JP4028158B2 - 半導体光デバイス装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザなどとして有用な半導体光デバイス装置に関し、特に高出力動作において信頼性が高い半導体光デバイス装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体光デバイス装置は、発光素子や増幅器などに広く利用されており、中でも半導体レーザは、その堅牢、高効率、広い波長選択範囲、耐久性等の特性を有するため、活発な研究開発が行われている。
図４に典型的なセルフアライン導波路インナーストライプ構造（以下「セルフアライン型」という）の半導体光デバイス装置の断面図を示す。
図４において、基板４１上に第１導電型クラッド層４２、活性層４３、及び第２導電型第１クラッド層４４が順に形成されている。第２導電型第１クラッド層４４の上には開口部４５を有する電流ブロック層４６が図示される形状で形成され、さらにその上に第２導電型第２クラッド層４７およびコンタクト層４８が順に形成されている。
このようなセルフアライン型半導体光デバイス装置では、第２導電型第２クラッド層４４の上にエピタキシャル成長により電流ブロック層４６を形成した後、エッチングにより一部を除去して順 メサ状の断面を有する開口部４５を形成する。この際のエッチングには、開口部４５の底面及び側面を直線状かつ平坦に形成する目的で、面方位依存性のあるエッチング液が使用される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のような順メサ状断面の開口部を有するセルフアライン型の半導体光デバイス装置は、その装置の信頼性において問題を生じていた。
例えば、従来の半導体光デバイス装置の製造工程において、エッチングにより形成した開口部に積層されたクラッド層で劣化が生じることがあった。このような劣化は、半導体光デバイス装置の信頼性や再現性を低下させ、歩留まりを低くしてしまうという問題があった。また、該開口部におけるクラッド層の結晶成長の質の低下は、開口部での電気抵抗を増大させ、熱抵抗が増加するという問題が生じており、さらに、開口部での光損失を増大させ、動作電流が増加するという問題も生じていた。熱抵抗および動作電流の増加は、高出力動作時においてバルク劣化を促進したり、出力飽和や非可逆的破壊である光損傷（以下「ＣＯＤ」（Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａｇｅ）という）を引き起こす原因となるため、装置における熱抵抗および動作電流の低減は光デバイス装置の高い性能および信頼性を維持するためには、必要不可欠である。
【０００４】
したがって、エッチングで形成した開口部を有するセルフアライン型の半導体光デバイス装置であっても、上記諸問題のない信頼性のある装置、特に装置の再現性がよく、高出力動作時における信頼性も高い半導体光デバイス装置の開発が従来から望まれていた。
かくして本発明は、上記の従来技術の問題に鑑みてなされたものであり、エッチングにより開口部を形成したセルフアライン型の半導体光デバイス装置であっても、高出力時において信頼性の高い半導体光デバイス装置を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、開口部の側面を湾曲させることによって、高出力動作時における信頼性が高い半導体光デバイス装置を提供しうることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、半導体光デバイス装置における電流ブロック層を面方位依存性のないエッチング液でエッチング処理して開口部の側面を所定の湾曲線とした結果、該開口部の側面におけるクラッド層のエピタキシャル成長が良好となり、かつ、クラッド層の結晶性の劣化を防止できることを見出し、高出力動作時においても信頼性の高い本発明の半導体光デバイス装置を提供するに至った。
【０００６】
本発明の半導体光デバイス装置は、基板、該基板上に形成された第１導電型クラッド層、該第１導電型クラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形成された第２導電型第１クラッド層、該第２導電第１クラッド層上に形成された開口部を有する電流ブロック層、該開口部内部および少なくとも該開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成された第２導電型第２クラッド層を有する半導体光デバイス装置であって、該開口部の長手方向に直交する断面において、該開口部の底面が直線で表され、該開口部の側面が湾曲線で表され、且つ、該湾曲線の接線の傾きの絶対値が該側面の下端部において０．０５〜５であることを特徴とする。
【０００７】
本発明の半導体光デバイス装置の好ましい態様として、前記開口部の長手方向に直交する断面において、開口部の側面の下端部と上端部とを結ぶ直線の傾きの絶対値が０．３〜１０である態様；前記開口部の長手方向に直交する断面において、前記湾曲線の接線の傾きの絶対値が前記側面の下端部において０．０５〜５である態様；前記開口部の長手方向に直交する断面において、前記湾曲線の接線の傾きの絶対値が前記側面の上端部において０．５〜５０である態様；前記開口部の長手方向に直交する断面において、前記湾曲線の接線の傾きの絶対値が、側面の下端部から上端部まで連続して増加する態様；前記基板の主面が（１００）面であり、前記開口部の長手方向が［０１−１］方向である態様；前記活性層がＩｎＧａＡｓ量子井戸からなる態様；前記電流ブロック層が、前記第２導電型第２クラッド層より小さい屈折率を有する半導体層で構成されている態様；前記電流ブロック層が、少なくとも第１導電型あるいは高抵抗の半導体層で構成されている態様；前記電流ブロック層が、ＡｌＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓＰで構成されている態様；前記第２導電型第１クラッド層と電流ブロック層との間に１層以上のエッチング阻止層を有する態様；前記エッチング阻止層が、前記活性層で発光した発光波長に対して透明である態様；前記エッチング阻止層が、ＧａＡｓで構成される態様；前記開口部から前記活性層に電流が注入される態様；前記開口部が、前記電流ブロック層をリン酸／過酸化水素系のエッチング液でエッチングして形成された態様；前記開口部が、両端部まで伸長しているストライプ状の開口部である態様；前記開口部が、一方の端部まで伸長しているが他方の端部までは伸長していない開口部である態様；前記半導体光デバイス装置の光出力が３０ｍＷ以上である態様；前記半導体光デバイス装置が光ファイバー増幅器励起用光源として用いられることを特徴とする態様；前記半導体光デバイス装置が光ファイバー増幅器として用いられることを特徴とする態様を挙げることができる。
なお、本明細書において「〜」は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を意味する。
【０００８】
本発明の半導体光デバイス装置は、電流ブロック層が開口部を有し、該開口部の側面が該開口部の長手方向に直交する断面において湾曲線で表される構造を有する。このため、本発明の半導体光デバイス装置であれば、開口部における第２導電型第２クラッド層の該開口部断面の側面における結晶成長が良好となり、該第２導電型第２クラッド層における劣化の発生を抑えることができる利点がある。
また、本発明の半導体光デバイス装置は、該開口部の側面における第２導電型第２クラッド層の結晶成長の質が良好となるため、該開口部での電気抵抗は減少し、熱抵抗の発生も抑えられるという利点がある。このため、本発明の半導体光デバイス装置であれば、高出力動作時における出力飽和やＣＯＤの発生を高確率で防止できる利点がある。
さらに、本発明の半導体光デバイス装置であれば、該開口部が面方位性のないエッチング液によりエッチング処理されているので、開口部の開口幅の均一性を高めることが可能となり、製造工程において高歩留まりで製作できることから、特に構造設計マージンの小さい半導体光デバイス装置に利用できる利点がある。
【０００９】
【発明の実施の態様】
以下において、本発明の半導体光デバイス装置についてその構造を詳細に説明する。本発明の半導体光デバイス装置は、基板、該基板上に形成された第１導電型クラッド層、該第１導電型クラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形成された第２導電型第１クラッド層、該第２導電第１クラッド層上に形成された開口部を有する電流ブロック層、該開口部内部および少なくとも該開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成された第２導電型第２クラッド層を有する半導体光デバイス装置であって、該開口部の長手方向に直交する断面において、該開口部の底面が直線で表され、該開口部の側面が湾曲線で表され、且つ、該湾曲線の接線の傾きの絶対値が該側面の下端部において０．０５〜５であることを特徴とする。本発明の半導体光デバイス装置は、これらの層の他に半導体光デバイス装置に通常形成される層を適宜有していてもよい。
【００１０】
本明細書において「Ａ層の上に形成されたＢ層」という表現は、Ａ層の上面にＢ層の底面が接するようにＢ層が形成されている場合と、Ａ層の上面に１以上の層が形成され、さらにその層の上にＢ層が形成されている場合の両方を含むものである。また、Ａ層の上面とＢ層の底面が部分的に接していて、その他の部分ではＡ層とＢ層の間に１以上の層が存在している場合も、上記表現に含まれる。具体的な態様については、以下の各層の説明と実施例の具体例から明らかである。
【００１１】
図１は、本発明の半導体光デバイス装置の一例における斜視図であり、図２は前記一例における開口部の形状を斜視した説明図及びその一部の拡大図である。
図１において本発明の半導体光デバイス装置の一例における構造は概略的に、化合物半導体からなる基板１１上に、第１導電型クラッド層１２、活性層１３、及び第２導電型第１クラッド層１４を積層し、その上にエッチング阻止層１５を介してストライプ状に開口された電流ブロック層１７及び表面保護層１８を有している。さらに電流ブロック層１７の開口した開口部１６に積層するように第２導電型第２クラッド層１９が形成され、その第２導電型第２クラッド層１９上にコンタクト層２０が形成されている。
【００１２】
本発明の半導体光デバイス装置は、第２導電型第２クラッド層１９が、側面が湾曲した開口部内部及び少なくとも開口部両脇の電流ブロック層１７上の一部に形成されるセルフアライン型である。したがって、本発明は、例えば特開平１０−２９００４３号公報に記載されているようなリッジ導型の半導体光デバイス装置に比べて、成長回数が少なくて済むこと、選択成長といった特殊な技術が不要（特にＡｌを多く含んだ化合物の選択成長は困難）であること等の利点がある。
【００１３】
図１において、前記半導体光デバイス装置を構成する基板１１は、その上にダブルへテロ構造の結晶を成長することが可能なものであれば、その導電性や材料については特に限定されない。好ましいものは、導電性がある基板である。具体的には、基板上への結晶薄膜成長に適したＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、Ｓｉ、Ａｌ2Ｏ3等の結晶基板、特に閃亜鉛鉱型構造を有する結晶基板を用いるのが好ましい。その場合、基板結晶成長面は低次な面またはそれと結晶学的に等価な面が好ましく、（１００）面が最も好ましい。
なお、本明細書において（１００）面という場合、必ずしも厳密に（１００）ジャストの面である必要はなく、最大３０°程度のオフアングルを有する場合まで包含する。オフアングルの大きさの上限は３０°以下が好ましく、１６°以下がより好ましい。下限は０．５°以上が好ましく、２°以上がより好ましく、６°以上がさらに好ましく、１０°以上が最も好ましい。
【００１４】
また、基板１１は六方晶型の基板でもよく、例えばＡｌ2Ｏ3、６Ｈ−ＳｉＣ等からなる基板を用いることもできる。
【００１５】
基板１１上には、通常基板の欠陥をエピタキシャル成長層に持ち込まないために厚さ０．２〜２μｍ程度のバッファ層を形成しておくこともできる。
【００１６】
基板１１上には、活性層１３を含む化合物半導体層を形成する。化合物半導体層は、活性層の上下に活性層より屈折率の小さい層を含んでおり、そのうち基板側の層は第１導電型クラッド層、他方のエピタキシャル側の層は第２導電型クラッド層として機能する。これらの屈折率の大小関係は、各層の材料組成を当業者に公知の方法にしたがって適宜選択することにより調節することができる。例えば、ＡｌxＧａ1-xＡｓ、（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ、ＡｌxＧａ1-xＮなどのＡｌ組成を変化させることによって屈折率を調節することができる。
【００１７】
第１導電型クラッド層１２は、活性層１３よりも屈折率の小さい材料で形成される。また、第１導電型クラッド層１２の屈折率は、第２導電型クラッド層の屈折率よりも大きいことが好ましい。例えば、第１導電型のＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＢｅＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ等の一般的なIII−Ｖ族、II−VI族半導体を用いることができる。
第１導電型クラッド層１２のキャリア濃度は、下限は１×１０17ｃｍ-3以上が好ましく、３×１０17ｃｍ-3以上がより好ましく、５×１０17ｃｍ-3以上が最も好ましい。上限は２×１０20ｃｍ-3以下が好ましく、２×１０19ｃｍ-3以下がより好ましく、５×１０18ｃｍ-3以下が最も好ましい。
【００１８】
第１導電型クラッド層１２は、単層からなるものであるときは、好ましくは０．４〜５μｍ、より好ましくは１〜３μｍ程度の厚みを有する。
【００１９】
第１導電型クラッド層１２は複数層からなるものであってもよく、具体的には活性層側にはＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなるクラッド層と、その層よりも基板側に第１導電型のＡｌＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓＰからなるクラッド層が形成されている態様を例示することができる。このとき、活性層側の層の厚さは薄くすることが好ましく、厚さの下限としては０．０１μｍ以上が好ましく、０．０５μｍ以上がより好ましい。上限としては、０．５μｍ以下が好ましく、０．３μｍ以下がより好ましい。また、基板側の層のキャリア濃度は、下限が２×１０17ｃｍ-3以上であることが好ましく、５×１０17ｃｍ-3以上がより好ましい。上限は２×１０20ｃｍ-3以下が好ましく、５×１０19ｃｍ-3以下がより好ましい。
【００２０】
本実施例の半導体光デバイス装置を構成する活性層１３の構造は、特に制限されず、図１の一例においては、二重量子井戸（ＤＱＷ）構造を有している。この二重量子井戸（ＤＱＷ）構造は具体的には光閉じ込め層（ノンドープ）５１、量子井戸層（ノンドープ）５２、バリア層（ノンドープ）５３、量子井戸層（ノンドープ）５４及び閉じ込め層（ノンドープ）５５を順次積層した構造を有する。この二重量子井戸（ＤＱＷ）構造以外にも、例えば、量子井戸層及び前記量子井戸層を上下から挟む光閉じ込め層からなる単一量子井戸構造（ＳＱＷ）や、３層以上の量子井戸層及びそれらに挟まれたバリア層ならびに最上の量子井戸層の上及び最下の量子井戸層の下に積層された光閉じ込め層を有する多量子井戸構造であってもよい。活性層１３を量子井戸構造とすることにより、単層のバルク活性層と比較して、短波長化（６３０ｎｍ〜６６０ｎｍ）かつ低しきい値化を達成することができる。
【００２１】
活性層１３の材料としては、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓ、ＡｌＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮなどを例示することができる。特に活性層１３がＩｎＧａＡｓの量子井戸層からなる場合は、自然超格子が形成されやすいために、オフ基板を用いることによる自然超格子抑制の効果を大きくすることができる。
【００２２】
活性層１３の上には、第２導電型クラッド層が形成される。本発明の第２導電型クラッド層は２層以上形成する。
【００２３】
第２導電型第１クラッド層１４は、活性層１３よりも屈折率の小さい材料で形成される。例えば、第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＢｅＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ等の一般的なIII−Ｖ族、II−VI族半導体を用いることができる。第２導電型クラッド層がＡｌを含むIII−Ｖ族化合物半導体で構成されている場合は、その成長可能な実質的全面をＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＮ等のＡｌを含まないIII−Ｖ族化合物半導体で覆えば表面酸化を防止することができるため好ましい。
【００２４】
第２導電型第１クラッド層１４のキャリア濃度は、下限は１×１０17ｃｍ-3以上が好ましく、３×１０17ｃｍ-3以上がより好ましく、５×１０17ｃｍ-3以上が最も好ましい。上限は５×１０18ｃｍ-3以下が好ましく、３×１０18ｃｍ-3以下がより好ましく、２×１０18ｃｍ-3以下が最も好ましい。厚さの下限としては０．０１μｍ以上が好ましく、０．０５μｍ以上がより好ましく、０．０７μｍ以上が最も好ましい。上限としては、０．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以下がより好ましく、０．２μｍ以下が最も好ましい。
【００２５】
第２導電型第１クラッド層１４は活性層１３の上に形成する。本発明の好ましい実施様態では、第２導電型第１クラッド層１４の屈折率は、第１導電型クラッド層１２の屈折率よりも小さい。このような態様を採用することにより、活性層から光ガイド層側へ有効に光がしみ出すように光分布（近視野像）を制御することができる。また、活性領域（活性層の存在する部分）から不純物拡散領域への光導波損失を低減することもできるため、高出力動作におけるレーザ特性や信頼性の向上を達成することができる。
【００２６】
第２導電型第１クラッド層１４の上に第エッチング阻止層１５を形成することにより、少なくとも開口部１６内に第２導電型第２クラッド層１９を再成長させる際に、再成長界面で通過抵抗を増大させるような高抵抗層の発生を容易に防ぐことができるようになる。
【００２７】
エッチング阻止層１５は、材料と厚みを選択することによって活性層からの光を吸収しないようにすることもでき、活性層１３で発光した発光波長に対して透明であることが好ましい。
エッチング阻止層１５の材料は、酸化されにくいか或いは酸化されてもクリーニングが容易な材料であれば特に限定されない。具体的には、ＡｌXＧａ1-XＡｓ(０≦Ｘ≦１)、ｌｎYＧａl-YＰ（０≦Ｙ≦１）などのＡｌ等の酸化されやすい元素の含有率が低い（０．３以下程度）III−Ｖ族化合物半導体層が挙げられる。
エッチング阻止層１５は、一般に活性層の材料よりもバンドギャップが大きい材料から選択されるが、バンドギャップが小さい材料であっても、その厚さが下限として、２ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上であり、上限として５０ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以下であれば、実質的に光の吸収が無視できるので使用可能である。
【００２８】
エッチング阻止層１５は２層以上の複数の層から形成されてもよい。この場合、溝を形成するために２回以上の複数回のエッチングを行なうことがある。
エッチング阻止層１５の導電型は、エッチングにより溝内部から除去される場合は特に制限はなく、溝内部に層が形成される場合は第２導電型が好ましい。また、エッチング阻止層１５は基板になるべく格子整合させることが好ましい。
【００２９】
本発明の半導体光デバイス装置を構成する電流ブロック層１７は、第２導電型第１クラッド層１４上に形成され、開口部１６を有する。基本的には、該開口部１６から活性層１３に電流が注入される。
【００３０】
電流ブロック層１７の材料は半導体であることが好ましい。電流ブロック層１７の材料として半導体を用いた場合は、誘電体膜と比較して熱伝導率が高いために放熱性が良い、劈開性が良い、平坦化しやすいためにジャンクション・アップで組み立てやすい、コンタクト層を全面に形成しやすいのでコンタクト抵抗を下げやすいなどの利点がある。
【００３１】
電流ブロック層１７の屈折率は、電流ブロック層１７に挟まれたＡｌＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓＰからなる第２導電型第２クラッド層１９の屈折率よりも低くする（実屈折率ガイド構造）。このような屈折率の制御を行うことによって、従来のロスガイド構造に比べて動作電流を低減することが可能になる。
電流ブロック層１７と第２導電型第２クラッド層１９との屈折率差は、電流ブロック層１７が化合物半導体の場合、下限は０．００１以上が好ましく、０．００３以上がより好ましく、０．００７以上が最も好ましい。上限は、１．０以下が好ましく、０．５以下がより好ましく、０．１以下が最も好ましい。
電流ブロック層１７が誘電体の場合、下限は０．１以上が好ましく、０．３以上がより好ましく、０．７以上が最も好ましい。上限は、３．０以下が好ましく、２．５以下がより好ましく、１．８以下が最も好ましい。
【００３２】
第２導電型第２クラッド層１９よりも低屈折率にすることや、ＧａＡｓ基板との格子整合を考慮すると、電流ブロック層１７の材料としては、化合物半導体であるＡｌＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓＰを用いることが好ましい。ただし、ＡｌＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓＰの場合は、Ａｌ組成がＡｌＡｓに近くなりすぎると潮解性を示すので、Ａｌ組成の上限は０．９５以下が好ましく、０．９２以下がより好ましく、０．９０以下が最も好ましい。また電流ブロック層１７は、第２導電型クラッド層１９よりも低屈折率にする必要があることから、Ａｌ組成の下限は０．３以上が好ましく、０．３５以上がより好ましく、０．４以上が最も好ましい。
【００３３】
電流ブロック層１７は、光分布（特に横方向の光分布）を制御したり電流阻止の機能を向上させるために、屈折率、キャリア濃度又は導電型が異なる２つ以上の層から形成してもよい。
電流ブロック層１７の導電型は、第１導電型又は高抵抗（アンドープもしくは深い順位を形成する不純物（Ｏ、Ｃｒ、Ｆｅなど）をドープ）、あるいはこれら２つの組み合わせのいずれであってもよく、導電型あるいは組成の異なる複数の層から形成されていてもよい。例えば、活性層１３に近い側から第２導電型あるいは高抵抗の半導体層、および第１導電型の半導体層の順に形成されている電流ブロック層を好ましく用いることができる。また、あまり薄いと電流阻止に支障を生じる可能性があるため、厚さは０．１μｍ以上であるのが好ましく、０．３μｍ以上であるのがより好ましい。一方、厚すぎると通過抵抗の増大を招くため、上限は２μｍ以下が好ましく、１μｍ以下がより好ましい。素子としてのサイズ等を勘案すれば、０．３〜１μｍ程度の範囲から選択するのが好ましい。
【００３４】
電流ブロック層の上に表面保護層１８を形成して、表面酸化の抑制あるいはプロセス上の表面保護を図ることができる。表面保護層１８の導電型は特に規定されないが、第２導電型とすることにより、電流阻止機能の向上を図ることができる。
【００３５】
電流ブロック層１７の上側層として、開口部１６内部および少なくとも開口部１６両脇の電流ブロック層１７上の一部に至るように第２導電型第２クラッド層１９が形成される。第２導電型第２クラッド層１９は、開口部１６の上側表面をすべて覆い且つ開口部１６の両脇の電流ブロック層１７上の少なくとも一部に延在されるように形成される。
【００３６】
第２導電型第２クラッド層１９のキャリア濃度は、下限は３×１０17ｃｍ-3以上が好ましく、５×１０17ｃｍ-3以上がより好ましく、７×１０17ｃｍ-3以上が最も好ましい。上限は１×１０19ｃｍ-3以下が好ましく、５×１０18ｃｍ-3以下がより好ましく、３×１０18ｃｍ-3以下が最も好ましい。
【００３７】
第２導電型第２クラッド層１９の厚さは、薄くなりすぎると光閉じ込めが不十分となり、厚くなりすぎると通過抵抗が増加してしまうことを考慮して、下限は０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましい。上限は３．０μｍ以下が好ましく、２．０μｍ以下がより好ましい。
【００３８】
電流ブロック層１７と第２導電型第２クラッド層１９を形成した後にさらに電極を形成するに先立ち、電極材料との接触抵抗を低減するために、低抵抗（高キャリア濃度）のコンタクト層２０を形成することが好ましい。特に半導体光デバイス装置を半導体発光素子として用いる場合には、電極を形成しようとする最上層表面の全体にコンタクト層２０を形成したうえで電極を形成することが好ましい。
【００３９】
このとき、コンタクト層２０の材料は、通常はクラッド層よりバンドギャップが小さい材料の中から選択し、金属電極とのオーミック性を取るため低抵抗で適当なキャリア密度を有するのが好ましい。キャリア密度の下限は、１×１０18ｃｍ-3以上が好ましく、３×１０18ｃｍ-3以上がより好ましく、５×１０18ｃｍ-3以上が最も好ましい。上限は、２×１０20ｃｍ-3以下が好ましく、５×１０19ｃｍ-3以下がより好ましく、３×１０19ｃｍ-3以下が最も好ましい。コンタクト層の厚みは、０．１〜１０μｍが好ましく、１〜８μｍがより好ましく、２〜６μｍがもっとも好ましい。
【００４０】
次に、電流ブロック層１７に形成される開口部１６について説明する。
【００４１】
開口部１６の伸びる方向（長手方向）に直交する断面において、開口部の側面は湾曲線２１で表される（図２）。開口部側面２１の湾曲線の形状は、例えば四半円形状、放物線状、四半楕円形状等であってもよい。
【００４２】
開口部の側面を表す湾曲線は、側面の下端部Ａと上端部Ｂとを結ぶ直線ｌの傾きの絶対値が
０．３〜１０の曲線であることが好ましく、０．５〜６の曲線であることがより好ましく、
０．８〜２．５の曲線であることがさらにより好ましい。ここで、本明細書における「直線ｌの傾き」とは、開口部底面２２を水平軸とし、それに垂直な方向を垂直軸とした場合の傾きを意味し、具体的には該水平軸に沿った水平方向の増加分（Δｘ）に対する垂直方向の増加分（Δｙ）の割合（Δｙ／Δｘ）を示す（図２（ｃ））。
【００４３】
開口部の長手方向に直交する断面において、湾曲線２１の接線の傾きの絶対値は側面の下端部Ａにおいて０．０５〜５であることが好ましく、０．１〜３であることがより好ましく、０．２〜１．５であることがさらにより好ましい（接線ｍ）。開口部の長手方向に直交する断面において、湾曲線２１の接線の傾きの絶対値は側面の上端部Ｂにおいて０．５〜５０であることが好ましく、１〜３０であることがより好ましく、１．５〜１０であることがさらにより好ましい（接線ｎ）。また、開口部の長手方向に直交する断面において、湾曲線の接線の傾きの絶対値は、側面の下端部Ａから上端部Ｂまで連続して増加することが好ましい。接線ｍと接線ｎは、直線ｌの場合と同様に、開口部底面２２を水平軸とし、それに垂直な方向を垂直軸として定義される。
開口部の側面を表す湾曲線が、上記の好ましい条件を満たすときに、開口部側面からの第２導電型第２クラッド層の結晶成長が良好となり、結晶性の劣化も生じ難くなる。
【００４４】
開口部１６は電流ブロック層１７を形成した後、エッチングにより形成することが好ましい。開口部１６のエッチングは、開口部側面２１を所定の湾曲線とすることができるものであれば、特に限定されない。エッチング方法として、ウエットエッチング、ドライエッチング、プラズマエッチングなど各種のエッチングが挙げられるが、好ましくはウエットエッチング、より好ましくは面方位依存性のないエッチング液を用いたウエットエッチングである。
ウエットエッチングで面方位依存性のないエッチング液、例えばリン酸／過酸化水素系エッチング液を使用した場合、特に開口部側面２１の湾曲線が好ましいものとなり、開口部側面２１における第２導電第２クラッド層１９のエピタキシャル成長が良好となる利点がある。また、該面方位性のないエッチング液であれば、開口部１６の幅を均一化できるので、本発明の半導体光レーザ装置を高歩留まりで製造でき、かつ、設計マージンの小さな半導体光デバイス装置の製造も可能となる。
【００４５】
開口部１６の形状は、上側（コンタクト層側）よりも下側（活性層側）の方が小さくなるようにする方が、通過抵抗、動作電圧および発熱の低減の観点から好ましい。
また、電流ブロック層１７を端面近傍にも形成した場合、開口部１６における電流注入を活性層１３端部でも抑制することができる。これにより、端部領域での劣化（特に端面劣化）を低減することができる。
【００４６】
電流ブロック層１７の開口部１６は、両端部まで伸長しているストライプ状の開口部であってもよいし、一方の端部まで伸長しているが他方の端部までは伸長していない開口部であってもよい。開口部が両端部まで伸長しているストライプ状の開口部である場合は、端部窓構造領域における光の制御がより容易になり、端面における横方向の光の拡がりを小さくすることができる。一方、開口部が端面からある程度内側に入った部分に形成されている場合は、端面付近で電流を非注入にすることができるため、端面での電流の再結合を防ぐとともに、クラッド層などからの電流の回り込みを最小限にとどめることができる。開口部の構造はこのような利点を考慮しながら、使用目的に応じて適宜決定することが好ましい。
【００４７】
オフアングルの方向は、電流ブロック層１７に形成される開口部１６の伸びる方向（長手方向）に直交する方向から、±３０°以内の方向が好ましく、±７°以内の方向がより好ましく、±２°以内の方向が最も好ましい。また、開口部１６の方向は、基板の面方位が（１００）の場合、［０−１１］またはそれと等価な方向が、オフアングルの方向は［０１１］方向またはそれと等価な方向から±３０°以内の方向が好ましく、±７°以内の方向がより好ましく、±２°以内の方向が最も好ましい。
【００４８】
なお、本明細書において「［０１−１］方向」という場合は、一般的なIII−Ｖ族、II−VI族半導体において、（１００）面と［０１−１］面との間に存在する［１１−１］面が、それぞれＶ族又はVI族元素が現れる面であるように［０１−１］方向を定義する。
【００４９】
同様の理由により、ウルツァイト型の基板を用いた場合には、開口部の伸びる方向は、例えば（０００１）面上では［１１−２０］又は［１−１００］が好ましい。ＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy）ではどちらの方向でもよいが、ＭＯＶＰＥでは［１１−２０］方向がより好ましい。
【００５０】
本発明の半導体光デバイス装置を設計するに際しては、まず、所望の垂直拡がり角を得るために活性層の厚みとクラッド層の組成を決定する。通常、垂直拡がり角を狭くすると活性層からクラッド層への光の浸みだしが促進され、端面での光密度が小さくなり、出射端面のＣＯＤレベルが向上することができるので、高出力動作を必要とする時には比較的に狭めに設定される。垂直拡がり角の下限は、活性層内の光閉じ込めの低減による発振しきい値電流の増大及びキャリアのオーバーフローによる温度特性の低下を抑制する必要があることから制限があり、下限としては１５°以上が好ましく、１７°以上がより好ましく、１９°以上が最も好ましい。一方、垂直拡がり角の上限としては、３３°以下が好ましく、３１°以下がより好ましく、３０°以下が最も好ましい。
【００５１】
次に、垂直拡がり角を決定すると、高出力特性を大きく支配する構造パラメータは活性層と電流ブロック層との間の距離ｄｐと開口部底部における幅（以下「開口幅」という）Ｗとなる。なお、活性層と電流ブロック層との間に第２導電型第１クラッド層のみが存在する場合、ｄｐは第２導電型第１クラッド層の厚みとなる。また、活性層が量子井戸構造の場合、最も電流ブロック層に近い活性層と電流ブロック層との距離がｄｐになる。
【００５２】
ｄｐについては、上限は０．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以下がより好ましく、０．３μｍ以下がもっとも好ましい。ｄｐの下限としては、０．０３μｍ以上が好ましく、０．０５μｍ以上がより好ましく、０．０７μｍ以上がもっとも好ましい。ただし、使用目的（拡がり角をどこに設定するかなど）、材料系（屈折率、抵抗率等）などが異なると、上記の最適範囲も少しシフトする。また、この最適範囲は上記の各構造パラメータがお互いに影響し合うことにも注意を要する。
【００５３】
開口部底部における開口幅Ｗは、上限が１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましい。開口幅Ｗの下限としては、１μｍ以上であることが好ましく、１．５μｍ以上であることがより好ましく、２μｍ以上であることがもっとも好ましい。また、横モードをシングルモード（単一ピークの横方向光強度分布）にするためには、高次モードのカットオフ及び空間的ホールバーニングの防止の観点から開口幅Ｗをあまり大きくすることができず、開口幅Ｗの上限は７μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましく、３μｍ以下がもっとも好ましい。
【００５４】
高出力動作を実現するには、開口部底部における開口幅Ｗを広くすることが端面での光密度低減の観点から有効であるが、動作電流を低減するためには開口幅を狭くすることが、導波路ロス低減の観点から好ましい。そこで、ゲイン領域となる中央付近の開口幅Ｗ２を比較的狭くし、端部付近の開口幅Ｗ１を比較的広くなるようにすることにより、低動作電流と高出力動作を同時に実現することができ、高い信頼性も確保することができる（図５（ａ））。
すなわち、端部（劈開面）幅Ｗ１については、上限が１０００μｍ以下であることが好ましく、５００μｍ以下であるがより好ましい。端部幅Ｗ１の下限については、２μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましい。中央部幅Ｗ２については、上限が１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましい。中央部幅Ｗ２の下限としては、１μｍ以上であることが好ましく、１．５μｍ以上であることがより好ましく、２μｍ以上であることがもっとも好ましい。端部幅Ｗ１と中央部幅Ｗ２の差については、上限は１０００μｍ以下が好ましく、５００μｍ以下がより好ましい。下限については、０．２μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましい。
【００５５】
さらに横モードをシングルモードにするためには、端部幅Ｗ１の上限は、１０μｍ以下が好ましく、７μｍ以下がより好ましい。中央部幅Ｗ２の上限は、７μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましい。端部幅Ｗ１と中央部幅Ｗ２の差については、上限は５μｍ以下が好ましく、３μｍ以下がより好ましく、２μｍ以下が最も好ましい。下限については、０．２μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましい。
【００５６】
高い信頼性を維持しつつビームが円形に近いレーザを達成するためには、上記ｄｐとＷを適切な範囲に制御性よく納めることが必要となる。
【００５７】
円形に近いビームを実現するには、開口幅を狭くすることが有効であるが、開口幅を狭くすると注入電流密度の密度がバルク劣化抑制の観点から好ましくない。そこで、ゲイン領域となる中央部幅Ｗ２を比較的広くし、端部付近を比較的狭くなるようにすることにより、ビームスポット低減と低動作電流を同時に実現することができ、高い信頼性も確保することができる（図５（ｂ））。
すなわち、端部（劈開面）幅Ｗ１については、上限が１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であるがより好ましく、３μｍ以下であるがもっとも好ましい。端部（劈開面）幅Ｗ１の下限としては、０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましい。中央部幅Ｗ２については、上限が１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましい。中央部幅Ｗ２の下限としては、１μｍ以上であることが好ましく、１．５μｍ以上であることがより好ましく、２μｍ以上であることがもっとも好ましい。端部幅Ｗ１と中央部幅Ｗ２の差については、上限は１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。下限については、０．２μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましい。
【００５８】
上記の漸増部分あるいは漸減部分、端部の長さは所望の特性に応じて、設計すればよいが、漸減部分の長さは、導波路損失低減の観点から、それぞれ５〜１０μｍが好ましく、１０〜５０μｍがより好ましい。端部の長さは、劈開精度の観点から５〜３０μｍが好ましく、１０〜２０μｍがより好ましい。ただし、必要に応じて、以下のように窓を作製してもよい。
（１）端部、漸増部分あるいは漸減部分の開口幅あるいは長さがチップ両側で非対称となるもの。
（２）端部の幅一定となる領域を設定せずに、端部まで漸増あるいは漸減としたもの。
（３）端面の片側（通常、高出力光取り出し（前端面）側）だけ開口幅が漸増あるいは漸減するようにしたもの。
（４）端部開口幅が前端面と後端面とで異なるもの。
（５）上記の（１）〜（４）のいくつかを組み合わせたもの。
【００５９】
また、端面付近に電極を設けないようにして、端部近傍の開口部への電流注入によるバルク劣化の抑制や端面での再結合電流を低減することは、高い信頼性での小スポット径のレーザ作製の観点から有効である。
【００６０】
本発明の半導体光デバイス装置の光出力は、下限が３０ｍＷ以上である。少なくとも光出力が３０ｍＷ以上で長時間の寿命を確認できれば、高出力動作時における半導体光デバイス装置の信頼性も高いものとなる。
半導体発デバイス装置の光出力は、１００ｍＷ以上、さらには３００ｍＷ以上であっても長時間寿命を有するものとなる。
【００６１】
本発明の半導体光デバイス装置を製造する方法は特に制限されない。いかなる方法により製造されたものであっても、上記請求項１の要件を満たすものであれば本発明の範囲に含まれる。
【００６２】
本発明の半導体光デバイス装置を製造する際には、従来から用いられている方法を適宜選択して使用することができる。結晶の成長方法は特に限定されるものではなく、ダブルヘテロ構造の結晶成長や電流ブロック層等の選択成長には、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、ハイドライドあるいはハライド気相成長法（ＶＰＥ法）、液相成長法（ＬＰＥ法）等の公知の成長方法を適宜選択して用いることができる。
【００６３】
本発明の半導体光デバイス装置の製造方法としては、まず基板１１上に第１導電型クラッド層１２及び第２導電型第１クラッド層１４と活性層１３を有するダブルヘテロ構造を形成後、第２導電型第１クラッド層１４上に電流ブロック層１７を形成し、電流ブロック層１７をエッチングにより開口して開口部１６を形成した後、開口部内部及び該開口部両脇の電流ブロック層１７上の一部に第２導電型第２クラッド層１９を形成する工程を例示することができる。この製造方法の詳細やその他の製造方法については、以下の実施例や関連技術文献から理解することができる。
【００６４】
各層の具体的成長条件等は、層の組成、成長方法、装置の形状等に応じて異なるが、ＭＯＣＶＤ法を用いてIII−Ｖ族化合物半導体層を成長する場合、ダブルへテロ構造は、成長温度６００〜７５０℃程度、Ｖ／III比５０〜１５０程度（ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓの場合）、２０〜６０程度（ＡｌＧａＡｓの場合）或いは３００〜６００程度（ＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰの場合）、電流ブロック層は成長温度６００〜７００℃、Ｖ／III比４０〜６０程度（ＡｌＧａＡｓの場合）或いは３５０〜５５０程度（ＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰの場合）で行うのが好ましい。
【００６５】
特に表面保護層１８を用いて選択成長する部分がＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰのようにＡｌを含む場合、成長中に微量のＨＣｌガスを導入することにより、マスク上へのポリの堆積を防止することができるため非常に好ましい。Ａｌの組成が高いほど、或いはマスク幅又はマスク面積比が大きいほど、他の成長条件を一定とした場合、ポリの堆積を防止し、かつ半導体表面露出部のみに選択成長を行う（セレクティブモード）のに必要なＨＣｌ導入量は増加する。一方、ＨＣｌガスの導入量が多すぎるとＡｌＧａＡｓ層の成長が起こらず、逆に半導体層がエッチングされてしまうが（エッチングモード）が、Ａｌ組成が高くなるほど他の成長条件を一定とした場合、エッチングモードになるのに必要なＨＣｌ導入量は増加する。
このため、最適なＨＣｌ導入量はトリメチルアルミニウム等のＡｌを含んだIII族原料供給モル数に大きく依存する。具体的には、ＨＣｌの供給モル数とＡｌを含んだIII族原料供給モル数の比（ＨＣｌ／III族）は、下限は０．０１以上が好ましく、０．０５以上がより好ましく、０．１以上が最も好ましい。上限は、５０以下が好ましく、１０以下がより好ましく、５以下が最も好ましい。ただし、Ｉｎを含む化合物半導体層を選択成長（特に、ＨＣｌ導入）させる場合は、組成制御が困難になりやすい。
【００６６】
セルフアライン型の形成や選択成長に使用する表面保護層１８は、誘電体であることが好ましく、具体的には、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯ2膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ2Ｏ3膜、ＺｎＯ膜、ＳｉＣ膜及びアモルファスＳｉからなる群から選択される。表面保護層１８は、マスクとしてＭＯＣＶＤなどを用いてグルーブを選択再成長により形成する場合に用いられる。
【００６７】
本発明の半導体光デバイス装置を利用した半導体レーザ装置として、情報処理用光源（通常ＡｌＧａＡｓ系（波長７８０ｎｍ近傍）、ＡｌＧａＩｎＰ系（波長６００ｎｍ帯）、ＩｎＧａＮ系（波長４００ｎｍ近傍）、通信用信号光源（通常ＩｎＧａＡｓＰ或いはＩｎＧａＡｓを活性層とする１．３μｍ帯、１．５μｍ帯）レーザ、ファイバー励起用光源（ＩｎＧａＡｓ歪み量子井戸活性層／ＧａＡｓ基板を用いる９８０ｎｍ近傍、ＩｎＧａＡｓＰ歪み量井戸活性層／ＩｎＰ基板を用いる１４８０ｎｍ近傍など）レーザなどの通信用半導体レーザ装置などの、特に高出力動作が求められる多用な装置を挙げることができる。また、通信用レーザでも、円形に近いレーザはファイバーとの結合効率を高める点で有効である。また、遠視野像が単一ピークであるものは、情報処理や光通信などの幅広い用途に好適なレーザとして供することができる。
【００６８】
さらに、本発明の半導体光デバイス装置は、半導体レーザ以外に半導体光増幅器、光検出器、光変調器、光スイッチなどの光素子及びこれらの集積装置についても応用が可能である。
また、本発明は半導体レーザ以外に端面発光型などの発光ダイオード（ＬＥＤ）としても応用可能である。
【００６９】
【実施例】
以下に具体例を挙げて、本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、割合、操作等は、本発明の精神を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例に制限されるものではない。
【００７０】
本実施例において、図３に示す順に各層を形成することにより半導体光デバイス装置の一つである半導体発光素子を製造した。なお、図３(ａ)〜図３（ｃ）には、構造を把握しやすくするために敢えて寸法を変えている部分があるが、実際の寸法は以下の文中に記載されるとおりである。
【００７１】
厚さ３５０μｍで表面が（１００）面であるｎ型ＧａＡｓ（ｎ＝１×１０18ｃｍ-3）基板３０１上に、ＭＢＥ法により、厚さ２．０μｍのｎ型Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ（Ｓｉドープ：ｎ＝１×１０18ｃｍ-3）からなるｎ型クラッド層３０２、厚さ３０ｎｍのＧａＡｓ光閉じ込め層（ノンドープ）、厚さ６ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ井戸層（ノンドープ）、厚さ８ｎｍのＧａＡｓバリア層（ノンドープ）、厚さ６ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ井戸層（ノンドープ）及び厚さ３０ｎｍのＧａＡｓ光閉じ込め層（ノンドープ）を順次積層してなる二重量子井戸（ＤＱＷ）活性層３０３、厚さ０．１μｍのｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ（Ｂｅドープ：ｐ＝１×１０18ｃｍ-3）からなるｐ型第１クラッド層３０４、厚さ１０ｎｍのｐ型ＧａＡｓ（Ｂｅドープ：ｐ＝１×１０18ｃｍ-3）第２エッチング阻止層３０５、厚さ２０ｎｍのｐ型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ（Ｂｅドープ：ｐ＝１×１０17ｃｍ-3）第１エッチング阻止層３０５’、厚さ０．５μｍのｎ型Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ（Ｓｉドープ：ｎ＝１×１０18ｃｍ-3）からなるｎ型電流ブロック層３０６、厚さ１０ｎｍのｎ型ＧａＡｓ（Ｓｉドープ：ｎ＝１×１０18ｃｍ-3）からなるｎ型キャップ３０７を順次積層した（図３（ａ））。
【００７２】
電流注入領域を形成するために、まず、このダブルヘテロ基板の表面に厚さ１００ｎｍのＳｉＮｘ表面保護層をプラズマＣＶＤにより堆積させ、フォトリソグラフィーにより［０−１１］Ｂ方向にストライプ状の開口部３０８を多数形成した。
なお［０１−１］Ｂ方向は、一般的なIII−Ｖ族化合物半導体において、（１００）面と（０１−１）面の間に存在する（１１−１）面が、Ｖ族元素が現れる面である様に定義する。
【００７３】
このＳｉＮｘ表面保護層をエッチングマスクとして、このストライプ状の開口部３０８において、第１エッチング阻止層３０５’でエッチングが停止するようにして、電流ブロック層３０６をリン酸／過酸化水素系のエッチング液を用いてエッチングにより除去し、ストライプ状の開口部３０８の形成を完了した。このときストライプ状の開口部３０８断面の側面は湾曲線状となり、開口部３０８の底面の幅は２．２μｍ、横方向のスペース間隔は４００μｍであった。
この後、ストライプ状のＳｉＮｘ保護膜を緩衝フッ酸液などのウェットエッチングもしくはＳＦ6、ＣＦ4などのガスを用いたドライエッチングを用いて除去した。次に、第２エッチング阻止層３０５でエッチング停止するようにして、上記開口部直下（電流注入領域）の第１エッチング停止層３０５’を塩酸系エッチング液を用いてエッチングにより除去し、ストライプ状の溝３０８の形成を完了した（図３（ｂ））。
【００７４】
この後、ＭＯＣＶＤ法により厚さ２．２μｍのｐ型Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ（Ｚｎドープ：ｐ＝１×１０18ｃｍ-3）からなるｐ型第２クラッド層３０９、及び厚さ３．５μｍのｐ型ＧａＡｓ（Ｚｎドープ：ｐ＝２×１０19ｃｍ-3）からなるコンタクト層３１０を成長させた。
【００７５】
この後、ｐ側の電極３１１を蒸着し、基板を１００μｍまで薄くした後に、ｎ側電極３１２を蒸着し、アロイした（図３（ｃ））。こうして作製したウエハーを劈開して、レーザ光出射端面を形成（１次劈開）するようにチップバーに切り出し、半導体発光素子レーザを作製した。このときの共振器長は１０００μｍとした。
前端面５％−後端面９５％の非対称コーティングを施した後、２次劈開によりチップに分離した。チップをジャンクションダウンで組立した後、２５℃で連続通電（ＣＷ）にて電流−光出力、電流−電圧特性を測定した。
【００７６】
このようにして作製した半導体発光素子は、動作電流の増加とともに光出力が増加し、約５００ｍＷまでキンクフリーでかつ約６５０ｍＷまでＣＯＤせずに光出力が得られた。しかし、それ以上に動作電流を増加させても光出力は増加せず、素子自体の発熱による熱飽和によって光出力が制限された。発振波長は平均９７９ｎｍ、しきい値電流は平均２０ｍＡ、スロープ効率は平均０．８５ｍＷ／ｍＡであり、特性は非常に良好であった。また、３００ｍＷ出力時における垂直広がり角は平均２８°、水平拡がり角は平均８．５°であった。このとき、非点隔差は２μｍ以下と非常に小さくすることができ、光ファイバーとの光結合特性に優れた光源となることが判明した。さらに、高い信頼性（７０℃、３００ｍＷの高温、高出力における３０００時間以上の安定動作）が得られることが判明した。また、電流注入のための開口部をエッチング阻止層までのエッチングにより形成しているため、素子構造の均一性を高めることができ、上記の半導体レーザ素子を高歩留まりで作製することができた。
【００７７】
（比較例）
電流ブロック層を酒石酸／過酸化水素系のエッチング液を用いてエッチングにより除去し、ストライプ状の溝を形成した点、及び側壁は直線からなるファセット面（通常、（１１１）Ａ面近傍）である点を除き、実施例１と同じ工程によって半導体発光素子を作製した。
半導体発光素子のチップ断面形状をＳＥＭで観察したところ、比較例ではブロック層側壁から成長したｐ型第２クラッド層に結晶性の劣化した領域が存在することが判明した。一方、実施例の湾曲した側壁からは比較例のような結晶性の劣化した領域は認められなかった。
この素子構造の半導体発光素子では、実施例の素子に比べて、長寿命試験において劣化率が約２〜５倍大きくなった。
この原因としては、上記のブロック層側壁から成長したｐ型第２クラッド層において結晶性の劣化が関与していると考えられる。
【００７８】
【発明の効果】
本発明の半導体光デバイス装置は、ストライプ状の開口部の側面を曲線状の形とすることにより、該開口部側面から成長したクラッド層の結晶性の劣化を防止できる。このため、本発明の半導体光デバイス装置は、高出力動作時における装置の信頼性が高い。また、本発明の半導体光デバイス装置は、開口幅の均一性を高め、高歩留まりで作製することができることから、特に、構造設計マージンの小さいレーザが求められているときに有効である。本発明は、半導体レーザなどをはじめとして広範な分野に応用されうるものであり、特に光通信システムに用いる光ファイバー増幅器励起用光源や増幅器に適している。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の半導体光デバイス装置の一実施例における斜視図である。
【図２】 図１に示した本発明の半導体光デバイス装置の一実施例の一部における斜視図及び拡大図である。
【図３】 本発明の半導体光デバイス装置の製造工程の一例を説明する工程図である。
【図４】 従来の一般的なセルフアライン導波路型ストライプ構造を示す断面図である。
【図５】 本発明の半導体光デバイス装置の一実施例の上面図である。
【符号の説明】
１１： 基板
１２： 第１導電型クラッド層
１３： 活性層
１４： 第２導電型第１クラッド層
１５： 第２エッチング阻止層
１６： 開口部
１７： 電流ブロック層
１８： 表面保護層
１９： 第２導電型第２クラッド層
２０： コンタクト層
２１： 開口部側面
２２： 開口部底面
４１： 基板
４２： 第1導電型クラッド層
４３： 活性層
４４： エッチング阻止層
４５： 開口部
４６： 電流ブロック層
４７： 第２導電型クラッド層
４８： コンタクト層
５１、５５： 光閉じ込め層
５２、５４： 井戸層
５３： バリア層
３０１： 基板
３０２： ｎ型クラッド層
３０３： 活性層
３０４： ｐ型第１クラッド層
３０５： 第２エッチング阻止層
３０５’：第１エッチング阻止層
３０６： 電流ブロック層
３０７： ＳｉＮｘ表面保護層
３０８： 開口部
３０９： ｐ型第２クラッド層
３１０： コンタクト層
３１１： ｐ側電極
３１２： ｎ側電極
Ｗ１： 端部幅
Ｗ２： 中央部幅
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザなどとして有用な半導体光デバイス装置に関し、特に高出力動作において信頼性が高い半導体光デバイス装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体光デバイス装置は、発光素子や増幅器などに広く利用されており、中でも半導体レーザは、その堅牢、高効率、広い波長選択範囲、耐久性等の特性を有するため、活発な研究開発が行われている。
図４に典型的なセルフアライン導波路インナーストライプ構造（以下「セルフアライン型」という）の半導体光デバイス装置の断面図を示す。
図４において、基板４１上に第１導電型クラッド層４２、活性層４３、及び第２導電型第１クラッド層４４が順に形成されている。第２導電型第１クラッド層４４の上には開口部４５を有する電流ブロック層４６が図示される形状で形成され、さらにその上に第２導電型第２クラッド層４７およびコンタクト層４８が順に形成されている。
このようなセルフアライン型半導体光デバイス装置では、第２導電型第２クラッド層４４の上にエピタキシャル成長により電流ブロック層４６を形成した後、エッチングにより一部を除去して順 メサ状の断面を有する開口部４５を形成する。この際のエッチングには、開口部４５の底面及び側面を直線状かつ平坦に形成する目的で、面方位依存性のあるエッチング液が使用される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のような順メサ状断面の開口部を有するセルフアライン型の半導体光デバイス装置は、その装置の信頼性において問題を生じていた。
例えば、従来の半導体光デバイス装置の製造工程において、エッチングにより形成した開口部に積層されたクラッド層で劣化が生じることがあった。このような劣化は、半導体光デバイス装置の信頼性や再現性を低下させ、歩留まりを低くしてしまうという問題があった。また、該開口部におけるクラッド層の結晶成長の質の低下は、開口部での電気抵抗を増大させ、熱抵抗が増加するという問題が生じており、さらに、開口部での光損失を増大させ、動作電流が増加するという問題も生じていた。熱抵抗および動作電流の増加は、高出力動作時においてバルク劣化を促進したり、出力飽和や非可逆的破壊である光損傷（以下「ＣＯＤ」（Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａｇｅ）という）を引き起こす原因となるため、装置における熱抵抗および動作電流の低減は光デバイス装置の高い性能および信頼性を維持するためには、必要不可欠である。
【０００４】
したがって、エッチングで形成した開口部を有するセルフアライン型の半導体光デバイス装置であっても、上記諸問題のない信頼性のある装置、特に装置の再現性がよく、高出力動作時における信頼性も高い半導体光デバイス装置の開発が従来から望まれていた。
かくして本発明は、上記の従来技術の問題に鑑みてなされたものであり、エッチングにより開口部を形成したセルフアライン型の半導体光デバイス装置であっても、高出力時において信頼性の高い半導体光デバイス装置を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、開口部の側面を湾曲させることによって、高出力動作時における信頼性が高い半導体光デバイス装置を提供しうることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、半導体光デバイス装置における電流ブロック層を面方位依存性のないエッチング液でエッチング処理して開口部の側面を所定の湾曲線とした結果、該開口部の側面におけるクラッド層のエピタキシャル成長が良好となり、かつ、クラッド層の結晶性の劣化を防止できることを見出し、高出力動作時においても信頼性の高い本発明の半導体光デバイス装置を提供するに至った。
【０００６】
本発明の半導体光デバイス装置は、基板、該基板上に形成された第１導電型クラッド層、該第１導電型クラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形成された第２導電型第１クラッド層、該第２導電第１クラッド層上に形成された開口部を有する電流ブロック層、該開口部内部および少なくとも該開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成された第２導電型第２クラッド層を有する半導体光デバイス装置であって、該開口部の長手方向に直交する断面において、該開口部の底面が直線で表され、該開口部の側面が湾曲線で表され、且つ、該湾曲線の接線の傾きの絶対値が該側面の下端部において０．０５〜５であることを特徴とする。
【０００７】
本発明の半導体光デバイス装置の好ましい態様として、前記開口部の長手方向に直交する断面において、開口部の側面の下端部と上端部とを結ぶ直線の傾きの絶対値が０．３〜１０である態様；前記開口部の長手方向に直交する断面において、前記湾曲線の接線の傾きの絶対値が前記側面の下端部において０．０５〜５である態様；前記開口部の長手方向に直交する断面において、前記湾曲線の接線の傾きの絶対値が前記側面の上端部において０．５〜５０である態様；前記開口部の長手方向に直交する断面において、前記湾曲線の接線の傾きの絶対値が、側面の下端部から上端部まで連続して増加する態様；前記基板の主面が（１００）面であり、前記開口部の長手方向が［０１−１］方向である態様；前記活性層がＩｎＧａＡｓ量子井戸からなる態様；前記電流ブロック層が、前記第２導電型第２クラッド層より小さい屈折率を有する半導体層で構成されている態様；前記電流ブロック層が、少なくとも第１導電型あるいは高抵抗の半導体層で構成されている態様；前記電流ブロック層が、ＡｌＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓＰで構成されている態様；前記第２導電型第１クラッド層と電流ブロック層との間に１層以上のエッチング阻止層を有する態様；前記エッチング阻止層が、前記活性層で発光した発光波長に対して透明である態様；前記エッチング阻止層が、ＧａＡｓで構成される態様；前記開口部から前記活性層に電流が注入される態様；前記開口部が、前記電流ブロック層をリン酸／過酸化水素系のエッチング液でエッチングして形成された態様；前記開口部が、両端部まで伸長しているストライプ状の開口部である態様；前記開口部が、一方の端部まで伸長しているが他方の端部までは伸長していない開口部である態様；前記半導体光デバイス装置の光出力が３０ｍＷ以上である態様；前記半導体光デバイス装置が光ファイバー増幅器励起用光源として用いられることを特徴とする態様；前記半導体光デバイス装置が光ファイバー増幅器として用いられることを特徴とする態様を挙げることができる。
なお、本明細書において「〜」は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を意味する。
【０００８】
本発明の半導体光デバイス装置は、電流ブロック層が開口部を有し、該開口部の側面が該開口部の長手方向に直交する断面において湾曲線で表される構造を有する。このため、本発明の半導体光デバイス装置であれば、開口部における第２導電型第２クラッド層の該開口部断面の側面における結晶成長が良好となり、該第２導電型第２クラッド層における劣化の発生を抑えることができる利点がある。
また、本発明の半導体光デバイス装置は、該開口部の側面における第２導電型第２クラッド層の結晶成長の質が良好となるため、該開口部での電気抵抗は減少し、熱抵抗の発生も抑えられるという利点がある。このため、本発明の半導体光デバイス装置であれば、高出力動作時における出力飽和やＣＯＤの発生を高確率で防止できる利点がある。
さらに、本発明の半導体光デバイス装置であれば、該開口部が面方位性のないエッチング液によりエッチング処理されているので、開口部の開口幅の均一性を高めることが可能となり、製造工程において高歩留まりで製作できることから、特に構造設計マージンの小さい半導体光デバイス装置に利用できる利点がある。
【０００９】
【発明の実施の態様】
以下において、本発明の半導体光デバイス装置についてその構造を詳細に説明する。本発明の半導体光デバイス装置は、基板、該基板上に形成された第１導電型クラッド層、該第１導電型クラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形成された第２導電型第１クラッド層、該第２導電第１クラッド層上に形成された開口部を有する電流ブロック層、該開口部内部および少なくとも該開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成された第２導電型第２クラッド層を有する半導体光デバイス装置であって、該開口部の長手方向に直交する断面において、該開口部の底面が直線で表され、該開口部の側面が湾曲線で表され、且つ、該湾曲線の接線の傾きの絶対値が該側面の下端部において０．０５〜５であることを特徴とする。本発明の半導体光デバイス装置は、これらの層の他に半導体光デバイス装置に通常形成される層を適宜有していてもよい。
【００１０】
本明細書において「Ａ層の上に形成されたＢ層」という表現は、Ａ層の上面にＢ層の底面が接するようにＢ層が形成されている場合と、Ａ層の上面に１以上の層が形成され、さらにその層の上にＢ層が形成されている場合の両方を含むものである。また、Ａ層の上面とＢ層の底面が部分的に接していて、その他の部分ではＡ層とＢ層の間に１以上の層が存在している場合も、上記表現に含まれる。具体的な態様については、以下の各層の説明と実施例の具体例から明らかである。
【００１１】
図１は、本発明の半導体光デバイス装置の一例における斜視図であり、図２は前記一例における開口部の形状を斜視した説明図及びその一部の拡大図である。
図１において本発明の半導体光デバイス装置の一例における構造は概略的に、化合物半導体からなる基板１１上に、第１導電型クラッド層１２、活性層１３、及び第２導電型第１クラッド層１４を積層し、その上にエッチング阻止層１５を介してストライプ状に開口された電流ブロック層１７及び表面保護層１８を有している。さらに電流ブロック層１７の開口した開口部１６に積層するように第２導電型第２クラッド層１９が形成され、その第２導電型第２クラッド層１９上にコンタクト層２０が形成されている。
【００１２】
本発明の半導体光デバイス装置は、第２導電型第２クラッド層１９が、側面が湾曲した開口部内部及び少なくとも開口部両脇の電流ブロック層１７上の一部に形成されるセルフアライン型である。したがって、本発明は、例えば特開平１０−２９００４３号公報に記載されているようなリッジ導型の半導体光デバイス装置に比べて、成長回数が少なくて済むこと、選択成長といった特殊な技術が不要（特にＡｌを多く含んだ化合物の選択成長は困難）であること等の利点がある。
【００１３】
図１において、前記半導体光デバイス装置を構成する基板１１は、その上にダブルへテロ構造の結晶を成長することが可能なものであれば、その導電性や材料については特に限定されない。好ましいものは、導電性がある基板である。具体的には、基板上への結晶薄膜成長に適したＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、Ｓｉ、Ａｌ2Ｏ3等の結晶基板、特に閃亜鉛鉱型構造を有する結晶基板を用いるのが好ましい。その場合、基板結晶成長面は低次な面またはそれと結晶学的に等価な面が好ましく、（１００）面が最も好ましい。
なお、本明細書において（１００）面という場合、必ずしも厳密に（１００）ジャストの面である必要はなく、最大３０°程度のオフアングルを有する場合まで包含する。オフアングルの大きさの上限は３０°以下が好ましく、１６°以下がより好ましい。下限は０．５°以上が好ましく、２°以上がより好ましく、６°以上がさらに好ましく、１０°以上が最も好ましい。
【００１４】
また、基板１１は六方晶型の基板でもよく、例えばＡｌ2Ｏ3、６Ｈ−ＳｉＣ等からなる基板を用いることもできる。
【００１５】
基板１１上には、通常基板の欠陥をエピタキシャル成長層に持ち込まないために厚さ０．２〜２μｍ程度のバッファ層を形成しておくこともできる。
【００１６】
基板１１上には、活性層１３を含む化合物半導体層を形成する。化合物半導体層は、活性層の上下に活性層より屈折率の小さい層を含んでおり、そのうち基板側の層は第１導電型クラッド層、他方のエピタキシャル側の層は第２導電型クラッド層として機能する。これらの屈折率の大小関係は、各層の材料組成を当業者に公知の方法にしたがって適宜選択することにより調節することができる。例えば、ＡｌxＧａ1-xＡｓ、（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ、ＡｌxＧａ1-xＮなどのＡｌ組成を変化させることによって屈折率を調節することができる。
【００１７】
第１導電型クラッド層１２は、活性層１３よりも屈折率の小さい材料で形成される。また、第１導電型クラッド層１２の屈折率は、第２導電型クラッド層の屈折率よりも大きいことが好ましい。例えば、第１導電型のＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＢｅＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ等の一般的なIII−Ｖ族、II−VI族半導体を用いることができる。
第１導電型クラッド層１２のキャリア濃度は、下限は１×１０17ｃｍ-3以上が好ましく、３×１０17ｃｍ-3以上がより好ましく、５×１０17ｃｍ-3以上が最も好ましい。上限は２×１０20ｃｍ-3以下が好ましく、２×１０19ｃｍ-3以下がより好ましく、５×１０18ｃｍ-3以下が最も好ましい。
【００１８】
第１導電型クラッド層１２は、単層からなるものであるときは、好ましくは０．４〜５μｍ、より好ましくは１〜３μｍ程度の厚みを有する。
【００１９】
第１導電型クラッド層１２は複数層からなるものであってもよく、具体的には活性層側にはＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなるクラッド層と、その層よりも基板側に第１導電型のＡｌＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓＰからなるクラッド層が形成されている態様を例示することができる。このとき、活性層側の層の厚さは薄くすることが好ましく、厚さの下限としては０．０１μｍ以上が好ましく、０．０５μｍ以上がより好ましい。上限としては、０．５μｍ以下が好ましく、０．３μｍ以下がより好ましい。また、基板側の層のキャリア濃度は、下限が２×１０17ｃｍ-3以上であることが好ましく、５×１０17ｃｍ-3以上がより好ましい。上限は２×１０20ｃｍ-3以下が好ましく、５×１０19ｃｍ-3以下がより好ましい。
【００２０】
本実施例の半導体光デバイス装置を構成する活性層１３の構造は、特に制限されず、図１の一例においては、二重量子井戸（ＤＱＷ）構造を有している。この二重量子井戸（ＤＱＷ）構造は具体的には光閉じ込め層（ノンドープ）５１、量子井戸層（ノンドープ）５２、バリア層（ノンドープ）５３、量子井戸層（ノンドープ）５４及び閉じ込め層（ノンドープ）５５を順次積層した構造を有する。この二重量子井戸（ＤＱＷ）構造以外にも、例えば、量子井戸層及び前記量子井戸層を上下から挟む光閉じ込め層からなる単一量子井戸構造（ＳＱＷ）や、３層以上の量子井戸層及びそれらに挟まれたバリア層ならびに最上の量子井戸層の上及び最下の量子井戸層の下に積層された光閉じ込め層を有する多量子井戸構造であってもよい。活性層１３を量子井戸構造とすることにより、単層のバルク活性層と比較して、短波長化（６３０ｎｍ〜６６０ｎｍ）かつ低しきい値化を達成することができる。
【００２１】
活性層１３の材料としては、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓ、ＡｌＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮなどを例示することができる。特に活性層１３がＩｎＧａＡｓの量子井戸層からなる場合は、自然超格子が形成されやすいために、オフ基板を用いることによる自然超格子抑制の効果を大きくすることができる。
【００２２】
活性層１３の上には、第２導電型クラッド層が形成される。本発明の第２導電型クラッド層は２層以上形成する。
【００２３】
第２導電型第１クラッド層１４は、活性層１３よりも屈折率の小さい材料で形成される。例えば、第２導電型のＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＢｅＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ等の一般的なIII−Ｖ族、II−VI族半導体を用いることができる。第２導電型クラッド層がＡｌを含むIII−Ｖ族化合物半導体で構成されている場合は、その成長可能な実質的全面をＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＮ等のＡｌを含まないIII−Ｖ族化合物半導体で覆えば表面酸化を防止することができるため好ましい。
【００２４】
第２導電型第１クラッド層１４のキャリア濃度は、下限は１×１０17ｃｍ-3以上が好ましく、３×１０17ｃｍ-3以上がより好ましく、５×１０17ｃｍ-3以上が最も好ましい。上限は５×１０18ｃｍ-3以下が好ましく、３×１０18ｃｍ-3以下がより好ましく、２×１０18ｃｍ-3以下が最も好ましい。厚さの下限としては０．０１μｍ以上が好ましく、０．０５μｍ以上がより好ましく、０．０７μｍ以上が最も好ましい。上限としては、０．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以下がより好ましく、０．２μｍ以下が最も好ましい。
【００２５】
第２導電型第１クラッド層１４は活性層１３の上に形成する。本発明の好ましい実施様態では、第２導電型第１クラッド層１４の屈折率は、第１導電型クラッド層１２の屈折率よりも小さい。このような態様を採用することにより、活性層から光ガイド層側へ有効に光がしみ出すように光分布（近視野像）を制御することができる。また、活性領域（活性層の存在する部分）から不純物拡散領域への光導波損失を低減することもできるため、高出力動作におけるレーザ特性や信頼性の向上を達成することができる。
【００２６】
第２導電型第１クラッド層１４の上に第エッチング阻止層１５を形成することにより、少なくとも開口部１６内に第２導電型第２クラッド層１９を再成長させる際に、再成長界面で通過抵抗を増大させるような高抵抗層の発生を容易に防ぐことができるようになる。
【００２７】
エッチング阻止層１５は、材料と厚みを選択することによって活性層からの光を吸収しないようにすることもでき、活性層１３で発光した発光波長に対して透明であることが好ましい。
エッチング阻止層１５の材料は、酸化されにくいか或いは酸化されてもクリーニングが容易な材料であれば特に限定されない。具体的には、ＡｌXＧａ1-XＡｓ(０≦Ｘ≦１)、ｌｎYＧａl-YＰ（０≦Ｙ≦１）などのＡｌ等の酸化されやすい元素の含有率が低い（０．３以下程度）III−Ｖ族化合物半導体層が挙げられる。
エッチング阻止層１５は、一般に活性層の材料よりもバンドギャップが大きい材料から選択されるが、バンドギャップが小さい材料であっても、その厚さが下限として、２ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上であり、上限として５０ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以下であれば、実質的に光の吸収が無視できるので使用可能である。
【００２８】
エッチング阻止層１５は２層以上の複数の層から形成されてもよい。この場合、溝を形成するために２回以上の複数回のエッチングを行なうことがある。
エッチング阻止層１５の導電型は、エッチングにより溝内部から除去される場合は特に制限はなく、溝内部に層が形成される場合は第２導電型が好ましい。また、エッチング阻止層１５は基板になるべく格子整合させることが好ましい。
【００２９】
本発明の半導体光デバイス装置を構成する電流ブロック層１７は、第２導電型第１クラッド層１４上に形成され、開口部１６を有する。基本的には、該開口部１６から活性層１３に電流が注入される。
【００３０】
電流ブロック層１７の材料は半導体であることが好ましい。電流ブロック層１７の材料として半導体を用いた場合は、誘電体膜と比較して熱伝導率が高いために放熱性が良い、劈開性が良い、平坦化しやすいためにジャンクション・アップで組み立てやすい、コンタクト層を全面に形成しやすいのでコンタクト抵抗を下げやすいなどの利点がある。
【００３１】
電流ブロック層１７の屈折率は、電流ブロック層１７に挟まれたＡｌＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓＰからなる第２導電型第２クラッド層１９の屈折率よりも低くする（実屈折率ガイド構造）。このような屈折率の制御を行うことによって、従来のロスガイド構造に比べて動作電流を低減することが可能になる。
電流ブロック層１７と第２導電型第２クラッド層１９との屈折率差は、電流ブロック層１７が化合物半導体の場合、下限は０．００１以上が好ましく、０．００３以上がより好ましく、０．００７以上が最も好ましい。上限は、１．０以下が好ましく、０．５以下がより好ましく、０．１以下が最も好ましい。
電流ブロック層１７が誘電体の場合、下限は０．１以上が好ましく、０．３以上がより好ましく、０．７以上が最も好ましい。上限は、３．０以下が好ましく、２．５以下がより好ましく、１．８以下が最も好ましい。
【００３２】
第２導電型第２クラッド層１９よりも低屈折率にすることや、ＧａＡｓ基板との格子整合を考慮すると、電流ブロック層１７の材料としては、化合物半導体であるＡｌＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓＰを用いることが好ましい。ただし、ＡｌＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓＰの場合は、Ａｌ組成がＡｌＡｓに近くなりすぎると潮解性を示すので、Ａｌ組成の上限は０．９５以下が好ましく、０．９２以下がより好ましく、０．９０以下が最も好ましい。また電流ブロック層１７は、第２導電型クラッド層１９よりも低屈折率にする必要があることから、Ａｌ組成の下限は０．３以上が好ましく、０．３５以上がより好ましく、０．４以上が最も好ましい。
【００３３】
電流ブロック層１７は、光分布（特に横方向の光分布）を制御したり電流阻止の機能を向上させるために、屈折率、キャリア濃度又は導電型が異なる２つ以上の層から形成してもよい。
電流ブロック層１７の導電型は、第１導電型又は高抵抗（アンドープもしくは深い順位を形成する不純物（Ｏ、Ｃｒ、Ｆｅなど）をドープ）、あるいはこれら２つの組み合わせのいずれであってもよく、導電型あるいは組成の異なる複数の層から形成されていてもよい。例えば、活性層１３に近い側から第２導電型あるいは高抵抗の半導体層、および第１導電型の半導体層の順に形成されている電流ブロック層を好ましく用いることができる。また、あまり薄いと電流阻止に支障を生じる可能性があるため、厚さは０．１μｍ以上であるのが好ましく、０．３μｍ以上であるのがより好ましい。一方、厚すぎると通過抵抗の増大を招くため、上限は２μｍ以下が好ましく、１μｍ以下がより好ましい。素子としてのサイズ等を勘案すれば、０．３〜１μｍ程度の範囲から選択するのが好ましい。
【００３４】
電流ブロック層の上に表面保護層１８を形成して、表面酸化の抑制あるいはプロセス上の表面保護を図ることができる。表面保護層１８の導電型は特に規定されないが、第２導電型とすることにより、電流阻止機能の向上を図ることができる。
【００３５】
電流ブロック層１７の上側層として、開口部１６内部および少なくとも開口部１６両脇の電流ブロック層１７上の一部に至るように第２導電型第２クラッド層１９が形成される。第２導電型第２クラッド層１９は、開口部１６の上側表面をすべて覆い且つ開口部１６の両脇の電流ブロック層１７上の少なくとも一部に延在されるように形成される。
【００３６】
第２導電型第２クラッド層１９のキャリア濃度は、下限は３×１０17ｃｍ-3以上が好ましく、５×１０17ｃｍ-3以上がより好ましく、７×１０17ｃｍ-3以上が最も好ましい。上限は１×１０19ｃｍ-3以下が好ましく、５×１０18ｃｍ-3以下がより好ましく、３×１０18ｃｍ-3以下が最も好ましい。
【００３７】
第２導電型第２クラッド層１９の厚さは、薄くなりすぎると光閉じ込めが不十分となり、厚くなりすぎると通過抵抗が増加してしまうことを考慮して、下限は０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましい。上限は３．０μｍ以下が好ましく、２．０μｍ以下がより好ましい。
【００３８】
電流ブロック層１７と第２導電型第２クラッド層１９を形成した後にさらに電極を形成するに先立ち、電極材料との接触抵抗を低減するために、低抵抗（高キャリア濃度）のコンタクト層２０を形成することが好ましい。特に半導体光デバイス装置を半導体発光素子として用いる場合には、電極を形成しようとする最上層表面の全体にコンタクト層２０を形成したうえで電極を形成することが好ましい。
【００３９】
このとき、コンタクト層２０の材料は、通常はクラッド層よりバンドギャップが小さい材料の中から選択し、金属電極とのオーミック性を取るため低抵抗で適当なキャリア密度を有するのが好ましい。キャリア密度の下限は、１×１０18ｃｍ-3以上が好ましく、３×１０18ｃｍ-3以上がより好ましく、５×１０18ｃｍ-3以上が最も好ましい。上限は、２×１０20ｃｍ-3以下が好ましく、５×１０19ｃｍ-3以下がより好ましく、３×１０19ｃｍ-3以下が最も好ましい。コンタクト層の厚みは、０．１〜１０μｍが好ましく、１〜８μｍがより好ましく、２〜６μｍがもっとも好ましい。
【００４０】
次に、電流ブロック層１７に形成される開口部１６について説明する。
【００４１】
開口部１６の伸びる方向（長手方向）に直交する断面において、開口部の側面は湾曲線２１で表される（図２）。開口部側面２１の湾曲線の形状は、例えば四半円形状、放物線状、四半楕円形状等であってもよい。
【００４２】
開口部の側面を表す湾曲線は、側面の下端部Ａと上端部Ｂとを結ぶ直線ｌの傾きの絶対値が
０．３〜１０の曲線であることが好ましく、０．５〜６の曲線であることがより好ましく、
０．８〜２．５の曲線であることがさらにより好ましい。ここで、本明細書における「直線ｌの傾き」とは、開口部底面２２を水平軸とし、それに垂直な方向を垂直軸とした場合の傾きを意味し、具体的には該水平軸に沿った水平方向の増加分（Δｘ）に対する垂直方向の増加分（Δｙ）の割合（Δｙ／Δｘ）を示す（図２（ｃ））。
【００４３】
開口部の長手方向に直交する断面において、湾曲線２１の接線の傾きの絶対値は側面の下端部Ａにおいて０．０５〜５であることが好ましく、０．１〜３であることがより好ましく、０．２〜１．５であることがさらにより好ましい（接線ｍ）。開口部の長手方向に直交する断面において、湾曲線２１の接線の傾きの絶対値は側面の上端部Ｂにおいて０．５〜５０であることが好ましく、１〜３０であることがより好ましく、１．５〜１０であることがさらにより好ましい（接線ｎ）。また、開口部の長手方向に直交する断面において、湾曲線の接線の傾きの絶対値は、側面の下端部Ａから上端部Ｂまで連続して増加することが好ましい。接線ｍと接線ｎは、直線ｌの場合と同様に、開口部底面２２を水平軸とし、それに垂直な方向を垂直軸として定義される。
開口部の側面を表す湾曲線が、上記の好ましい条件を満たすときに、開口部側面からの第２導電型第２クラッド層の結晶成長が良好となり、結晶性の劣化も生じ難くなる。
【００４４】
開口部１６は電流ブロック層１７を形成した後、エッチングにより形成することが好ましい。開口部１６のエッチングは、開口部側面２１を所定の湾曲線とすることができるものであれば、特に限定されない。エッチング方法として、ウエットエッチング、ドライエッチング、プラズマエッチングなど各種のエッチングが挙げられるが、好ましくはウエットエッチング、より好ましくは面方位依存性のないエッチング液を用いたウエットエッチングである。
ウエットエッチングで面方位依存性のないエッチング液、例えばリン酸／過酸化水素系エッチング液を使用した場合、特に開口部側面２１の湾曲線が好ましいものとなり、開口部側面２１における第２導電第２クラッド層１９のエピタキシャル成長が良好となる利点がある。また、該面方位性のないエッチング液であれば、開口部１６の幅を均一化できるので、本発明の半導体光レーザ装置を高歩留まりで製造でき、かつ、設計マージンの小さな半導体光デバイス装置の製造も可能となる。
【００４５】
開口部１６の形状は、上側（コンタクト層側）よりも下側（活性層側）の方が小さくなるようにする方が、通過抵抗、動作電圧および発熱の低減の観点から好ましい。
また、電流ブロック層１７を端面近傍にも形成した場合、開口部１６における電流注入を活性層１３端部でも抑制することができる。これにより、端部領域での劣化（特に端面劣化）を低減することができる。
【００４６】
電流ブロック層１７の開口部１６は、両端部まで伸長しているストライプ状の開口部であってもよいし、一方の端部まで伸長しているが他方の端部までは伸長していない開口部であってもよい。開口部が両端部まで伸長しているストライプ状の開口部である場合は、端部窓構造領域における光の制御がより容易になり、端面における横方向の光の拡がりを小さくすることができる。一方、開口部が端面からある程度内側に入った部分に形成されている場合は、端面付近で電流を非注入にすることができるため、端面での電流の再結合を防ぐとともに、クラッド層などからの電流の回り込みを最小限にとどめることができる。開口部の構造はこのような利点を考慮しながら、使用目的に応じて適宜決定することが好ましい。
【００４７】
オフアングルの方向は、電流ブロック層１７に形成される開口部１６の伸びる方向（長手方向）に直交する方向から、±３０°以内の方向が好ましく、±７°以内の方向がより好ましく、±２°以内の方向が最も好ましい。また、開口部１６の方向は、基板の面方位が（１００）の場合、［０−１１］またはそれと等価な方向が、オフアングルの方向は［０１１］方向またはそれと等価な方向から±３０°以内の方向が好ましく、±７°以内の方向がより好ましく、±２°以内の方向が最も好ましい。
【００４８】
なお、本明細書において「［０１−１］方向」という場合は、一般的なIII−Ｖ族、II−VI族半導体において、（１００）面と［０１−１］面との間に存在する［１１−１］面が、それぞれＶ族又はVI族元素が現れる面であるように［０１−１］方向を定義する。
【００４９】
同様の理由により、ウルツァイト型の基板を用いた場合には、開口部の伸びる方向は、例えば（０００１）面上では［１１−２０］又は［１−１００］が好ましい。ＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy）ではどちらの方向でもよいが、ＭＯＶＰＥでは［１１−２０］方向がより好ましい。
【００５０】
本発明の半導体光デバイス装置を設計するに際しては、まず、所望の垂直拡がり角を得るために活性層の厚みとクラッド層の組成を決定する。通常、垂直拡がり角を狭くすると活性層からクラッド層への光の浸みだしが促進され、端面での光密度が小さくなり、出射端面のＣＯＤレベルが向上することができるので、高出力動作を必要とする時には比較的に狭めに設定される。垂直拡がり角の下限は、活性層内の光閉じ込めの低減による発振しきい値電流の増大及びキャリアのオーバーフローによる温度特性の低下を抑制する必要があることから制限があり、下限としては１５°以上が好ましく、１７°以上がより好ましく、１９°以上が最も好ましい。一方、垂直拡がり角の上限としては、３３°以下が好ましく、３１°以下がより好ましく、３０°以下が最も好ましい。
【００５１】
次に、垂直拡がり角を決定すると、高出力特性を大きく支配する構造パラメータは活性層と電流ブロック層との間の距離ｄｐと開口部底部における幅（以下「開口幅」という）Ｗとなる。なお、活性層と電流ブロック層との間に第２導電型第１クラッド層のみが存在する場合、ｄｐは第２導電型第１クラッド層の厚みとなる。また、活性層が量子井戸構造の場合、最も電流ブロック層に近い活性層と電流ブロック層との距離がｄｐになる。
【００５２】
ｄｐについては、上限は０．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以下がより好ましく、０．３μｍ以下がもっとも好ましい。ｄｐの下限としては、０．０３μｍ以上が好ましく、０．０５μｍ以上がより好ましく、０．０７μｍ以上がもっとも好ましい。ただし、使用目的（拡がり角をどこに設定するかなど）、材料系（屈折率、抵抗率等）などが異なると、上記の最適範囲も少しシフトする。また、この最適範囲は上記の各構造パラメータがお互いに影響し合うことにも注意を要する。
【００５３】
開口部底部における開口幅Ｗは、上限が１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましい。開口幅Ｗの下限としては、１μｍ以上であることが好ましく、１．５μｍ以上であることがより好ましく、２μｍ以上であることがもっとも好ましい。また、横モードをシングルモード（単一ピークの横方向光強度分布）にするためには、高次モードのカットオフ及び空間的ホールバーニングの防止の観点から開口幅Ｗをあまり大きくすることができず、開口幅Ｗの上限は７μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましく、３μｍ以下がもっとも好ましい。
【００５４】
高出力動作を実現するには、開口部底部における開口幅Ｗを広くすることが端面での光密度低減の観点から有効であるが、動作電流を低減するためには開口幅を狭くすることが、導波路ロス低減の観点から好ましい。そこで、ゲイン領域となる中央付近の開口幅Ｗ２を比較的狭くし、端部付近の開口幅Ｗ１を比較的広くなるようにすることにより、低動作電流と高出力動作を同時に実現することができ、高い信頼性も確保することができる（図５（ａ））。
すなわち、端部（劈開面）幅Ｗ１については、上限が１０００μｍ以下であることが好ましく、５００μｍ以下であるがより好ましい。端部幅Ｗ１の下限については、２μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましい。中央部幅Ｗ２については、上限が１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましい。中央部幅Ｗ２の下限としては、１μｍ以上であることが好ましく、１．５μｍ以上であることがより好ましく、２μｍ以上であることがもっとも好ましい。端部幅Ｗ１と中央部幅Ｗ２の差については、上限は１０００μｍ以下が好ましく、５００μｍ以下がより好ましい。下限については、０．２μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましい。
【００５５】
さらに横モードをシングルモードにするためには、端部幅Ｗ１の上限は、１０μｍ以下が好ましく、７μｍ以下がより好ましい。中央部幅Ｗ２の上限は、７μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましい。端部幅Ｗ１と中央部幅Ｗ２の差については、上限は５μｍ以下が好ましく、３μｍ以下がより好ましく、２μｍ以下が最も好ましい。下限については、０．２μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましい。
【００５６】
高い信頼性を維持しつつビームが円形に近いレーザを達成するためには、上記ｄｐとＷを適切な範囲に制御性よく納めることが必要となる。
【００５７】
円形に近いビームを実現するには、開口幅を狭くすることが有効であるが、開口幅を狭くすると注入電流密度の密度がバルク劣化抑制の観点から好ましくない。そこで、ゲイン領域となる中央部幅Ｗ２を比較的広くし、端部付近を比較的狭くなるようにすることにより、ビームスポット低減と低動作電流を同時に実現することができ、高い信頼性も確保することができる（図５（ｂ））。
すなわち、端部（劈開面）幅Ｗ１については、上限が１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であるがより好ましく、３μｍ以下であるがもっとも好ましい。端部（劈開面）幅Ｗ１の下限としては、０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましい。中央部幅Ｗ２については、上限が１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましい。中央部幅Ｗ２の下限としては、１μｍ以上であることが好ましく、１．５μｍ以上であることがより好ましく、２μｍ以上であることがもっとも好ましい。端部幅Ｗ１と中央部幅Ｗ２の差については、上限は１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。下限については、０．２μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましい。
【００５８】
上記の漸増部分あるいは漸減部分、端部の長さは所望の特性に応じて、設計すればよいが、漸減部分の長さは、導波路損失低減の観点から、それぞれ５〜１０μｍが好ましく、１０〜５０μｍがより好ましい。端部の長さは、劈開精度の観点から５〜３０μｍが好ましく、１０〜２０μｍがより好ましい。ただし、必要に応じて、以下のように窓を作製してもよい。
（１）端部、漸増部分あるいは漸減部分の開口幅あるいは長さがチップ両側で非対称となるもの。
（２）端部の幅一定となる領域を設定せずに、端部まで漸増あるいは漸減としたもの。
（３）端面の片側（通常、高出力光取り出し（前端面）側）だけ開口幅が漸増あるいは漸減するようにしたもの。
（４）端部開口幅が前端面と後端面とで異なるもの。
（５）上記の（１）〜（４）のいくつかを組み合わせたもの。
【００５９】
また、端面付近に電極を設けないようにして、端部近傍の開口部への電流注入によるバルク劣化の抑制や端面での再結合電流を低減することは、高い信頼性での小スポット径のレーザ作製の観点から有効である。
【００６０】
本発明の半導体光デバイス装置の光出力は、下限が３０ｍＷ以上である。少なくとも光出力が３０ｍＷ以上で長時間の寿命を確認できれば、高出力動作時における半導体光デバイス装置の信頼性も高いものとなる。
半導体発デバイス装置の光出力は、１００ｍＷ以上、さらには３００ｍＷ以上であっても長時間寿命を有するものとなる。
【００６１】
本発明の半導体光デバイス装置を製造する方法は特に制限されない。いかなる方法により製造されたものであっても、上記請求項１の要件を満たすものであれば本発明の範囲に含まれる。
【００６２】
本発明の半導体光デバイス装置を製造する際には、従来から用いられている方法を適宜選択して使用することができる。結晶の成長方法は特に限定されるものではなく、ダブルヘテロ構造の結晶成長や電流ブロック層等の選択成長には、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、ハイドライドあるいはハライド気相成長法（ＶＰＥ法）、液相成長法（ＬＰＥ法）等の公知の成長方法を適宜選択して用いることができる。
【００６３】
本発明の半導体光デバイス装置の製造方法としては、まず基板１１上に第１導電型クラッド層１２及び第２導電型第１クラッド層１４と活性層１３を有するダブルヘテロ構造を形成後、第２導電型第１クラッド層１４上に電流ブロック層１７を形成し、電流ブロック層１７をエッチングにより開口して開口部１６を形成した後、開口部内部及び該開口部両脇の電流ブロック層１７上の一部に第２導電型第２クラッド層１９を形成する工程を例示することができる。この製造方法の詳細やその他の製造方法については、以下の実施例や関連技術文献から理解することができる。
【００６４】
各層の具体的成長条件等は、層の組成、成長方法、装置の形状等に応じて異なるが、ＭＯＣＶＤ法を用いてIII−Ｖ族化合物半導体層を成長する場合、ダブルへテロ構造は、成長温度６００〜７５０℃程度、Ｖ／III比５０〜１５０程度（ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓの場合）、２０〜６０程度（ＡｌＧａＡｓの場合）或いは３００〜６００程度（ＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰの場合）、電流ブロック層は成長温度６００〜７００℃、Ｖ／III比４０〜６０程度（ＡｌＧａＡｓの場合）或いは３５０〜５５０程度（ＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰの場合）で行うのが好ましい。
【００６５】
特に表面保護層１８を用いて選択成長する部分がＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰのようにＡｌを含む場合、成長中に微量のＨＣｌガスを導入することにより、マスク上へのポリの堆積を防止することができるため非常に好ましい。Ａｌの組成が高いほど、或いはマスク幅又はマスク面積比が大きいほど、他の成長条件を一定とした場合、ポリの堆積を防止し、かつ半導体表面露出部のみに選択成長を行う（セレクティブモード）のに必要なＨＣｌ導入量は増加する。一方、ＨＣｌガスの導入量が多すぎるとＡｌＧａＡｓ層の成長が起こらず、逆に半導体層がエッチングされてしまうが（エッチングモード）が、Ａｌ組成が高くなるほど他の成長条件を一定とした場合、エッチングモードになるのに必要なＨＣｌ導入量は増加する。
このため、最適なＨＣｌ導入量はトリメチルアルミニウム等のＡｌを含んだIII族原料供給モル数に大きく依存する。具体的には、ＨＣｌの供給モル数とＡｌを含んだIII族原料供給モル数の比（ＨＣｌ／III族）は、下限は０．０１以上が好ましく、０．０５以上がより好ましく、０．１以上が最も好ましい。上限は、５０以下が好ましく、１０以下がより好ましく、５以下が最も好ましい。ただし、Ｉｎを含む化合物半導体層を選択成長（特に、ＨＣｌ導入）させる場合は、組成制御が困難になりやすい。
【００６６】
セルフアライン型の形成や選択成長に使用する表面保護層１８は、誘電体であることが好ましく、具体的には、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯ2膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ2Ｏ3膜、ＺｎＯ膜、ＳｉＣ膜及びアモルファスＳｉからなる群から選択される。表面保護層１８は、マスクとしてＭＯＣＶＤなどを用いてグルーブを選択再成長により形成する場合に用いられる。
【００６７】
本発明の半導体光デバイス装置を利用した半導体レーザ装置として、情報処理用光源（通常ＡｌＧａＡｓ系（波長７８０ｎｍ近傍）、ＡｌＧａＩｎＰ系（波長６００ｎｍ帯）、ＩｎＧａＮ系（波長４００ｎｍ近傍）、通信用信号光源（通常ＩｎＧａＡｓＰ或いはＩｎＧａＡｓを活性層とする１．３μｍ帯、１．５μｍ帯）レーザ、ファイバー励起用光源（ＩｎＧａＡｓ歪み量子井戸活性層／ＧａＡｓ基板を用いる９８０ｎｍ近傍、ＩｎＧａＡｓＰ歪み量井戸活性層／ＩｎＰ基板を用いる１４８０ｎｍ近傍など）レーザなどの通信用半導体レーザ装置などの、特に高出力動作が求められる多用な装置を挙げることができる。また、通信用レーザでも、円形に近いレーザはファイバーとの結合効率を高める点で有効である。また、遠視野像が単一ピークであるものは、情報処理や光通信などの幅広い用途に好適なレーザとして供することができる。
【００６８】
さらに、本発明の半導体光デバイス装置は、半導体レーザ以外に半導体光増幅器、光検出器、光変調器、光スイッチなどの光素子及びこれらの集積装置についても応用が可能である。
また、本発明は半導体レーザ以外に端面発光型などの発光ダイオード（ＬＥＤ）としても応用可能である。
【００６９】
【実施例】
以下に具体例を挙げて、本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、割合、操作等は、本発明の精神を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例に制限されるものではない。
【００７０】
本実施例において、図３に示す順に各層を形成することにより半導体光デバイス装置の一つである半導体発光素子を製造した。なお、図３(ａ)〜図３（ｃ）には、構造を把握しやすくするために敢えて寸法を変えている部分があるが、実際の寸法は以下の文中に記載されるとおりである。
【００７１】
厚さ３５０μｍで表面が（１００）面であるｎ型ＧａＡｓ（ｎ＝１×１０18ｃｍ-3）基板３０１上に、ＭＢＥ法により、厚さ２．０μｍのｎ型Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ（Ｓｉドープ：ｎ＝１×１０18ｃｍ-3）からなるｎ型クラッド層３０２、厚さ３０ｎｍのＧａＡｓ光閉じ込め層（ノンドープ）、厚さ６ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ井戸層（ノンドープ）、厚さ８ｎｍのＧａＡｓバリア層（ノンドープ）、厚さ６ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ井戸層（ノンドープ）及び厚さ３０ｎｍのＧａＡｓ光閉じ込め層（ノンドープ）を順次積層してなる二重量子井戸（ＤＱＷ）活性層３０３、厚さ０．１μｍのｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ（Ｂｅドープ：ｐ＝１×１０18ｃｍ-3）からなるｐ型第１クラッド層３０４、厚さ１０ｎｍのｐ型ＧａＡｓ（Ｂｅドープ：ｐ＝１×１０18ｃｍ-3）第２エッチング阻止層３０５、厚さ２０ｎｍのｐ型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ（Ｂｅドープ：ｐ＝１×１０17ｃｍ-3）第１エッチング阻止層３０５’、厚さ０．５μｍのｎ型Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ（Ｓｉドープ：ｎ＝１×１０18ｃｍ-3）からなるｎ型電流ブロック層３０６、厚さ１０ｎｍのｎ型ＧａＡｓ（Ｓｉドープ：ｎ＝１×１０18ｃｍ-3）からなるｎ型キャップ３０７を順次積層した（図３（ａ））。
【００７２】
電流注入領域を形成するために、まず、このダブルヘテロ基板の表面に厚さ１００ｎｍのＳｉＮｘ表面保護層をプラズマＣＶＤにより堆積させ、フォトリソグラフィーにより［０−１１］Ｂ方向にストライプ状の開口部３０８を多数形成した。
なお［０１−１］Ｂ方向は、一般的なIII−Ｖ族化合物半導体において、（１００）面と（０１−１）面の間に存在する（１１−１）面が、Ｖ族元素が現れる面である様に定義する。
【００７３】
このＳｉＮｘ表面保護層をエッチングマスクとして、このストライプ状の開口部３０８において、第１エッチング阻止層３０５’でエッチングが停止するようにして、電流ブロック層３０６をリン酸／過酸化水素系のエッチング液を用いてエッチングにより除去し、ストライプ状の開口部３０８の形成を完了した。このときストライプ状の開口部３０８断面の側面は湾曲線状となり、開口部３０８の底面の幅は２．２μｍ、横方向のスペース間隔は４００μｍであった。
この後、ストライプ状のＳｉＮｘ保護膜を緩衝フッ酸液などのウェットエッチングもしくはＳＦ6、ＣＦ4などのガスを用いたドライエッチングを用いて除去した。次に、第２エッチング阻止層３０５でエッチング停止するようにして、上記開口部直下（電流注入領域）の第１エッチング停止層３０５’を塩酸系エッチング液を用いてエッチングにより除去し、ストライプ状の溝３０８の形成を完了した（図３（ｂ））。
【００７４】
この後、ＭＯＣＶＤ法により厚さ２．２μｍのｐ型Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ（Ｚｎドープ：ｐ＝１×１０18ｃｍ-3）からなるｐ型第２クラッド層３０９、及び厚さ３．５μｍのｐ型ＧａＡｓ（Ｚｎドープ：ｐ＝２×１０19ｃｍ-3）からなるコンタクト層３１０を成長させた。
【００７５】
この後、ｐ側の電極３１１を蒸着し、基板を１００μｍまで薄くした後に、ｎ側電極３１２を蒸着し、アロイした（図３（ｃ））。こうして作製したウエハーを劈開して、レーザ光出射端面を形成（１次劈開）するようにチップバーに切り出し、半導体発光素子レーザを作製した。このときの共振器長は１０００μｍとした。
前端面５％−後端面９５％の非対称コーティングを施した後、２次劈開によりチップに分離した。チップをジャンクションダウンで組立した後、２５℃で連続通電（ＣＷ）にて電流−光出力、電流−電圧特性を測定した。
【００７６】
このようにして作製した半導体発光素子は、動作電流の増加とともに光出力が増加し、約５００ｍＷまでキンクフリーでかつ約６５０ｍＷまでＣＯＤせずに光出力が得られた。しかし、それ以上に動作電流を増加させても光出力は増加せず、素子自体の発熱による熱飽和によって光出力が制限された。発振波長は平均９７９ｎｍ、しきい値電流は平均２０ｍＡ、スロープ効率は平均０．８５ｍＷ／ｍＡであり、特性は非常に良好であった。また、３００ｍＷ出力時における垂直広がり角は平均２８°、水平拡がり角は平均８．５°であった。このとき、非点隔差は２μｍ以下と非常に小さくすることができ、光ファイバーとの光結合特性に優れた光源となることが判明した。さらに、高い信頼性（７０℃、３００ｍＷの高温、高出力における３０００時間以上の安定動作）が得られることが判明した。また、電流注入のための開口部をエッチング阻止層までのエッチングにより形成しているため、素子構造の均一性を高めることができ、上記の半導体レーザ素子を高歩留まりで作製することができた。
【００７７】
（比較例）
電流ブロック層を酒石酸／過酸化水素系のエッチング液を用いてエッチングにより除去し、ストライプ状の溝を形成した点、及び側壁は直線からなるファセット面（通常、（１１１）Ａ面近傍）である点を除き、実施例１と同じ工程によって半導体発光素子を作製した。
半導体発光素子のチップ断面形状をＳＥＭで観察したところ、比較例ではブロック層側壁から成長したｐ型第２クラッド層に結晶性の劣化した領域が存在することが判明した。一方、実施例の湾曲した側壁からは比較例のような結晶性の劣化した領域は認められなかった。
この素子構造の半導体発光素子では、実施例の素子に比べて、長寿命試験において劣化率が約２〜５倍大きくなった。
この原因としては、上記のブロック層側壁から成長したｐ型第２クラッド層において結晶性の劣化が関与していると考えられる。
【００７８】
【発明の効果】
本発明の半導体光デバイス装置は、ストライプ状の開口部の側面を曲線状の形とすることにより、該開口部側面から成長したクラッド層の結晶性の劣化を防止できる。このため、本発明の半導体光デバイス装置は、高出力動作時における装置の信頼性が高い。また、本発明の半導体光デバイス装置は、開口幅の均一性を高め、高歩留まりで作製することができることから、特に、構造設計マージンの小さいレーザが求められているときに有効である。本発明は、半導体レーザなどをはじめとして広範な分野に応用されうるものであり、特に光通信システムに用いる光ファイバー増幅器励起用光源や増幅器に適している。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の半導体光デバイス装置の一実施例における斜視図である。
【図２】 図１に示した本発明の半導体光デバイス装置の一実施例の一部における斜視図及び拡大図である。
【図３】 本発明の半導体光デバイス装置の製造工程の一例を説明する工程図である。
【図４】 従来の一般的なセルフアライン導波路型ストライプ構造を示す断面図である。
【図５】 本発明の半導体光デバイス装置の一実施例の上面図である。
【符号の説明】
１１： 基板
１２： 第１導電型クラッド層
１３： 活性層
１４： 第２導電型第１クラッド層
１５： 第２エッチング阻止層
１６： 開口部
１７： 電流ブロック層
１８： 表面保護層
１９： 第２導電型第２クラッド層
２０： コンタクト層
２１： 開口部側面
２２： 開口部底面
４１： 基板
４２： 第1導電型クラッド層
４３： 活性層
４４： エッチング阻止層
４５： 開口部
４６： 電流ブロック層
４７： 第２導電型クラッド層
４８： コンタクト層
５１、５５： 光閉じ込め層
５２、５４： 井戸層
５３： バリア層
３０１： 基板
３０２： ｎ型クラッド層
３０３： 活性層
３０４： ｐ型第１クラッド層
３０５： 第２エッチング阻止層
３０５’：第１エッチング阻止層
３０６： 電流ブロック層
３０７： ＳｉＮｘ表面保護層
３０８： 開口部
３０９： ｐ型第２クラッド層
３１０： コンタクト層
３１１： ｐ側電極
３１２： ｎ側電極
Ｗ１： 端部幅
Ｗ２： 中央部幅
Claims (21)
- 基板、該基板上に形成された第１導電型クラッド層、該第１導電型クラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形成された第２導電型第１クラッド層、該第２導電第１クラッド層上に形成された開口部を有する電流ブロック層、該開口部内部および少なくとも該開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成された第２導電型第２クラッド層を有する半導体光デバイス装置であって、
該開口部の長手方向に直交する断面において、該開口部の底面が直線で表され、該開口部の側面が湾曲線で表され、且つ、該湾曲線の接線の傾きの絶対値が該側面の下端部において０．０５〜５であることを特徴とする半導体光デバイス装置。 - 前記開口部の長手方向に直交する断面において、開口部の側面の下端部と上端部とを結ぶ直線の傾きの絶対値が０．３〜１０であることを特徴とする請求項１に記載の半導体光デバイス装置。
- 前記開口部の長手方向に直交する断面において、前記湾曲線の接線の傾きの絶対値が前記側面の上端部において１．５〜１０であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体光デバイス装置。
- 前記開口部の長手方向に直交する断面において、前記湾曲線の接線の傾きの絶対値が、側面の下端部から上端部まで連続して増加することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。
- 前記基板の主面が（１００）面であり、前記開口部の長手方向が［０１−１］方向であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。
- 前記活性層がＩｎＧａＡｓ量子井戸からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。
- 前記電流ブロック層が、前記第２導電型第２クラッド層より小さい屈折率を有する半導体層で構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。
- 前記電流ブロック層が、少なくとも第１導電型あるいは高抵抗の半導体層で構成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。
- 前記電流ブロック層が、ＡｌＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓＰで構成されていることを特徴とする請求項１〜７いずれかに記載の半導体光デバイス装置。
- 前記第２導電型第１クラッド層と電流ブロック層との間に１層以上のエッチング阻止層を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。
- 前記エッチング阻止層が、前記活性層で発光した発光波長に対して透明であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体光デバイス装置。
- 前記エッチング阻止層が、ＧａＡｓで構成されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体光デバイス装置。
- 前記開口部から前記活性層に電流が注入されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。
- 前記開口部が、前記電流ブロック層をリン酸／過酸化水素系のエッチング液でエッチングして形成されたことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。
- 前記開口部が、両端部まで伸長しているストライプ状の開口部であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。
- 前記開口部が、一方の端部まで伸長しているが他方の端部までは伸長していない開口部であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。
- 前記半導体光デバイス装置の光出力が３０ｍＷ以上であることを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。
- 前記半導体光デバイス装置が光ファイバー増幅器励起用光源として用いられることを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。
- 前記半導体光デバイス装置が光ファイバー増幅器として用いられることを特徴とする請求項１〜１８のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。
- 前記第２導電型第１クラッド層の厚さが０．４μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１９のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。
- 前記第２導電型第１クラッド層の厚さが０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１９のいずれかに記載の半導体光デバイス装置。
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