JPS59181588A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS59181588A JPS59181588A JP58053626A JP5362683A JPS59181588A JP S59181588 A JPS59181588 A JP S59181588A JP 58053626 A JP58053626 A JP 58053626A JP 5362683 A JP5362683 A JP 5362683A JP S59181588 A JPS59181588 A JP S59181588A
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- Japan
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- electrode
- laser
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明は、半導体発光装置に関し、さらに詳しく述べる
と１発振波長の変動が少なくかつ大きな光出力を得るこ
とのできる改良された半導体発光装置に関する。
と１発振波長の変動が少なくかつ大きな光出力を得るこ
とのできる改良された半導体発光装置に関する。
（２） 技術の背景
周知の通り、近年の低損失ファイバの進歩にはめざまし
いものがあ１ハまた、この進歩に伴なって、いろいろな
タイプの光通信用発光装置の研究・集用比が進んでいる
。かかる発光装置のなかで特に層目されているのが半導
体発光＠置、すなわち。
いものがあ１ハまた、この進歩に伴なって、いろいろな
タイプの光通信用発光装置の研究・集用比が進んでいる
。かかる発光装置のなかで特に層目されているのが半導
体発光＠置、すなわち。
半導体レーザ金使用した発光装置゛である。なぜなら、
半導体レーザは小型、軽鎗、高出力であり。
半導体レーザは小型、軽鎗、高出力であり。
且つ電流により光の強匿を＠接高速変−できる等の特徴
を有し、長距離・大容鉦伝送用の発光源とし℃最適であ
るからである。実際、光通信の分野に半導体レーザを使
用した楊会２通信容Ｍｋ大幅に拡大することができる。
を有し、長距離・大容鉦伝送用の発光源とし℃最適であ
るからである。実際、光通信の分野に半導体レーザを使
用した楊会２通信容Ｍｋ大幅に拡大することができる。
（３）従来技術と問題点
通常、上記したよりな半導体発光装置とじ℃ダブルへテ
ロ接合（ＤＨ）型半導体レーザが屡々用いられている。
ロ接合（ＤＨ）型半導体レーザが屡々用いられている。
ところが、このタイプのレーザに特有なものとじ℃、発
振波長、換言すると、放射光の分光スペクトルの単色性
が悪いという欠点がある。例えばこのようなレーザ會光
通信に利用し、電流により光強度を変化させると、放射
光の分光スペクトルは数多くの軸モード【持つようにな
り、分光スペクトルの単色性が著しく低下ブる。この欠
点は、安定な琲−軸モート”のレーザ元が元ＩＪＩＩ伯
の分野で求められている中実を考慮し７ヒ場合、ぜひと
もル・を決しなけオｔＶｉならｌい問題Ｃある。
振波長、換言すると、放射光の分光スペクトルの単色性
が悪いという欠点がある。例えばこのようなレーザ會光
通信に利用し、電流により光強度を変化させると、放射
光の分光スペクトルは数多くの軸モード【持つようにな
り、分光スペクトルの単色性が著しく低下ブる。この欠
点は、安定な琲−軸モート”のレーザ元が元ＩＪＩＩ伯
の分野で求められている中実を考慮し７ヒ場合、ぜひと
もル・を決しなけオｔＶｉならｌい問題Ｃある。
軸モートを１不に抑え得るものとして分蒲帰遅（１）Ｆ
Ｂ）型手専体レーザが提案さ２ｔた。このレーザは、規
則的凹凸の如き周期構造２＋４体結晶内に設けて！ｌ：
（定の波長のレーザ九が取り出せるようＶＣ，したもの
である。ｌ） Ｆ Ｂレーザτイ更用−３−ると、屈折
率を規則的に変（ヒさせることができ、よっＣ５ある周
期に一致した光たけ、すなわち、その周期の整数倍に一
致する光だけを前記凹凸で少し丁つ反射させ毛特定の波
長の光のみｋ ｅり出アことができる。
Ｂ）型手専体レーザが提案さ２ｔた。このレーザは、規
則的凹凸の如き周期構造２＋４体結晶内に設けて！ｌ：
（定の波長のレーザ九が取り出せるようＶＣ，したもの
である。ｌ） Ｆ Ｂレーザτイ更用−３−ると、屈折
率を規則的に変（ヒさせることができ、よっＣ５ある周
期に一致した光たけ、すなわち、その周期の整数倍に一
致する光だけを前記凹凸で少し丁つ反射させ毛特定の波
長の光のみｋ ｅり出アことができる。
ところが、ＤＦＢレーザを実除に製作するとなると、原
理的には１本となるｆゴずの軸モードが在住にして２不
となることが多い。この原因として。
理的には１本となるｆゴずの軸モードが在住にして２不
となることが多い。この原因として。
従来のＤ Ｆ Ｂレーザには発振器部のみが逝・っ−こ
光増幅器部が含まれないので、４層号伝送の／こめにツ
Ｃ出力ｋＷ調する際に発振器部へ注入する電流に変調を
加えることが第１に考えられる。注入電流の変′ｗＪは
導波路の光利得のスペクトル分布、屈折率等をも変調す
る／Ｃめ、これに伴なって世１えは上記軸モードの２不
比にみらｔＬるような発振波長の安定性の低下が惹さ起
こさ７しる。
光増幅器部が含まれないので、４層号伝送の／こめにツ
Ｃ出力ｋＷ調する際に発振器部へ注入する電流に変調を
加えることが第１に考えられる。注入電流の変′ｗＪは
導波路の光利得のスペクトル分布、屈折率等をも変調す
る／Ｃめ、これに伴なって世１えは上記軸モードの２不
比にみらｔＬるような発振波長の安定性の低下が惹さ起
こさ７しる。
（４） 発明の目的
不発明の目的は、上記した。ｒ−）な従来技術に特有な
欠点ともたない、安定な単−翰モートのレーザ元を放出
可能な改良された小型の半導体レーザＵを提供する・こ
ｉとにある。この元元装置は１発振波長が安定でありか
つ光出力を大出力にし、そして変ルム可能であることが
０求さ几る。
欠点ともたない、安定な単−翰モートのレーザ元を放出
可能な改良された小型の半導体レーザＵを提供する・こ
ｉとにある。この元元装置は１発振波長が安定でありか
つ光出力を大出力にし、そして変ルム可能であることが
０求さ几る。
（５） 発明の横取
不発町名は、このだひ、半導体′＠元装；ｉで発振器部
と光増幅器部とに分離し１発振器部にはぞの動作が最も
安定となるような注入条件で札、ｉｔを注入し、ｆ′な
わち、外乱を力１」えずに一定の電流を流して安定な光
強度をもつ九を得１次に、この元に通イ否用に俊えるた
め、注入電流の祉を変化きせることにより光増幅器部の
増幅度【変化させ、よって、ツＣ出力ｋ ＲＦＪ Ｌか
つ１曽：ｌｖａするのが上記目的に有効であること：ｒ
見い出した。
と光増幅器部とに分離し１発振器部にはぞの動作が最も
安定となるような注入条件で札、ｉｔを注入し、ｆ′な
わち、外乱を力１」えずに一定の電流を流して安定な光
強度をもつ九を得１次に、この元に通イ否用に俊えるた
め、注入電流の祉を変化きせることにより光増幅器部の
増幅度【変化させ、よって、ツＣ出力ｋ ＲＦＪ Ｌか
つ１曽：ｌｖａするのが上記目的に有効であること：ｒ
見い出した。
不発’ｉｌ ’ｔこよる半導体発つし装（ｉｔは、半ｉ
、４体基板と、ｄ？半導体基板ＣＣｊｌ殉ｙされ、活ｉ
（１層と、該活性層を挾む如く績１１さｉｔ、たククッ
ド１−とから成る光導波路と、該光導波路の一部に形成
された周期的な凹凸と、蒔凹凸が形ｔＪｋされ／こｔＪ
ｔｌ記プ“Ｃ導波路上に形成された象、１の電極と一前
記ツＬ婢敦路上に拶ｍｌの゛覗極とは電気的に分離さ２
ｔた第２０ｍ極とτ協えてなることｔ￥ｆ徴とする。
、４体基板と、ｄ？半導体基板ＣＣｊｌ殉ｙされ、活ｉ
（１層と、該活性層を挾む如く績１１さｉｔ、たククッ
ド１−とから成る光導波路と、該光導波路の一部に形成
された周期的な凹凸と、蒔凹凸が形ｔＪｋされ／こｔＪ
ｔｌ記プ“Ｃ導波路上に形成された象、１の電極と一前
記ツＬ婢敦路上に拶ｍｌの゛覗極とは電気的に分離さ２
ｔた第２０ｍ極とτ協えてなることｔ￥ｆ徴とする。
不発ＩＪ４を実施〕る場合、合体されたレーザの両端面
に反射防止膜を設けることも可能である。
に反射防止膜を設けることも可能である。
（６） 発明の実施例
次に＋ ’６Ｓ’５１１’の図面を参照しながら、不発
明による半傅体発光Ｍ装置の好ましい例を説明する。
明による半傅体発光Ｍ装置の好ましい例を説明する。
本発明の発）ｌｃ、装置の一例は断面図とじ１姑１図に
示されている。なお、第２図は第１図に示さ１１゜てい
る装ぼ１の平面図、そし℃第３図及び第４図はそオ］、
ぞ２１、第１図の装動の線分１−１及び線分バー■にそ
ったＦＢ’ｉ ｆｆｌｊ図であるので、これらの図面も
必わせ℃参照されたい。
示されている。なお、第２図は第１図に示さ１１゜てい
る装ぼ１の平面図、そし℃第３図及び第４図はそオ］、
ぞ２１、第１図の装動の線分１−１及び線分バー■にそ
ったＦＢ’ｉ ｆｆｌｊ図であるので、これらの図面も
必わせ℃参照されたい。
図示の半導体発光装歇は１例えば次のようにして製造す
ることができる。
ることができる。
ｎ −Ｉ ｎＰ基板１上にバンドギャップエネルギーＦ
Ｊｇが１．２ｅ’Ｖよりも大であるｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
層２をエピタキシャル成長し、この成長結晶の一部。
Ｊｇが１．２ｅ’Ｖよりも大であるｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
層２をエピタキシャル成長し、この成長結晶の一部。
即ち、本実施例にあっては約２００〔μｍ〕の光導波路
の半分の領域にピッチ（周期）約４００ＯＡの周期的凹
凸（コラゲーション）３を形成する。
の半分の領域にピッチ（周期）約４００ＯＡの周期的凹
凸（コラゲーション）３を形成する。
このような凹凸は、例えばエツチングにより℃形成する
ことができる。この凹凸は、他の半導体レーザの反射面
又はへき開面に相当して一種のミラーとなり、レーザ共
振器全形成する。凹凸３の形成後、そｎ上に順次ｎ −
Ｉ ｎＧａＡｓＰ ｒｔｉ （Ｅｇ−約０．９５〜１．
１ ｅＶ ：＋ ４．活性領域としてのｐ −Ｉ ｎＧ
ａＡｓＰ Ｎｌｉ （Ｅｇ−約０．８３ ｅＶ ： こ
の層が発光層となる）５、ｐ−１ｎＧａＡｓＰ 層（Ｅ
ｇ−約０．１１〜約０．１２ ｅＶ） ６．そしてキャ
ップ層とし℃のｎ−ＩｎＧａＡａＰ層７會エピタキシャ
ル成長する。
ことができる。この凹凸は、他の半導体レーザの反射面
又はへき開面に相当して一種のミラーとなり、レーザ共
振器全形成する。凹凸３の形成後、そｎ上に順次ｎ −
Ｉ ｎＧａＡｓＰ ｒｔｉ （Ｅｇ−約０．９５〜１．
１ ｅＶ ：＋ ４．活性領域としてのｐ −Ｉ ｎＧ
ａＡｓＰ Ｎｌｉ （Ｅｇ−約０．８３ ｅＶ ： こ
の層が発光層となる）５、ｐ−１ｎＧａＡｓＰ 層（Ｅ
ｇ−約０．１１〜約０．１２ ｅＶ） ６．そしてキャ
ップ層とし℃のｎ−ＩｎＧａＡａＰ層７會エピタキシャ
ル成長する。
ここで、キャップ層７のバンドギヤップエネルギ−Ｅｇ
ｔＪ任意で、あって、それ上に形成されるべき電極との
コンタクトが良好であればよい。次いで。
ｔＪ任意で、あって、それ上に形成されるべき電極との
コンタクトが良好であればよい。次いで。
６００〜７００℃の温度で常法に従い熱拡散を行ない、
先に形成したｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層６に１で達する２つ
のストライブ（幅＝約５〜１０μｍ）状のＺｎ拡散領域
８及び９を形成する。この熱拡散工程では、図示しない
けれども、シリコン酸ｆｔ膜又はシリコン窒比膜をマス
クとして使用する。引＠続い℃電極を形成する。先ず、
スパッタリングにより、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの三重層から
なる正電極１０及び１１全前記拡散゛領域８及び９上に
それぞれ形成する。、これらの電極は１図示の通り、互
いに電気的に分離された状態にある。次いで、基板１を
裏面から研磨後、Ａｕからなる負電極１２全同様にスパ
ッタリングにより形成する。
先に形成したｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層６に１で達する２つ
のストライブ（幅＝約５〜１０μｍ）状のＺｎ拡散領域
８及び９を形成する。この熱拡散工程では、図示しない
けれども、シリコン酸ｆｔ膜又はシリコン窒比膜をマス
クとして使用する。引＠続い℃電極を形成する。先ず、
スパッタリングにより、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの三重層から
なる正電極１０及び１１全前記拡散゛領域８及び９上に
それぞれ形成する。、これらの電極は１図示の通り、互
いに電気的に分離された状態にある。次いで、基板１を
裏面から研磨後、Ａｕからなる負電極１２全同様にスパ
ッタリングにより形成する。
次に、上記のようにして製造された半導体発光装置のＣ
１作について説明する。
１作について説明する。
発光＠置のリード線１７を接地し、リード線１５より底
流■１を流すと、正電極１１の下方のＺｎ拡散領域９を
通して、活性領域５の領域９の下方の領域では利得が生
じ、凹凸３の周Ｍから決定されるところの、損失が最も
少なくかつ利得の大きい発振波長でレーザ発振がおこる
。レーザ発振した状態のま＼！ｊ−１’線１６．ｒ、り
の電流工２の注入散を変でヒさせる。電流■２がゼロで
ある時、Ｚｎ拡散領域８の下方の活性領域５は′ＭＳを
吸収し１層４の端面１３から放射される九鈑は最も少な
くなる。
流■１を流すと、正電極１１の下方のＺｎ拡散領域９を
通して、活性領域５の領域９の下方の領域では利得が生
じ、凹凸３の周Ｍから決定されるところの、損失が最も
少なくかつ利得の大きい発振波長でレーザ発振がおこる
。レーザ発振した状態のま＼！ｊ−１’線１６．ｒ、り
の電流工２の注入散を変でヒさせる。電流■２がゼロで
ある時、Ｚｎ拡散領域８の下方の活性領域５は′ＭＳを
吸収し１層４の端面１３から放射される九鈑は最も少な
くなる。
次に、寛流工２を増加させると、吸収される光の量は電
流■２の増加につれて低下していき、電流工、がある値
よりも大きくなったところでこの領域にも光利得が生じ
、増幅作用を呈するようになる。つ壕り、電流■２によ
って光出力が変調さ１することになる。以上から理解さ
れるように、もしも底流■。
流■２の増加につれて低下していき、電流工、がある値
よりも大きくなったところでこの領域にも光利得が生じ
、増幅作用を呈するようになる。つ壕り、電流■２によ
って光出力が変調さ１することになる。以上から理解さ
れるように、もしも底流■。
全一定とし、光出力の変調を底流■２のコントロールを
通じて行なうとすると、たとえ変調時であっ℃も１発振
器領域であるＺｎ拡散領域９の下部の注入キャリヤーの
変動が訃こらず１発振状態、特に発振波長が非常に安定
となる。
通じて行なうとすると、たとえ変調時であっ℃も１発振
器領域であるＺｎ拡散領域９の下部の注入キャリヤーの
変動が訃こらず１発振状態、特に発振波長が非常に安定
となる。
必要に応じて、発光装置の両端面１３及び１４に誘一体
多層膜１例えばＳ ｉ０２＋ＭｇＦ２を形成してその部
分の反射率全低下させることができる。
多層膜１例えばＳ ｉ０２＋ＭｇＦ２を形成してその部
分の反射率全低下させることができる。
このようにすると、端面からの反射がなくなり、ファブ
リ・ペローモード発掘を抑圧することができる。さらに
、光増幅器部では、矢印１８で示さオシる方向のみにし
か光が通過しなくなり、光増幅器部からの元が発振器部
まで戻されることがなくなる。
リ・ペローモード発掘を抑圧することができる。さらに
、光増幅器部では、矢印１８で示さオシる方向のみにし
か光が通過しなくなり、光増幅器部からの元が発振器部
まで戻されることがなくなる。
本発明による半導体発光装置のもう１つの好ましい例は
第５図に示される通りである。この硅酸も、基本的に前
記装置と同様な手順に従って製造することができる。唯
一の相異点は、端面をストライプに対してななめに傾け
たことである。このように構成すると、端面１３及び１
４に反射防止膜を設けなく℃も、光増幅器部から発振器
部への光の帰還全防止することができる。
第５図に示される通りである。この硅酸も、基本的に前
記装置と同様な手順に従って製造することができる。唯
一の相異点は、端面をストライプに対してななめに傾け
たことである。このように構成すると、端面１３及び１
４に反射防止膜を設けなく℃も、光増幅器部から発振器
部への光の帰還全防止することができる。
（７）発明の効果
本発明に従うと、ＤＦＢレーザの発振波長が安定である
ことと、ダブルへテロ接合に電流を注入すると活性領域
は高い光利得を得かつ光導波路となり、光を効率よく増
幅することとを利用し工いるので１発振波長全無変調時
と同（呈度に安定にかつ１本に保つことができ、また、
先出カケ大出力にしたり任意に変調したりすることがで
きる。さらに、本発明に従うと、従来技術のように発盃
器単品と光増幅器単品と乞例えばレンズを介在させ℃接
続する方式全採用し℃いないので、装置の大きさをかな
り縮小し得ることはもちろんのこと、光結合のロス、雑
音の発生、位置合わせの困難等を排除することができる
。
ことと、ダブルへテロ接合に電流を注入すると活性領域
は高い光利得を得かつ光導波路となり、光を効率よく増
幅することとを利用し工いるので１発振波長全無変調時
と同（呈度に安定にかつ１本に保つことができ、また、
先出カケ大出力にしたり任意に変調したりすることがで
きる。さらに、本発明に従うと、従来技術のように発盃
器単品と光増幅器単品と乞例えばレンズを介在させ℃接
続する方式全採用し℃いないので、装置の大きさをかな
り縮小し得ることはもちろんのこと、光結合のロス、雑
音の発生、位置合わせの困難等を排除することができる
。
再１図は本発明による発光ｇ置の一例を示した断面図、
第２図は第１図の装置の平面図。
第３図及び第４図はそれぞれ第１図の装置の組方１−１
及び線分バー■にそった断面図、そして第５図は本発明
による発光装置のもう１つの例を示した〜Ｔｉ図である
。 図中、１はｎ−ＩｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層
、３は周期的凹凸（コラーゲーション）、４はｎ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ 層、５はｐ−ＩｎＧａＡｓＰ Ｎ、６はｐ
−ｆｎＧａＡｓＰ ｒｍ、 ７ｋま ｎ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ 層、 ８及び９はＺｎ拡散領域、１０及び
１■は正電極、１２は負屯＆、１３及び１４は端面、そ
して１５゜１６及び１７はり一ト線でおる。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 チ１−理士 官 木 ル］ 弁理士 西 舘 和 之 升理十 円 １） 辛 男弁理士 山
口 昭 之 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図１
及び線分バー■にそった断面図、そして第５図は本発明
による発光装置のもう１つの例を示した〜Ｔｉ図である
。 図中、１はｎ−ＩｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層
、３は周期的凹凸（コラーゲーション）、４はｎ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ 層、５はｐ−ＩｎＧａＡｓＰ Ｎ、６はｐ
−ｆｎＧａＡｓＰ ｒｍ、 ７ｋま ｎ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ 層、 ８及び９はＺｎ拡散領域、１０及び
１■は正電極、１２は負屯＆、１３及び１４は端面、そ
して１５゜１６及び１７はり一ト線でおる。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 チ１−理士 官 木 ル］ 弁理士 西 舘 和 之 升理十 円 １） 辛 男弁理士 山
口 昭 之 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図１
Claims (1)
- １、半導体基板と、該半導体基板に形成され活性層と、
該活性層を挾む如く積層されたクラッド層とから成る光
導波路と、該光導波路の一部に形成された同期的な凹凸
と、該凹凸が形成された前記光導波路上に形成された第
１の電極と、前記光導波路上に該第１の電極とは電気的
に分離された第２の電極とを備えてなることを特徴とす
る半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58053626A JPS59181588A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58053626A JPS59181588A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181588A true JPS59181588A (ja) | 1984-10-16 |
Family
ID=12948112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58053626A Pending JPS59181588A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181588A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60206188A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-17 | Nec Corp | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ装置 |
| JPS61168980A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光素子 |
| JPS61190992A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 量子井戸型光変調器つき半導体レ−ザ |
| US4759023A (en) * | 1985-01-09 | 1988-07-19 | Nec Corporation | Monolithically integrated semiconductor optical device and method of fabricating same |
| WO2014103692A1 (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-03 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 半導体光集積回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5844785A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-15 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体レ−ザ |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58053626A patent/JPS59181588A/ja active Pending
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