。
て用い、メサ構造部Ｍの両脇に、ＭＯＣＶＤ法等でＦｅ
ドープＩｎＰ半絶縁性半導体層５およびｎ型ＩｎＧａＡ
ｓＰホールトラップ層６ａの埋め込み成長を行う。
【００５５】また、ホールトラップ層６ａは、ＩｎＧａ
ＡｓＰに代えてｎ型ＩｎＡｌＡｓを採用することができ
る。この場合、ホールトラップ層６ａの組成は、ＩｎＰ
と格子整合するバンドギャップ波長λｇが０．８６μｍ
のものを採用することができ、かかる組成のものを採用
することにより、ＩｎＰとＩｎＡｌＡｓとのエッチング
レートの差を十分大きくとることができ、良好なエッチ
ング処理を行うことができるという利点がある。
ＡｓＰに代えてｎ型ＩｎＡｌＡｓを採用することができ
る。この場合、ホールトラップ層６ａの組成は、ＩｎＰ
と格子整合するバンドギャップ波長λｇが０．８６μｍ
のものを採用することができ、かかる組成のものを採用
することにより、ＩｎＰとＩｎＡｌＡｓとのエッチング
レートの差を十分大きくとることができ、良好なエッチ
ング処理を行うことができるという利点がある。
【００５６】次に、図１１に示すように、上記絶縁膜４
を除去した後、変調器部分（領域III ）と半導体レーザ
部分（領域Ｉ）とを分離する分離部分（領域II）に対応
する部分におけるホールトラップ層６ａをウエットエッ
チングにより除去する。具体的には、絶縁膜４をつけた
まま写真製版を行い、上記分離部分（領域II）に対応す
る部分のホールトラップ層６ａを除去する。本実施の形
態では、半絶縁性半導体層５にＦｅドープＩｎＰを採用
し、ホールトラップ層６ａにｎ型ＩｎＧａＡｓＰを採用
しているから、これらの組成の違いにより選択的に、す
なわち、エッチングストッパ層を用いなくても、ホール
トラップ層６ａのみを選択的に正確にエッチング除去す
ることができる。なお、このとき、エッチングする部分
の長さは、実施の形態と同様に、たとえば１０μｍ〜５
０μｍである。
を除去した後、変調器部分（領域III ）と半導体レーザ
部分（領域Ｉ）とを分離する分離部分（領域II）に対応
する部分におけるホールトラップ層６ａをウエットエッ
チングにより除去する。具体的には、絶縁膜４をつけた
まま写真製版を行い、上記分離部分（領域II）に対応す
る部分のホールトラップ層６ａを除去する。本実施の形
態では、半絶縁性半導体層５にＦｅドープＩｎＰを採用
し、ホールトラップ層６ａにｎ型ＩｎＧａＡｓＰを採用
しているから、これらの組成の違いにより選択的に、す
なわち、エッチングストッパ層を用いなくても、ホール
トラップ層６ａのみを選択的に正確にエッチング除去す
ることができる。なお、このとき、エッチングする部分
の長さは、実施の形態と同様に、たとえば１０μｍ〜５
０μｍである。
【００５７】その後、図１２に示すように、絶縁膜４を
除去した後、ｐ型ＩｎＰクラッド層８およびｐ型ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層９を結晶成長させる。次いで、上記
分離部分（領域II）に対応する部分のコンタクト層９を
除去する。この除去範囲は、メサ構造部Ｍの形成された
方向（Ｂ−Ｂ’方向）に沿って１０μｍ〜５０μｍの範
囲である。そして、図９に示すように、絶縁膜１０を成
膜し、電極１１を形成する部分の絶縁膜を除去した後、
電極１１を形成する。
除去した後、ｐ型ＩｎＰクラッド層８およびｐ型ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層９を結晶成長させる。次いで、上記
分離部分（領域II）に対応する部分のコンタクト層９を
除去する。この除去範囲は、メサ構造部Ｍの形成された
方向（Ｂ−Ｂ’方向）に沿って１０μｍ〜５０μｍの範
囲である。そして、図９に示すように、絶縁膜１０を成
膜し、電極１１を形成する部分の絶縁膜を除去した後、
電極１１を形成する。
【００５８】このように、本実施の形態による装置Ｌで
は、実施の形態１と同様に、低抵抗のホールトラップ層
６ａが分離部分（領域II）に対応する部分で分離されて
いるから、変調器部分（領域III ）に印加した高周波信
号がホールトラップ層６ａを介して半導体レーザ部（領
域Ｉ）側に漏れるのを防止することができる。その結
果、半導体レーザ部分（領域Ｉ）と変調器部分（領域II
I ）との間の分離抵抗を向上させ、効率が高く安定した
性能を発揮できる装置Ｌを提供することができる。加え
て、実施の形態では必要であった、ホールトラップ層６
ａをエッチングする際のエッチングストッパ層７が不要
であるから、製造工程を簡略化することができるという
利点がある。
は、実施の形態１と同様に、低抵抗のホールトラップ層
６ａが分離部分（領域II）に対応する部分で分離されて
いるから、変調器部分（領域III ）に印加した高周波信
号がホールトラップ層６ａを介して半導体レーザ部（領
域Ｉ）側に漏れるのを防止することができる。その結
果、半導体レーザ部分（領域Ｉ）と変調器部分（領域II
I ）との間の分離抵抗を向上させ、効率が高く安定した
性能を発揮できる装置Ｌを提供することができる。加え
て、実施の形態では必要であった、ホールトラップ層６
ａをエッチングする際のエッチングストッパ層７が不要
であるから、製造工程を簡略化することができるという
利点がある。
【００５９】また、図１３は、実施の形態の変形例とし
て、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成した場合
の装置Ｌを示している。同図(a) ，(b) ，(c) は、それ
ぞれ、装置Ｌの外観斜視図，同図(a) のＡ−Ａ’断面
図，同図(a) のＢ−Ｂ’断面図である。さらに、図１４
〜図１６は、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成
する場合の装置Ｌの製造工程を第１段階，第２段階およ
び第３段階にわけて順に示しており、各図において、
(a) 図は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ−Ａ’
断面図，(c) 図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図であ
る。
て、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成した場合
の装置Ｌを示している。同図(a) ，(b) ，(c) は、それ
ぞれ、装置Ｌの外観斜視図，同図(a) のＡ−Ａ’断面
図，同図(a) のＢ−Ｂ’断面図である。さらに、図１４
〜図１６は、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成
する場合の装置Ｌの製造工程を第１段階，第２段階およ
び第３段階にわけて順に示しており、各図において、
(a) 図は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ−Ａ’
断面図，(c) 図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図であ
る。
【００６０】メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成
する場合に、装置Ｌの製造工程において上記ドライエッ
チングでメサ構造部Ｍを形成する場合と異なる点は、 等方性のウエットエッチングであるから、絶縁膜４
の幅寸法を広くとる点、および 図１５(b) を参照して、ホールトラップ層６ａを選
択的にエッチングする際に、まず、絶縁膜４を除去して
から写真製版をする点である。
する場合に、装置Ｌの製造工程において上記ドライエッ
チングでメサ構造部Ｍを形成する場合と異なる点は、 等方性のウエットエッチングであるから、絶縁膜４
の幅寸法を広くとる点、および 図１５(b) を参照して、ホールトラップ層６ａを選
択的にエッチングする際に、まず、絶縁膜４を除去して
から写真製版をする点である。
【００６１】なお、上記実施の形態の変形例で示したキ
ャップ層は、用いていない。
ャップ層は、用いていない。
【００６２】その他については、図９〜図１２で示した
ドライエッチングでメサ構造部Ｍを形成する場合と同様
である。このように、メサ構造部Ｍをウエットエッチン
グで形成する場合であっても、上述したドライエッチン
グでメサ構造部Ｍを形成する場合と同様の作用効果を奏
することができる。かかる変形例においては、図１４〜
図１６の各図に、図５〜図９に付したと同様の参照符号
を付し、その説明は省略する。
ドライエッチングでメサ構造部Ｍを形成する場合と同様
である。このように、メサ構造部Ｍをウエットエッチン
グで形成する場合であっても、上述したドライエッチン
グでメサ構造部Ｍを形成する場合と同様の作用効果を奏
することができる。かかる変形例においては、図１４〜
図１６の各図に、図５〜図９に付したと同様の参照符号
を付し、その説明は省略する。
【００６３】実施の形態３．図１７は、実施の形態３に
係る装置Ｌを示した図であり、同図(a) は、外観斜視
図、同図(b) および(c) は、それぞれ、同図(a) におけ
るＡ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ’断面図である。
係る装置Ｌを示した図であり、同図(a) は、外観斜視
図、同図(b) および(c) は、それぞれ、同図(a) におけ
るＡ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ’断面図である。
【００６４】同図を参照して、この装置Ｌは、上記実施
の形態１で示したものと同様の構造となっており、活性
層２下の半導体基板１上に回折格子（図示せず）を形成
した半導体レーザ部分（領域Ｉ）と、変調器部分（領域
III ）と、これらを分離する分離部分（領域II）とを備
えている。
の形態１で示したものと同様の構造となっており、活性
層２下の半導体基板１上に回折格子（図示せず）を形成
した半導体レーザ部分（領域Ｉ）と、変調器部分（領域
III ）と、これらを分離する分離部分（領域II）とを備
えている。
【００６５】具体的構造について説明すると、この装置
Ｌは、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、活性層２と、ｎ型ＩｎＰ
クラッド層１ａおよびｐ型ＩｎＰクラッド層３とからな
るメサ構造部（光導波路）Ｍが形成されており、このメ
サ構造部Ｍの両脇には、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導
体層５およびｎ型ＩｎＧａＡｓＰホールトラップ層６が
順次形成されている。そして、メサ構造部Ｍ，半絶縁性
半導体層５およびホールトラップ層６の上に形成された
ｐ型ＩｎＰクラッド層８，さらにその上に形成されたｐ
型ＩｎＧａＡｓコンタクト層９を備えている。コンタク
ト層９の上には、絶縁膜１０および電極１１が形成され
ている。
Ｌは、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、活性層２と、ｎ型ＩｎＰ
クラッド層１ａおよびｐ型ＩｎＰクラッド層３とからな
るメサ構造部（光導波路）Ｍが形成されており、このメ
サ構造部Ｍの両脇には、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導
体層５およびｎ型ＩｎＧａＡｓＰホールトラップ層６が
順次形成されている。そして、メサ構造部Ｍ，半絶縁性
半導体層５およびホールトラップ層６の上に形成された
ｐ型ＩｎＰクラッド層８，さらにその上に形成されたｐ
型ＩｎＧａＡｓコンタクト層９を備えている。コンタク
ト層９の上には、絶縁膜１０および電極１１が形成され
ている。
【００６６】本実施の形態の特徴とするところは、 上記ホールトラップ層６は、メサ構造部Ｍの延びる
方向に沿った中間部分で分離されている点、 後述する製造方法で示すように、ホールトラップ層
６を分離するために、ドライエッチングを用いてホール
トラップ層６の一部を除去する点、および 実施の形態１に係る装置Ｌでは、ホールトラップ層
６をエッチングするためにエッチングストッパ層７を用
いたのに対し、本実施の形態では、かかるエッチングス
トッパ層７を用いずに、ホールトラップ層６および半絶
縁性半導体層５の材料を適当に選ぶことによって、ホー
ルトラップ層６の選択的エッチングを可能にした点であ
る。
方向に沿った中間部分で分離されている点、 後述する製造方法で示すように、ホールトラップ層
６を分離するために、ドライエッチングを用いてホール
トラップ層６の一部を除去する点、および 実施の形態１に係る装置Ｌでは、ホールトラップ層
６をエッチングするためにエッチングストッパ層７を用
いたのに対し、本実施の形態では、かかるエッチングス
トッパ層７を用いずに、ホールトラップ層６および半絶
縁性半導体層５の材料を適当に選ぶことによって、ホー
ルトラップ層６の選択的エッチングを可能にした点であ
る。
【００６７】装置Ｌの各部の寸法等を例示すると、半絶
縁性半導体層５の厚みは３μｍ，ホールトラップ層６の
厚みは０．５μｍ，エッチングストッパ層７の厚みは５
０ｎｍ〜１００ｎｍ，クラッド層８の厚みは２μｍ〜３
μｍである。また、メサ構造部Ｍの幅寸法Ｍｗは、１μ
ｍ程度である。そして、装置Ｌの全体の高さ寸法ｈは、
１００μｍ程度にすることができる。
縁性半導体層５の厚みは３μｍ，ホールトラップ層６の
厚みは０．５μｍ，エッチングストッパ層７の厚みは５
０ｎｍ〜１００ｎｍ，クラッド層８の厚みは２μｍ〜３
μｍである。また、メサ構造部Ｍの幅寸法Ｍｗは、１μ
ｍ程度である。そして、装置Ｌの全体の高さ寸法ｈは、
１００μｍ程度にすることができる。
【００６８】この装置Ｌの動作については、上記実施の
形態１および実施の形態２と同様であるので、その説明
は省略する。
形態１および実施の形態２と同様であるので、その説明
は省略する。
【００６９】次に、本装置Ｌの製造方法について説明す
る。図１８〜図２０は、装置Ｌの製造工程中における第
１段階の製造工程，第２段階の製造工程および第３段階
の製造工程をそれぞれ示した図である。なお、各図にお
いて、(a) 図は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ
−Ａ’断面図，(c)図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図
である。
る。図１８〜図２０は、装置Ｌの製造工程中における第
１段階の製造工程，第２段階の製造工程および第３段階
の製造工程をそれぞれ示した図である。なお、各図にお
いて、(a) 図は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ
−Ａ’断面図，(c)図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図
である。
【００７０】図１８を参照して、まず、ｎ型ＩｎＰ半導
体基板１上の半導体レーザ部分（領域Ｉ）に対応する領
域に回折格子を形成した後（図示せず）、ｎ型ＩｎＰク
ラッド層１ａ，活性層２、ｐ型ＩｎＰクラッド層３をＭ
ＯＣＶＤ法等により結晶成長させる。活性層２は、Ｉｎ
ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層（いわゆるＭ
ＱＷ）としても良いし、単一のＩｎＧａＡｓ層としても
良い。そして、活性層２の上に幅Ｗが１〜２μｍの絶縁
膜４からなるストライプを形成し、この絶縁膜４をマス
クとしてドライエッチングにより２〜３μｍ程度の高さ
のメサ構造部Ｍを形成して光導波路とする。
体基板１上の半導体レーザ部分（領域Ｉ）に対応する領
域に回折格子を形成した後（図示せず）、ｎ型ＩｎＰク
ラッド層１ａ，活性層２、ｐ型ＩｎＰクラッド層３をＭ
ＯＣＶＤ法等により結晶成長させる。活性層２は、Ｉｎ
ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層（いわゆるＭ
ＱＷ）としても良いし、単一のＩｎＧａＡｓ層としても
良い。そして、活性層２の上に幅Ｗが１〜２μｍの絶縁
膜４からなるストライプを形成し、この絶縁膜４をマス
クとしてドライエッチングにより２〜３μｍ程度の高さ
のメサ構造部Ｍを形成して光導波路とする。
【００７１】その後、絶縁膜４を選択成長用マスクとし
て用い、メサ構造部Ｍの両脇に、ＭＯＣＶＤ法等でＦｅ
ドープＩｎＰ半絶縁性半導体層５およびｎ型ＩｎＧａＡ
ｓＰホールトラップ層６の埋め込み成長を行う。このホ
ールトラップ層６の組成は、ＩｎＰと格子整合するバン
ドギャップ波長λｇが０．９２〜１．６７μｍ（好まし
くは、λｇが１．０５〜１．１８μｍ）のものを採用す
ることができる。このλｇが１．０５〜１．１８μｍの
ものを採用した場合には、上記他の実施の形態で述べた
のと同様に、ＩｎＰとＩｎＧａＡｓＰとのエッチングレ
ートの差を十分大きくとって、良好なエッチング処理を
行うことができるという利点がある。
て用い、メサ構造部Ｍの両脇に、ＭＯＣＶＤ法等でＦｅ
ドープＩｎＰ半絶縁性半導体層５およびｎ型ＩｎＧａＡ
ｓＰホールトラップ層６の埋め込み成長を行う。このホ
ールトラップ層６の組成は、ＩｎＰと格子整合するバン
ドギャップ波長λｇが０．９２〜１．６７μｍ（好まし
くは、λｇが１．０５〜１．１８μｍ）のものを採用す
ることができる。このλｇが１．０５〜１．１８μｍの
ものを採用した場合には、上記他の実施の形態で述べた
のと同様に、ＩｎＰとＩｎＧａＡｓＰとのエッチングレ
ートの差を十分大きくとって、良好なエッチング処理を
行うことができるという利点がある。
【００７２】また、ホールトラップ層６は、ＩｎＧａＡ
ｓＰに代えてｎ型ＩｎＡｌＡｓを採用することができ
る。この場合、ホールトラップ層６の組成は、ＩｎＰと
格子整合するバンドギャップ波長λｇが０．８６μｍの
ものを採用することができ、この場合においても、Ｉｎ
ＰとＩｎＡｌＡｓとのエッチングレートの差を十分大き
くとって、良好なエッチング処理を行うことができると
いう利点がある。
ｓＰに代えてｎ型ＩｎＡｌＡｓを採用することができ
る。この場合、ホールトラップ層６の組成は、ＩｎＰと
格子整合するバンドギャップ波長λｇが０．８６μｍの
ものを採用することができ、この場合においても、Ｉｎ
ＰとＩｎＡｌＡｓとのエッチングレートの差を十分大き
くとって、良好なエッチング処理を行うことができると
いう利点がある。
【００７３】次に、図１９に示すように、変調器部分
（領域III ）と半導体レーザ部分（領域Ｉ）とを分離す
る分離部分（領域II）に対応する部分におけるホールト
ラップ層６をドライエッチングにより除去する。具体的
には、絶縁膜４をつけたまま写真製版を行い、上記分離
部分（領域II）に対応する部分のホールトラップ層６を
除去する。
（領域III ）と半導体レーザ部分（領域Ｉ）とを分離す
る分離部分（領域II）に対応する部分におけるホールト
ラップ層６をドライエッチングにより除去する。具体的
には、絶縁膜４をつけたまま写真製版を行い、上記分離
部分（領域II）に対応する部分のホールトラップ層６を
除去する。
【００７４】本実施の形態では、半絶縁性半導体層５に
ＦｅドープＩｎＰを採用し、ホールトラップ層６にｎ型
ＩｎＧａＡｓＰを採用しているから、これらの組成の違
いにより選択的に、すなわち、エッチングストッパ層を
用いなくても、ホールトラップ層６のみを選択的に正確
にエッチング除去することができる。なお、このとき、
エッチングする部分の長さは、実施の形態１と同様に、
たとえば１０μｍ〜５０μｍである。
ＦｅドープＩｎＰを採用し、ホールトラップ層６にｎ型
ＩｎＧａＡｓＰを採用しているから、これらの組成の違
いにより選択的に、すなわち、エッチングストッパ層を
用いなくても、ホールトラップ層６のみを選択的に正確
にエッチング除去することができる。なお、このとき、
エッチングする部分の長さは、実施の形態１と同様に、
たとえば１０μｍ〜５０μｍである。
【００７５】その後、図２０に示すように、絶縁膜４を
除去した後、ｐ型ＩｎＰクラッド層８およびｐ型ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層９を結晶成長させる。次いで、上記
分離部分（領域II）に対応する部分のコンタクト層９を
除去する。この除去範囲は、メサ構造部Ｍの形成された
方向（Ｂ−Ｂ’方向）に沿って１０μｍ〜５０μｍの範
囲である。そして、図９に示すように、絶縁膜１０を成
膜し、電極１１を形成する部分の絶縁膜を除去した後、
電極１１を形成する。
除去した後、ｐ型ＩｎＰクラッド層８およびｐ型ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層９を結晶成長させる。次いで、上記
分離部分（領域II）に対応する部分のコンタクト層９を
除去する。この除去範囲は、メサ構造部Ｍの形成された
方向（Ｂ−Ｂ’方向）に沿って１０μｍ〜５０μｍの範
囲である。そして、図９に示すように、絶縁膜１０を成
膜し、電極１１を形成する部分の絶縁膜を除去した後、
電極１１を形成する。
【００７６】このように、本実施の形態による装置Ｌで
は、実施の形態１および実施の形態２と同様に、低抵抗
のホールトラップ層６が分離部分（領域II）に対応する
部分で分離されているから、変調器部分（領域III ）に
印加した高周波信号がホールトラップ層６を介して半導
体レーザ部（領域Ｉ）側に漏れるのを防止することがで
きる。その結果、半導体レーザ部分（領域Ｉ）と変調器
部分（領域III ）との間の分離抵抗を向上させ、効率が
高く安定した性能を発揮できる装置Ｌを提供することが
できる。加えて、実施の形態１では必要であった、ホー
ルトラップ層６をエッチングする際のエッチングストッ
パ層７が不要であるから、製造工程を簡略化することが
できるという利点もある。
は、実施の形態１および実施の形態２と同様に、低抵抗
のホールトラップ層６が分離部分（領域II）に対応する
部分で分離されているから、変調器部分（領域III ）に
印加した高周波信号がホールトラップ層６を介して半導
体レーザ部（領域Ｉ）側に漏れるのを防止することがで
きる。その結果、半導体レーザ部分（領域Ｉ）と変調器
部分（領域III ）との間の分離抵抗を向上させ、効率が
高く安定した性能を発揮できる装置Ｌを提供することが
できる。加えて、実施の形態１では必要であった、ホー
ルトラップ層６をエッチングする際のエッチングストッ
パ層７が不要であるから、製造工程を簡略化することが
できるという利点もある。
【００７７】また、図２１は、実施の形態３の変形例と
して、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成した場
合の装置Ｌを示している。同図(a) ，(b) ，(c) は、そ
れぞれ、装置Ｌの外観斜視図，同図(a) のＡ−Ａ’断面
図，同図(a) のＢ−Ｂ’断面図である。さらに、図２２
〜図２４は、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成
する場合の装置Ｌの製造工程を第１段階，第２段階およ
び第３段階にわけて順に示しており、各図において、
(a) 図は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ−Ａ’
断面図，(c) 図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図であ
る。
して、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成した場
合の装置Ｌを示している。同図(a) ，(b) ，(c) は、そ
れぞれ、装置Ｌの外観斜視図，同図(a) のＡ−Ａ’断面
図，同図(a) のＢ−Ｂ’断面図である。さらに、図２２
〜図２４は、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成
する場合の装置Ｌの製造工程を第１段階，第２段階およ
び第３段階にわけて順に示しており、各図において、
(a) 図は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ−Ａ’
断面図，(c) 図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図であ
る。
【００７８】メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成
する場合に、装置Ｌの製造工程において上記ドライエッ
チングでメサ構造部Ｍを形成する場合と異なる点は、 等方性のウエットエッチングであるから、絶縁膜４
の幅寸法を広くとる点、および 図２３(b) を参照して、ホールトラップ層６を選択
的にエッチングする際に、まず、絶縁膜４を除去してか
ら写真製版をする点である。
する場合に、装置Ｌの製造工程において上記ドライエッ
チングでメサ構造部Ｍを形成する場合と異なる点は、 等方性のウエットエッチングであるから、絶縁膜４
の幅寸法を広くとる点、および 図２３(b) を参照して、ホールトラップ層６を選択
的にエッチングする際に、まず、絶縁膜４を除去してか
ら写真製版をする点である。
【００７９】なお、本実施の形態の変形例においても、
上記実施の形態１の変形例で示したキャップ層は、用い
ていない。
上記実施の形態１の変形例で示したキャップ層は、用い
ていない。
【００８０】その他については、図１７〜図２０で示し
たドライエッチングでメサ構造部Ｍを形成する場合と同
様である。このように、メサ構造部Ｍをウエットエッチ
ングで形成する場合であっても、上述したドライエッチ
ングでメサ構造部Ｍを形成する場合と同様の作用効果を
奏することができる。かかる変形例においては、図２１
〜図２４の各図に、図１７〜図２０に付したと同様の参
照符号を付し、その説明は省略する。
たドライエッチングでメサ構造部Ｍを形成する場合と同
様である。このように、メサ構造部Ｍをウエットエッチ
ングで形成する場合であっても、上述したドライエッチ
ングでメサ構造部Ｍを形成する場合と同様の作用効果を
奏することができる。かかる変形例においては、図２１
〜図２４の各図に、図１７〜図２０に付したと同様の参
照符号を付し、その説明は省略する。
【００８１】実施の形態４ 図２５は、実施の形態４に係る装置Ｌを示した図であ
り、同図(a) は、外観斜視図、同図(b) および(c) は、
それぞれ、同図(a) におけるＡ−Ａ’断面図およびＢ−
Ｂ’断面図である。
り、同図(a) は、外観斜視図、同図(b) および(c) は、
それぞれ、同図(a) におけるＡ−Ａ’断面図およびＢ−
Ｂ’断面図である。
【００８２】同図を参照して、この装置Ｌは、上記実施
の形態１で示したものと同様の構造となっており、活性
層２下の半導体基板１上に回折格子（図示せず）を形成
した半導体レーザ部分（領域Ｉ）と、変調器部分（領域
III ）と、これらを分離する分離部分（領域II）とを備
えている。
の形態１で示したものと同様の構造となっており、活性
層２下の半導体基板１上に回折格子（図示せず）を形成
した半導体レーザ部分（領域Ｉ）と、変調器部分（領域
III ）と、これらを分離する分離部分（領域II）とを備
えている。
【００８３】具体的構造について説明すると、この装置
Ｌは、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、活性層２と、ｎ型ＩｎＰ
クラッド層１ａおよびｐ型ＩｎＰクラッド層３とからな
るメサ構造部（光導波路）Ｍが形成されており、このメ
サ構造部Ｍの両脇には、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導
体層５およびｎ型ＩｎＰホールトラップ層６が順次形成
されている。そして、メサ構造部Ｍ，半絶縁性半導体層
５およびホールトラップ層６の上に形成されたｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層８，さらにその上に形成されたｐ型ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層９を備えている。コンタクト層９の
上には、絶縁膜１０および電極１１が形成されている。
Ｌは、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、活性層２と、ｎ型ＩｎＰ
クラッド層１ａおよびｐ型ＩｎＰクラッド層３とからな
るメサ構造部（光導波路）Ｍが形成されており、このメ
サ構造部Ｍの両脇には、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導
体層５およびｎ型ＩｎＰホールトラップ層６が順次形成
されている。そして、メサ構造部Ｍ，半絶縁性半導体層
５およびホールトラップ層６の上に形成されたｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層８，さらにその上に形成されたｐ型ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層９を備えている。コンタクト層９の
上には、絶縁膜１０および電極１１が形成されている。
【００８４】本実施の形態の特徴とするところは、 上記ホールトラップ層６は、メサ構造部Ｍの延びる
方向に沿った中間部分で分離されている点、 後述する製造方法で示すように、ホールトラップ層
６を分離するために、ホールトラップ層６を形成する際
に、半絶縁性半導体層５上の必要な領域にホールトラッ
プ層６を選択成長させる点である。
方向に沿った中間部分で分離されている点、 後述する製造方法で示すように、ホールトラップ層
６を分離するために、ホールトラップ層６を形成する際
に、半絶縁性半導体層５上の必要な領域にホールトラッ
プ層６を選択成長させる点である。
【００８５】装置Ｌの各部の寸法等を例示すると、半絶
縁性半導体層５の厚みは３μｍ，ホールトラップ層６の
厚みは０．５μｍ，クラッド層８の厚みは２μｍ〜３μ
ｍである。また、メサ構造部Ｍの幅寸法Ｍｗは、１μｍ
程度である。そして、装置Ｌの全体の高さ寸法ｈは、１
００μｍ程度である。
縁性半導体層５の厚みは３μｍ，ホールトラップ層６の
厚みは０．５μｍ，クラッド層８の厚みは２μｍ〜３μ
ｍである。また、メサ構造部Ｍの幅寸法Ｍｗは、１μｍ
程度である。そして、装置Ｌの全体の高さ寸法ｈは、１
００μｍ程度である。
【００８６】この装置Ｌの動作については、上記実施の
形態１，２および３と同様であるので、その説明は省略
する。
形態１，２および３と同様であるので、その説明は省略
する。
【００８７】次に、本装置Ｌの製造方法について説明す
る。図２６〜図２８は、装置Ｌの製造工程中における第
１段階の製造工程，第２段階の製造工程および第３段階
の製造工程をそれぞれ示した図である。なお、各図にお
いて、(a) 図は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ
−Ａ’断面図，(c)図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図
である。
る。図２６〜図２８は、装置Ｌの製造工程中における第
１段階の製造工程，第２段階の製造工程および第３段階
の製造工程をそれぞれ示した図である。なお、各図にお
いて、(a) 図は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ
−Ａ’断面図，(c)図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図
である。
【００８８】図２６を参照して、まず、ｎ型ＩｎＰ半導
体基板１上の半導体レーザ部分（領域Ｉ）に対応する領
域に回折格子を形成した後（図示せず）、ｎ型ＩｎＰク
ラッド層１ａ，活性層２、ｐ型ＩｎＰクラッド層３をＭ
ＯＣＶＤ法等により結晶成長させる。活性層２は、Ｉｎ
ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層（いわゆるＭ
ＱＷ）としても良いし、単一のＩｎＧａＡｓ層としても
良い。そして、活性層２の上に幅Ｗが１〜２μｍの絶縁
膜４からなるストライプを形成し、この絶縁膜４をマス
クとしてドライエッチングにより２〜３μｍ程度の高さ
のメサ構造部Ｍを形成して光導波路とする。
体基板１上の半導体レーザ部分（領域Ｉ）に対応する領
域に回折格子を形成した後（図示せず）、ｎ型ＩｎＰク
ラッド層１ａ，活性層２、ｐ型ＩｎＰクラッド層３をＭ
ＯＣＶＤ法等により結晶成長させる。活性層２は、Ｉｎ
ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層（いわゆるＭ
ＱＷ）としても良いし、単一のＩｎＧａＡｓ層としても
良い。そして、活性層２の上に幅Ｗが１〜２μｍの絶縁
膜４からなるストライプを形成し、この絶縁膜４をマス
クとしてドライエッチングにより２〜３μｍ程度の高さ
のメサ構造部Ｍを形成して光導波路とする。
【００８９】その後、絶縁膜４を選択成長用マスクとし
て用い、メサ構造部Ｍの両脇に、ＭＯＣＶＤ法等でＦｅ
ドープＩｎＰ半絶縁性半導体層５の埋め込み成長を行
う。
て用い、メサ構造部Ｍの両脇に、ＭＯＣＶＤ法等でＦｅ
ドープＩｎＰ半絶縁性半導体層５の埋め込み成長を行
う。
【００９０】次に、図２７に示すように、分離部分（領
域II）に対応する領域に、たとえばリフトオフ法により
絶縁膜４ａを追加成膜する。その後、ｎ型ＩｎＰホール
トラップ層６を選択成長させる。なお、このとき、分離
部分（領域II）に対応する部分の寸法（Ｂ−Ｂ’方向の
寸法）は、実施の形態１と同様に、たとえば１０μｍ〜
５０μｍである。
域II）に対応する領域に、たとえばリフトオフ法により
絶縁膜４ａを追加成膜する。その後、ｎ型ＩｎＰホール
トラップ層６を選択成長させる。なお、このとき、分離
部分（領域II）に対応する部分の寸法（Ｂ−Ｂ’方向の
寸法）は、実施の形態１と同様に、たとえば１０μｍ〜
５０μｍである。
【００９１】その後、図２８に示すように、ｐ型ＩｎＰ
クラッド層８およびｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層９を
結晶成長させる。この際、予め絶縁膜４、および４ａは
エッチング等により削除しておく。次いで、上記分離部
分（領域II）に対応する部分のコンタクト層９を除去す
る。この除去範囲は、メサ構造部Ｍの形成された方向
（Ｂ−Ｂ’方向）に沿って１０μｍ〜５０μｍの範囲で
ある。そして、図２５に示すように、絶縁膜１０を成膜
し、電極１１を形成する部分の絶縁膜を除去した後、電
極１１を形成する。
クラッド層８およびｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層９を
結晶成長させる。この際、予め絶縁膜４、および４ａは
エッチング等により削除しておく。次いで、上記分離部
分（領域II）に対応する部分のコンタクト層９を除去す
る。この除去範囲は、メサ構造部Ｍの形成された方向
（Ｂ−Ｂ’方向）に沿って１０μｍ〜５０μｍの範囲で
ある。そして、図２５に示すように、絶縁膜１０を成膜
し、電極１１を形成する部分の絶縁膜を除去した後、電
極１１を形成する。
【００９２】このように、本実施の形態による装置Ｌで
は、実施の形態１，２および３と同様に、低抵抗のホー
ルトラップ層６が分離部分（領域II）に対応する部分で
分離されているから、変調器部分（領域III ）に印加し
た高周波信号がホールトラップ層６を介して半導体レー
ザ部（領域Ｉ）側に漏れるのを防止することができる。
その結果、半導体レーザ部分（領域Ｉ）と変調器部分
（領域III ）との間の分離抵抗を向上させ、効率が高く
安定した性能を発揮できる装置Ｌを提供することができ
る。
は、実施の形態１，２および３と同様に、低抵抗のホー
ルトラップ層６が分離部分（領域II）に対応する部分で
分離されているから、変調器部分（領域III ）に印加し
た高周波信号がホールトラップ層６を介して半導体レー
ザ部（領域Ｉ）側に漏れるのを防止することができる。
その結果、半導体レーザ部分（領域Ｉ）と変調器部分
（領域III ）との間の分離抵抗を向上させ、効率が高く
安定した性能を発揮できる装置Ｌを提供することができ
る。
【００９３】また、図２９は、実施の形態４の変形例と
して、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成した場
合の装置Ｌを示している。同図(a) ，(b) ，(c) は、そ
れぞれ、装置Ｌの外観斜視図，同図(a) のＡ−Ａ’断面
図，同図(a) のＢ−Ｂ’断面図である。さらに、図３０
〜図３２は、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成
する場合の装置Ｌの製造工程を第１段階，第２段階およ
び第３段階にわけて順に示しており、各図において、
(a) 図は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ−Ａ’
断面図，(c) 図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図であ
る。
して、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成した場
合の装置Ｌを示している。同図(a) ，(b) ，(c) は、そ
れぞれ、装置Ｌの外観斜視図，同図(a) のＡ−Ａ’断面
図，同図(a) のＢ−Ｂ’断面図である。さらに、図３０
〜図３２は、メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成
する場合の装置Ｌの製造工程を第１段階，第２段階およ
び第３段階にわけて順に示しており、各図において、
(a) 図は外観斜視図，(b) 図は(a) 図におけるＡ−Ａ’
断面図，(c) 図は(a) 図におけるＢ−Ｂ’断面図であ
る。
【００９４】メサ構造部Ｍをウエットエッチングで形成
する場合に、装置Ｌの製造工程において上記ドライエッ
チングでメサ構造部Ｍを形成する場合と異なる点は、 等方性のウエットエッチングであるから、絶縁膜４
の幅寸法を広くとる点、および 図３１(a) を参照して、ホールトラップ層６を選択
成長させる際に、絶縁膜４ｂを改めて形成してから選択
成長させる点である。つまり、図３０に示すように、半
絶縁性半導体層５を埋め込み成長させた後、一旦絶縁膜
４を除去する。そして、図３１に示すように、十字状の
絶縁膜４ｂを成膜した後、ｐ型ＩｎＰクラッド層８およ
びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層９を結晶成長させる。
する場合に、装置Ｌの製造工程において上記ドライエッ
チングでメサ構造部Ｍを形成する場合と異なる点は、 等方性のウエットエッチングであるから、絶縁膜４
の幅寸法を広くとる点、および 図３１(a) を参照して、ホールトラップ層６を選択
成長させる際に、絶縁膜４ｂを改めて形成してから選択
成長させる点である。つまり、図３０に示すように、半
絶縁性半導体層５を埋め込み成長させた後、一旦絶縁膜
４を除去する。そして、図３１に示すように、十字状の
絶縁膜４ｂを成膜した後、ｐ型ＩｎＰクラッド層８およ
びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層９を結晶成長させる。
【００９５】その他については、図２５〜図２８で示し
たドライエッチングでメサ構造部Ｍを形成する場合と同
様である。このように、メサ構造部Ｍをウエットエッチ
ングで形成する場合であっても、上述したドライエッチ
ングでメサ構造部Ｍを形成する場合と同様の作用効果を
奏することができる。かかる変形例においては、図２９
〜図３２の各図に、図２５〜図２８に付したと同様の参
照符号を付し、その説明は省略する。
たドライエッチングでメサ構造部Ｍを形成する場合と同
様である。このように、メサ構造部Ｍをウエットエッチ
ングで形成する場合であっても、上述したドライエッチ
ングでメサ構造部Ｍを形成する場合と同様の作用効果を
奏することができる。かかる変形例においては、図２９
〜図３２の各図に、図２５〜図２８に付したと同様の参
照符号を付し、その説明は省略する。
【００９６】また、上記各実施の形態では、半絶縁性半
導体層５としてＦｅドープＩｎＰを採用したが、これに
代えてＴｉ，ＣｏドープＩｎＰやアンドープＡｌＩｎＡ
ｓを採用することもできる。
導体層５としてＦｅドープＩｎＰを採用したが、これに
代えてＴｉ，ＣｏドープＩｎＰやアンドープＡｌＩｎＡ
ｓを採用することもできる。
【００９７】
【発明の効果】本発明（請求項１，２，４または５）に
係る半導体レーザ装置によれば、半導体レーザを動作さ
せた際に発生するレーザ共振に寄与しない無効電流を抑
制するためのホールトラップ層、すなわちキャリア濃度
が高く抵抗の低い層が、半導体レーザ形成領域とホール
トラップ層の光変調器形成領域との間で互いに分離され
ているので、半導体レーザ形成領域と光変調器形成領域
との間の分離抵抗を向上させることができる。これによ
り、ホールトラップ層を介して、光変調器に印加した高
周波信号が半導体レーザ側に漏れることを防ぐことがで
きる。その結果、本請求項に係る半導体レーザ装置を用
いて長距離伝送を行った場合でも、伝送波劣化の発生を
抑制することができ、良好な伝送特性を得ることができ
るという効果を奏する。
係る半導体レーザ装置によれば、半導体レーザを動作さ
せた際に発生するレーザ共振に寄与しない無効電流を抑
制するためのホールトラップ層、すなわちキャリア濃度
が高く抵抗の低い層が、半導体レーザ形成領域とホール
トラップ層の光変調器形成領域との間で互いに分離され
ているので、半導体レーザ形成領域と光変調器形成領域
との間の分離抵抗を向上させることができる。これによ
り、ホールトラップ層を介して、光変調器に印加した高
周波信号が半導体レーザ側に漏れることを防ぐことがで
きる。その結果、本請求項に係る半導体レーザ装置を用
いて長距離伝送を行った場合でも、伝送波劣化の発生を
抑制することができ、良好な伝送特性を得ることができ
るという効果を奏する。
【００９８】また、本発明（請求項３）に係る半導体レ
ーザ装置によれば、ホールトラップ層が、装置の寄生抵
抗を抑制する半絶縁性半導体層の上に直に形成されてい
るので、光の出射効率を向上させることができる。従っ
て、効率の高い半導体レーザ装置を提供することができ
るというさらなる効果を奏する。
ーザ装置によれば、ホールトラップ層が、装置の寄生抵
抗を抑制する半絶縁性半導体層の上に直に形成されてい
るので、光の出射効率を向上させることができる。従っ
て、効率の高い半導体レーザ装置を提供することができ
るというさらなる効果を奏する。
【００９９】一方、本発明（請求項６，７または８）に
係る半導体レーザ装置の製造方法によれば、ホールトラ
ップ層形成工程により、化合物半導体基板上にホールト
ラップ層を形成することができる。続いて、ホールトラ
ップ層分離工程により、ホールトラップ層の、レーザ形
成領域に対応する部分と光変調部形成領域に対応する部
分との境界領域をエッチング除去することができる。こ
れにより、ホールトラップ層を、半導体レーザ形成領域
とホールトラップ層の光変調器形成領域との間で互いに
分離した状態で形成することができるという作用効果を
奏する。このホールトラップ層を除去する手段として
は、ウエットエッチング法（請求項７）またはドライエ
ッチング法（請求項８）を採用することができ、それぞ
れ、同様の効果を奏することができる。
係る半導体レーザ装置の製造方法によれば、ホールトラ
ップ層形成工程により、化合物半導体基板上にホールト
ラップ層を形成することができる。続いて、ホールトラ
ップ層分離工程により、ホールトラップ層の、レーザ形
成領域に対応する部分と光変調部形成領域に対応する部
分との境界領域をエッチング除去することができる。こ
れにより、ホールトラップ層を、半導体レーザ形成領域
とホールトラップ層の光変調器形成領域との間で互いに
分離した状態で形成することができるという作用効果を
奏する。このホールトラップ層を除去する手段として
は、ウエットエッチング法（請求項７）またはドライエ
ッチング法（請求項８）を採用することができ、それぞ
れ、同様の効果を奏することができる。
【０１００】従って、かかる方法により製造した半導体
レーザ装置では、半導体レーザ形成領域と光変調器形成
領域との間の分離抵抗が高く、これにより、ホールトラ
ップ層を介して、光変調器に印加した高周波信号が半導
体レーザ側に漏れるという不都合が生じるのを防止する
ことができる。その結果、本半導体レーザ装置を用いて
長距離伝送を行った場合でも、伝送波劣化の発生を抑制
することができ、良好な伝送特性を得ることが可能であ
る。
レーザ装置では、半導体レーザ形成領域と光変調器形成
領域との間の分離抵抗が高く、これにより、ホールトラ
ップ層を介して、光変調器に印加した高周波信号が半導
体レーザ側に漏れるという不都合が生じるのを防止する
ことができる。その結果、本半導体レーザ装置を用いて
長距離伝送を行った場合でも、伝送波劣化の発生を抑制
することができ、良好な伝送特性を得ることが可能であ
る。
【０１０１】また、本発明（請求項９）に係る半導体レ
ーザ装置の製造方法によれば、エッチングストッパ層形
成工程により、ホールトラップ層形成工程に先立って、
エッチングストッパ層を形成することができる。従っ
て、ホールトラップ層をエッチング処理する際に、当該
エッチングストッパ層によりエッチング処理を正確に制
御することができる。その結果、所望のエッチング処理
を正確に施すことができるというさらなる効果を奏す
る。
ーザ装置の製造方法によれば、エッチングストッパ層形
成工程により、ホールトラップ層形成工程に先立って、
エッチングストッパ層を形成することができる。従っ
て、ホールトラップ層をエッチング処理する際に、当該
エッチングストッパ層によりエッチング処理を正確に制
御することができる。その結果、所望のエッチング処理
を正確に施すことができるというさらなる効果を奏す
る。
【０１０２】さらに、本発明（請求項１０または１１）
に係る半導体レーザ装置の製造方法によれば、ホールト
ラップ層選択成長工程により、化合物半導体基板上の、
レーザ形成領域に対応する部分、および光変調器形成領
域に対応する部分に、ホールトラップ層を選択的に成長
させることができる。これにより、ホールトラップ層
を、半導体レーザ形成領域とホールトラップ層の光変調
器形成領域との間で互いに分離した状態で形成すること
ができるという作用効果を奏する。また、ホールトラッ
プ層を選択的に成長させる手段としては、液相成長また
は気相成長を採用することができる。
に係る半導体レーザ装置の製造方法によれば、ホールト
ラップ層選択成長工程により、化合物半導体基板上の、
レーザ形成領域に対応する部分、および光変調器形成領
域に対応する部分に、ホールトラップ層を選択的に成長
させることができる。これにより、ホールトラップ層
を、半導体レーザ形成領域とホールトラップ層の光変調
器形成領域との間で互いに分離した状態で形成すること
ができるという作用効果を奏する。また、ホールトラッ
プ層を選択的に成長させる手段としては、液相成長また
は気相成長を採用することができる。
【０１０３】従って、かかる方法により製造した半導体
レーザ装置では、半導体レーザ形成領域と光変調器形成
領域との間の分離抵抗が高く、これにより、ホールトラ
ップ層を介して、光変調器に印加した高周波信号が半導
体レーザ側に漏れるという不都合が生じるのを防止する
ことができる。その結果、本半導体レーザ装置を用いて
長距離伝送を行った場合でも、伝送波劣化の発生を抑制
することができ、良好な伝送特性を得ることが可能であ
る。
レーザ装置では、半導体レーザ形成領域と光変調器形成
領域との間の分離抵抗が高く、これにより、ホールトラ
ップ層を介して、光変調器に印加した高周波信号が半導
体レーザ側に漏れるという不都合が生じるのを防止する
ことができる。その結果、本半導体レーザ装置を用いて
長距離伝送を行った場合でも、伝送波劣化の発生を抑制
することができ、良好な伝送特性を得ることが可能であ
る。
【図１】この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装
置を示した図であり、同図(a)は斜視図、同図(b) は同
図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) の
Ｂ−Ｂ’方向の断面図である。
置を示した図であり、同図(a)は斜視図、同図(b) は同
図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) の
Ｂ−Ｂ’方向の断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装
置の第１段階の製作工程を示した図であり、同図(a) は
斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、
同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
置の第１段階の製作工程を示した図であり、同図(a) は
斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、
同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装
置の第２段階の製作工程を示した図であり、同図(a) は
斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、
同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
置の第２段階の製作工程を示した図であり、同図(a) は
斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、
同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
【図４】この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装
置の第３段階の製作工程を示した図であり、同図(a) は
斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、
同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
置の第３段階の製作工程を示した図であり、同図(a) は
斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、
同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
【図５】この発明の実施の形態１の変形例に係る半導体
レーザ装置を示した図であり、同図(a) は斜視図、同図
(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同
図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
レーザ装置を示した図であり、同図(a) は斜視図、同図
(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同
図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
【図６】この発明の実施の形態１の変形例に係る半導体
レーザ装置の第１段階の製作工程を示した図であり、同
図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の
断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図で
ある。
レーザ装置の第１段階の製作工程を示した図であり、同
図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の
断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図で
ある。
【図７】この発明の実施の形態１の変形例に係る半導体
レーザ装置の第２段階の製作工程を示した図であり、同
図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の
断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図で
ある。
レーザ装置の第２段階の製作工程を示した図であり、同
図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の
断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図で
ある。
【図８】この発明の実施の形態１の変形例に係る半導体
レーザ装置の第３段階の製作工程を示した図であり、同
図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の
断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図で
ある。
レーザ装置の第３段階の製作工程を示した図であり、同
図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の
断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図で
ある。
【図９】この発明の実施の形態２に係る半導体レーザ装
置を示した図であり、同図(a)は斜視図、同図(b) は同
図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) の
Ｂ−Ｂ’方向の断面図である。
置を示した図であり、同図(a)は斜視図、同図(b) は同
図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) の
Ｂ−Ｂ’方向の断面図である。
【図１０】この発明の実施の形態２に係る半導体レーザ
装置の第１段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
装置の第１段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
【図１１】この発明の実施の形態２に係る半導体レーザ
装置の第２段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
装置の第２段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
【図１２】この発明の実施の形態２に係る半導体レーザ
装置の第３段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
装置の第３段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
【図１３】この発明の実施の形態２の変形例に係る半導
体レーザ装置を示した図であり、同図(a) は斜視図、同
図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は
同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
体レーザ装置を示した図であり、同図(a) は斜視図、同
図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は
同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
【図１４】この発明の実施の形態２の変形例に係る半導
体レーザ装置の第１段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
体レーザ装置の第１段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
【図１５】この発明の実施の形態２の変形例に係る半導
体レーザ装置の第２段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
体レーザ装置の第２段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
【図１６】この発明の実施の形態２の変形例に係る半導
体レーザ装置の第３段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
体レーザ装置の第３段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
【図１７】この発明の実施の形態３に係る半導体レーザ
装置を示した図であり、同図(a)は斜視図、同図(b) は
同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図(a)
のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
装置を示した図であり、同図(a)は斜視図、同図(b) は
同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図(a)
のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
【図１８】この発明の実施の形態３に係る半導体レーザ
装置の第１段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
装置の第１段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
【図１９】この発明の実施の形態３に係る半導体レーザ
装置の第２段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
装置の第２段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
【図２０】この発明の実施の形態３に係る半導体レーザ
装置の第３段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
装置の第３段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
【図２１】この発明の実施の形態３の変形例に係る半導
体レーザ装置を示した図であり、同図(a) は斜視図、同
図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は
同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
体レーザ装置を示した図であり、同図(a) は斜視図、同
図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は
同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
【図２２】この発明の実施の形態３の変形例に係る半導
体レーザ装置の第１段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
体レーザ装置の第１段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
【図２３】この発明の実施の形態３の変形例に係る半導
体レーザ装置の第２段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
体レーザ装置の第２段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
【図２４】この発明の実施の形態３の変形例に係る半導
体レーザ装置の第３段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
体レーザ装置の第３段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
【図２５】この発明の実施の形態４に係る半導体レーザ
装置を示した図であり、同図(a)は斜視図、同図(b) は
同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図(a)
のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
装置を示した図であり、同図(a)は斜視図、同図(b) は
同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図(a)
のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
【図２６】この発明の実施の形態４に係る半導体レーザ
装置の第１段階製作工程を示した図であり、同図(a) は
斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、
同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
装置の第１段階製作工程を示した図であり、同図(a) は
斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、
同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
【図２７】この発明の実施の形態４に係る半導体レーザ
装置の第２段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
装置の第２段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
【図２８】この発明の実施の形態４に係る半導体レーザ
装置の第３段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
装置の第３段階の製作工程を示した図であり、同図(a)
は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面
図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図であ
る。
【図２９】この発明の実施の形態４の変形例に係る半導
体レーザ装置を示した図であり、同図(a) は斜視図、同
図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は
同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
体レーザ装置を示した図であり、同図(a) は斜視図、同
図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は
同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
【図３０】この発明の実施の形態４の変形例に係る半導
体レーザ装置の第１段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
体レーザ装置の第１段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
【図３１】この発明の実施の形態４の変形例に係る半導
体レーザ装置の第２段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
体レーザ装置の第２段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
【図３２】この発明の実施の形態４の変形例に係る半導
体レーザ装置の第３段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
体レーザ装置の第３段階の製作工程を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
【図３３】従来の半導体レーザ装置を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ａ’方向
の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断面図
である。
【図３４】従来の半導体レーザ装置の第１段階の製作工
程を示した図であり、同図(a) は斜視図、同図(b) は同
図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) の
Ｂ−Ｂ’方向の断面図である。
程を示した図であり、同図(a) は斜視図、同図(b) は同
図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) の
Ｂ−Ｂ’方向の断面図である。
【図３５】従来の半導体レーザ装置の第２段階の製作工
程を示した図であり、同図(a) は斜視図、同図(b) は同
図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) の
Ｂ−Ｂ’方向の断面図である。
程を示した図であり、同図(a) は斜視図、同図(b) は同
図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) の
Ｂ−Ｂ’方向の断面図である。
【図３６】従来の半導体レーザ装置の第３段階の製作工
程を示した図であり、同図(a) は斜視図、同図(b) は同
図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) の
Ｂ−Ｂ’方向の断面図である。
程を示した図であり、同図(a) は斜視図、同図(b) は同
図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) の
Ｂ−Ｂ’方向の断面図である。
【図３７】従来の他の半導体レーザ装置を示した図であ
り、同図(a) は斜視図、同図(b)は同図(a) のＡ−Ａ’
方向の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断
面図である。
り、同図(a) は斜視図、同図(b)は同図(a) のＡ−Ａ’
方向の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ−Ｂ’方向の断
面図である。
【図３８】従来の他の半導体レーザ装置の第１段階の製
作工程を示した図であり、同図(a) は斜視図、同図(b)
は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図
(a)のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
作工程を示した図であり、同図(a) は斜視図、同図(b)
は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図
(a)のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
【図３９】従来の他の半導体レーザ装置の第２段階の製
作工程を示した図であり、同図(a) は斜視図、同図(b)
は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図
(a)のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
作工程を示した図であり、同図(a) は斜視図、同図(b)
は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図
(a)のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
【図４０】従来の他の半導体レーザ装置の第３段階の製
作工程を示した図であり、同図(a) は斜視図、同図(b)
は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図
(a)のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
作工程を示した図であり、同図(a) は斜視図、同図(b)
は同図(a) のＡ−Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図
(a)のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
Ｌ 半導体装置、１ ｎ型ＩｎＰ半導体基板、２
活性層、３ ｐ型ＩｎＰクラッド層、４ 絶縁
膜、５ ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導体層、６
ｎ型ＩｎＰホールトラップ層、６ａ ｎ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐホールトラップ層、７ エッチングストッパ層、８
ｎ型ＩｎＰクラッド層、９ ｐ型ＩｎＧａＡｓコ
ンタクト層、１０ 絶縁膜、１１ 電極。
活性層、３ ｐ型ＩｎＰクラッド層、４ 絶縁
膜、５ ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導体層、６
ｎ型ＩｎＰホールトラップ層、６ａ ｎ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐホールトラップ層、７ エッチングストッパ層、８
ｎ型ＩｎＰクラッド層、９ ｐ型ＩｎＧａＡｓコ
ンタクト層、１０ 絶縁膜、１１ 電極。
Claims (11)
- 【請求項１】 化合物半導体基板上に、レーザ光を放射
する半導体レーザと、この半導体レーザから放射された
レーザ光を変調する光変調器とが形成されている半導体
レーザ装置であって、 上記半導体レーザを動作させた際に発生するレーザ発振
に寄与しない無効電流を抑制するホールトラップ層を含
み、 上記ホールトラップ層の半導体レーザ形成領域と、上記
ホールトラップ層の光変調器形成領域とは、互いに分離
されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザ装置におい
て、 上記ホールトラップ層は、装置の電気容量を低減する半
絶縁性半導体層の上に、当該ホールトラップ層よりもバ
ンドギャップ波長が長い層を介して形成されていること
を特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体レーザ装置におい
て、 上記ホールトラップ層は、装置の電気容量を低減する半
絶縁性半導体層の上に直に形成されていることを特徴と
する半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 請求項２または３記載の半導体レーザ装
置において、 上記半絶縁性半導体層は、ＩｎＰを含み、 上記ホールトラップ層は、上記ＩｎＰと格子整合するＩ
ｎＡｌＡｓであることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 請求項２または３記載の半導体レーザ装
置において、 上記半絶縁性半導体層は、ＩｎＰを含み、 上記ホールトラップ層は、上記ＩｎＰと格子整合するＩ
ｎＧａＡｓＰであることを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項６】 請求項１記載の半導体レーザ装置を製造
するための方法であって、 化合物半導体基板上に、ホールトラップ層を形成するホ
ールトラップ層形成工程と、 このホールトラップ層形成工程にて形成されたホールト
ラップ層の、レーザ形成領域に対応する部分と光変調部
形成領域に対応する部分との境界領域を、エッチング除
去することによってホールトラップ層を分離するホール
トラップ層分離工程とを含むことを特徴とする半導体レ
ーザ装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の半導体レーザ装置の製造
方法において、 上記ホールトラップ層分離工程にてホールトラップ層を
分離する際には、ウエットエッチング法を採用すること
を特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項６記載の半導体レーザ装置の製造
方法において、 上記ホールトラップ層分離工程にてホールトラップ層を
分離する際には、ドライエッチング法を採用することを
特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項６ないし８のいずれかに記載の半
導体レーザ装置の製造方法において、 上記ホールトラップ層形成工程に先立って、エッチング
ストッパ層を形成するエッチングストッパ層形成工程を
さらに含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方
法。 - 【請求項１０】 請求項１記載の半導体レーザ装置を製
造するための方法であって、 化合物半導体基板上の、レーザ形成領域に対応する部
分、および光変調器形成領域に対応する部分に、ホール
トラップ層を選択的に成長させて、ホールトラップ層を
形成するホールトラップ層選択成長工程を含むことを特
徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の半導体レーザ装置を
製造するための方法であって、 ホールトラップ層選択成長工程にてホールトラップ層を
選択的に成長させる際には、気相成長法を採用すること
を特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9145207A JPH10335751A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| US08/925,742 US6021148A (en) | 1997-06-03 | 1997-09-09 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9145207A JPH10335751A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335751A true JPH10335751A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15379878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9145207A Pending JPH10335751A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6021148A (ja) |
| JP (1) | JPH10335751A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002232081A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ、光変調器および光変調器付半導体レーザ並びにそれらの製造方法 |
| JPWO2020090078A1 (ja) * | 2018-11-01 | 2021-09-02 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置、および光半導体装置の製造方法 |
| US11552451B2 (en) | 2018-05-28 | 2023-01-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4158383B2 (ja) * | 2002-02-01 | 2008-10-01 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光集積素子 |
| JP2003338664A (ja) * | 2002-05-20 | 2003-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| DE60215131T2 (de) * | 2002-06-12 | 2007-03-15 | Agilent Technologies, Inc. (n.d.Ges.d.Staates Delaware), Palo Alto | Integriertes Halbleiterlaser-Wellenleiter-Element |
| US20070070309A1 (en) * | 2005-09-28 | 2007-03-29 | Miklos Stern | Color image projection arrangement and method employing electro-absorption modulated green laser system |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4563765A (en) * | 1982-01-29 | 1986-01-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Intra-cavity loss-modulated diode laser |
| JPS61160987A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Nec Corp | 集積型半導体光素子とその製造方法 |
| FR2681191A1 (fr) * | 1991-09-06 | 1993-03-12 | France Telecom | Composant integre laser-modulateur a super-reseau tres couple. |
| JPH07221400A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Fujitsu Ltd | 光変調器集積化発光装置及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-06-03 JP JP9145207A patent/JPH10335751A/ja active Pending
- 1997-09-09 US US08/925,742 patent/US6021148A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002232081A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ、光変調器および光変調器付半導体レーザ並びにそれらの製造方法 |
| US11552451B2 (en) | 2018-05-28 | 2023-01-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
| JPWO2020090078A1 (ja) * | 2018-11-01 | 2021-09-02 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置、および光半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6021148A (en) | 2000-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6989550B2 (en) | Distributed feedback semiconductor laser equipment employing a grating | |
| US7496127B2 (en) | Optical device coupling light propagating in optical waveguide with diffraction grating | |
| US6539039B2 (en) | Optical semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH10173291A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US5661743A (en) | Semiconductor laser | |
| US20150340840A1 (en) | Semiconductor laser | |
| US5912475A (en) | Optical semiconductor device with InP | |
| JPH10335751A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP3339486B2 (ja) | 半導体レーザとその製造方法及び半導体レーザを用いた光モジュール及び光通信システム | |
| US7271422B2 (en) | Semiconductor optical device | |
| JP2002169132A (ja) | 電界吸収型光変調器およびその製造方法 | |
| JP2018006590A (ja) | 光半導体素子 | |
| JP5163355B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH10242577A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH0521902A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2630035B2 (ja) | 波長可変半導体レーザ | |
| Berthold et al. | Voltage‐controlled Q switching of InGaAs/InP single quantum well lasers | |
| JP2003060285A (ja) | 光集積デバイス | |
| JP3255111B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH11121787A (ja) | 集積型光素子およびその製造方法 | |
| Schreiner et al. | High-frequency operation of 1.57-μm laterally coupled distributed feedback lasers with self-aligned Ohmic contacts and nickel surface gratings | |
| JPH03192789A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH10261831A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2903322B2 (ja) | 半導体集積レーザ | |
| JPH10107367A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050401 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050719 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051122 |