JPH0529715A - 歪量子井戸構造半導体素子 - Google Patents
歪量子井戸構造半導体素子Info
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- JPH0529715A JPH0529715A JP3186174A JP18617491A JPH0529715A JP H0529715 A JPH0529715 A JP H0529715A JP 3186174 A JP3186174 A JP 3186174A JP 18617491 A JP18617491 A JP 18617491A JP H0529715 A JPH0529715 A JP H0529715A
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- Japan
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- layer
- strained quantum
- well structure
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 歪量子井戸構造では結晶を積層するにしたが
い、格子不整合（歪）は徐々に緩和され、量子効果が減
じてしまうという欠点を除く。 【構成】 歪量子井戸構造半導体素子において、半導体
基板１０と僅かに格子不整するような組成の混晶半導体
を障壁層６１〜６６として用いる。
い、格子不整合（歪）は徐々に緩和され、量子効果が減
じてしまうという欠点を除く。 【構成】 歪量子井戸構造半導体素子において、半導体
基板１０と僅かに格子不整するような組成の混晶半導体
を障壁層６１〜６６として用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子，特にＭＯＶ
ＰＥ法，ＭＢＥ法など気相成長法を用いて形成される歪
量子井戸構造半導体素子に関する。
ＰＥ法，ＭＢＥ法など気相成長法を用いて形成される歪
量子井戸構造半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機金属気相エピタキシ−（ＭＯ
ＶＰＥ）法，分子線エピタキシ−（ＭＢＥ）法などの薄
膜結晶成長技術の急速な進展に伴い、単原子層の厚さの
精度で急峻な組成変化をもった良質な半導体ヘテロ接合
界面が製作されるようになった。これらヘテロ接合によ
って形成されるポテンシャル井戸構造，超格子構造では
電子の波動性に起因する特異な光学特性，電気特性を有
しておりデバイス応用への研究が活発化している。
ＶＰＥ）法，分子線エピタキシ−（ＭＢＥ）法などの薄
膜結晶成長技術の急速な進展に伴い、単原子層の厚さの
精度で急峻な組成変化をもった良質な半導体ヘテロ接合
界面が製作されるようになった。これらヘテロ接合によ
って形成されるポテンシャル井戸構造，超格子構造では
電子の波動性に起因する特異な光学特性，電気特性を有
しておりデバイス応用への研究が活発化している。
【０００３】例えば、量子井戸層を活性層とした量子井
戸構造半導体レーザは前述のような量子サイズ効果によ
って生じる高い状態密度をもつ量子準位間の電子遷移を
利用したもので、従来のダブルヘテロ接合半導体レーザ
に比べ、(1)低発振しきい値電流，(2) 温度安定性，(3)
高い発光効率，(4) 緩和振動周波数の増大，(5) スペ
クトル線幅，発振波長（周波数）が時間により変化する
チャーピングの低減など、多くの特徴を有していること
が報告されている。これらの優れた特性は、２次元平面
内に電子および正孔を局在させたために生じた量子力学
的効果によるものである。
戸構造半導体レーザは前述のような量子サイズ効果によ
って生じる高い状態密度をもつ量子準位間の電子遷移を
利用したもので、従来のダブルヘテロ接合半導体レーザ
に比べ、(1)低発振しきい値電流，(2) 温度安定性，(3)
高い発光効率，(4) 緩和振動周波数の増大，(5) スペ
クトル線幅，発振波長（周波数）が時間により変化する
チャーピングの低減など、多くの特徴を有していること
が報告されている。これらの優れた特性は、２次元平面
内に電子および正孔を局在させたために生じた量子力学
的効果によるものである。
【０００４】さらに近年、転位などの格子欠陥を生ぜず
に歪みを意図的に内在させた，いわゆる歪み超格子の研
究がすすめられている。この歪み超格子では、格子定数
ばかりでなく電子状態も変化するため、組成と層厚を変
えることにより、禁制帯幅を連続的に変えることが可能
である。また、同時にバンド構造も変化するため価電子
帯の重い正孔の有効質量を下げることができる。このよ
うな歪み超格子は、高移動度トランジスタ（Pseudomorp
hic ＨＥＭＴ）や共鳴トンネルダイオード（Pseudomorp
hic ＲＥＴ）などの電子デバイスに、また半導体レーザ
や発光ダイオードなどの光デバイスへの応用が期待され
ている。
に歪みを意図的に内在させた，いわゆる歪み超格子の研
究がすすめられている。この歪み超格子では、格子定数
ばかりでなく電子状態も変化するため、組成と層厚を変
えることにより、禁制帯幅を連続的に変えることが可能
である。また、同時にバンド構造も変化するため価電子
帯の重い正孔の有効質量を下げることができる。このよ
うな歪み超格子は、高移動度トランジスタ（Pseudomorp
hic ＨＥＭＴ）や共鳴トンネルダイオード（Pseudomorp
hic ＲＥＴ）などの電子デバイスに、また半導体レーザ
や発光ダイオードなどの光デバイスへの応用が期待され
ている。
【０００５】後者の例として、Ｐ．Ｊ．Ａ．タイス
（Ｐ．Ｊ．Ａ．Ｔhijs）等は1991年１月米国にて開催さ
れた国際会議（Conference on Optical Fiber communic
ation ：ＯＦＣ’９１）ＷＢ２において、１．２〜１．
８％の圧縮歪を加えたＩｎx Ｇａi-x Ａｓ（Ｘ＝０．７
−０．８）を量子井戸層，ＩｎＧａＡｓＰを障壁層とし
た歪量子井戸構造を活性層に用いた１．５μｍ帯半導体
レーザに関し、２０℃における連続動作（ＣＷ）条件で
３２５ｍＷの大出力動作を報告している。
（Ｐ．Ｊ．Ａ．Ｔhijs）等は1991年１月米国にて開催さ
れた国際会議（Conference on Optical Fiber communic
ation ：ＯＦＣ’９１）ＷＢ２において、１．２〜１．
８％の圧縮歪を加えたＩｎx Ｇａi-x Ａｓ（Ｘ＝０．７
−０．８）を量子井戸層，ＩｎＧａＡｓＰを障壁層とし
た歪量子井戸構造を活性層に用いた１．５μｍ帯半導体
レーザに関し、２０℃における連続動作（ＣＷ）条件で
３２５ｍＷの大出力動作を報告している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし前述の歪量子井
戸構造では、結晶の成長時に本質的に格子不整合は積層
方向で徐々に緩和されるため、層内および層間で歪量に
微妙な相違が生じ、デバイス特性が本来期待されるもの
より劣ってしまうという欠点を有していた。
戸構造では、結晶の成長時に本質的に格子不整合は積層
方向で徐々に緩和されるため、層内および層間で歪量に
微妙な相違が生じ、デバイス特性が本来期待されるもの
より劣ってしまうという欠点を有していた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに本発明が提供する手段は、歪量子井戸構造半導体素
子において、半導体基板と格子不整を有する組成の混晶
半導体を障壁層として用いることである。
めに本発明が提供する手段は、歪量子井戸構造半導体素
子において、半導体基板と格子不整を有する組成の混晶
半導体を障壁層として用いることである。
【０００８】
【作用】本発明では、歪量子井戸構造半導体素子におい
て、半導体基板と格子不整を有する組成の混晶半導体を
障壁層として用いることによって、歪量子井戸層間，障
壁層間に生じる歪量の微妙な相違を補正し、本来期待さ
れる量子効果を得るものである。以下にこの原理につい
て図を参照して説明する。
て、半導体基板と格子不整を有する組成の混晶半導体を
障壁層として用いることによって、歪量子井戸層間，障
壁層間に生じる歪量の微妙な相違を補正し、本来期待さ
れる量子効果を得るものである。以下にこの原理につい
て図を参照して説明する。
【０００９】図４（ａ），（ｂ）は、半導体基板上に歪
量子井戸層および半導体基板と格子整合する障壁層を順
次積層した場合の、歪量と伝導帯のエネルギーバンド図
である。歪量子井戸層の歪みは成長に伴い徐々に緩和さ
れ、一方障壁層は歪量子井戸層の影響を受け、僅か歪量
子井戸層と逆の向きに歪む。すなわち、歪量子井戸層の
歪みが圧縮性であれば障壁層には伸張性の，井戸層の歪
みが伸張性であれば障壁層には圧縮性の歪みが加わり、
歪量子井戸層の歪みは減少する。さらに積層するに従
い、各層は下地の平均的な応力を受け上記の傾向は助長
される。このような現象はエネルギーバンドにも反映さ
れ、積層方向で量子準位のエネルギが変化するため、量
子効果が減じてしまう。
量子井戸層および半導体基板と格子整合する障壁層を順
次積層した場合の、歪量と伝導帯のエネルギーバンド図
である。歪量子井戸層の歪みは成長に伴い徐々に緩和さ
れ、一方障壁層は歪量子井戸層の影響を受け、僅か歪量
子井戸層と逆の向きに歪む。すなわち、歪量子井戸層の
歪みが圧縮性であれば障壁層には伸張性の，井戸層の歪
みが伸張性であれば障壁層には圧縮性の歪みが加わり、
歪量子井戸層の歪みは減少する。さらに積層するに従
い、各層は下地の平均的な応力を受け上記の傾向は助長
される。このような現象はエネルギーバンドにも反映さ
れ、積層方向で量子準位のエネルギが変化するため、量
子効果が減じてしまう。
【００１０】従って、障壁層に基板と適当な格子不整を
有する組成の混晶半導体を用い、歪量子井戸層から受け
る応力を補正することによって、上述の影響を避けるこ
とが可能である。
有する組成の混晶半導体を用い、歪量子井戸層から受け
る応力を補正することによって、上述の影響を避けるこ
とが可能である。
【００１１】
【実施例】本発明による第１の実施例を図１を参照して
詳細に説明する。歪量子井戸構造の成長法としては有機
金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法を用いた。図１（ａ）
に、本発明によるＩｎＰ基板上に成長した歪量子井戸構
造の断面図を示す。図に示すように歪量子井戸活性層４
０は、５層はＩｎＧａＡｓ歪量子井戸層５０（歪：＋
１．０％，厚さ３２オングストローム），厚さ６００オ
ングストロームのＩｎi-x Ｇａx Ａｓy Ｐi-y 障壁層６
１〜６６からなり、障壁層６１，６６は基板と格子整合
し（組成：ｘ＝０．１６，ｙ＝０．３６：１．１５μ
ｍ），障壁層６２，６５は基板に対し−０．１％，障壁
層６３，６４は基板に対し−０．２％の格子不整量とな
るよう組成ｘ，およびｙを上記の値より僅か変えて成長
させたものである。
詳細に説明する。歪量子井戸構造の成長法としては有機
金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法を用いた。図１（ａ）
に、本発明によるＩｎＰ基板上に成長した歪量子井戸構
造の断面図を示す。図に示すように歪量子井戸活性層４
０は、５層はＩｎＧａＡｓ歪量子井戸層５０（歪：＋
１．０％，厚さ３２オングストローム），厚さ６００オ
ングストロームのＩｎi-x Ｇａx Ａｓy Ｐi-y 障壁層６
１〜６６からなり、障壁層６１，６６は基板と格子整合
し（組成：ｘ＝０．１６，ｙ＝０．３６：１．１５μ
ｍ），障壁層６２，６５は基板に対し−０．１％，障壁
層６３，６４は基板に対し−０．２％の格子不整量とな
るよう組成ｘ，およびｙを上記の値より僅か変えて成長
させたものである。
【００１２】このように形成した成長層をフォトルミネ
ッセンス（ＰＬ）法により評価したところ、従来の障壁
層に格子不整を与えずに形成した成長層に比べ、ＰＬ半
値幅が約７０％と狭く、またＰＬ強度も約５０％強いス
ペクトルが得られ、本発明によって量子効果の改善が明
確に認められた。
ッセンス（ＰＬ）法により評価したところ、従来の障壁
層に格子不整を与えずに形成した成長層に比べ、ＰＬ半
値幅が約７０％と狭く、またＰＬ強度も約５０％強いス
ペクトルが得られ、本発明によって量子効果の改善が明
確に認められた。
【００１３】図（ｂ）は上記の構造を用いた歪量子井戸
レーザの断面図である。回折格子（周期：２４１０オン
グストローム）１２を形成したｎ−ＩｎＰ半導体基板１
０上に１．１５μｍ組成のｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層
１５（層厚：０．１２μｍ），ｎ−ＩｎＰ層（層厚：
０．０２μｍ）２０，歪量子井戸活性層４０，ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層８０（層厚：０．８μｍ）を成長後、ＬＰ
Ｅ法を用い活性層幅が約１．５μｍの二重チャネルプレ
ーナ埋め込み構造（Double Channel Planer Buried Het
erostructure：ＤＣ−ＰＢＨ）の分布帰還形歪量子井戸
レーザを形成した。
レーザの断面図である。回折格子（周期：２４１０オン
グストローム）１２を形成したｎ−ＩｎＰ半導体基板１
０上に１．１５μｍ組成のｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層
１５（層厚：０．１２μｍ），ｎ−ＩｎＰ層（層厚：
０．０２μｍ）２０，歪量子井戸活性層４０，ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層８０（層厚：０．８μｍ）を成長後、ＬＰ
Ｅ法を用い活性層幅が約１．５μｍの二重チャネルプレ
ーナ埋め込み構造（Double Channel Planer Buried Het
erostructure：ＤＣ−ＰＢＨ）の分布帰還形歪量子井戸
レーザを形成した。
【００１４】共振器長１．２mmにへき開後、前方および
後方端面にそれぞれ無反射，高反射コーティングを施し
て素子特性を評価したところ、発振波長が１．５５μ
ｍ，発振閾電流として１０〜１５ｍＡが得られた。また
室温ＣＷ駆動で光出力３０ｍＷ時において５０ｋＨｚと
従来にない狭スペクトル線幅が得られた。
後方端面にそれぞれ無反射，高反射コーティングを施し
て素子特性を評価したところ、発振波長が１．５５μ
ｍ，発振閾電流として１０〜１５ｍＡが得られた。また
室温ＣＷ駆動で光出力３０ｍＷ時において５０ｋＨｚと
従来にない狭スペクトル線幅が得られた。
【００１５】
【実施例２】本発明による第２の実施例を図２を参照し
て説明する。図２は、本発明による歪量子井戸構造の断
面図である。第１の実施例と本実施例との違いは、本実
施例においては各障壁層は層厚が異なるように成長時間
を変化させた以外は基板に対し一定の格子不整量となる
組成にて成長させている点である。
て説明する。図２は、本発明による歪量子井戸構造の断
面図である。第１の実施例と本実施例との違いは、本実
施例においては各障壁層は層厚が異なるように成長時間
を変化させた以外は基板に対し一定の格子不整量となる
組成にて成長させている点である。
【００１６】図に示すように歪量子井戸活性層４０は、
１０層のＩｎＧａＡｓ歪量子井戸層５０（歪：＋１．５
％，厚さ２８オングストローム），および基板に対し−
０．２％の格子不整量となる組成の層厚の異なるＩｎ
i-x Ｇａx Ａｓy Ｐi-y 障壁層（組成ｘ，およびｙはそ
れぞれ０．１６，０．３６より僅か変化させた）６１〜
６９および基板と格子整合し（組成ｘ＝０．１６，ｙ＝
０．３６：１．１５μｍ）層厚が６００オングストロー
ムの障壁層６０，７０からなる。障壁層６１，６９は層
厚が７０オングストローム，障壁層６２，６８は層厚が
８０オングストローム，障壁層６３，６７は層厚が１０
０オングストローム，障壁層６４，６６は層厚が１２０
オングストローム，障壁層６５は層厚が１４０オングス
トロームとした。
１０層のＩｎＧａＡｓ歪量子井戸層５０（歪：＋１．５
％，厚さ２８オングストローム），および基板に対し−
０．２％の格子不整量となる組成の層厚の異なるＩｎ
i-x Ｇａx Ａｓy Ｐi-y 障壁層（組成ｘ，およびｙはそ
れぞれ０．１６，０．３６より僅か変化させた）６１〜
６９および基板と格子整合し（組成ｘ＝０．１６，ｙ＝
０．３６：１．１５μｍ）層厚が６００オングストロー
ムの障壁層６０，７０からなる。障壁層６１，６９は層
厚が７０オングストローム，障壁層６２，６８は層厚が
８０オングストローム，障壁層６３，６７は層厚が１０
０オングストローム，障壁層６４，６６は層厚が１２０
オングストローム，障壁層６５は層厚が１４０オングス
トロームとした。
【００１７】この場合では、前述したように歪量子井戸
層，および他の（歪）障壁層の影響により層間に生じる
歪量の相違を障壁層の層厚によって補正し、各々の歪量
子井戸層の歪量がほぼ同じになるようにしている。
層，および他の（歪）障壁層の影響により層間に生じる
歪量の相違を障壁層の層厚によって補正し、各々の歪量
子井戸層の歪量がほぼ同じになるようにしている。
【００１８】
【実施例３】本発明による第３の実施例を図３を参照し
て説明する。図３は、本発明による歪量子井戸構造の断
面図である。第１および第２の実施例と本実施例との違
いは、本実施例において歪量子井戸層としてＩｎi-x Ｇ
ａx Ａｓy Ｐi-y を用いている点にある。
て説明する。図３は、本発明による歪量子井戸構造の断
面図である。第１および第２の実施例と本実施例との違
いは、本実施例において歪量子井戸層としてＩｎi-x Ｇ
ａx Ａｓy Ｐi-y を用いている点にある。
【００１９】図に示すように歪量子井戸活性層４０は、
基板に格子整合した場合、１．５５μｍとなるＩｎi-x
Ｇａx Ａｓy Ｐi-y （ｘ＝０．３７，ｙ＝０．８２）を
元に歪量が＋１．２％となるように組成ｘ，およびｙを
僅か変化させた４層のＩｎi-x Ｇａx Ａｓy Ｐi-y 歪量
子井戸層５０（厚さ４２オングストローム），および障
壁層６１〜６５，ガイド層７１〜７４からなる。
基板に格子整合した場合、１．５５μｍとなるＩｎi-x
Ｇａx Ａｓy Ｐi-y （ｘ＝０．３７，ｙ＝０．８２）を
元に歪量が＋１．２％となるように組成ｘ，およびｙを
僅か変化させた４層のＩｎi-x Ｇａx Ａｓy Ｐi-y 歪量
子井戸層５０（厚さ４２オングストローム），および障
壁層６１〜６５，ガイド層７１〜７４からなる。
【００２０】ガイド層は厚さ２００オングストローム，
１．１５μｍのＩｎi-x Ｇａx Ａｓy Ｐi-y 層７２，７
３，厚さ４００オングストローム，１．０５μｍＩｎ
i-x Ｇａx Ａｓy Ｐi-y 層７１，７４から構成されてい
る。
１．１５μｍのＩｎi-x Ｇａx Ａｓy Ｐi-y 層７２，７
３，厚さ４００オングストローム，１．０５μｍＩｎ
i-x Ｇａx Ａｓy Ｐi-y 層７１，７４から構成されてい
る。
【００２１】また障壁層は厚さ１００オングストローム
のＩｎi-x Ｇａx Ａｓy Ｐi-y 障壁層からなり、障壁層
６１，６５は基板と格子整合し（組成ｘ＝０．２５，ｙ
＝０．５６），障壁層６２，６４は基板に対し−０．１
％，障壁層６３は基板に対し−０．２％の格子不整量と
なるよう組成ｘ，およびｙを障壁層６１，６５の値より
僅か変えて成長させたものである。
のＩｎi-x Ｇａx Ａｓy Ｐi-y 障壁層からなり、障壁層
６１，６５は基板と格子整合し（組成ｘ＝０．２５，ｙ
＝０．５６），障壁層６２，６４は基板に対し−０．１
％，障壁層６３は基板に対し−０．２％の格子不整量と
なるよう組成ｘ，およびｙを障壁層６１，６５の値より
僅か変えて成長させたものである。
【００２２】また以上の実施例はＩｎＰ系の歪量子井戸
構造を例に説明したが、ＧａＡｓ系など一般の歪量子井
戸構造半導体においても有効である。また半導体レーザ
に限らず発光ダイオード等においても適用できる。
構造を例に説明したが、ＧａＡｓ系など一般の歪量子井
戸構造半導体においても有効である。また半導体レーザ
に限らず発光ダイオード等においても適用できる。
【００２３】以上述べてきたように、本発明によれば歪
量子井戸構造半導体素子において、半導体基板と格子不
整を有する組成の混晶半導体を障壁層として用いること
によって、歪量子井戸層間，障壁層間に生じる歪量の微
妙な相違を補正し、本来期待される量子効果の顕著なデ
バイス特性を得るものである。
量子井戸構造半導体素子において、半導体基板と格子不
整を有する組成の混晶半導体を障壁層として用いること
によって、歪量子井戸層間，障壁層間に生じる歪量の微
妙な相違を補正し、本来期待される量子効果の顕著なデ
バイス特性を得るものである。
【図１】 本発明の第１実施例を示す半導体素子の断面
図および斜視図
図および斜視図
【図２】 本発明の第２実施例を示す半導体素子の断面
図
図
【図３】 本発明の第３実施例を示す半導体素子の断面
図
図
【図４】 本発明の作用を説明するためのバンドタイヤ
グラム
グラム
１０ ｎ−ＩｎＰ半導体基板
１２ 回折格子
１５ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層
２０ ｎ−ＩｎＰスペーサ層
４０ 歪量子井戸活性層
５０ 歪量子井戸層
６０〜７０ 障壁層
７１〜７４ ＩｎＧａＡｓＰガイド層
８０ ｐ−ＩｎＰクラッド層
１１０，１３０ ｐ−ＩｎＰ埋め込み層
１２０ ｎ−ＩｎＰ埋め込み層
１４０ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層
１８０ ＳｉＯ2 電流狭窄膜
１９０ ｐ側電極
１９５ ｎ側電極
Claims (5)
- 【請求項１】化合物半導体基板上に歪量子井戸層を含む
半導体薄膜を積層してなる歪量子井戸構造半導体素子に
おいて、前記歪量子井戸構造の障壁層が前記半導体基板
と格子不整を有する組成の混晶半導体からなることを特
徴とする歪量子井戸構造半導体素子。 - 【請求項２】前記障壁層のうち、少なくとも一層が他の
障壁層とは格子不整量が異なる組成の混晶半導体からな
ることを特徴とする請求項１記載の歪量子井戸構造半導
体素子。 - 【請求項３】前記障壁層が、組成が一定の混晶半導体か
らなり、少なくともそのうち一層が他の障壁層と層厚が
異なることを特徴とする請求項１記載の歪量子井戸構造
半導体素子。 - 【請求項４】化合物半導体基板がＩｎＰ，歪量子井戸構
造の障壁がＩｎＧａＡｓＰ，歪量子井戸層がＩｎＧａＡ
ｓからなることを特徴とする請求項１記載の歪量子井戸
構造半導体素子。 - 【請求項５】化合物半導体基板がＩｎＰ，歪量子井戸構
造の障壁層がＩｎＧａＡｓＰ，歪量子井戸層がＩｎＧａ
ＡｓＰからなることを特徴とする請求項１記載の歪量子
井戸構造半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3186174A JPH0529715A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 歪量子井戸構造半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3186174A JPH0529715A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 歪量子井戸構造半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529715A true JPH0529715A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16183688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3186174A Pending JPH0529715A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 歪量子井戸構造半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529715A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5339325A (en) * | 1992-08-04 | 1994-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Strained multiple quantum well semiconductor laser and a method for producing the same |
| JP2021034497A (ja) * | 2019-08-22 | 2021-03-01 | 株式会社東芝 | 半導体発光デバイス |
| JP7038913B1 (ja) * | 2020-12-23 | 2022-03-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| CN114300944A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-08 | 山东大学 | 一种高调制带宽的垂直腔面发射激光器 |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP3186174A patent/JPH0529715A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5339325A (en) * | 1992-08-04 | 1994-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Strained multiple quantum well semiconductor laser and a method for producing the same |
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| WO2022137390A1 (ja) * | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
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