JPH10173291A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

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JPH10173291A
JPH10173291A JP8330095A JP33009596A JPH10173291A JP H10173291 A JPH10173291 A JP H10173291A JP 8330095 A JP8330095 A JP 8330095A JP 33009596 A JP33009596 A JP 33009596A JP H10173291 A JPH10173291 A JP H10173291A
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layer
modulator
semiconductor
laser device
semiconductor laser
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Keisuke Matsumoto
啓資 松本
Takashi Nishimura
隆司 西村
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体レーザと外部変調器と間の分離抵抗を
向上させるためのデバイス構造を備えた半導体レーザ装
置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザと変調器とを備えた外部変
調器集積型の半導体レーザ装置において、光導波路の上
に、電極材料とのオーミック接触をとるために形成され
た低抵抗コンタクト層は、活性層幅と同程度の幅に形成
されてなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光通信における
送信器として用いる、高速動作が可能な外部変調器集積
型の半導体レーザ装置に関するものであり、特に、半導
体レーザと外部変調器との間の分離抵抗を向上させるた
めのデバイス構造を備えた半導体レーザ装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信への応用を目指した半導体
レーザと変調器とを集積化した半導体レーザ装置の開発
が進められている。これは、分布帰還型半導体レーザ
（ＤＦＢＬＤ：Distributed Feedback Laser Diode）を
直流動作させ、これから放射された光を光吸収変調器で
高速変調させるものである。
【０００３】図２４は、従来の外部変調器集積型半導体
レーザ装置を示したものであり、同図(a) は、その斜視
図、同図(b) は、レーザ部と変調器部との分離部分にお
けるＡＡ’方向の断面図、同図(c) は、共振器軸のＢ
Ｂ’方向の断面図である。
【０００４】図において、１は、ｎ型ＩｎＰ基板、２
は、活性層、３は、ｐ型ＩｎＰクラッド層、４は、ｐ型
ＩｎＧａＡｓコンタクト層、６ａおよび６ｂは、Ｆｅド
ープＩｎＰ半絶縁性半導体層、７は、絶縁膜、８は、ｎ
型ＩｎＰホールトラップ層、１０は、ｐ型ＩｎＰクラッ
ド層、ａは、レーザ部分、ｂは、分離部分、ｃは、変調
器部分である。
【０００５】以下に、この半導体レーザ装置の構造につ
いて説明する。この半導体装置は、同一の半導体基板１
上に、活性層２とクラッド層３とからなるリッジ（光導
波路）が形成されており、このリッジは、半導体レーザ
部分ａと、活性層２下の半導体基板１上に回折格子（図
示せず。）を形成した変調器部分ｃとを備えている。リ
ッジの両脇には半絶縁性半導体層６ａ，ホールトラップ
層８，および半絶縁性半導体層６ｂを順次形成した埋め
込み層を有し、さらにリッジと該埋め込み層の上に形成
されたクラッド層１０，コンタクト層４を備えている。
また、レーザ部分ａと変調器部分ｃとの間の分離部分ｂ
のコンタクト層４は、エッチング除去されており、そし
て、コンタクト層４の一部を除きその全体を絶縁膜７で
覆われているものである。
【０００６】次に、上記半導体レーザ装置の動作につい
て説明する。この半導体レーザ装置は、変調器部分ｃの
活性層２下に回折格子を備えているので、この回折格子
により安定して単一波長のレーザ発振を行うことができ
る。レーザ部分ａの活性層２と変調器部分ｃの活性層２
（光吸収層）は連続したＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ
多重量子井戸層からなっている。レーザ部分ａにおける
量子井戸内の伝導帯と価電子帯の基底準位間のエネルギ
ー差は、変調器部分ｃにおけるそれよりも小さい。した
がって、変調器部分ｃにバイアス電圧が印加されていな
いときは、活性層２（光吸収層）ではレーザ部分ａから
の光の吸収が起こらない。しかしながら、変調器部分ｃ
に逆バイアス電圧が印加されると量子閉じ込めシュタル
ク効果（ＱＣＳＥ：Quantum Confined Stark Effect ）
により光が吸収される。そのため、直流動作させている
レーザ部分ａから放射される光を変調器部分ｃに加える
バイアス電圧を変化させることによって変調することが
できる。
【０００７】また、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導体層
６ａ，６ｂ、およびｎ型ＩｎＰホールトラップ層８は、
上記活性層２とその上下のＩｎＰクラッド層１，３から
なるリッジ導波路の両脇に埋め込まれており、いわゆる
電流ブロック層として機能する。Ｆｅは、ＩｎＰ中で深
いアクセプタとなるためＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導
体層６ａは、ｎ型ＩｎＰ基板１からの電子の拡散を阻止
することができる。また、ｎ型ＩｎＰホールトラップ層
８は、ｐ型ＩｎＰクラッド層１０からのホールの拡散を
阻止することができる。これにより、レーザのしきい値
電流の低減や効率の向上を図っている。
【０００８】次に、上記半導体レーザ装置の製造方法に
ついて説明する。図２１から図２３は、上記半導体レー
ザ装置の作製工程中における各状態のものを示した図で
ある。
【０００９】上記半導体レーザ装置を製造するには、ま
ず、ｎ型ＩｎＰ半導体基板１上の変調器形成領域に回折
格子を形成した後、活性層２、クラッド層３（例えばＰ
型ＩｎＰ）をＭＯＣＶＤ法等で結晶成長させる。その上
に幅１〜２μｍの絶縁膜ストライプ５を形成し、これを
マスクとしてドライエッチングにより２〜３μｍ程度の
高さのリッジを形成して光導波路とする（図２１）。そ
の後、リッジの両脇をＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導体
層６ａ、ｎ型ＩｎＰホールトラップ層８、及びＦｅドー
プＩｎＰ半絶縁性半導体層６ｂで埋め込み成長を行う
（図２２）。さらに絶縁膜ストライプ５を除去した後、
ｐ型ＩｎＰクラッド層１０、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層４をＭＯＣＶＤ法等で結晶成長させる（図２３）。
ついで、変調器部分ｃと半導体レーザ部分ａの分離部分
ｂにおけるコンタクト層４をエッチングにより除去す
る。さらに、低容量化のために、活性層２の両脇にメサ
を形成する。このとき、コンタクト層４は、リッジ幅
（ＡＡ′方向）１０〜２０μｍ、分離部分ｂでのコンタ
クト層４のエッチング範囲は、共振器長方向（ＢＢ′方
向）で１０〜５０μｍである。そして、コンタクト層４
の一部を除きその全体を絶縁膜７で覆うと、図２４に示
した半導体レーザ装置が完成する。なお、絶縁膜７で覆
われていない部分のコンタクト層４の上部にはオーミッ
ク接触をとるための電極が形成される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、外部変調器
集積型の半導体レーザ装置は、半導体レーザ部分は順バ
イアスデバイスであるが、変調器部分は逆バイアスデバ
イスであるため、半導体レーザ部分と変調器部分との間
で十分な電気的アイソレーションが必要となる。一般
に、半導体レーザは注入電流の変化により発振波長が変
化するものであるが、外部変調器集積型半導体レーザ装
置では、レーザ部分は定電流で駆動する。そのため、レ
ーザ部分と変調器部分との電気的アイソレーションが不
十分である場合は、レーザ部分と変調器部分間の分離抵
抗を介して変調器部分に印加する変調信号により、レー
ザ部分に流れる電流を変化させてしまい、これにより波
長変動が生じる。この波長変動により、光ファイバにお
ける長距離伝送時に伝送波形劣化が生じ、伝送距離が制
限されてしまう。したがって、このような伝送特性を改
善するためには、レーザ部分と変調器部分間の分離抵抗
を向上させることが非常に重要である。
【００１１】一方、ＩｎＰ中では、電子の移動度は、ホ
ールの移動度と比較して格段に大きい。そのため、上記
半導体レーザ装置では、ｎ型ＩｎＰホールトラップ層８
の電気抵抗は低くなる。また、上記の半導体レーザ装置
では、ホールトラップ層８が変調器部分ｃとレーザ部分
ａとの間で連続している。そのため、変調器部分ｃとレ
ーザ部分ａの間で電気的なアイソレーションが不十分と
なり、相互干渉が生じることとなる。しかも、半絶縁性
半導体層６ｂは容量となるため、ホールトラップ層８が
変調器部分ｃとレーザ部分ａとの間で連続していると、
半絶縁性半導体層６ｂによる容量が接続されることとな
り、その結果、変調器部分ｃの寄生容量が増加して高調
波における変調動作を阻害することとなる。
【００１２】このような問題を回避するため、以下のよ
うな半導体レーザ装置がある。
【００１３】図２５に示した半導体レーザ装置は、半導
体基板１００上に、光導波路層１５，１６あるいは量子
井戸層５０ａを含むレーザ部分ａと、光導波路層１５，
１６あるいは量子井戸層５０ｂを含み、かつ半導体基板
１００上に回折格子１２を形成した変調器部分ｃとを集
積したものである。これらレーザ部分ａ、変調器部分ｃ
上には、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰ層７０と、このｐ+ −Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層７０上に形成した電極９１ａ，９１ｂと
を備えている。また、上記レーザ部分ａ、変調器部分ｃ
間には、光導波路層１５，１６よりもバンドギャップの
大きなｐ−ＩｎＰ層６５からなる分離部分ｂが設けら
れ、この分離部分ｂのｐ−ＩｎＰ層６５によりレーザ部
分ａと変調器部分ｃの分離抵抗を向上させている。
【００１４】図２６に示した半導体レーザ装置は、一つ
の半導体基板１０１上に、第１光ガイド層１０２，第１
バッファ層１０３，第２光ガイド層１０６，クラッド層
１０７およびキャップ層１０８を順次形成したレーザ部
分ａと、半導体基板１０１上に回折格子１２を設け、上
記レーザ部分ａと連続した第１光ガイド層１０２および
第１バッファ層１０３を形成し、さらにその上に活性層
１０４，第２光バッファ層１０５およびキャップ層１０
８を順次形成した変調器部分ｃとを備えたものである。
また、上記レーザ部分ａと上記変調器部分ｃとの間には
高抵抗半導体１０９が埋め込まれた分離部分ｂが設けら
れ、この高抵抗半導体１０９によりレーザ部分ａと変調
器部分ｃとの間の分離抵抗を向上させているものであ
る。
【００１５】図２７に示した半導体レーザ装置では、同
一の半導体基板２００上に、活性層１１０，４００とク
ラッド層３５０とを有するリッジ（光導波路）１４０が
形成されている。リッジ１４０は、半導体レーザ部分１
０２０と、活性層１１０下の半導体基板２００上に回折
格子１２０を形成した変調器部分１０１０とを備えてい
る。リッジ１４０の両脇には、半絶縁性半導体層８００
およびホールトラップ層９００を順次形成した埋め込み
層を有するものである。また、この半導体レーザの上面
と下面には、それぞれ電極３００，７００が形成されて
いる。この半導体レーザ装置は、上記レーザ部分１０２
０と上記変調器部分１０１０との間は、クラッド層３５
０、ホールトラップ層８および半絶縁性半導体層８００
をエッチングにより除去してあり、これにより、半導体
レーザ１０２０と変調器１０１０間の分離抵抗を向上さ
せているものである。
【００１６】しかしながら、図２５、図２６に示した半
導体レーザ装置は、いずれもレーザ部分ａと変調器部分
ｃとの間において活性層５０ａ，１０４を分断したもの
であるため、変調器部分ｃとレーザ部分ａとの光学的な
結合効率が低くなるという問題があった。
【００１７】また、図２７に示した半導体レーザ装置
は、リッジ１４０上部のクラッド層３５０を用いて電極
７００とのオーミック接触をとっているが、この電極７
００が広範囲に形成されているため、電極７００を通じ
てレーザ部分ａと変調器部分ｃとの間で電流が流れ、レ
ーザ部分ａと変調器部分ｃとの間の分離抵抗を低下さ
せ、その結果、波長変動をきたして光ファイバにおける
長距離伝送時に伝送波形劣化が生じるという問題があっ
た。
【００１８】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、光学的な結合効率を低下させること
なく、半導体レーザと外部変調器と間の分離抵抗を向上
させるためのデバイス構造を備えた半導体レーザ装置を
提供するものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】この発明による半導体レ
ーザ装置（請求項１）は、半導体基板上に活性層とクラ
ッド層とを有する光導波路を形成し、該光導波路は、レ
ーザ部分とレーザ光強度を変調する変調器部分とを構成
しており、上記光導波路の両脇に埋め込み形成した半絶
縁性半導体層と、上記光導波路の上に形成され、電極材
料とのオーミック接触をとるための低抵抗コンタクト層
とを備え、上記コンタクト層は、上記レーザ部分と上記
変調器部分との間で除去されている外部変調器集積型の
半導体レーザ装置において、上記コンタクト層は、上記
活性層幅と同程度の幅に形成されてなるものである。
【００２０】この発明による半導体レーザ装置（請求項
２）は、上記半導体レーザ装置（請求項１）において、
レーザ部分と変調器部分との間のクラッド層にプロトン
注入がなされ、レーザ部分と変調器部分との間のクラッ
ド層が高抵抗化されてなるものである。
【００２１】この発明による半導体レーザ装置（請求項
３）は、半導体基板上に活性層とクラッド層とを有する
光導波路を形成し、該光導波路は、レーザ部分とレーザ
光強度を変調する変調器部分とを構成しており、上記光
導波路の両脇に埋め込み形成した半絶縁性半導体層と、
上記光導波路の上に形成され、電極材料とのオーミック
接触をとるための低抵抗コンタクト層とを備え、上記コ
ンタクト層は、上記レーザ部分と上記変調器部分との間
で除去されている外部変調器集積型の半導体レーザ装置
において、上記活性層上のクラッド層は、レーザ部分と
変調器部分との間でその一部が除去され、かつ該除去部
分に半絶縁性半導体層が形成されてなるものである。
【００２２】この発明による半導体レーザ装置（請求項
４）は、半導体基板上に活性層とクラッド層とを有する
光導波路を形成し、該光導波路は、レーザ部分とレーザ
光強度を変調する変調器部分とを構成しており、上記光
導波路の両脇に埋め込み形成した半絶縁性半導体層と、
上記光導波路の上に形成され、電極材料とのオーミック
接触をとるための低抵抗コンタクト層とを備え、上記コ
ンタクト層は、上記レーザ部分と上記変調器部分との間
で除去されている外部変調器集積型の半導体レーザ装置
において、上記コンタクト層は、上記活性層幅と同程度
の幅に形成されてなり、上記活性層上のクラッド層は、
上記レーザ部分と上記変調器部分との間でその一部が除
去され、かつ該除去部分に半絶縁性半導体層が形成され
てなるものである。
【００２３】この発明による半導体レーザ装置（請求項
５）は、半導体基板上に活性層とクラッド層とを有する
光導波路を形成し、該光導波路は、レーザ部分とレーザ
光強度を変調する変調器部分とを構成しており、上記光
導波路の両脇に埋め込み形成した半絶縁性半導体層と、
上記光導波路の上に形成され、電極材料とのオーミック
接触をとるための低抵抗コンタクト層とを備え、上記コ
ンタクト層は、上記レーザ部分と上記変調器部分との間
で除去されている外部変調器集積型の半導体レーザ装置
において、上記活性層上のクラッド層中にエッチング停
止層が形成されており、上記レーザ部分と上記変調器部
分との間の該クラッド層を該エッチング停止層まで除去
されてなるものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明による半導体レー
ザ装置の実施の形態を説明する。
【００２５】実施の形態１．図４は、本発明の実施の形
態１による外部変調器集積型半導体レーザ装置を示した
図であり、同図(a) は、その斜視図、同図(b) は、レー
ザ部と変調器部との分離部分におけるＡＡ’方向の断面
図、同図(c) は、共振器軸のＢＢ’方向の断面図であ
る。図において、１は、ｎ型ＩｎＰ基板、２は、活性
層、３は、ｐ型ＩｎＰクラッド層、４は、ｐ型ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層、６は、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半
導体層、７は、絶縁膜、ｂは、レーザ部分ａと変調器部
分ｃとの分離部分である。
【００２６】以下に、この半導体レーザ装置の構造につ
いて説明する。この半導体レーザ装置は、同一の半導体
基板１上に、活性層２とクラッド層３とからなるリッジ
（光導波路）が形成されており、このリッジは、半導体
レーザ部分ａと、活性層２下の半導体基板１上に回折格
子（図示せず。）を形成した変調器部分ｃとを備えてい
る。リッジの両脇には半絶縁性半導体層６を形成した埋
め込み層を有し、さらにリッジの上には活性層２幅と同
程度の幅に形成されたコンタクト層４を備えている。ま
た、レーザ部分ａと変調器部分ｃとの間の分離部分ｂの
コンタクト層４は、エッチングにより除去されており、
そして、このコンタクト層４上を除いた全面を絶縁膜７
で覆っているものである。なお、図示していないが、コ
ンタクト層４は、電極材料とオーミック接触をとってい
る。
【００２７】次に、上記半導体レーザ装置の動作につい
て説明する。この半導体レーザ装置は、変調器部分ｃの
活性層２下に回折格子を備えているので、この回折格子
により安定して単一波長のレーザ発振を行うことができ
る。レーザ部分ａの活性層２と変調器部分ｃの活性層２
（光吸収層）は連続したＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ
多重量子井戸層からなっている。また、レーザ部分ａに
おける量子井戸内の伝導帯と価電子帯の基底準位間のエ
ネルギー差は、変調器部分ｃにおけるそれよりも小さ
い。したがって、変調器部分ｃにバイアス電圧が印加さ
れていないときは、変調器部分ｃの活性層２ではレーザ
部分ａからの光の吸収が起こらない。しかしながら、変
調器部分ｃに逆バイアス電圧が印加されると量子閉じ込
めシュタルク効果（ＱＣＳＥ：Quantum Confined Stark
Effect ）により光が吸収される。そのため、直流動作
させているレーザ部分ａから放射される光を、変調器部
分ｃに加えるバイアス電圧を変化させることによって変
調することができる。
【００２８】また、ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導体層
６は、上記活性層２とその上下のＩｎＰ層１，３からな
るリッジ導波路の両脇に埋め込み形成されており、いわ
ゆる電流ブロック層として機能する。Ｆｅは、ＩｎＰ中
で深いアクセプタとなるためＦｅドープＩｎＰ半絶縁性
半導体層６は、ｎ型ＩｎＰ基板１からの電子の拡散を阻
止することができ、これにより、レーザのしきい値電流
の低減や効率の向上を図っている。
【００２９】次に、上記半導体レーザ装置の製造方法に
ついて説明する。図１から図３は、上記半導体レーザ装
置の作製工程中における各状態のものを示した図であ
る。
【００３０】以下に作製工程を示す。まず、ｎ型ＩｎＰ
半導体基板１上の変調器形成領域に回折格子を形成した
後（図示せず。）、活性層２、ｐ型ＩｎＰクラッド層
３、ｐ型ＩｎＧａＡｓ低抵抗のコンタクト層４をＭＯＣ
ＶＤ法等により結晶成長させる。そして、その上に幅１
〜２μｍの絶縁膜５からなるストライプを形成し、この
絶縁膜５をマスクとしてドライエッチングにより２〜３
μｍ程度の高さのリッジを形成して光導波路とする（図
１）。
【００３１】その後、図２に示すように、絶縁膜５を選
択成長用マスクとして用い、活性層２、およびＩｎＰ層
１，３からなるリッジの両脇に、ＭＯＣＶＤ法等でＦｅ
ドープＩｎＰ半絶縁性半導体層６の埋め込み成長を行
う。
【００３２】そして、図３に示すように、上記絶縁膜５
を除去した後、変調器部分ｃと半導体レーザ部分ａの分
離部分ｂにおけるコンタクト層４をエッチングにより除
去する。このとき、エッチングする部分の共振器長方向
の長さとしては１０〜５０μｍである。
【００３３】次に、半導体レーザ装置の低容量化のため
活性層２の両脇における半絶縁性半導体層６の一部をエ
ッチングにより除去して幅５〜２０μｍのリッジ構造に
加工する。ついで全面に絶縁膜７を形成して保護し、コ
ンタクト層４上の絶縁膜７を除去すると、図４に示す半
導体レーザ装置が完成する。なお、絶縁膜７で覆われて
いない部分のコンタクト層４の上部には電極が形成され
る。
【００３４】このように、実施の形態１による半導体レ
ーザ装置は、光導波路形成時のリッジ上部における低抵
抗コンタクト層４を用いて電極材料とのオーミック接触
をとるものであり、そして、リッジ構造の光導波路形成
後は、このリッジの両脇を半絶縁性半導体層６で埋め込
み成長を行い、最終的にはリッジ型半導体レーザに加工
するものである。すなわち、本実施の形態１による半導
体レーザ装置では、電極材料とのオーミック接触は、１
〜２μｍ幅の狭いストライプ構造のコンタクト層４を用
いているので、コンタクト層４の下層のクラッド層（導
伝型２）３の幅も１〜２μｍと狭くでき、レーザ部分と
変調器の分離部分もエッチング等により幅を細くしなく
とも制御性よく１〜２μｍと細くできるため、レーザ部
分のコンタクト層４と変調器部分のコンタクト層４との
間の電流の流れを少なくすることができる。そのため、
レーザ部分と変調器部分との分離抵抗は、図２４に示し
た従来の半導体レーザ装置のような１０〜２０μｍのコ
ンタクト層４を用いた場合に比べ、１ケタ程度の分離抵
抗の向上を実現することができるものである。
【００３５】実施の形態２．図８は、本発明の実施の形
態２による外部変調器集積型半導体レーザ装置を示した
図であり、同図(a) は、その斜視図、同図(b) は、レー
ザ部と変調器部との分離部分におけるＡＡ’方向の断面
図、同図(c) は、共振器軸のＢＢ’方向の断面図であ
る。なお、図において、図４と同一符号は、同一または
相当する部分を示している。
【００３６】この半導体レーザ装置は、上記実施の形態
１による半導体レーザ装置と略同様の構造を有するが、
活性層２上に形成したクラッド層３は、レーザ部分ａと
変調器部分ｃとの間でその一部が除去され、かつ該除去
した部分にはＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導体層６が埋
め込まれているものである。
【００３７】この半導体レーザ装置は、上記実施の形態
１と同様に、直流動作させているレーザ部分ａから放射
される光を、変調器部分ｃに加えるバイアス電圧を変化
させることによって変調することができる。
【００３８】つぎに、上記実施の形態２による半導体レ
ーザ装置の製造方法について説明する。図５から図７
は、上記半導体レーザ装置の作製工程中における各状態
のものを示した図である。
【００３９】以下に作製工程を示す。まず、ｎ型ＩｎＰ
半導体基板１上の変調器形成領域に回折格子を形成した
後（図示せず。）、活性層２、ｐ型ＩｎＰクラッド層
３、ｐ型ＩｎＧａＡｓ低抵抗のコンタクト層４をＭＯＣ
ＶＤ法等により結晶成長させる。そして、その上に幅１
〜２μｍの絶縁膜５からなるストライプを形成し、この
絶縁膜５をマスクとしてドライエッチングにより２〜３
μｍ程度の高さのリッジを形成して光導波路とする（図
５）。
【００４０】その後、図６に示すように、変調器部分ｃ
と半導体レーザ部分ａの分離部分ｂの絶縁膜５、コンタ
クト層４、およびクラッド層３の一部をエッチングによ
り除去する。このとき、活性層２にはエッチングを施さ
ない。これにより、レーザ部分ａと変調器部分ｃ間の光
結合効率をほぼ１００％に保つことができる。
【００４１】次に、図７に示すように、絶縁膜５を選択
成長用マスクとして用い、リッジの両脇に、ＭＯＣＶＤ
法等でＦｅドープＩｎＰ半絶縁性半導体層６の埋め込み
成長を行う。このとき、レーザ部分ａと変調器部分ｃと
の間の分離部分ｂにおけるクラッド層３の一部が、この
半絶縁性半導体層６に置き換えられることとなる。この
ようにクラッド層３の一部が半絶縁性半導体層６に置き
換えられることにより、上記実施の形態１による半導体
レーザ装置に比べ、レーザ部分ａと変調器部分ｃとの分
離抵抗を向上することができる。
【００４２】次に、半導体レーザ装置の低容量化のため
活性層２の両脇における半絶縁性半導体層６の一部をエ
ッチングにより除去して幅５〜２０μｍのリッジ構造に
加工しする。ついで全面に絶縁膜７を形成して保護し、
コンタクト層４上の絶縁膜５を除去すると、図８に示す
半導体レーザ装置が完成する。なお、絶縁膜７で覆われ
ていない部分のコンタクト層４の上部には電極が形成さ
れる。
【００４３】このように、実施の形態２による半導体レ
ーザ装置では、電極材料とのオーミック接触は、１〜２
μｍ幅の狭いストライプ構造のコンタクト層４を用いて
いるので、コンタクト層４の下層のクラッド層（導伝型
２）３の幅も１〜２μｍと狭くでき、レーザ部分と変調
器の分離部分もエッチング等により幅を細くしなくとも
制御性よく１〜２μｍと細くできるため、レーザ部分ａ
のコンタクト層４と変調器部分ｃのコンタクト層４との
間の電流の流れを少なくすることができる。そのため、
レーザ部分ａと変調器部分ｃとの分離抵抗は、図２４に
示した従来の半導体レーザ装置のような１０〜２０μｍ
のコンタクト層４を用いた場合に比べ、１ケタ程度の分
離抵抗の向上を実現することができる。また、活性層２
上のクラッド層３は、レーザ部分ａと変調器部分ｃとの
間でその一部が除去され、かつ該除去した部分を半絶縁
性半導体層６で埋め込んでいるので、レーザ部分ａと変
調器部分ｃとの間の分離部分ｂの抵抗値を大きくするこ
とができる。そのため、クラッド層３の一部が半絶縁性
半導体層６に置き換えられることにより、上記実施の形
態１による半導体レーザ装置に比べ、レーザ部分ａと変
調器部分ｃとの間の分離抵抗をさらに向上することがで
きるものが得られる。
【００４４】実施の形態３．図１２は、本発明の実施の
形態３による外部変調器集積型半導体レーザ装置を示し
た図であり、同図(a) は、その斜視図、同図(b) は、レ
ーザ部と変調器部との分離部分におけるＡＡ’方向の断
面図、同図(c) は、共振器軸のＢＢ’方向の断面図であ
る。なお、図において、図４と同一符号は、同一または
相当する部分を示している。
【００４５】以下に、この半導体レーザ装置の構造につ
いて説明する。この半導体レーザ装置は、同一の半導体
基板１上に、活性層２とクラッド層３とからなるリッジ
（光導波路）が形成されており、このリッジは、半導体
レーザ部分ａと、活性層２下の半導体基板１上に回折格
子（図示せず。）を形成した変調器部分ｃとを備えてい
る。リッジの両脇には半絶縁性半導体層６を形成した埋
め込み層を有しており、この半絶縁性半導体層６は、上
記実施の形態１，２のものとは異なり、選択成長するこ
となく形成したものであってリッジより高く形成されて
いる。活性層２上に形成したクラッド層３は、レーザ部
分ａと変調器部分ｃとの間でその一部が除去され、かつ
該除去した部分には上記半絶縁性半導体層６が埋め込ま
れている。また、リッジの上には活性層２幅と同程度の
幅に形成されたコンタクト層４が形成されている。レー
ザ部分ａと変調器部分ｃとの間の分離部分ｂのコンタク
ト層４は、エッチングにより除去されており、図示して
いないが、このコンタクト層４は、電極材料とオーミッ
ク接触をとっている。
【００４６】この半導体レーザ装置は、上記実施の形態
１と同様に、直流動作させているレーザ部分ａから放射
される光を、変調器部分ｃに加えるバイアス電圧を変化
させることによって変調することができる。
【００４７】つぎに、上記実施の形態３による半導体レ
ーザ装置の製造方法について説明する。図９から図１１
は、上記半導体レーザ装置の作製工程中における各状態
のものを示した図である。
【００４８】以下に作製工程を示す。まず、ｎ型ＩｎＰ
半導体基板１上の変調器形成領域に回折格子を形成した
後（図示せず。）、活性層２、ｐ型ＩｎＰクラッド層
３、ｐ型ＩｎＧａＡｓ低抵抗のコンタクト層４をＭＯＣ
ＶＤ法等により結晶成長させる。そして、その上に幅１
〜２μｍの絶縁膜５からなるストライプを形成し、これ
をマスクとしてドライエッチングにより２〜３μｍ程度
の高さのリッジを形成して光導波路とする（図９）。
【００４９】その後、図１０に示すように、変調器部分
ｃと半導体レーザ部分ａの分離部分ｂの絶縁膜５、コン
タクト層４、およびクラッド層３の一部をエッチングに
より除去する。このとき、活性層２にはエッチングを施
さない。これにより、レーザ部分ａと変調器部分ｃ間の
光結合効率をほぼ１００％に保つことができる。
【００５０】次に、図１１に示すように、上記実施の形
態１，２（図３，図７）のような選択成長を行わずにＭ
ＯＣＶＤ法等によりその全面にＦｅドープＩｎＰ半絶縁
性半導体層６を形成する。このとき、レーザ部分ａと変
調器部分ｃとの間の分離部分ｂにおけるクラッド層３の
一部が、半絶縁性半導体層６に置き換えられることとな
る。このようにクラッド層３の一部が半絶縁性半導体層
６に置き換えられることにより、上記実施の形態１によ
る半導体レーザ装置に比べ、レーザ部分ａと変調器部分
ｃ間の分離抵抗を向上することができる。
【００５１】次に、コンタクト層４上に形成された半絶
縁性半導体層６をエッチングにより除去してコンタクト
層４を露出させると、図１２に示す半導体レーザ装置が
完成する。なお、この露出させたコンタクト層４は電極
材料とオーミック接触がとられることとなる。
【００５２】このように、実施の形態３による半導体レ
ーザ装置では、電極材料とのオーミック接触は、１〜２
μｍ幅の狭いストライプ構造のコンタクト層４を用いて
いるので、コンタクト層４の下の下層のクラッド層（導
伝型２）３の幅も１〜２μｍと狭くでき、レーザ部分と
変調器の分離部分もエッチング等により幅を細くしなく
とも制御性よく１〜２μｍと細くできるため、レーザ部
分ａのコンタクト層４と変調器部分ｃのコンタクト層４
との間の電流の流れを少なくすることができる。そのた
め、レーザ部分ａと変調器部分ｃとの分離抵抗は、図２
４に示した従来の半導体レーザ装置のような１０〜２０
μｍのコンタクト層４を用いた場合に比べ、１ケタ程度
の分離抵抗の向上を実現することができる。また、活性
層２上のクラッド層３は、レーザ部分ａと変調器部分ｃ
との間でその一部が除去され、かつ該除去した部分を半
絶縁性半導体層６で埋め込んでいるので、レーザ部分ａ
と変調器部分ｃとの間の分離部分ｂの抵抗値を大きくす
ることができる。そのため、クラッド層３の一部が半絶
縁性半導体層６に置き換えられることにより、上記実施
の形態１による半導体レーザ装置に比べ、レーザ部分ａ
と変調器部分ｃ間の分離抵抗をさらに向上することがで
きるものが得られる。さらには、作製工程において、リ
ッジの両脇に半絶縁性半導体層６を形成する際に、上記
実施の形態１，２のような選択成長を行わないので（図
１１）、これら実施の形態１，２のものに比べて簡単に
製造することができる。
【００５３】実施の形態４．実施の形態４による半導体
レーザ装置は、上記実施の形態１による半導体レーザ装
置において、レーザ部分ａと変調器部分ｃとの間のクラ
ッド層３にプロトン（Ｈ+ ）を注入してレーザ部分ａと
変調器部分ｃとの間のクラッド層３を高抵抗化したもの
である。
【００５４】すなわち、この半導体レーザ装置は、上記
実施の形態１の半導体レーザの作製工程において、図３
に示した半絶縁性半導体層６を埋め込み形成した後、図
１３に示すように、分離部分ｂに開口を設けた絶縁膜７
ａを形成し、その上面からプロトン（Ｈ+ ）注入を施
す。
【００５５】このように、実施の形態４による半導体レ
ーザ装置では、活性層２上のクラッド層３は、レーザ部
分ａと変調器部分ｃとの間の部分をプロトン注入して高
抵抗化しているので、レーザ部分ａと変調器部分ｃとの
間の分離部分ｂにおけるクラッド層３の抵抗値を大きく
することができる。そのため、上記実施の形態１による
半導体レーザ装置に比べ、レーザ部分ａと変調器部分ｃ
との間の分離抵抗をさらに向上することができるものが
得られる。
【００５６】実施の形態５．図１９は、本発明の実施の
形態５による外部変調器集積型半導体レーザ装置を示し
た図であり、同図(a) は、その斜視図、同図(b) は、レ
ーザ部と変調器部との分離部分におけるＡＡ’方向の断
面図、同図(c) は、共振器軸のＢＢ’方向の断面図であ
る。なお、図において、図４と同一符号は、同一または
相当する部分を示しており、６ａ，６ｂは、Ｆｅドープ
ＩｎＰ半絶縁性半導体層、８は、ｎ型ＩｎＰホールトラ
ップ層、９は、ＩｎＧａＡｓＰエッチング停止層、１０
は、ｐ型ＩｎＰクラッド層である。
【００５７】以下に、この半導体レーザ装置の構造につ
いて説明する。この半導体装置は、同一の半導体基板１
上に、活性層２とクラッド層３とからなるリッジ（光導
波路）が形成されており、このリッジは、半導体レーザ
部分ａと、活性層２下の半導体基板１上に回折格子（図
示せず。）を形成した変調器部分ｃとを備えている。リ
ッジの両脇には、図１８(c) に示すように、半絶縁性半
導体層６ａ，ホールトラップ層８，および半絶縁性半導
体層６ｂを順次形成した埋め込み層を有するが、レーザ
部分ａと変調器部分ｃとの間は、図１８(b) に示すよう
に、ホールトラップ層８を除去して分離抵抗の向上を図
っている。リッジと埋め込み層の上には、エッチング停
止層９（バンドギャップ組成は１．０５〜１．１５μ
ｍ），クラッド層１０，およびコンタクト層４が形成さ
れている。また、レーザ部分ａと変調器部分ｃとの間の
分離部分ｂにおけるコンタクト層４、およびクラッド層
１０は、エッチング停止層９に達するまでエッチングに
より除去されている。また、活性層２上に形成したクラ
ッド層３は、レーザ部分ａと変調器部分ｃとの間でその
一部が除去され、かつ該除去した部分にはＦｅドープＩ
ｎＰ半絶縁性半導体層６ｂが埋め込まれている。
【００５８】この半導体レーザ装置は、上記実施の形態
１等と同様に、直流動作させているレーザ部分ａから放
射される光を、変調器部分ｃに加えるバイアス電圧を変
化させることによって変調している。
【００５９】つぎに、上記実施の形態５による半導体レ
ーザ装置の製造方法について説明する。図１４から図１
８は、上記半導体レーザ装置の作製工程中における各状
態のものを示した図である。
【００６０】以下に作製工程を示す。まず、ｎ型ＩｎＰ
半導体基板１上の変調器形成領域に回折格子を形成した
後（図示せず。）、活性層２、ｐ型ＩｎＰクラッド層３
をＭＯＣＶＤ法等により結晶成長させる。そして、その
上に幅１〜２μｍの絶縁膜５からなるストライプを形成
し、この絶縁膜５をマスクとしてドライエッチングによ
り２〜３μｍ程度の高さのリッジを形成して光導波路と
する（図１４）。
【００６１】その後、図１５に示すように、リッジの両
脇に、ＭＯＣＶＤ法等によりＦｅドープＩｎＰ半絶縁性
半導体層６ａ、およびｎ型ＩｎＰホールトラップ層８の
埋め込み成長を行う。
【００６２】そして、図１６に示すように、変調器部分
ｃと半導体レーザａの分離部分ｂにおいて、光導波路リ
ッジ部分ではクラッド層３の一部を、またリッジ両脇の
埋め込み成長をした部分ではホールトラップ層８，およ
び半絶縁性半導体層６ａの一部をエッチングにより除去
する。このとき、エッチングする範囲としては、図１６
中、ＡＡ′方向はチップの幅と同じ２００〜３００μｍ
程度、ＢＢ′方向は１０〜５０μｍ程度、エッチング深
さはホールトラップ層８を全部除去できる深さで１〜２
μｍ程度である。
【００６３】次に、図１７に示すように、ＭＯＣＶＤ法
等により、半絶縁性半導体６ｂの埋め込み成長、ｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰエッチング停止層９（バンドギャップ組成
は１．０５〜１．１５μｍ）を成長して、エッチング除
去した分離部分ｂを平らに埋め込む。
【００６４】さらに、図１８に示すように、絶縁膜スト
ライプ５を除去した後、ＭＯＣＶＤ法等により、ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層１０、およびｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタ
クト層４を結晶成長する。
【００６５】次に、分離部分ｂにエッチングを施して、
エッチング停止層９に達するまでコンタクト層４，およ
びクラッド層１０を除去すると、図１９に示した半導体
レーザ装置が完成する。上記エッチングは、選択エッチ
ングを施し、クラッド層１０（ＩｎＰ）をエッチングす
るときは塩酸系エッチャントを用い、エッチング停止層
９（ＩｎＧａＡｓＰ）でエッチングが停止するようにす
る。このとき、活性層２にはエッチングを施さないので
レーザ部、変調器部間の光結合効率をほぼ１００％に保
つことができる。
【００６６】このように、実施の形態５による半導体レ
ーザ装置では、活性層２上のクラッド層３は、レーザ部
分ａと変調器部分ｃとの間でその一部が除去され、かつ
該除去した部分を半絶縁性半導体層６ｂで埋め込んでい
るので、レーザ部分ａと変調器部分ｃ間の分離部分ｂの
抵抗値を大きくすることができ、レーザ部分ａと変調器
部分ｃ間の分離抵抗を向上することができる。また、分
離部分ｂではｎ型ＩｎＰホールトラップ層８を除去する
ことにより、このホールトラップ層８を介した電流の流
れを防止でき、さらなる分離抵抗の向上を図っている。
さらに、分離部分ｂのエッチングにおいて活性層２近傍
にまでエッチングが施されても（図１６）、分離部分ｂ
を半導体層６ｂで埋め込むため（図１７）、光の電界分
布がデバイス外にしみだして損失が生じることもない。
また、この分離部分ｂにおいて半絶縁性半導体層６ｂ等
を平坦に埋め込むことにより、その後の工程において作
製プロセス（特に写真製版工程）が容易になる。なお、
活性層２にはエッチングを施さないので、レーザ部分ａ
と変調器部分ｃ間の光結合効率をほぼ１００％に保つこ
とができる。
【００６７】実施の形態６．図２０は、本発明の実施の
形態６による外部変調器集積型半導体レーザ装置を示し
た図であり、同図(a) は、その斜視図、同図(b) は、レ
ーザ部と変調器部との分離部分におけるＡＡ’方向の断
面図、同図(c) は、共振器軸のＢＢ’方向の断面図であ
る。なお、図において、図４、図１９と同一符号は、同
一または相当する部分を示している。
【００６８】以下に、この半導体レーザ装置の構造につ
いて説明する。この半導体装置は、同一の半導体基板１
上に、活性層２とクラッド層３とからなるリッジ（光導
波路）が形成されており、このリッジは、半導体レーザ
部分ａと、活性層２下の半導体基板１上に回折格子（図
示せず。）を形成した変調器部分ｃとを備えている。リ
ッジの両脇には半絶縁性半導体層６ａ，ホールトラップ
層８，および半絶縁性半導体層６ｂを順次形成した埋め
込み層を有し、さらにリッジと該埋め込み層の上には、
エッチング停止層９，クラッド層１０，コンタクト層４
が形成されている。また、レーザ部分ａと変調器部分ｃ
との間の分離部分ｂのコンタクト層４、およびクラッド
層１０は、エッチング停止層９までエッチングにより除
去されており、そして、コンタクト層４の一部を除きそ
の全面を絶縁膜７で覆っているものである。
【００６９】この半導体レーザ装置は、上記実施の形態
１等と同様に、直流動作させているレーザ部分ａから放
射される光を、変調器部分ｃに加えるバイアス電圧を変
化させることによって変調している。
【００７０】つぎに、上記実施の形態６の半導体レーザ
装置の製造方法を説明する。以下に作製工程を示す。こ
の半導体レーザ装置は、図２４に示した従来の半導体レ
ーザ装置の作製工程の途中まで同様にして行うことがで
きる。すなわち、図２１，図２２に示した作製工程を適
用することができる。そして、この後、絶縁膜ストライ
プ５を除去した後、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰエッチング停止
層９（バンドギャップ組成１．０５μｍ）、ｐ型ＩｎＰ
クラッド層１０、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層４をＭ
ＯＣＶＤ法等により結晶成長させる。変調器部分ｃと半
導体レーザａ間の分離部分ｂに、上部よりＩｎＧａＡｓ
／ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ（すなわち、コンタクト層４
／クラッド層３／エッチング停止層９である。）となっ
ていることを利用して選択エッチング法を適用する。こ
れにより、ＩｎＧａＡｓ層コンタクト４、およびＩｎＰ
クラッド層３をそれぞれエッチングにより除去し、Ｉｎ
ＧａＡｓＰエッチング停止層９で確実にエッチングを停
止させることができる。したがって、クラッド層３を光
の導波に必要な最低限の厚さに設定しておけば、制御性
よく確実に分離部分ｂのＩｎＰクラッド層３のエッチン
グを行うことができる。その後、コンタクト層４の一部
を除き、その全面に絶縁膜７を形成することにより、図
２０に示した半導体レーザ装置が完成する。
【００７１】このように、実施の形態６による半導体レ
ーザ装置は、従来構造において、活性層２上部のＩｎＰ
クラッド層３の途中にＩｎＧａＡｓＰエッチング停止層
９を挿入し、変調器部分ｃと半導体レーザ部分ａ間の分
離部分ｂのエッチングを、最上層のＩｎＧａＡｓコンタ
クト層４をエッチングした後、ＩｎＰクラッド層３の一
部を選択エッチングにより除去するようにしたものであ
る。このようにエッチング停止層９を挿入することによ
り設計通りに確実にＩｎＰクラッド層３の一部をエッチ
ングにより除去することができ、レーザ部分ａと変調器
部分ｃ間の分離抵抗を向上させることができる。なお、
活性層２にはエッチングを施さないのでレーザ部分ａ、
変調器部分ｃ間の光結合効率をほぼ１００％に保つこと
ができる。
【００７２】なお、本発明による半導体レーザ装置は、
上記実施の形態のものには限定されず、例えば、上記各
実施の形態で用いた半絶縁性半導体層６，６ａ，６ｂ
は、ＦｅドープＩｎＰ層に代えて、ＴｉまたはＣｒドー
プＩｎＰ層、あるいはノンドープＡｌＩｎＡｓ層を用い
てもよい。
【００７３】また、上記実施の形態２，３では、レーザ
部分ａと変調器部分ｃ間の分離部分ｂのクラッド層３の
一部をエッチングにより除去しているが、実施の形態
５，６のように、クラッド層３内にエッチング停止層を
導入することで、同じようにクラッド層３の一部を制御
性よくエッチングすることができ、これにより分離抵抗
のさらなる向上を実現することができる。
【００７４】
【発明の効果】この発明による半導体レーザ装置（請求
項１）によれば、半導体基板上に活性層とクラッド層と
を有する光導波路を形成し、該光導波路は、レーザ部分
とレーザ光強度を変調する変調器部分とを構成してお
り、上記光導波路の両脇に埋め込み形成した半絶縁性半
導体層と、上記光導波路の上に形成され、電極材料との
オーミック接触をとるための低抵抗コンタクト層とを備
え、上記コンタクト層は、上記レーザ部分と上記変調器
部分との間で除去されている外部変調器集積型の半導体
レーザ装置において、上記コンタクト層は、上記活性層
幅と同程度の幅に形成されてなるものであり、このよう
に、電極材料とのオーミック接触は、活性層幅と同程度
の幅の狭いストライプ構造のコンタクト層を用いている
ので、コンタクト層の下層のクラッド層（導伝型２）の
幅も同様に狭くでき、レーザ部分と変調器の分離部分も
エッチング等により幅を細くしなくとも制御性よく細く
できるため、レーザ部分のコンタクト層と変調器部分の
コンタクト層との間の電流の流れを少なくすることがで
き、そのため、レーザ部分と変調器部分との分離抵抗
を、従来の半導体レーザ装置より１ケタ程度の分離抵抗
の向上を実現することができるという効果がある。
【００７５】この発明による半導体レーザ装置（請求項
２）によれば、上記半導体レーザ装置（請求項１）にお
いて、レーザ部分と変調器部分との間のクラッド層にプ
ロトン注入がなされ、レーザ部分と変調器部分との間の
クラッド層が高抵抗化されてなるものであり、これによ
り、レーザ部分のコンタクト層と変調器部分のコンタク
ト層との間の電流の流れを少なくすることができ、かつ
レーザ部分と変調器部分との間の分離部分におけるクラ
ッド層の抵抗値を大きくすることができるため、レーザ
部分と変調器部分との間の分離抵抗をさらに向上するこ
とができるものが得られるという効果がある。
【００７６】この発明による半導体レーザ装置（請求項
３）によれば、半導体基板上に活性層とクラッド層とを
有する光導波路を形成し、該光導波路は、レーザ部分と
レーザ光強度を変調する変調器部分とを構成しており、
上記光導波路の両脇に埋め込み形成した半絶縁性半導体
層と、上記光導波路の上に形成され、電極材料とのオー
ミック接触をとるための低抵抗コンタクト層とを備え、
上記コンタクト層は、上記レーザ部分と上記変調器部分
との間で除去されている外部変調器集積型の半導体レー
ザ装置において、上記活性層上のクラッド層は、レーザ
部分と変調器部分との間でその一部が除去され、かつ該
除去部分に半絶縁性半導体層が形成されてなるものであ
り、このように、活性層上のクラッド層は、レーザ部分
と変調器部分との間でその一部が除去され、かつ該除去
した部分を半絶縁性半導体層で埋め込んでいるので、レ
ーザ部分と変調器部分との間の分離部分の抵抗値を大き
くすることができるため、レーザ部分と変調器部分との
間の分離抵抗を向上することができるものが得られると
いう効果がある。
【００７７】この発明による半導体レーザ装置（請求項
４）によれば、半導体基板上に活性層とクラッド層とを
有する光導波路を形成し、該光導波路は、レーザ部分と
レーザ光強度を変調する変調器部分とを構成しており、
上記光導波路の両脇に埋め込み形成した半絶縁性半導体
層と、上記光導波路の上に形成され、電極材料とのオー
ミック接触をとるための低抵抗コンタクト層とを備え、
上記コンタクト層は、上記レーザ部分と上記変調器部分
との間で除去されている外部変調器集積型の半導体レー
ザ装置において、上記コンタクト層は、上記活性層幅と
同程度の幅に形成されてなり、上記活性層上のクラッド
層は、上記レーザ部分と上記変調器部分との間でその一
部が除去され、かつ該除去部分に半絶縁性半導体層が形
成されてなるものであり、これにより、レーザ部分のコ
ンタクト層と変調器部分のコンタクト層との間の電流の
流れを少なくすることができ、かつ活性層上のクラッド
層は、レーザ部分と変調器部分との間でその一部が除去
され、かつ該除去した部分を半絶縁性半導体層で埋め込
んでいるので、レーザ部分と変調器部分との間の分離部
分の抵抗値を大きくすることができるため、レーザ部分
と変調器部分との間の分離抵抗をさらに向上することが
できるものが得られるという効果がある。
【００７８】この発明による半導体レーザ装置（請求項
５）によれば、半導体基板上に活性層とクラッド層とを
有する光導波路を形成し、該光導波路は、レーザ部分と
レーザ光強度を変調する変調器部分とを構成しており、
上記光導波路の両脇に埋め込み形成した半絶縁性半導体
層と、上記光導波路の上に形成され、電極材料とのオー
ミック接触をとるための低抵抗コンタクト層とを備え、
上記コンタクト層は、上記レーザ部分と上記変調器部分
との間で除去されている外部変調器集積型の半導体レー
ザ装置において、上記活性層上のクラッド層中にエッチ
ング停止層が形成されており、上記レーザ部分と上記変
調器部分との間の該クラッド層を該エッチング停止層ま
で除去されてなるものであり、このように、クラッド層
内においてエッチング停止層を挿入することにより設計
通りに確実にクラッド層の一部をエッチングにより除去
することができるため、レーザ部分と変調器部分間の分
離抵抗を向上することができるものが得られるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１による半導体レーザ装
置の一製作工程を示した図であり、同図(a) は斜視図、
同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図(c) は
同図(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１による半導体レーザ装
置の一製作工程を示した図であり、同図(a) は斜視図、
同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図(c) は
同図(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１による半導体レーザ装
置の一製作工程を示した図であり、同図(a) は斜視図、
同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図(c) は
同図(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図４】この発明の実施の形態１による半導体レーザ装
置を示した図であり、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）
は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図(c) は同図
(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図５】この発明の実施の形態２による半導体レーザ装
置の一製作工程を示した図であり、同図(a) は斜視図、
同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図(c) は
同図(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図６】この発明の実施の形態２による半導体レーザ装
置の一製作工程を示した図であり、同図(a) は斜視図、
同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図(c) は
同図(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図７】この発明の実施の形態２による半導体レーザ装
置の一製作工程を示した図であり、同図(a) は斜視図、
同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図(c) は
同図(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図８】この発明の実施の形態２による半導体レーザ装
置を示した図であり、同図(a)は斜視図、同図(b) は同
図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) のＢ
Ｂ’方向の断面図である。
【図９】この発明の実施の形態３による半導体レーザ装
置の一製作工程を示した図であり、同図(a) は斜視図、
同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図(c) は
同図(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図１０】この発明の実施の形態３による半導体レーザ
装置の一製作工程を示した図であり、同図(a) は斜視
図、同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図
(c) は同図(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図１１】この発明の実施の形態３による半導体レーザ
装置の一製作工程を示した図であり、同図(a) は斜視
図、同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図
(c) は同図(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図１２】この発明の実施の形態３による半導体レーザ
装置を示した図であり、同図(a)は斜視図、同図(b) は
同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) の
ＢＢ’方向の断面図である。
【図１３】この発明の実施の形態４による半導体レーザ
装置の一製作工程を示した図であり、同図(a) は斜視
図、同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図
(c) は同図(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図１４】この発明の実施の形態５による半導体レーザ
装置の一製作工程を示した図であり、同図(a) は斜視
図、同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図
(c) は同図(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図１５】この発明の実施の形態５による半導体レーザ
装置の一製作工程を示した図であり、同図(a) は斜視
図、同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図
(c) は同図(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図１６】この発明の実施の形態５による半導体レーザ
装置の一製作工程を示した図であり、同図(a) は斜視
図、同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図
(c) は同図(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図１７】この発明の実施の形態５による半導体レーザ
装置の一製作工程を示した図であり、同図(a) は斜視
図、同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図
(c) は同図(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図１８】この発明の実施の形態５による半導体レーザ
装置の一製作工程を示した図であり、同図(a) は斜視
図、同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図
(c) は同図(a) のＢＢ’方向の断面図である。
【図１９】この発明の実施の形態５による半導体レーザ
装置を示した図であり、同図(a)は斜視図、同図(b) は
同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) の
ＢＢ’方向の断面図である。
【図２０】この発明の実施の形態６による半導体レーザ
装置を示した図であり、同図(a)は斜視図、同図(b) は
同図(a) のＡＡ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) の
ＢＢ’方向の断面図である。
【図２１】従来の半導体レーザ装置の一製作工程を示し
た図であり、同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) の
ＡＡ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) のＢＢ’方向
の断面図である。
【図２２】従来の半導体レーザ装置の一製作工程を示し
た図であり、同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) の
ＡＡ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) のＢＢ’方向
の断面図である。
【図２３】従来の半導体レーザ装置の一製作工程を示し
た図であり、同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) の
ＡＡ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) のＢＢ’方向
の断面図である。
【図２４】従来の半導体レーザ装置を示した図であり、
同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡＡ’方向の
断面図、同図(c) は同図(a) のＢＢ’方向の断面図であ
る。
【図２５】従来の他の半導体レーザ装置を示した図であ
り、同図(a) は斜視図、同図(b)は同図(a) のＡＡ’方
向の断面図、同図(c) は同図(a) のＢＢ’方向の断面図
である。
【図２６】従来のさらに他の半導体レーザ装置を示した
図であり、同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a) のＡ
Ａ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) のＢＢ’方向の
断面図である。
【図２７】従来のさらにまた他の半導体レーザ装置を示
した図であり、同図(a) は斜視図、同図(b) は同図(a)
のＡＡ’方向の断面図、同図(c) は同図(a) のＢＢ’方
向の断面図である。
【符号の説明】
１ ｎ型ＩｎＰ半導体基板、２ 活性層、３ ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層、４ ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、５
絶縁膜、６，６ａ，６ｂ ＦｅドープＩｎＰ半絶縁性
半導体層、７，７ａ 絶縁膜、８ ｎ型ＩｎＰホールト
ラップ層、９ ｐ型ＩｎＧａＡｓエッチング停止層、１
０ ｐ型ＩｎＰクラッド層。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上に活性層とクラッド層とを
    有する光導波路を形成し、該光導波路は、レーザ部分と
    レーザ光強度を変調する変調器部分とを構成しており、 上記光導波路の両脇に埋め込み形成した半絶縁性半導体
    層と、 上記光導波路の上に形成され、電極材料とのオーミック
    接触をとるための低抵抗コンタクト層とを備え、 上記コンタクト層は、上記レーザ部分と上記変調器部分
    との間で除去されている外部変調器集積型の半導体レー
    ザ装置において、 上記コンタクト層は、上記活性層幅と同程度の幅に形成
    されてなるものであることを特徴とする半導体レーザ装
    置。
  2. 【請求項２】 上記請求項１に記載の半導体レーザ装置
    において、 レーザ部分と変調器部分との間のクラッド層にプロトン
    注入がなされ、レーザ部分と変調器部分との間のクラッ
    ド層が高抵抗化されてなるものであることを特徴とする
    半導体レーザ装置。
  3. 【請求項３】 半導体基板上に活性層とクラッド層とを
    有する光導波路を形成し、該光導波路は、レーザ部分と
    レーザ光強度を変調する変調器部分とを構成しており、 上記光導波路の両脇に埋め込み形成した半絶縁性半導体
    層と、 上記光導波路の上に形成され、電極材料とのオーミック
    接触をとるための低抵抗コンタクト層とを備え、 上記コンタクト層は、上記レーザ部分と上記変調器部分
    との間で除去されている外部変調器集積型の半導体レー
    ザ装置において、 上記活性層上のクラッド層は、レーザ部分と変調器部分
    との間でその一部が除去され、かつ該除去部分に半絶縁
    性半導体層が形成されてなるものであることを特徴とす
    る半導体レーザ装置。
  4. 【請求項４】 半導体基板上に活性層とクラッド層とを
    有する光導波路を形成し、該光導波路は、レーザ部分と
    レーザ光強度を変調する変調器部分とを構成しており、 上記光導波路の両脇に埋め込み形成した半絶縁性半導体
    層と、 上記光導波路の上に形成され、電極材料とのオーミック
    接触をとるための低抵抗コンタクト層とを備え、 上記コンタクト層は、上記レーザ部分と上記変調器部分
    との間で除去されている外部変調器集積型の半導体レー
    ザ装置において、 上記コンタクト層は、上記活性層幅と同程度の幅に形成
    されてなり、 上記活性層上のクラッド層は、上記レーザ部分と上記変
    調器部分との間でその一部が除去され、かつ該除去部分
    に半絶縁性半導体層が形成されてなるものであることを
    特徴とする半導体レーザ装置。
  5. 【請求項５】 半導体基板上に活性層とクラッド層とを
    有する光導波路を形成し、該光導波路は、レーザ部分と
    レーザ光強度を変調する変調器部分とを構成しており、 上記光導波路の両脇に埋め込み形成した半絶縁性半導体
    層と、 上記光導波路の上に形成され、電極材料とのオーミック
    接触をとるための低抵抗コンタクト層とを備え、 上記コンタクト層は、上記レーザ部分と上記変調器部分
    との間で除去されている外部変調器集積型の半導体レー
    ザ装置において、 上記活性層上のクラッド層中にエッチング停止層が形成
    されており、上記レーザ部分と上記変調器部分との間の
    該クラッド層を該エッチング停止層まで除去されてなる
    ものであることを特徴とする半導体レーザ装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004281517A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長可変半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2008071906A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Fujitsu Ltd 光半導体集積装置およびその製造方法
US8233515B2 (en) 2009-07-02 2012-07-31 Mitsubishi Electric Corporation Optical waveguide integrated semiconductor optical device
CN113454522A (zh) * 2019-02-07 2021-09-28 思敏光子控股有限责任公司 用于电光集成磷化铟基相位调制器的改进构建块
WO2023058216A1 (ja) * 2021-10-08 2023-04-13 日本電信電話株式会社 半導体装置およびその製造方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208859A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Hitachi Ltd 光伝送装置
JP3941296B2 (ja) * 1999-09-20 2007-07-04 三菱電機株式会社 変調器と変調器付き半導体レーザ装置並びにその製造方法
KR100337704B1 (ko) * 2000-07-04 2002-05-22 윤종용 전계흡수형 변조기가 집적된 레이저 다이오드의 제조 방법
ATE533212T1 (de) 2000-08-09 2011-11-15 Santur Corp Verstimmbarer laserdiode mit verteilter rückkopplung
WO2002084742A1 (en) 2001-03-30 2002-10-24 Santur Corporation Switched laser array modulation with integral electroabsorption modulator
US6781734B2 (en) 2001-03-30 2004-08-24 Santur Corporation Modulator alignment for laser
US6813300B2 (en) 2001-03-30 2004-11-02 Santur Corporation Alignment of an on chip modulator
AU2002254522A1 (en) 2001-03-30 2003-11-11 Santur Corporation High speed modulation of arrayed lasers
US6977953B2 (en) * 2001-07-27 2005-12-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same
US20040190580A1 (en) * 2003-03-04 2004-09-30 Bardia Pezeshki High-yield high-precision distributed feedback laser based on an array
US6870969B2 (en) * 2003-04-23 2005-03-22 Intel Corporation Method and apparatus for phase shifting and optical beam in an optical device with reduced contact loss
US6954558B2 (en) * 2003-06-24 2005-10-11 Intel Corporation Method and apparatus for phase shifting an optical beam in an optical device
KR100547830B1 (ko) * 2003-08-13 2006-01-31 삼성전자주식회사 집적광학장치 및 그 제조방법
US7573928B1 (en) 2003-09-05 2009-08-11 Santur Corporation Semiconductor distributed feedback (DFB) laser array with integrated attenuator
US7301977B2 (en) * 2004-06-10 2007-11-27 Nanoplus Gmbh Tuneable unipolar lasers
US7280712B2 (en) * 2005-08-04 2007-10-09 Intel Corporation Method and apparatus for phase shifiting an optical beam in an optical device
US20070280309A1 (en) * 2006-05-23 2007-12-06 Ansheng Liu Optical waveguide with single sided coplanar contact optical phase modulator
EP3671982A1 (en) * 2018-12-21 2020-06-24 IMEC vzw Iii-v-on-silicon nanoridge opto-electronic device with a regrown fin structure
EP4064469A1 (en) * 2021-03-25 2022-09-28 Almae Technologies Semiconductor devices for emitting modulated light and methods for fabricating such devices
CN115296142A (zh) * 2022-08-09 2022-11-04 杭州泽达半导体有限公司 一种激光器及其制作方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3993963A (en) * 1974-06-20 1976-11-23 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Heterostructure devices, a light guiding layer having contiguous zones of different thickness and bandgap and method of making same
US4961198A (en) * 1988-01-14 1990-10-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device
JP3146821B2 (ja) * 1993-12-27 2001-03-19 日本電気株式会社 半導体光集積素子の製造方法
US5764670A (en) * 1995-02-27 1998-06-09 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor laser apparatus requiring no external modulator, method of driving semiconductor laser device, and optical communication system using the semiconductor laser apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004281517A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長可変半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2008071906A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Fujitsu Ltd 光半導体集積装置およびその製造方法
US8233515B2 (en) 2009-07-02 2012-07-31 Mitsubishi Electric Corporation Optical waveguide integrated semiconductor optical device
CN113454522A (zh) * 2019-02-07 2021-09-28 思敏光子控股有限责任公司 用于电光集成磷化铟基相位调制器的改进构建块
US11992694B2 (en) 2019-02-07 2024-05-28 SMART Photonics Holding B.V. Building block for electro-optical integrated indium-phosphide based phase modulator
WO2023058216A1 (ja) * 2021-10-08 2023-04-13 日本電信電話株式会社 半導体装置およびその製造方法

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Publication number Publication date
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