JP2000353861A - Ｉｉｉ−ｖ族半導体発光デバイスの製造方法 - Google Patents
Ｉｉｉ−ｖ族半導体発光デバイスの製造方法Info
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- JP2000353861A JP2000353861A JP11164967A JP16496799A JP2000353861A JP 2000353861 A JP2000353861 A JP 2000353861A JP 11164967 A JP11164967 A JP 11164967A JP 16496799 A JP16496799 A JP 16496799A JP 2000353861 A JP2000353861 A JP 2000353861A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンドギャップシフトの大きな選択成長層を
形成する。 【解決手段】 ２元素以上のIII族元素を有する多重量
子井戸活性層を用いたIII−V族半導体発光デバイスで、
結晶成長基板１の一部を誘電体マスク２で覆い、気相成
長法により前記誘電体マスクのない領域のみに選択的に
結晶成長を行うことにより、活性層を有するストライプ
領域を形成する成長方法において、前記量子井戸層を成
長する際、III族原料の少なくとも一方は、ＭをIII族元
素としてＭ（ＣＨ3）2Ｃｌ、Ｍ（Ｃ2Ｈ5）2Ｃｌ、Ｍ
（ＣＨ3）Ｃｌ2、Ｍ（Ｃ2Ｈ5）Ｃｌ2とする。
形成する。 【解決手段】 ２元素以上のIII族元素を有する多重量
子井戸活性層を用いたIII−V族半導体発光デバイスで、
結晶成長基板１の一部を誘電体マスク２で覆い、気相成
長法により前記誘電体マスクのない領域のみに選択的に
結晶成長を行うことにより、活性層を有するストライプ
領域を形成する成長方法において、前記量子井戸層を成
長する際、III族原料の少なくとも一方は、ＭをIII族元
素としてＭ（ＣＨ3）2Ｃｌ、Ｍ（Ｃ2Ｈ5）2Ｃｌ、Ｍ
（ＣＨ3）Ｃｌ2、Ｍ（Ｃ2Ｈ5）Ｃｌ2とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信及び光情報
処理用光源として有用なIII−V族半導体発光デバイスの
製造方法に関するものである。
処理用光源として有用なIII−V族半導体発光デバイスの
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光多重を用いた超大容量光通信では、
２．５Ｇ以上の超高速変調が可能な変調器集積型半導体
レーザ（ＤＦＢ／ＭＯＤ）の重要性が高まっている。こ
のＤＦＢ／ＭＯＤを実現するには、半導体レーザ部と変
調器部でバンドギャップの異なる半導体層を近接して形
成する必要がある。バンドギャップを同一基板上で連続
的に変化させる手法として、選択気相成長技術が提案さ
れている（例えば、ジャーナル オブ クリスタル グ
ロース Journal of Crystal Growth 132(1993) p435-4
43）。
２．５Ｇ以上の超高速変調が可能な変調器集積型半導体
レーザ（ＤＦＢ／ＭＯＤ）の重要性が高まっている。こ
のＤＦＢ／ＭＯＤを実現するには、半導体レーザ部と変
調器部でバンドギャップの異なる半導体層を近接して形
成する必要がある。バンドギャップを同一基板上で連続
的に変化させる手法として、選択気相成長技術が提案さ
れている（例えば、ジャーナル オブ クリスタル グ
ロース Journal of Crystal Growth 132(1993) p435-4
43）。
【０００３】図７に成長方法の基本概念を示す。ＩｎＰ
基板１の一部をＳｉＯ2誘電体マスク２で覆い、有機金
属気相成長法でＩｎxＧａ1-xＡｓ量子井戸層５、Ｉｎy
Ｇａ1 -yＡｓzＰ1-zバリヤ層４及びＩｎＰクラッド層３
を選択的に形成する。ここで、III族原料には、トリメ
チルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭ
Ｉｎ）、及びトリエチルガリウム（ＴＥＧ）等の有機金
属を用いる。V族原料としては、アルシン（ＡｓＨ3）、
ホスフィン（ＰＨ3）を用いる。マスク開口部の選択成
長層は、マスクで行き場のなくなった原料種が気相拡散
して成長に寄与するため、平坦部に比べて厚くなる。マ
スク幅を基板面内で変化させれば、成長層厚を連続的に
変化できる。従って、活性層に量子井戸層を用いれば、
量子準位のシフトによりバンドギャップを連続的に変化
させることができる。
基板１の一部をＳｉＯ2誘電体マスク２で覆い、有機金
属気相成長法でＩｎxＧａ1-xＡｓ量子井戸層５、Ｉｎy
Ｇａ1 -yＡｓzＰ1-zバリヤ層４及びＩｎＰクラッド層３
を選択的に形成する。ここで、III族原料には、トリメ
チルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭ
Ｉｎ）、及びトリエチルガリウム（ＴＥＧ）等の有機金
属を用いる。V族原料としては、アルシン（ＡｓＨ3）、
ホスフィン（ＰＨ3）を用いる。マスク開口部の選択成
長層は、マスクで行き場のなくなった原料種が気相拡散
して成長に寄与するため、平坦部に比べて厚くなる。マ
スク幅を基板面内で変化させれば、成長層厚を連続的に
変化できる。従って、活性層に量子井戸層を用いれば、
量子準位のシフトによりバンドギャップを連続的に変化
させることができる。
【０００４】また、ＴＭＩｎはＴＭＧに比べて熱分解し
やすい。メチル基が分解した原料種は、気相中で拡散し
やすくなるため、Ｉｎ原料の気相拡散はＧａ原料に比べ
て大きくなる。この場合、マスク開口部では気相拡散係
数の大きいＩｎがＧａより多く取り込まれる。Ｉｎ原料
の増加はバンドギャップを低減させるため、成長層厚増
大による量子準位低下と相乗効果をもたらす。
やすい。メチル基が分解した原料種は、気相中で拡散し
やすくなるため、Ｉｎ原料の気相拡散はＧａ原料に比べ
て大きくなる。この場合、マスク開口部では気相拡散係
数の大きいＩｎがＧａより多く取り込まれる。Ｉｎ原料
の増加はバンドギャップを低減させるため、成長層厚増
大による量子準位低下と相乗効果をもたらす。
【０００５】以上の効果により、選択成長でマスク幅を
変化させることで、ＤＦＢ／ＭＯＤを実現可能なバンド
ギャップシフトを生じさせることができる。
変化させることで、ＤＦＢ／ＭＯＤを実現可能なバンド
ギャップシフトを生じさせることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＴＭＩ
ｎとＴＭＧの気相拡散係数の差異は比較的小さく、従来
技術でのバンドギャップシフトは、主に量子井戸層の層
厚変化に起因する。従って、変調器集積化光源として必
要な５０ｍｅＶ程度のバンドギャップシフトを実現する
には、３μｍから１０μｍ程度のマスク幅変化が必要と
なる。この広いマスク幅変調による層厚変化は、量子井
戸活性層だけでなく、同時に成長するバリヤ層及び光ガ
イド層にも生じる。この結果、導波モードの垂直方向の
光閉じこめ率が、レーザ活性部と変調器部で異なること
になる。光閉じこめ率の変化は、モード変換損失とな
り、スロープ効率低下等の特性劣化をもたらす。
ｎとＴＭＧの気相拡散係数の差異は比較的小さく、従来
技術でのバンドギャップシフトは、主に量子井戸層の層
厚変化に起因する。従って、変調器集積化光源として必
要な５０ｍｅＶ程度のバンドギャップシフトを実現する
には、３μｍから１０μｍ程度のマスク幅変化が必要と
なる。この広いマスク幅変調による層厚変化は、量子井
戸活性層だけでなく、同時に成長するバリヤ層及び光ガ
イド層にも生じる。この結果、導波モードの垂直方向の
光閉じこめ率が、レーザ活性部と変調器部で異なること
になる。光閉じこめ率の変化は、モード変換損失とな
り、スロープ効率低下等の特性劣化をもたらす。
【０００７】また、従来方法では、主に層厚変化による
バンドギャップシフトを用いているため、１．３〜１．
５５μｍ帯の広い波長範囲をカバーするような光集積化
光源を実現することは困難である。
バンドギャップシフトを用いているため、１．３〜１．
５５μｍ帯の広い波長範囲をカバーするような光集積化
光源を実現することは困難である。
【０００８】上述したような活性層以外の層厚変化によ
る特性劣化及び実現可能な波長可変範囲の制限が、従来
技術の課題であった。本発明は、かかる課題を解決する
ことを目的としている。
る特性劣化及び実現可能な波長可変範囲の制限が、従来
技術の課題であった。本発明は、かかる課題を解決する
ことを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するため、２元素以上のIII族元素を有する多重量子
井戸活性層を用いたIII−V族半導体発光デバイスの製造
方法であって、結晶成長基板の一部を誘電体マスクで覆
い、気相成長法により前記誘電体マスクのない領域のみ
に選択的に結晶成長を行うことにより、活性層を有する
ストライプ領域を形成するに当たり、前記量子井戸層を
成長する際、III族原料の少なくとも一方は、ＭをIII族
元素としてＭ（ＣＨ3）2Ｃｌ、Ｍ（Ｃ2Ｈ5）2Ｃｌ、Ｍ
（ＣＨ3）Ｃｌ2、Ｍ（Ｃ2Ｈ5）Ｃｌ2とすることを特徴
とするIII−V族半導体発光デバイスの製造方法を提供す
る。
成するため、２元素以上のIII族元素を有する多重量子
井戸活性層を用いたIII−V族半導体発光デバイスの製造
方法であって、結晶成長基板の一部を誘電体マスクで覆
い、気相成長法により前記誘電体マスクのない領域のみ
に選択的に結晶成長を行うことにより、活性層を有する
ストライプ領域を形成するに当たり、前記量子井戸層を
成長する際、III族原料の少なくとも一方は、ＭをIII族
元素としてＭ（ＣＨ3）2Ｃｌ、Ｍ（Ｃ2Ｈ5）2Ｃｌ、Ｍ
（ＣＨ3）Ｃｌ2、Ｍ（Ｃ2Ｈ5）Ｃｌ2とすることを特徴
とするIII−V族半導体発光デバイスの製造方法を提供す
る。
【００１０】また、本発明は、上記の製造方法におい
て、誘電体マスクのないストライプ領域の幅を一定とし
つつ、隣接した誘電体マスクの幅を異ならせることで、
量子井戸層のバンドギャップを変化させることを特徴と
するIII−V族半導体発光デバイスの製造方法を提供す
る。
て、誘電体マスクのないストライプ領域の幅を一定とし
つつ、隣接した誘電体マスクの幅を異ならせることで、
量子井戸層のバンドギャップを変化させることを特徴と
するIII−V族半導体発光デバイスの製造方法を提供す
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
形態を詳しく説明する。図１は、本発明の基本概念を示
す図である。まず、ＩｎＰ基板１の一部をＳｉＯ2等の
誘電体マスク２で覆う。次に、ＩｎＰクラッド層３、Ｉ
ｎyＧａ1-yＡｓzＰ1-z光ガイド／バリヤ層４、及びＩｎ
xＧａ1-xＡｓ量子井戸活性層５を有機金属気相成長法で
選択的に成長する。ここで、V族原料には、アルシン
（ＡｓＨ3）及びホスフィン（ＰＨ 3）を用いる。III族
原料としては、クラッド層及びバリヤ層には、トリメチ
ルインジウム（ＴＭＩｎ）、トリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ）を用い、量子井戸活性層には、ジメチルインジウム
クロライド（ＤＭＩｎＣｌ）及びＴＭＧを用いる。
形態を詳しく説明する。図１は、本発明の基本概念を示
す図である。まず、ＩｎＰ基板１の一部をＳｉＯ2等の
誘電体マスク２で覆う。次に、ＩｎＰクラッド層３、Ｉ
ｎyＧａ1-yＡｓzＰ1-z光ガイド／バリヤ層４、及びＩｎ
xＧａ1-xＡｓ量子井戸活性層５を有機金属気相成長法で
選択的に成長する。ここで、V族原料には、アルシン
（ＡｓＨ3）及びホスフィン（ＰＨ 3）を用いる。III族
原料としては、クラッド層及びバリヤ層には、トリメチ
ルインジウム（ＴＭＩｎ）、トリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ）を用い、量子井戸活性層には、ジメチルインジウム
クロライド（ＤＭＩｎＣｌ）及びＴＭＧを用いる。
【００１２】誘電体マスク上の原料種は、気相中で拡散
しマスク開口部の成長に寄与する。クロライド系の原料
は、メチル系の原料に比べて気相拡散係数が大きいた
め、マスク開口部では、ＩｎがＧａより効率的に取り込
まれる。Ｉｎ組成の増大は、バンドギャップの低減をも
たらすため、層厚増加との相乗効果により、マスク開口
部では、平坦部に比べて大幅にバンドギャップが減少す
る。従って、図２に示すように、ウェハ面内でマスク幅
を変化させれば、連続的にバンドギャップを変化させる
ことができる。ＤＭＩｎＣｌとＴＭＧとの気相拡散係数
の差は、ＴＭＩとＴＭＧとの差より大きいため、従来の
ＴＭＩ／ＴＭＧでの選択成長に比べて、同一マスク変化
でより大きなバンドギャップシフトを実現することがで
きる。また、同一のバンドギャップ変化を得るためのマ
スク幅変化は、逆に小さくすることが可能となる。活性
層以外の層では、ＴＭＩとＴＭＧを用いているので、従
来方法に比べてクラッド層、光ガイド層及びバリヤ層の
層厚変化を低減できる。これは、過剰な導波損失を低減
させ、良好な発振特性をもたらす。
しマスク開口部の成長に寄与する。クロライド系の原料
は、メチル系の原料に比べて気相拡散係数が大きいた
め、マスク開口部では、ＩｎがＧａより効率的に取り込
まれる。Ｉｎ組成の増大は、バンドギャップの低減をも
たらすため、層厚増加との相乗効果により、マスク開口
部では、平坦部に比べて大幅にバンドギャップが減少す
る。従って、図２に示すように、ウェハ面内でマスク幅
を変化させれば、連続的にバンドギャップを変化させる
ことができる。ＤＭＩｎＣｌとＴＭＧとの気相拡散係数
の差は、ＴＭＩとＴＭＧとの差より大きいため、従来の
ＴＭＩ／ＴＭＧでの選択成長に比べて、同一マスク変化
でより大きなバンドギャップシフトを実現することがで
きる。また、同一のバンドギャップ変化を得るためのマ
スク幅変化は、逆に小さくすることが可能となる。活性
層以外の層では、ＴＭＩとＴＭＧを用いているので、従
来方法に比べてクラッド層、光ガイド層及びバリヤ層の
層厚変化を低減できる。これは、過剰な導波損失を低減
させ、良好な発振特性をもたらす。
【００１３】量子井戸層の組成変化は、井戸層に加わる
歪み量の変化をもたらす。デバイスによっては、ウェハ
面内での大きな歪み量変化は望ましくない場合も考えら
れる。大きな組成変化を生じさせずに、量子井戸の層厚
変化のみでバンドギャップを変化させる場合には、量子
井戸層のIII族原料として、ジメチルガリウムクロライ
ド（ＤＭＧａＣｌ）とジメチルインジウムクロライド
（ＴＭＩｎＣｌ）を用いればよい。ＤＭＧａＣｌとＴＭ
ＩｎＣｌは、ＴＭＧ、ＴＭＩｎに比べてともに大きな気
相拡散係数を持つが、両者に大きな差はない。従って、
組成変化を伴わずに、従来のＴＭＧ／ＴＭＩｎ系に比べ
て大きな層厚変化、すなわちバンドギャップシフトを実
現することができる。逆に、同一のバンドギャップシフ
トを得るためのマスク幅変化を小さくすることができ、
クラッド層、光ガイド層の不必要な層厚変化を抑制する
ことができる。
歪み量の変化をもたらす。デバイスによっては、ウェハ
面内での大きな歪み量変化は望ましくない場合も考えら
れる。大きな組成変化を生じさせずに、量子井戸の層厚
変化のみでバンドギャップを変化させる場合には、量子
井戸層のIII族原料として、ジメチルガリウムクロライ
ド（ＤＭＧａＣｌ）とジメチルインジウムクロライド
（ＴＭＩｎＣｌ）を用いればよい。ＤＭＧａＣｌとＴＭ
ＩｎＣｌは、ＴＭＧ、ＴＭＩｎに比べてともに大きな気
相拡散係数を持つが、両者に大きな差はない。従って、
組成変化を伴わずに、従来のＴＭＧ／ＴＭＩｎ系に比べ
て大きな層厚変化、すなわちバンドギャップシフトを実
現することができる。逆に、同一のバンドギャップシフ
トを得るためのマスク幅変化を小さくすることができ、
クラッド層、光ガイド層の不必要な層厚変化を抑制する
ことができる。
【００１４】図３は、本発明の別の実施例を示してい
る。まず、ＧａＡｓ基板６上にＡｌyＧａ1-yＡｓクラッ
ド層８、ＧａＡｓ酸化防止層７を平面成長する。その
後、一部をＳｉＯ2等の誘電体マスク２で覆い、ＡｌyＧ
ａ1-yＡｓクラッド層８、ＧａＡｓ光ガイド／バリヤ層
９、及びＩｎxＧａ1-xＡｓ量子井戸活性層１０を有機金
属気相成長法で選択的に成長する。ここで、V族原料に
は、アルシン（ＡｓＨ3）を用いる。III族原料として
は、クラッド層、光ガイド層及びバリヤ層には、トリメ
チルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（Ｔ
ＭＧ）を用い、量子井戸活性層には、ジメチルインジウ
ムクロライド（ＤＭＩｎＣｌ）及びＴＭＧを用いる。
る。まず、ＧａＡｓ基板６上にＡｌyＧａ1-yＡｓクラッ
ド層８、ＧａＡｓ酸化防止層７を平面成長する。その
後、一部をＳｉＯ2等の誘電体マスク２で覆い、ＡｌyＧ
ａ1-yＡｓクラッド層８、ＧａＡｓ光ガイド／バリヤ層
９、及びＩｎxＧａ1-xＡｓ量子井戸活性層１０を有機金
属気相成長法で選択的に成長する。ここで、V族原料に
は、アルシン（ＡｓＨ3）を用いる。III族原料として
は、クラッド層、光ガイド層及びバリヤ層には、トリメ
チルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（Ｔ
ＭＧ）を用い、量子井戸活性層には、ジメチルインジウ
ムクロライド（ＤＭＩｎＣｌ）及びＴＭＧを用いる。
【００１５】図３の場合も、前述の実施例と同様に、Ｄ
ＭＩｎＣｌとＴＭＧとの気相拡散係数の差は、ＴＭＩと
ＴＭＧとの差より大きいため、従来のＴＭＩ／ＴＭＧで
の選択成長に比べて、同一マスク変化でより大きなバン
ドギャップシフトを実現することができる。また、同一
のバンドギャップ変化を得るためのマスク幅変化は、逆
に小さくすることが可能となる。活性層以外の層では、
気相拡散係数の小さいメチル系の有機原料を用いている
ので、本発明では従来方法に比べて、クラッド層、光ガ
イド層及びバリヤ層の層厚変化を低減できる。これは、
過剰な導波損失を低減させ、良好な発振特性をもたら
す。
ＭＩｎＣｌとＴＭＧとの気相拡散係数の差は、ＴＭＩと
ＴＭＧとの差より大きいため、従来のＴＭＩ／ＴＭＧで
の選択成長に比べて、同一マスク変化でより大きなバン
ドギャップシフトを実現することができる。また、同一
のバンドギャップ変化を得るためのマスク幅変化は、逆
に小さくすることが可能となる。活性層以外の層では、
気相拡散係数の小さいメチル系の有機原料を用いている
ので、本発明では従来方法に比べて、クラッド層、光ガ
イド層及びバリヤ層の層厚変化を低減できる。これは、
過剰な導波損失を低減させ、良好な発振特性をもたら
す。
【００１６】また、前述の実施例と同様に、量子井戸の
層厚変化のみでバンドギャップを変化させる場合には、
量子井戸層のIII族原料として、ジメチルガリウムクロ
ライド（ＤＭＧａＣｌ）とジメチルインジウムクロライ
ド（ＴＭＩｎＣｌ）を用いればよい。ＤＭＧａＣｌとＴ
ＭＩｎＣｌは、ＴＭＧ、ＴＭＩｎに比べてともに大きな
気相拡散係数を持つが、両者に大きな差はない。従っ
て、組成変化を伴わずに、従来のＴＭＧ／ＴＭＩｎ系に
比べて大きな層厚変化、すなわちバンドギャップシフト
を実現することができる。逆に、同一のバンドギャップ
シフトを得るためのマスク幅変化を小さくすることがで
き、クラッド層、光ガイド層の不必要な層厚変化を抑制
することができる。
層厚変化のみでバンドギャップを変化させる場合には、
量子井戸層のIII族原料として、ジメチルガリウムクロ
ライド（ＤＭＧａＣｌ）とジメチルインジウムクロライ
ド（ＴＭＩｎＣｌ）を用いればよい。ＤＭＧａＣｌとＴ
ＭＩｎＣｌは、ＴＭＧ、ＴＭＩｎに比べてともに大きな
気相拡散係数を持つが、両者に大きな差はない。従っ
て、組成変化を伴わずに、従来のＴＭＧ／ＴＭＩｎ系に
比べて大きな層厚変化、すなわちバンドギャップシフト
を実現することができる。逆に、同一のバンドギャップ
シフトを得るためのマスク幅変化を小さくすることがで
き、クラッド層、光ガイド層の不必要な層厚変化を抑制
することができる。
【００１７】次に、本発明を用いた変調器集積化光源の
実施例を説明する。図４に構造斜視図を示す。まず、周
期２４００Åの部分グレーティング１１を形成した（１
００）ｎ−ＩｎＰ基板１上に、１．３μｍ組成のｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰガイド層１２（Ｓｉドープ１×１０17ｃｍ
-3、層厚０．１μｍ）、ｎ−ＩｎＰクラッド層１３（Ｓ
ｉドープ１×１０17ｃｍ-3、層厚０．１μｍ）を順次成
長する。続いて、幅２μｍの開口を有し、変調器部で幅
３μｍ、レーザ部で幅５μｍのＳｉＯ2マスクを＜０１
１＞方向に形成する。この開口部にｎ−ＩｎＰクラッド
層１３（層厚０．３μｍ）、ＩｎＧａＡｓ井戸層（層厚
５ｎｍ）／ＩｎＧａＡｓＰバリヤ層（組成１．１５μ
ｍ、層厚１０ｎｍ）からなる５層の多重量子井戸層１
４、及びｐ−ＩｎＰクラッド層１５（Ｚｎドープ１×１
０18ｃｍ-3、層厚０．８μｍ）を有機金属気相成長法
（成長圧力７０Ｔｏｒｒ、成長温度６５０℃、V／III比
＝２００）で選択的に成長する。
実施例を説明する。図４に構造斜視図を示す。まず、周
期２４００Åの部分グレーティング１１を形成した（１
００）ｎ−ＩｎＰ基板１上に、１．３μｍ組成のｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰガイド層１２（Ｓｉドープ１×１０17ｃｍ
-3、層厚０．１μｍ）、ｎ−ＩｎＰクラッド層１３（Ｓ
ｉドープ１×１０17ｃｍ-3、層厚０．１μｍ）を順次成
長する。続いて、幅２μｍの開口を有し、変調器部で幅
３μｍ、レーザ部で幅５μｍのＳｉＯ2マスクを＜０１
１＞方向に形成する。この開口部にｎ−ＩｎＰクラッド
層１３（層厚０．３μｍ）、ＩｎＧａＡｓ井戸層（層厚
５ｎｍ）／ＩｎＧａＡｓＰバリヤ層（組成１．１５μ
ｍ、層厚１０ｎｍ）からなる５層の多重量子井戸層１
４、及びｐ−ＩｎＰクラッド層１５（Ｚｎドープ１×１
０18ｃｍ-3、層厚０．８μｍ）を有機金属気相成長法
（成長圧力７０Ｔｏｒｒ、成長温度６５０℃、V／III比
＝２００）で選択的に成長する。
【００１８】次に、ＳｉＯ2マスクを内側から幅１μｍ
だけエッチングして、開口部を広げ、ｐ−ＩｎＰ埋め込
み層１６（Ｚｎドープ１×１０18ｃｍ-3、層厚１．０μ
ｍ）、ｐ+−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１７（Ｚｎド
ープ１×１０19ｃｍ-3、層厚０．２μｍ）を選択成長す
る。この際、原料にはトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、
アルシン（ＡｓＨ3）、ホスフィン（ＰＨ3）を用いた。
Ｉｎ原料には、ＩｎＧａＡｓ井戸層の成長のみジメチル
インジウムクロライド（ＤＭＩｎＣｌ）を用い、他の成
長層にはトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）を用いる。
だけエッチングして、開口部を広げ、ｐ−ＩｎＰ埋め込
み層１６（Ｚｎドープ１×１０18ｃｍ-3、層厚１．０μ
ｍ）、ｐ+−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１７（Ｚｎド
ープ１×１０19ｃｍ-3、層厚０．２μｍ）を選択成長す
る。この際、原料にはトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、
アルシン（ＡｓＨ3）、ホスフィン（ＰＨ3）を用いた。
Ｉｎ原料には、ＩｎＧａＡｓ井戸層の成長のみジメチル
インジウムクロライド（ＤＭＩｎＣｌ）を用い、他の成
長層にはトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）を用いる。
【００１９】さらに、レーザ領域と光変調領域の間を長
さ２５μｍにわたってコンタクト層を除去し、素子分離
抵抗を大きくした。最後に、基板裏面側にＴｉＡｕ電極
１８を、ｐ側にＴｉＡｕストライプ電極１９をそれぞれ
形成し、レーザ部端面に反射率９０％の高反射膜、変調
器端面部に反射率０．１％以下の低反射膜をそれぞれ形
成する。レーザ領域長７５０μｍ、変調器領域長２００
μｍ、分離領域長２５μｍとした。以上で、本発明を用
いた変調器集積化光源が実現できる。
さ２５μｍにわたってコンタクト層を除去し、素子分離
抵抗を大きくした。最後に、基板裏面側にＴｉＡｕ電極
１８を、ｐ側にＴｉＡｕストライプ電極１９をそれぞれ
形成し、レーザ部端面に反射率９０％の高反射膜、変調
器端面部に反射率０．１％以下の低反射膜をそれぞれ形
成する。レーザ領域長７５０μｍ、変調器領域長２００
μｍ、分離領域長２５μｍとした。以上で、本発明を用
いた変調器集積化光源が実現できる。
【００２０】図４の構造では、埋め込み層に形成された
ＩｎＰホモ接合の拡散電位が、活性層の拡散電位に比べ
て大きいため、レーザ部のストライプ領域のみに効率的
に電流が注入される。変調器部では、活性層成長時の選
択マスクが狭くなっているため、レーザ部に比べてバン
ドギャップが拡大している。従って、変調器部で過剰な
吸収損失は発生せず、良好な発振特性が得られる。
ＩｎＰホモ接合の拡散電位が、活性層の拡散電位に比べ
て大きいため、レーザ部のストライプ領域のみに効率的
に電流が注入される。変調器部では、活性層成長時の選
択マスクが狭くなっているため、レーザ部に比べてバン
ドギャップが拡大している。従って、変調器部で過剰な
吸収損失は発生せず、良好な発振特性が得られる。
【００２１】次に、本発明を用いた０．９８μｍ帯窓構
造高出力半導体レーザの実施例を説明する。図５、６に
構造斜視図、発光部の構造断面図をそれぞれ示す。ま
ず、（１００）ｎ−ＧａＡｓ基板６上に、ｎ−Ａｌ0.3
Ｇａ0.7Ａｓクラッド層２０（Ｓｉドープ１×１０17ｃ
ｍ-3、層厚１．５μｍ）、ｎ−ＧａＡｓ酸化防止層２１
（Ｓｉドープ１×１０17ｃｍ-3、層厚０．０１μｍ）を
順次成長する。続いて、幅２μｍの開口を有し、窓部で
幅３μｍ、発光部で幅５μｍのＳｉＯ2マスクを＜０１
１＞方向に形成する。
造高出力半導体レーザの実施例を説明する。図５、６に
構造斜視図、発光部の構造断面図をそれぞれ示す。ま
ず、（１００）ｎ−ＧａＡｓ基板６上に、ｎ−Ａｌ0.3
Ｇａ0.7Ａｓクラッド層２０（Ｓｉドープ１×１０17ｃ
ｍ-3、層厚１．５μｍ）、ｎ−ＧａＡｓ酸化防止層２１
（Ｓｉドープ１×１０17ｃｍ-3、層厚０．０１μｍ）を
順次成長する。続いて、幅２μｍの開口を有し、窓部で
幅３μｍ、発光部で幅５μｍのＳｉＯ2マスクを＜０１
１＞方向に形成する。
【００２２】この開口部にｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓクラ
ッド層２０（層厚０．３μｍ）、ノンドープのＩｎＧａ
Ａｓ−ＳＣＨ活性層２２、ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓクラ
ッド層２３（Ｚｎドープ１×１０18ｃｍ-3、層厚０．３
μｍ）、及びｐ−ＧａＡｓの酸化防止層２４（Ｚｎドー
プ１×１０18ｃｍ-3、層厚０．０１μｍ）を有機金属気
相成長法（成長圧力７０Ｔｏｒｒ、成長温度７００℃、
V／III比＝２００）で選択的に成長する。ここで、ＳＣ
Ｈ活性層２２は、Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ光ガイド層（ノン
ドープ、層厚１００ｎｍ）の中央に、ＧａＡｓをバリヤ
層（ノンドープ、層厚５ｎｍ）としたＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａ
ｓ歪量子井戸層（ノンドープ、層厚５ｎｍ）を２層積層
した構造である。１回目のＳｉＯ2マスクを除去し、フ
ォトリソグラフィーの手法を用いて、発光部のメサトッ
プのみにＳｉＯ2マスクを形成する。
ッド層２０（層厚０．３μｍ）、ノンドープのＩｎＧａ
Ａｓ−ＳＣＨ活性層２２、ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓクラ
ッド層２３（Ｚｎドープ１×１０18ｃｍ-3、層厚０．３
μｍ）、及びｐ−ＧａＡｓの酸化防止層２４（Ｚｎドー
プ１×１０18ｃｍ-3、層厚０．０１μｍ）を有機金属気
相成長法（成長圧力７０Ｔｏｒｒ、成長温度７００℃、
V／III比＝２００）で選択的に成長する。ここで、ＳＣ
Ｈ活性層２２は、Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ光ガイド層（ノン
ドープ、層厚１００ｎｍ）の中央に、ＧａＡｓをバリヤ
層（ノンドープ、層厚５ｎｍ）としたＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａ
ｓ歪量子井戸層（ノンドープ、層厚５ｎｍ）を２層積層
した構造である。１回目のＳｉＯ2マスクを除去し、フ
ォトリソグラフィーの手法を用いて、発光部のメサトッ
プのみにＳｉＯ2マスクを形成する。
【００２３】次に、ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ電流ブロッ
ク層２５（Ｚｎドープ１×１０18ｃｍ-3、層厚１．０μ
ｍ）、ｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ電流ブロック層２６（Ｓ
ｉドープ１×１０17ｃｍ-3、層厚１．０μｍ）を発光部
のメサ側部のみに選択成長する。さらに、ＳｉＯ2マス
クを除去し、ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓクラッド層２３
（Ｚｎドープ１×１０18ｃｍ-3、層厚１．２μｍ）、ｐ
−ＧａＡｓコンタクト層２７（Ｚｎドープ１×１０19ｃ
ｍ-3、層厚０．２μｍ）を全面に成長する。以上の成長
プロセスにおいて、原料にはトリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、アルシン
（ＡｓＨ3）を用い、Ｉｎ原料にはジメチルインジウム
クロライド（ＤＭＩｎＣｌ）を用いた。
ク層２５（Ｚｎドープ１×１０18ｃｍ-3、層厚１．０μ
ｍ）、ｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ電流ブロック層２６（Ｓ
ｉドープ１×１０17ｃｍ-3、層厚１．０μｍ）を発光部
のメサ側部のみに選択成長する。さらに、ＳｉＯ2マス
クを除去し、ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓクラッド層２３
（Ｚｎドープ１×１０18ｃｍ-3、層厚１．２μｍ）、ｐ
−ＧａＡｓコンタクト層２７（Ｚｎドープ１×１０19ｃ
ｍ-3、層厚０．２μｍ）を全面に成長する。以上の成長
プロセスにおいて、原料にはトリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、アルシン
（ＡｓＨ3）を用い、Ｉｎ原料にはジメチルインジウム
クロライド（ＤＭＩｎＣｌ）を用いた。
【００２４】最後に、基板裏面側にＡｕＧｅＮｉ電極２
８を、ｐ側にＴｉＰｔＡｕ電極２９をそれぞれ形成した
後、窓領域にへき開を形成し、反射率３％−９０％の非
対称コーティング膜を両へき開端面に形成する。レーザ
領域長、窓領域長はそれぞれ７５０μｍ、２０μｍとし
た。以上で、本発明を用いた窓構造高出力半導体レーザ
が実現できる。
８を、ｐ側にＴｉＰｔＡｕ電極２９をそれぞれ形成した
後、窓領域にへき開を形成し、反射率３％−９０％の非
対称コーティング膜を両へき開端面に形成する。レーザ
領域長、窓領域長はそれぞれ７５０μｍ、２０μｍとし
た。以上で、本発明を用いた窓構造高出力半導体レーザ
が実現できる。
【００２５】図５、６の構造では、埋め込み層のｐｎｐ
ｎ電流ブロック層の作用により、発光部のストライプ領
域のみに、効率的に電流が注入される。窓領域では、活
性層成長時の選択マスクが狭くなっているため、レーザ
部に比べてバンドギャップが拡大している。従って、窓
領域ではレーザ光は透明となり、端面破壊の発生しない
高出力特性が得られる。
ｎ電流ブロック層の作用により、発光部のストライプ領
域のみに、効率的に電流が注入される。窓領域では、活
性層成長時の選択マスクが狭くなっているため、レーザ
部に比べてバンドギャップが拡大している。従って、窓
領域ではレーザ光は透明となり、端面破壊の発生しない
高出力特性が得られる。
【００２６】表１に、各種有機金属原料及びクロライド
原料のＨ2中での気相拡散係数を示す。クロライド系原
料は、従来用いられている有機金属原料に比べて、大き
な拡散係数を有する。メチル基の一部がクロライド基に
置き換わった原料の気相拡散係数は、これらの中間の値
を持つと推定されるため、本発明に用いたジメチルクロ
ライド系の気相拡散係数は、通常の有機金属原料に比べ
て大きくなる。
原料のＨ2中での気相拡散係数を示す。クロライド系原
料は、従来用いられている有機金属原料に比べて、大き
な拡散係数を有する。メチル基の一部がクロライド基に
置き換わった原料の気相拡散係数は、これらの中間の値
を持つと推定されるため、本発明に用いたジメチルクロ
ライド系の気相拡散係数は、通常の有機金属原料に比べ
て大きくなる。
【００２７】
【表１】
【００２８】図１の一実施例では、Ｉｎ原料のみに拡散
係数の大きいクロライド系原料を用いているため、マス
ク開口部では、ＩｎがＧａより効率的に取り込まれる。
Ｉｎ組成の増大は、バンドギャップの低減をもたらすた
め、選択成長の層厚増加との相乗効果により、マスク開
口部では、平坦部に比べて大幅にバンドギャップが減少
する。従来のＴＭＩ／ＴＭＧでの選択成長に比べて、同
一マスク変化でより大きなバンドギャップシフトを実現
することができる。また、同一のバンドギャップ変化を
得るためのマスク幅変化は、逆に小さくすることが可能
となる。活性層以外の層では、ＴＭＩとＴＭＧを用いて
いるので、従来方法に比べてクラッド層、光ガイド層及
びバリヤ層の層厚変化を低減できる。これは、過剰な導
波損失を低減させ、良好な発振特性をもたらす。
係数の大きいクロライド系原料を用いているため、マス
ク開口部では、ＩｎがＧａより効率的に取り込まれる。
Ｉｎ組成の増大は、バンドギャップの低減をもたらすた
め、選択成長の層厚増加との相乗効果により、マスク開
口部では、平坦部に比べて大幅にバンドギャップが減少
する。従来のＴＭＩ／ＴＭＧでの選択成長に比べて、同
一マスク変化でより大きなバンドギャップシフトを実現
することができる。また、同一のバンドギャップ変化を
得るためのマスク幅変化は、逆に小さくすることが可能
となる。活性層以外の層では、ＴＭＩとＴＭＧを用いて
いるので、従来方法に比べてクラッド層、光ガイド層及
びバリヤ層の層厚変化を低減できる。これは、過剰な導
波損失を低減させ、良好な発振特性をもたらす。
【００２９】量子井戸層のIII族原料として、ジメチル
ガリウムクロライド（ＤＭＧａＣｌ）とジメチルインジ
ウムクロライド（ＴＭＩｎＣｌ）を用いた別の実施例で
は、組成変化を伴わずに、大きな層厚変化を実現するこ
とができる。この実施例は、ウェハ面内の組成変化がデ
バイス特性上望ましくない場合には、有効な方法であ
る。ＤＭＧａＣｌとＴＭＩｎＣｌは、ＴＭＧ、ＴＭＩｎ
に比べてともに大きな気相拡散係数を持つが、両者に大
きな差はないと推定される。従って、組成変化を伴わず
に、従来のＴＭＧ／ＴＭＩｎ系に比べて大きな層厚変
化、すなわちバンドギャップシフトを実現することがで
きる。逆に、同一のバンドギャップシフトを得るための
マスク幅変化を小さくすることができ、クラッド層、光
ガイド層の不必要な層厚変化を抑制することができる。
ガリウムクロライド（ＤＭＧａＣｌ）とジメチルインジ
ウムクロライド（ＴＭＩｎＣｌ）を用いた別の実施例で
は、組成変化を伴わずに、大きな層厚変化を実現するこ
とができる。この実施例は、ウェハ面内の組成変化がデ
バイス特性上望ましくない場合には、有効な方法であ
る。ＤＭＧａＣｌとＴＭＩｎＣｌは、ＴＭＧ、ＴＭＩｎ
に比べてともに大きな気相拡散係数を持つが、両者に大
きな差はないと推定される。従って、組成変化を伴わず
に、従来のＴＭＧ／ＴＭＩｎ系に比べて大きな層厚変
化、すなわちバンドギャップシフトを実現することがで
きる。逆に、同一のバンドギャップシフトを得るための
マスク幅変化を小さくすることができ、クラッド層、光
ガイド層の不必要な層厚変化を抑制することができる。
【００３０】いずれの方法を用いても、本発明ではバン
ドギャップシフトの拡大が可能であり、従来困難であっ
た１．３〜１．５５μｍまでの広範囲な波長変化を実現
できる。また、実施例では、ジメチルクロライド系の原
料を用いて説明したが、ジエチルクロライド系（Ｍ（Ｃ
2Ｈ5）2Ｃｌ、ＭはIII族元素）、モノメチルクロライド
系（Ｍ（ＣＨ3）Ｃｌ2、ＭはIII族元素）、及びモノエ
チルクロライド系（Ｍ（Ｃ2Ｈ5）Ｃｌ2、ＭはIII族元
素）の原料を用いることも可能である。さらに、ＡｌＧ
ａＡｓ、ＧａＩｎＰ等の各種３元混晶、及びＩｎＧａＡ
ｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＡｓ等の各種４元
混晶を量子井戸層とした構造にも適用可能である。
ドギャップシフトの拡大が可能であり、従来困難であっ
た１．３〜１．５５μｍまでの広範囲な波長変化を実現
できる。また、実施例では、ジメチルクロライド系の原
料を用いて説明したが、ジエチルクロライド系（Ｍ（Ｃ
2Ｈ5）2Ｃｌ、ＭはIII族元素）、モノメチルクロライド
系（Ｍ（ＣＨ3）Ｃｌ2、ＭはIII族元素）、及びモノエ
チルクロライド系（Ｍ（Ｃ2Ｈ5）Ｃｌ2、ＭはIII族元
素）の原料を用いることも可能である。さらに、ＡｌＧ
ａＡｓ、ＧａＩｎＰ等の各種３元混晶、及びＩｎＧａＡ
ｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＡｓ等の各種４元
混晶を量子井戸層とした構造にも適用可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、バンド
ギャップシフトの大きな選択成長層を形成することがで
き、活性層以外の層厚変化による特性劣化及び実現可能
な波長可変範囲の制限の抑制を図ることができる。
ギャップシフトの大きな選択成長層を形成することがで
き、活性層以外の層厚変化による特性劣化及び実現可能
な波長可変範囲の制限の抑制を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
【図２】本発明の一実施例を示す図である。
【図３】本発明の別の実施例を示す図である。
【図４】本発明を用いて実現した構造の斜視図である。
【図５】本発明を用いて実現した別の構造の斜視図であ
る。
る。
【図６】本発明を用いて実現した別の構造の断面図（発
光部）である。
光部）である。
【図７】従来の製造方法を示す図である。
１ ＩｎＰ基板 ２ ＳｉＯ2誘電体マスク ３ ＩｎＰクラッド層 ４ ＩｎyＧａ1-yＡｓzＰ1-z光ガイド／バリヤ層 ５ ＩｎxＧａ1-xＡｓ量子井戸層 ６ ＧａＡｓ基板 ７ ＧａＡｓ酸化防止層 ８ ＡｌyＧａ1-yＡｓクラッド層 ９ ＧａＡｓ光ガイド／バリヤ層 １０ ＩｎxＧａ1-xＡｓ量子井戸活性層 １１ 部分グレーティング １２ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層 １３ ｎ−ＩｎＰクラッド層 １４ ＩｎＧａＡｓ井戸層／ＩｎＧａＡｓＰバリヤ層の
多重量子井戸構造 １５ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １６ ｐ−ＩｎＰ埋め込み層 １７ ｐ+−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 １８ ＴｉＡｕ電極 １９ ＴｉＡｕストライプ電極 ２０ ｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓクラッド層 ２１ ｎ−ＧａＡｓ酸化防止層 ２２ ＩｎＧａＡｓ−ＳＣＨ活性層 ２３ ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓクラッド層 ２４ ｐ−ＧａＡｓの酸化防止層 ２５ ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ電流ブロック層 ２６ ｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ電流ブロック層 ２７ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ２８ ＡｕＧｅＮｉ電極 ２９ ＴｉＰｔＡｕ電極
多重量子井戸構造 １５ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １６ ｐ−ＩｎＰ埋め込み層 １７ ｐ+−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 １８ ＴｉＡｕ電極 １９ ＴｉＡｕストライプ電極 ２０ ｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓクラッド層 ２１ ｎ−ＧａＡｓ酸化防止層 ２２ ＩｎＧａＡｓ−ＳＣＨ活性層 ２３ ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓクラッド層 ２４ ｐ−ＧａＡｓの酸化防止層 ２５ ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ電流ブロック層 ２６ ｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ電流ブロック層 ２７ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ２８ ＡｕＧｅＮｉ電極 ２９ ＴｉＰｔＡｕ電極
Claims (2)
- 【請求項１】２元素以上のIII族元素を有する多重量子
井戸活性層を用いたIII−V族半導体発光デバイスの製造
方法であって、結晶成長基板の一部を誘電体マスクで覆
い、気相成長法により前記誘電体マスクのない領域のみ
に選択的に結晶成長を行うことにより、活性層を有する
ストライプ領域を形成するに当たり、前記量子井戸層を
成長する際、III族原料の少なくとも一方は、ＭをIII族
元素としてＭ（ＣＨ3）2Ｃｌ、Ｍ（Ｃ2Ｈ5）2Ｃｌ、Ｍ
（ＣＨ3）Ｃｌ2、Ｍ（Ｃ2Ｈ5）Ｃｌ2とすることを特徴
とするIII−V族半導体発光デバイスの製造方法。 - 【請求項２】誘電体マスクのないストライプ領域の幅を
一定としつつ、隣接した誘電体マスクの幅を異ならせる
ことで、量子井戸層のバンドギャップを変化させること
を特徴とする請求項１に記載のIII−V族半導体発光デバ
イスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11164967A JP2000353861A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | Ｉｉｉ−ｖ族半導体発光デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11164967A JP2000353861A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | Ｉｉｉ−ｖ族半導体発光デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000353861A true JP2000353861A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=15803286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11164967A Pending JP2000353861A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | Ｉｉｉ−ｖ族半導体発光デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000353861A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006140450A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-06-01 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 有機金属化合物 |
| JP2007053381A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 垂直構造の窒化ガリウム系ｌｅｄ素子の製造方法 |
| JP2010212664A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-09-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体レーザとその製造方法 |
-
1999
- 1999-06-11 JP JP11164967A patent/JP2000353861A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006140450A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-06-01 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 有機金属化合物 |
| JP2007053381A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 垂直構造の窒化ガリウム系ｌｅｄ素子の製造方法 |
| JP2010212664A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-09-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体レーザとその製造方法 |
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