JPH053367A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH053367A JPH053367A JP15884191A JP15884191A JPH053367A JP H053367 A JPH053367 A JP H053367A JP 15884191 A JP15884191 A JP 15884191A JP 15884191 A JP15884191 A JP 15884191A JP H053367 A JPH053367 A JP H053367A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barrier
- layer
- semiconductor laser
- active layer
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温時の特性劣化が生じない半導体レーザを
提供することを目的とする。 【構成】 本発明の半導体レーザは、活性層２とｐ側ク
ラッド層４との間に多重量子障壁５が設けられており、
多重量子障壁５の少なくとも一つの障壁層６に引っ張り
応力が加わる材料が用いられると共に、多重量子障壁５
の障壁層間に設けられた井戸層７の少なくとも一つに圧
縮応力が加わる材料が用いられることにより多重量子障
壁５の平均の格子定数が基板の格子定数と整合してい
る。障壁層６に引っ張り応力が加わる材料を用いること
により、そのバンドギャップを十分に高くとることがで
きる。そのため、比較的高温の環境下に置かれてもキャ
リア、特に電子が活性層からクラッド層へ溢れ出ること
を防止でき、特性の劣化が生じない。
提供することを目的とする。 【構成】 本発明の半導体レーザは、活性層２とｐ側ク
ラッド層４との間に多重量子障壁５が設けられており、
多重量子障壁５の少なくとも一つの障壁層６に引っ張り
応力が加わる材料が用いられると共に、多重量子障壁５
の障壁層間に設けられた井戸層７の少なくとも一つに圧
縮応力が加わる材料が用いられることにより多重量子障
壁５の平均の格子定数が基板の格子定数と整合してい
る。障壁層６に引っ張り応力が加わる材料を用いること
により、そのバンドギャップを十分に高くとることがで
きる。そのため、比較的高温の環境下に置かれてもキャ
リア、特に電子が活性層からクラッド層へ溢れ出ること
を防止でき、特性の劣化が生じない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は活性層とｐ側クラッド層
との間に電子に対する障壁が設けられた半導体レーザに
関するものである。
との間に電子に対する障壁が設けられた半導体レーザに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＡｌＧａＩｎＰを用いた可視光半
導体レーザが実用化されてきた。実用化されているＡｌ
ＧａＩｎＰ半導体レーザの発振波長は０．６７μｍ程度
である。これをＨｅ−Ｎｅガスレーザの０．６３３μｍ
まで短波長化する研究が盛んに進められている。短波長
化するには、半導体レーザの活性層のバンドギャップを
大きくすれば良い。しかし、この場合、活性層とクラッ
ド層のバンドギャップの差が小さくなり、キャリア、特
に電子の閉じ込めが悪くなり高温動作時の特性が悪化す
るという問題があった。そこで、活性層とｐ側クラッド
層との間に多重量子障壁を用いるという方法（エレクト
ロニクスレターズ１９８６年２２巻 １００８ページ、
１９９０年秋期応用物理学会、２７ｐ−Ｒ−２など）
や、Ａｌ組成の高いインナークラッド部を設ける方法
（特願平２−１５３４１２号）などが考えられている。
導体レーザが実用化されてきた。実用化されているＡｌ
ＧａＩｎＰ半導体レーザの発振波長は０．６７μｍ程度
である。これをＨｅ−Ｎｅガスレーザの０．６３３μｍ
まで短波長化する研究が盛んに進められている。短波長
化するには、半導体レーザの活性層のバンドギャップを
大きくすれば良い。しかし、この場合、活性層とクラッ
ド層のバンドギャップの差が小さくなり、キャリア、特
に電子の閉じ込めが悪くなり高温動作時の特性が悪化す
るという問題があった。そこで、活性層とｐ側クラッド
層との間に多重量子障壁を用いるという方法（エレクト
ロニクスレターズ１９８６年２２巻 １００８ページ、
１９９０年秋期応用物理学会、２７ｐ−Ｒ−２など）
や、Ａｌ組成の高いインナークラッド部を設ける方法
（特願平２−１５３４１２号）などが考えられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの方法
を用いても、十分に高い障壁を得ることができなかった
ために、キャリアの閉じ込めに関して、必ずしも満足の
ゆく効果を得ることができていない。本発明の課題は、
このような問題点を解消し、バンドギャップの高い量子
障壁を持つことができる半導体レーザを提供することに
ある。
を用いても、十分に高い障壁を得ることができなかった
ために、キャリアの閉じ込めに関して、必ずしも満足の
ゆく効果を得ることができていない。本発明の課題は、
このような問題点を解消し、バンドギャップの高い量子
障壁を持つことができる半導体レーザを提供することに
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そのために本発明の半導
体レーザは、活性層とｐ側クラッド層との間に、引っ張
り応力が加わる材料による障壁を設けたものである。
体レーザは、活性層とｐ側クラッド層との間に、引っ張
り応力が加わる材料による障壁を設けたものである。
【０００５】
【作用】障壁層に引っ張り応力が加わる材料を用いるこ
とにより、そのバンドギャップを高くとることができ
る。これにより、キャリア、特に電子が活性層からクラ
ッド層へ溢れ出ることをより効果的に防止できる。ただ
し、この層に与えられるひずみ量と厚みは転移が生じな
いような値にすることが望ましい。障壁は単層構造でも
多層構造でもよい。多層構造の場合は、障壁層と障壁層
の間のバンドギャップの低い部分に反対側の歪みをいれ
て、全体の歪みを緩和させることができる。この場合、
障壁層一層当たりの歪み量を大きくしても、すなわち、
実効的なバリア高さを高くしても、全体の歪み量を小さ
くすることができ都合がよい。
とにより、そのバンドギャップを高くとることができ
る。これにより、キャリア、特に電子が活性層からクラ
ッド層へ溢れ出ることをより効果的に防止できる。ただ
し、この層に与えられるひずみ量と厚みは転移が生じな
いような値にすることが望ましい。障壁は単層構造でも
多層構造でもよい。多層構造の場合は、障壁層と障壁層
の間のバンドギャップの低い部分に反対側の歪みをいれ
て、全体の歪みを緩和させることができる。この場合、
障壁層一層当たりの歪み量を大きくしても、すなわち、
実効的なバリア高さを高くしても、全体の歪み量を小さ
くすることができ都合がよい。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の一実施例である半導体レーザ
の活性層付近のエネルギバンドダイヤグラムであり、実
線１は伝導帯レベルを表している。この半導体レーザ
は、基板としてＧａＡｓ基板が用いられており、活性層
２としてアンドープ（Ａｌ0. 2 Ｇａ0.8 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐ、ｎ型クラッド層３としてｎ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ、ｐ型クラッド層４としてｐ−（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐがそれぞれ用いられてい
る。多重量子障壁５には、障壁層６としてｐ−（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.6 Ｉｎ0.4 Ｐ、井戸層７としてｐ−
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.4 Ｉｎ0.6 Ｐが用いられてい
る。
の活性層付近のエネルギバンドダイヤグラムであり、実
線１は伝導帯レベルを表している。この半導体レーザ
は、基板としてＧａＡｓ基板が用いられており、活性層
２としてアンドープ（Ａｌ0. 2 Ｇａ0.8 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐ、ｎ型クラッド層３としてｎ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ、ｐ型クラッド層４としてｐ−（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐがそれぞれ用いられてい
る。多重量子障壁５には、障壁層６としてｐ−（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.6 Ｉｎ0.4 Ｐ、井戸層７としてｐ−
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.4 Ｉｎ0.6 Ｐが用いられてい
る。
【０００７】この実施例によると、大きなバンドギャッ
プを持つ材料を用いて障壁層６が形成されているため、
活性層２からｐ側クラッド層４へのキャリアの溢れだし
を効果的に防止できる。しかし一方では、この材料はＧ
ａＡｓ基板との格子整合がとれておらず引っ張り応力が
加わっているため、たとえ各障壁層６の厚みが臨界膜厚
以下でも、何も対策を施さなければ転位が入る可能性が
ある。そこで、この実施例では、井戸層７に障壁層６と
反対向きの歪みが加わるような、すなわち圧縮応力が加
わるような材料が用いられており、障壁層６と井戸層７
の平均の格子定数が基板のそれに対して格子整合してい
る。したがって、転位は発生しない。また、従来のよう
に格子整合のとれる範囲内で障壁を高くするためにＡｌ
を多く含む材料を用いると、ｐ型不純物（通常は亜鉛）
のドーピングが難しいが、本実施例のように比較的Ａｌ
組成を低くしたまま障壁を高くするとドーピングが容易
となる。障壁層６と井戸層７の層厚の設計において留意
する点は、転位の発生防止のために各層の厚みをその層
の歪みに対する臨界膜厚以下することと、その範囲で電
子に対する障壁の効果が可能な限り大きくなるようにす
ることである。
プを持つ材料を用いて障壁層６が形成されているため、
活性層２からｐ側クラッド層４へのキャリアの溢れだし
を効果的に防止できる。しかし一方では、この材料はＧ
ａＡｓ基板との格子整合がとれておらず引っ張り応力が
加わっているため、たとえ各障壁層６の厚みが臨界膜厚
以下でも、何も対策を施さなければ転位が入る可能性が
ある。そこで、この実施例では、井戸層７に障壁層６と
反対向きの歪みが加わるような、すなわち圧縮応力が加
わるような材料が用いられており、障壁層６と井戸層７
の平均の格子定数が基板のそれに対して格子整合してい
る。したがって、転位は発生しない。また、従来のよう
に格子整合のとれる範囲内で障壁を高くするためにＡｌ
を多く含む材料を用いると、ｐ型不純物（通常は亜鉛）
のドーピングが難しいが、本実施例のように比較的Ａｌ
組成を低くしたまま障壁を高くするとドーピングが容易
となる。障壁層６と井戸層７の層厚の設計において留意
する点は、転位の発生防止のために各層の厚みをその層
の歪みに対する臨界膜厚以下することと、その範囲で電
子に対する障壁の効果が可能な限り大きくなるようにす
ることである。
【０００８】この半導体レーザの各層の形成は有機金属
気相合成法（ＯＭＶＰＥ法）を用いて行うことができ
る。その際に特に注意すべき点は、ｐドーパント（通常
は亜鉛）の拡散により多重量子障壁が壊れないように成
長条件を決めることである。発明者による実験では、亜
鉛とＩＩＩ族の原料供給比を１として７００℃でＯＭＶ
ＰＥ成長した場合、７０オングストローム程度の構造は
壊れずに残っており問題がなかった。
気相合成法（ＯＭＶＰＥ法）を用いて行うことができ
る。その際に特に注意すべき点は、ｐドーパント（通常
は亜鉛）の拡散により多重量子障壁が壊れないように成
長条件を決めることである。発明者による実験では、亜
鉛とＩＩＩ族の原料供給比を１として７００℃でＯＭＶ
ＰＥ成長した場合、７０オングストローム程度の構造は
壊れずに残っており問題がなかった。
【０００９】なお、本実施例では、障壁層６としてｐ−
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.6 Ｉｎ０．４ Ｐ、井戸層７と
してｐ−（Ａｌ０．７ Ｇａ0.3 ）0.4 Ｉｎ0.6 Ｐがそ
れぞれ用いられているが、一般的に示すと、障壁層６を
ｐ−（Ａｌa Ｇａ1-a ）b Ｉｎ1-b Ｐ、井戸層７をｐ−
（Ａｌc Ｇａ1-c ）d Ｉｎ1-d Ｐとしたとき、１≧ｂ＞
０．５≧ｄ≧０を満足させれば本発明の効果がある。な
お、添字ａおよびｃについては、通常は１≧ａ≧ｃ≧０
であるが、歪み量が十分に大きい場合は、ａ＜ｃとなっ
てもよい。また、各障壁層および各井戸層の組成比（添
字ａ，ｂ，ｃ，ｄ）は互いに異なっていてもよい。転位
が入らないようにする条件は、これらの定数にあわせて
実験で求めれば良い。
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.6 Ｉｎ０．４ Ｐ、井戸層７と
してｐ−（Ａｌ０．７ Ｇａ0.3 ）0.4 Ｉｎ0.6 Ｐがそ
れぞれ用いられているが、一般的に示すと、障壁層６を
ｐ−（Ａｌa Ｇａ1-a ）b Ｉｎ1-b Ｐ、井戸層７をｐ−
（Ａｌc Ｇａ1-c ）d Ｉｎ1-d Ｐとしたとき、１≧ｂ＞
０．５≧ｄ≧０を満足させれば本発明の効果がある。な
お、添字ａおよびｃについては、通常は１≧ａ≧ｃ≧０
であるが、歪み量が十分に大きい場合は、ａ＜ｃとなっ
てもよい。また、各障壁層および各井戸層の組成比（添
字ａ，ｂ，ｃ，ｄ）は互いに異なっていてもよい。転位
が入らないようにする条件は、これらの定数にあわせて
実験で求めれば良い。
【００１０】上記の実施例では電子に対する障壁が多重
量子障壁であるが、必ずしも量子障壁である必要はな
い。量子効果のない多重障壁として、例えば、厚みが７
０オングストロームの（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.57Ｉｎ
0.43Ｐからなる障壁層を３層有し、これらの障壁層の間
に障壁層よりもバンドギャップの小さい厚みが５０オン
グストロームの（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.52Ｉｎ0.48Ｐか
らなる層を介在させたものなどが考えられる。
量子障壁であるが、必ずしも量子障壁である必要はな
い。量子効果のない多重障壁として、例えば、厚みが７
０オングストロームの（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.57Ｉｎ
0.43Ｐからなる障壁層を３層有し、これらの障壁層の間
に障壁層よりもバンドギャップの小さい厚みが５０オン
グストロームの（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.52Ｉｎ0.48Ｐか
らなる層を介在させたものなどが考えられる。
【００１１】また、障壁は単層で形成してもよい。例え
ば、厚み１００オングストロームのＡｌ0.57Ｉｎ0.43Ｐ
の１層からなる障壁を活性層とｐ側クラッド層との間に
設けてもよい。
ば、厚み１００オングストロームのＡｌ0.57Ｉｎ0.43Ｐ
の１層からなる障壁を活性層とｐ側クラッド層との間に
設けてもよい。
【００１２】なお、上述した実施例は、すべてＡｌＧａ
ＩｎＰを活性層とする半導体レーザであるが、本発明の
半導体レーザはこれに限定されるものではない。例え
ば、ＧａＩｎＡｓを活性層とする半導体レーザにおいて
は、ＡｌＧａＩｎＡｓＰおよびＡｌＧａＩｎＡｓを用い
た障壁層とこれらの各層を隔てるバンドギャップの小さ
い層の組み合わせにより、多重障壁を作ることができ
る。
ＩｎＰを活性層とする半導体レーザであるが、本発明の
半導体レーザはこれに限定されるものではない。例え
ば、ＧａＩｎＡｓを活性層とする半導体レーザにおいて
は、ＡｌＧａＩｎＡｓＰおよびＡｌＧａＩｎＡｓを用い
た障壁層とこれらの各層を隔てるバンドギャップの小さ
い層の組み合わせにより、多重障壁を作ることができ
る。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザによれば、障壁層に引っ張り応力が加わる材料を用
いることにより障壁を高め、キャリア、特に電子が活性
層からｐ側クラッド層へ溢れ出ることを防止できる。し
たがって、高い環境温度の中で動作させても特性の劣化
が生じにくい。
ーザによれば、障壁層に引っ張り応力が加わる材料を用
いることにより障壁を高め、キャリア、特に電子が活性
層からｐ側クラッド層へ溢れ出ることを防止できる。し
たがって、高い環境温度の中で動作させても特性の劣化
が生じにくい。
【図１】本発明の一実施例である半導体レーザの活性層
付近のエネルギバンドダイヤグラムる。
付近のエネルギバンドダイヤグラムる。
１…伝導帯レベル
２…活性層
３…ｎ型クラッド層
４…ｐ型クラッド層
５…多重量子障壁
６…障壁層
７…井戸層
Claims (4)
- 【請求項１】 活性層とｐ側クラッド層との間に電子に
対する障壁が設けられている半導体レーザにおいて、前
記障壁に引っ張り応力が加わる材料が用いられれている
半導体レーザ。 - 【請求項２】 障壁が多重障壁であることを特徴とする
請求項１に記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 多重障壁の各障壁間に圧縮応力が加わる
材料が用いられていることを特徴とする請求項２に記載
の半導体レーザ。 - 【請求項４】 活性層の材料がＡｌＧａＩｎＰであり、
多重障壁の障壁層の材料がｐ−（Ａｌa Ｇａ1-a ）b Ｉ
ｎ1-bＰ、障壁層間の材料がｐ−（Ａｌc Ｇａ1-c ）d
Ｉｎ1-d Ｐ、ただし、１≧ｂ＞０．５≧ｄ≧０であるこ
とを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15884191A JP3149879B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-06-28 | 半導体レーザ |
| US07/892,805 US5274656A (en) | 1991-06-12 | 1992-06-08 | Semiconductor laser |
| EP92109831A EP0518320B1 (en) | 1991-06-12 | 1992-06-11 | Semiconductor laser |
| CA002071025A CA2071025C (en) | 1991-06-12 | 1992-06-11 | Semiconductor laser |
| DE69227403T DE69227403T2 (de) | 1991-06-12 | 1992-06-11 | Halbleiterlaser |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198091 | 1991-02-01 | ||
| JP3-11980 | 1991-02-01 | ||
| JP15884191A JP3149879B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-06-28 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053367A true JPH053367A (ja) | 1993-01-08 |
| JP3149879B2 JP3149879B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=26347510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15884191A Expired - Fee Related JP3149879B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-06-28 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3149879B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06237038A (ja) * | 1993-02-08 | 1994-08-23 | Nec Corp | ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子 |
| JPH06237049A (ja) * | 1993-01-11 | 1994-08-23 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ヘテロ構造半導体発光素子 |
| US5502739A (en) * | 1993-04-05 | 1996-03-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US5555271A (en) * | 1993-12-27 | 1996-09-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200484295Y1 (ko) * | 2015-09-01 | 2017-08-23 | 이대원 | 브래지어패드커버 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP15884191A patent/JP3149879B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06237049A (ja) * | 1993-01-11 | 1994-08-23 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ヘテロ構造半導体発光素子 |
| JPH06237038A (ja) * | 1993-02-08 | 1994-08-23 | Nec Corp | ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子 |
| JP2536713B2 (ja) * | 1993-02-08 | 1996-09-18 | 日本電気株式会社 | ＡｌＧａＩｎＰ半導体レ―ザ素子 |
| US5502739A (en) * | 1993-04-05 | 1996-03-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US5600667A (en) * | 1993-04-05 | 1997-02-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US6055253A (en) * | 1993-04-05 | 2000-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device with an optical guide layer |
| US5555271A (en) * | 1993-12-27 | 1996-09-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3149879B2 (ja) | 2001-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5929462A (en) | Semiconductor optical device having a strained quantum well structure | |
| JP4554526B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2724827B2 (ja) | 赤外発光素子 | |
| JP2002533941A (ja) | 格子不整合量子源の機械的安定 | |
| EP1081817B1 (en) | A semiconductor device | |
| JP3589301B2 (ja) | 量子層の構造 | |
| US9401404B2 (en) | Semiconductor device and fabrication method | |
| WO2006044124A1 (en) | Method and structure for deep well structures for long wavelength active regions | |
| US9099842B2 (en) | Laser emission systems, heterostructure and active zone having coupled quantum-wells, and use for 1.55 mm laser emission | |
| JP2969979B2 (ja) | オプトエレクトロニクス部品用の半導体構造 | |
| JP4641230B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| US8879595B2 (en) | Quantum cascade structures on metamorphic buffer layer structures | |
| JP3149879B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP4886634B2 (ja) | 量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、及び量子井戸構造の製造方法 | |
| JP2000058964A (ja) | 量子井戸構造光半導体素子 | |
| CN112636179A (zh) | 量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器 | |
| Liou et al. | Numerical study for 1.55-μm AlGaInAs/InP semiconductor lasers | |
| JPH0541560A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| Monserrat et al. | the properties of long wavelength strained layer superlattice lasers grown by MOVPE | |
| JPH10242511A (ja) | 歪多重量子井戸構造 | |
| JPH06104534A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2970103B2 (ja) | 半導体超格子構造 | |
| Ogasawara et al. | Effects of increased growth rate of well layer on 2.1% compressive strained InAsP-MQWs grown by metalorganic molecular beam epitaxy (MOMBE) | |
| Kitatani et al. | Variation in photoluminescence of highly strained GaInNAs/GaAs multiple-quantum-well structures with different thickness GaAs barrier layers | |
| KR100425081B1 (ko) | 반도체레이저다이오드제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090119 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090119 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100119 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110119 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |