JP2012083473A - 光ゲート素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、活性層13、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Iと、光入射端面10aおよび光出射端面10bのうちの少なくとも一方の端面とハイメサ導波路構造Iとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Iと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造IIa、IIbと、を含み、埋込み導波路構造IIa、IIbは、活性層13の光の導波方向に直交する幅が、前記少なくとも一方の端面に向かって狭くなる幅減少領域を有することを特徴とする。
【選択図】図2
Description
この構成により、偏波無依存化を容易に実現できる。
10a 光入射端面
10b 光出射端面
11 半導体基板
12 下部クラッド層
13 活性層
14 上部クラッド層
15a、15b SCH層
16 下部埋込み層
17 上部埋込み層
18 コンタクト層
19a〜19c 溝部
20 絶縁層
21 上部電極
21a 主電極部
21b 電極パッド部
22 下部電極
27、28 エッチングマスク
40 直流電源
50 光サーキュレータ
Claims (3)
- 半導体基板(11)上に、下部クラッド層(12)、活性層(13)、および、上部クラッド層(14)が順次積層された導波路構造を備え、相互吸収飽和特性を利用して光信号のサンプリングを行うために用いられる光ゲート素子であって、
前記導波路構造は、ハイメサ導波路構造と、
光入射端面(10a)および光出射端面(10b)のうちの少なくとも一方の端面と前記ハイメサ導波路構造との間に形成され、前記ハイメサ導波路構造と光の導波方向に連続する埋込み導波路構造と、を含み、
前記埋込み導波路構造における前記活性層は、前記導波方向に直交する幅が、前記少なくとも一方の端面に向かって狭くなる幅減少領域を有することを特徴とする光ゲート素子。 - 前記埋込み導波路構造における前記活性層が、前記少なくとも一方の端面と前記幅減少領域との間に、前記幅減少領域と前記導波方向に連続し、かつ、前記導波方向に直交する幅が一定である幅一定領域をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の光ゲート素子。
- 前記活性層がバルク材料からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光ゲート素子。
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