JP2017201353A - スポットサイズ変換器、半導体光デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】奇数次の高次モードを低減できるスポットサイズ変換器を提供する。【解決手段】スポットサイズ変換器13は、シングルモードの導波を可能にする第1幅を有する第1半導体導波路構造21と、外部光導波路に光学的に結合可能な端面を有し、第1半導体導波路構造21の第1幅より大きい第2幅の第2半導体導波路構造23と、第1半導体導波路構造21の第1幅及び第2半導体導波路構造23の第2幅より大きい第3幅の第3半導体導波路構造25と、第3半導体導波路構造25に接続された一端及び前記第1半導体導波路構造21に接続された他端を有するテーパ導波路27とを備える。テーパ導波路27の幅は、テーパ導波路27の一端からテーパ導波路27の他端への方向に徐々に変化する。第2半導体導波路構造23は、第3半導体導波路構造25に光学的に結合される。【選択図】図1
Description
本発明は、スポットサイズ変換器、及び半導体光デバイスに関する。
非特許文献1は、スポットサイズ変換器を開示する。
IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, VOL. 3, NO. 6, DECEMBER 1997, pp.1308-1320
非特許文献1のスポットサイズ変換器は、外部導波路に結合されるべき端面を備えており、また内部導波路から素子の端面への方向に広がる導波路幅を有する。発明者の知見によれば、スポットサイズ変換器に外部から入射する光ビームの位置ずれは、スポットサイズ変換器の導波路において高次モードを励振する。スポットサイズ変換器は、入射ビームのスポットサイズを変換すると共に、励振された高次モードを基本モードと一緒に内部導波路に提供する。発明者の検討によれば、出力光ビームの高次モードの一部は、内部導波路を伝搬するに際して減衰するけれども、残った高次モードは、スポットサイズ変換器からの光ビームを受ける光学処理に、予期せぬ副作用を引き起こす。
本発明の一側面は、このような背景に基づき為されたものであり、奇数次の高次モードを低減できるスポットサイズ変換器を提供することを目的とし、また、本発明の別の側面は、このスポットサイズ変換器を含む半導体光デバイスを提供することを目的とする。
本発明の一側面に係るスポットサイズ変換器は、シングルモードの導波を可能にする第1幅を有する第1半導体導波路構造と、外部光導波路に光学的に結合可能な端面を有しており、前記第1半導体導波路構造の前記第1幅より大きい第2幅の第2半導体導波路構造と、前記第1半導体導波路構造の前記第1幅及び前記第2半導体導波路構造の前記第2幅より大きい第3幅の第3半導体導波路構造と、前記第3半導体導波路構造に接続された一端及び前記第1半導体導波路構造に接続された他端を有する単一のテーパ導波路と、を備え、前記テーパ導波路の幅は、前記一端から前記他端への方向に徐々に変化し、前記第2半導体導波路構造は、前記第3半導体導波路構造に光学的に結合される。
本発明の別の側面に係る半導体光デバイスは、基板上に設けられたスポットサイズ変換器と、前記スポットサイズ変換器に光学的に結合され、前記基板上に設けられた半導体光素子と、を備える。
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
以上説明したように、本発明の一側面によれば、奇数次の高次モードを低減できるスポットサイズ変換器が提供される。また、本発明の別の側面によれば、このスポットサイズ変換器を含む半導体光デバイスが提供される。
引き続き、いくつかの具体例を説明する。
具体例に係るスポットサイズ変換器は、(a)シングルモードの導波を可能にする第1幅を有する第1半導体導波路構造と、(b)外部光導波路に光学的に結合可能な端面を有しており、前記第1半導体導波路構造の前記第1幅より大きい第2幅の第2半導体導波路構造と、(c)前記第1半導体導波路構造の前記第1幅及び前記第2半導体導波路構造の前記第2幅より大きい第3幅の第3半導体導波路構造と、(d)前記第3半導体導波路構造に接続された一端及び前記第1半導体導波路構造に接続された他端を有する単一のテーパ導波路と、を備え、前記テーパ導波路の幅は、前記一端から前記他端への方向に徐々に変化し、前記第2半導体導波路構造は、前記第3半導体導波路構造に光学的に結合される。
スポットサイズ変換器よれば、第2半導体導波路構造は、第1半導体導波路構造の第1幅より大きい第2幅を有し、また光学的に結合される外部光導波路からの入射ビームを受ける。この入射ビームは、第2半導体導波路構造によって導波モードに変換されて、第2半導体導波路構造を伝搬する。第2半導体導波路構造が、スポットサイズ変換器に対して軸ズレを起こした外部光導波路から光を受けることがある。軸ズレにより、第2半導体導波路構造は、光ビームの基本モードを提供するだけでなく高次モードを励振する。この光ビームは、第2半導体導波路構造の第2幅より大きい第3幅を有する第3半導体導波路構造に第2半導体導波路構造から入射する。第3半導体導波路構造は、光ビームの奇数次の高次モードを減衰させた濾波済みビームを生成する。濾波済みビームは、テーパ導波路に入射する。このテーパ導波路の幅は、一端から他端への方向に徐々に小さくなる。テーパ導波路は、濾波済みビームのスポットサイズを変換できる。
具体例に係るスポットサイズ変換器では、前記テーパ導波路、前記第2半導体導波路構造、及び前記第3半導体導波路構造は、第1クラッド層、コア層及び第2クラッド層を含む積層体を備える。
スポットサイズ変換器によれば、テーパ導波路、第2半導体導波路構造、及び第3半導体導波路構造は、同一の半導体積層構造を有する。
具体例に係るスポットサイズ変換器では、前記第1半導体導波路構造、前記テーパ導波路、前記第2半導体導波路構造、及び前記第3半導体導波路構造は、シリコン系無機絶縁膜で覆われる。
スポットサイズ変換器によれば、シリコン系無機絶縁膜の屈折率は、スポットサイズ変換器を構成する半導体領域の屈折率より小さい。
具体例に係るスポットサイズ変換器では、前記第2半導体導波路構造の前記第2幅は、1.5マイクロメートル以上である。
スポットサイズ変換器によれば、上記の第2幅の範囲は、外部導波路への好適な光結合を可能にする。
具体例に係る半導体光デバイスは、(a)基板上に設けられたスポットサイズ変換器と、(b)前記スポットサイズ変換器に光学的に結合され、前記基板上に設けられた半導体光素子と、を備える。
半導体光デバイスによれば、半導体光素子は、奇数次の高次モードを低減可能なスポットサイズ変換器からの光ビームを受けることができる。
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明のスポットサイズ変換器、及び半導体光デバイスに係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
図1は、本実施形態に係る半導体光デバイスを模式的に示す図面である。半導体光デバイス11は、スポットサイズ変換器13及び半導体光素子15を含み、半導体光素子15は、スポットサイズ変換器13に光学的に結合される。この半導体光デバイス11によれば、半導体光素子15は、奇数次の高次モードを低減可能なスポットサイズ変換器13からの光ビームB1Mを受けることができる。
スポットサイズ変換器13は、第1半導体導波路構造21と、第2半導体導波路構造23と、第3半導体導波路構造25と、テーパ導波路27とを備える。第1半導体導波路構造21は、シングルモード導波を可能にする第1幅W21を有する。第2半導体導波路構造23は、第1半導体導波路構造21の第1幅W21より大きい第2幅W23を有する。第3半導体導波路構造25は、第1半導体導波路構造21の第1幅W21及び第2半導体導波路構造23の第2幅W23より大きい第3幅W25を有する。テーパ導波路27は、一端27a及び他端27bを有する。テーパ導波路27の第4幅W27は、一端27aから他端27bへの方向に徐々に小さくなる。一端27aは、第3半導体導波路構造25に光学的に結合され、他端27bは、第1半導体導波路構造21に光学的に結合される。第2半導体導波路構造23、第3半導体導波路構造25、及びテーパ導波路27は、第1軸Ax1の方向に沿って配列されている。第3半導体導波路構造25は、テーパ導波路27と第2半導体導波路構造23との間に設けられる。第2半導体導波路構造23は、第3半導体導波路構造25に光学的に結合される。図1を参照すると、第3半導体導波路構造25は、単一のテーパ導波路27に接続される。テーパ導波路27は、第2半導体導波路構造23に対して位置決めされて、第2半導体導波路構造23からの光を第3半導体導波路構造25を介して受ける。
第2半導体導波路構造23は、外部光導波路29に光学的に結合可能な端面23aを有する。第1半導体導波路構造21は、半導体光素子15に光学的に結合される。半導体光素子15は、例えば、多モード干渉器、マッハツェンダ変調器、Y字分岐、方向性結合器を含むことができる。
スポットサイズ変換器13よれば、第2半導体導波路構造23は、第1半導体導波路構造21の第1幅W21より大きい第2幅W23を有し、また光学的に結合される外部光導波路29からの入射ビームB0Mを受ける。この入射ビームB0Mは、第2半導体導波路構造23によって導波モードに変換されて、第2半導体導波路構造23を伝搬する。第2半導体導波路構造23を伝搬する光ビームB2Mは、基本モードだけでなく高次モードも含む。この光ビームB2Mは、第2半導体導波路構造23の第2幅W23より大きい第3幅W25を有する第3半導体導波路構造25に第2半導体導波路構造23から入射する。第3半導体導波路構造25は、光ビームB2Mの奇数次の高次モードを減衰させた濾波済みビームB3Mを生成する。濾波済みビームB3Mは、テーパ導波路27に入射して、テーパ導波路27は、濾波済みビームB3Mのスポットサイズを変換して、伝搬ビームB4Mを生成する。
本実施例では、一端27aは、第3半導体導波路構造25に接続され、他端27bは、第1半導体導波路構造21に接続される。第2半導体導波路構造23は第3半導体導波路構造25に接続される。第2半導体導波路構造23の端面23aから入射した光ビームは、第1軸Ax1の方向に伝搬して、テーパ導波路27に到達すると共に、テーパ導波路27を介して第1半導体導波路構造21に入射する。
本実施例では、第3半導体導波路構造25の第3長L3は、テーパ導波路27の第4長L4より大きい。
第1長L1:例えば200マイクロメートル以上。
第2長L2:2マイクロメートル以上、好ましくは20マイクロメートル以上。
第3長L3:例えば193マイクロメートル。
第4長L4:例えば90マイクロメートル。
第1長L1:例えば200マイクロメートル以上。
第2長L2:2マイクロメートル以上、好ましくは20マイクロメートル以上。
第3長L3:例えば193マイクロメートル。
第4長L4:例えば90マイクロメートル。
第1半導体導波路構造21は、実質的に一定の幅を有することが良い。第2半導体導波路構造23は、実質的に一定の幅を有することが良い。第3半導体導波路構造25は、実質的に一定の幅を有することが良い。
第1幅W21:例えば1.25マイクロメートル。
第2幅W23:例えば3.5マイクロメートル、1.5〜15マイクロメートル。
第3幅W25:例えば9.6マイクロメートル、2〜20マイクロメートル。
第4幅W27:第2幅W23から第1幅W21まで徐々に変化、具体的には、3.5マイクロメートルから1.25マイクロメートルまで変化させる。
外部光導波路29:例えば、シングルモード光ファイバ。
第2半導体導波路構造23の幅及び厚さを実質的に同じにしている。また、第3半導体導波路構造25の幅及び厚さを実質的に同じにしている。第2半導体導波路構造23及び第3半導体導波路構造25は、スポットサイズの実質的な変換を行わない。本実施例では、一端27aにおけるテーパ導波路27の幅は、第2半導体導波路構造23の第2幅W23に、実質的に等しく設定されることが良い。第3半導体導波路構造25によって濾波されずに残った高次モード及び基本モードは、第2半導体導波路構造23における導波モードを保った状態で、第3半導体導波路構造25からテーパ導波路27に入射する。第3半導体導波路構造25の第3幅W25及び第3長L3は、所望の高次モード除去を可能にするように設定される。外部導波路への好適な光結合を可能にするために、第2半導体導波路構造23の第2幅W23は、1.5マイクロメートル以上であることが良い。テーパ導波路27の一端27aは、第3半導体導波路構造25に対して第2半導体導波路構造23の第2幅W23を基準にして位置決めされている。テーパ導波路27の一端27aにおける一側面及び他側面の位置は、それぞれ、第2半導体導波路構造23の一側面及び他側面の位置に整列されている。
第1幅W21:例えば1.25マイクロメートル。
第2幅W23:例えば3.5マイクロメートル、1.5〜15マイクロメートル。
第3幅W25:例えば9.6マイクロメートル、2〜20マイクロメートル。
第4幅W27:第2幅W23から第1幅W21まで徐々に変化、具体的には、3.5マイクロメートルから1.25マイクロメートルまで変化させる。
外部光導波路29:例えば、シングルモード光ファイバ。
第2半導体導波路構造23の幅及び厚さを実質的に同じにしている。また、第3半導体導波路構造25の幅及び厚さを実質的に同じにしている。第2半導体導波路構造23及び第3半導体導波路構造25は、スポットサイズの実質的な変換を行わない。本実施例では、一端27aにおけるテーパ導波路27の幅は、第2半導体導波路構造23の第2幅W23に、実質的に等しく設定されることが良い。第3半導体導波路構造25によって濾波されずに残った高次モード及び基本モードは、第2半導体導波路構造23における導波モードを保った状態で、第3半導体導波路構造25からテーパ導波路27に入射する。第3半導体導波路構造25の第3幅W25及び第3長L3は、所望の高次モード除去を可能にするように設定される。外部導波路への好適な光結合を可能にするために、第2半導体導波路構造23の第2幅W23は、1.5マイクロメートル以上であることが良い。テーパ導波路27の一端27aは、第3半導体導波路構造25に対して第2半導体導波路構造23の第2幅W23を基準にして位置決めされている。テーパ導波路27の一端27aにおける一側面及び他側面の位置は、それぞれ、第2半導体導波路構造23の一側面及び他側面の位置に整列されている。
図1を参照すると、半導体光素子15は、多モード干渉器31(MMI)を含むことができる。多モード干渉器31は、例えば、図1に示されるように1×2MMIである。多モード干渉器31は、第1ポート31a、第2ポート31b及び第3ポート31cを含む。第1ポート31aは、第1半導体導波路構造21に接続される。第2ポート31b及び第3ポート31cは、それぞれ、第4半導体導波路構造33b及び第5半導体導波路構造33cに接続され、第4半導体導波路構造33b及び第5半導体導波路構造33cは、例えばシングルモード導波路を含むことができる。必要な場合には、第1ポート31a、第2ポート31b及び第3ポート31cは、破線で示されるそれぞれのテーパ継ぎ部32a、32b、32cを備えることができる。第1ポート31aは、光ビームB1Mを受ける。多モード干渉器31は、光ビームB1Mを分岐して、分岐光ビームを第2ポート31b及び第3ポート31cに提供する。
図2は、複数のマッハツェンダ−変調器をモノリシックに集積する半導体光素子の一例を模式的に示す平面図である。図2を参照すると、破線BOXが示されている。本実施例では、スポットサイズ変換器13及び半導体光素子15が、破線BOXで示されるエリアに設けられる。半導体光素子15は、複数のマッハツェンダ−変調器MZ1、MZ2、MZ3、MZ4を含む。マッハツェンダ−変調器MZ1、MZ2、MZ3、MZ4が、第1分岐導波路W1DV、第2分岐導波路W2DV及び第3分岐導波路W3DVを介して入力導波路WGINに光学的に結合される。入力導波路WGINは入力ポートLP0に結合されている。
複数のマッハツェンダ−変調器MZ1、MZ2、MZ3、MZ4は、複数の多モード干渉器を介して入力ポートLP0からの光を受ける。マッハツェンダ−変調器MZ1、MZ2が、第4分岐導波路W4DVを介して第1出力導波路W1GTに光学的に結合され、また、マッハツェンダ−変調器MZ3、MZ4が、第5分岐導波路W5DVを介して第2出力導波路W2GTに光学的に結合される。第1出力導波路W1GT及び第2出力導波路W2GTは、それぞれ、第1出力ポートLP1及び第2出力ポートLP2に結合されている。第1出力ポートLP1及び第2出力ポートLP2は、ぞれぞれの光出力を提供する。
複数のマッハツェンダ−変調器MZ1、MZ2、MZ3、MZ4は、複数の多モード干渉器を介して入力ポートLP0からの光を受ける。マッハツェンダ−変調器MZ1、MZ2が、第4分岐導波路W4DVを介して第1出力導波路W1GTに光学的に結合され、また、マッハツェンダ−変調器MZ3、MZ4が、第5分岐導波路W5DVを介して第2出力導波路W2GTに光学的に結合される。第1出力導波路W1GT及び第2出力導波路W2GTは、それぞれ、第1出力ポートLP1及び第2出力ポートLP2に結合されている。第1出力ポートLP1及び第2出力ポートLP2は、ぞれぞれの光出力を提供する。
図2に示されるように、第1伝送線EW1、第2伝送線EW2、第3伝送線EW3、及び第4伝送線EW4は、パッド電極(PS1〜PS4)からの個々の変調信号を受けるために、それぞれ、マッハツェンダ−変調器MZ1、MZ2、MZ3、MZ4の第1変調電極ED1M及び第1位相調整電極ED1Pに接続される。第1終端線TW1、第2終端線TW2、第3終端線TW3、及び第4終端線TW4は、個々の終端のためにパッド電極(PT1〜PT4)に接続され、それぞれ、マッハツェンダ−変調器MZ1、MZ2、MZ3、MZ4の第1変調電極ED1Mに接続される。第1位相調整電極ED1P及び外側位相調整電極ED1PMは、パッド電極(PP1、PP2)に接続される。第1伝送線EW1、第2伝送線EW2、第3伝送線EW3、及び第4伝送線EW4、並びに第1終端線TW1、第2終端線TW2、第3終端線TW3、及び第4終端線TW4の一部又は全部は、光導波路を横切る。
図3を参照すると、マッハツェンダ−変調器MZ1、MZ2、MZ3、MZ4の各々は、入力側分岐導波路M1DV、第1アーム導波路W1ARM、第2アーム導波路W2ARM、及び出力側分岐導波路M2DVを含む。マッハツェンダ−変調器MZ1、MZ2、MZ3、MZ4の各々において、第1変調電極ED1M及び第1位相調整電極ED1Pが第1アーム導波路W1ARM上に設けられ、第2変調電極ED2M及び第2位相調整電極ED2Pが第2アーム導波路W2ARM上に設けられる。マッハツェンダ−変調器MZ2の出力は、第1(π/2)位相シフタP1SHを介してマッハツェンダ−変調器MZ1の出力と合波される。マッハツェンダ−変調器MZ4の出力は、第2(π/2)位相シフタP2SHを介してマッハツェンダ−変調器MZ3の出力と合波される。外側位相調整電極ED1PM、ED2PM、ED3PM、ED4PMは、ぞれぞれ、マッハツェンダ−変調器MZ1、MZ2、MZ3、MZ4の出力導波路上に設けられる。マッハツェンダ−変調器MZ1、MZ2からの変調光は、それぞれ、外側位相調整電極ED1PM、ED2PMによる位相調整を受けた後に合波されて、合波光が第1出力導波路W1GTを伝搬する。また、マッハツェンダ−変調器MZ3、MZ4からの変調光は、それぞれ、外側位相調整電極ED3PM、ED4PMによる位相調整を受けた後に合波されて、合波光が第2出力導波路W2GTを伝搬する。このように、マッハツェンダ−変調器MZ1、MZ2、MZ3、MZ4の各々は、1×2MMIを含む。
図4の(a)部及び(b)部は、素子端面から延在するテーパ導波路TPWGと、このテーパ導波路TPWGに接続された単一のシングルモード導波路SGWGと、このシングルモード導波路SGWGに接続された1×2多モード干渉器M12MIと含む半導体素子を模式的に示す図面である。
図4の(a)部を参照すると、光ビームB1M(波長λ1)がテーパ導波路TPWGに入射する。テーパ導波路TPWGは、光ビームB1Mのスポットサイズを変換して、導波モードを生成する。光ビームB1Mが、例えばテーパ導波路TPWGの中心軸に対して軸ずれしているとき、テーパ導波路TPWGは、光ビームB1Mから基本モードだけでなく高次モードを生成する。図4の(a)部を参照すると、テーパ導波路TPWGの付近には、テーパ導波路TPWGの導波モード中の、例えば基本モード及び1次モードの電界分布が示されており、更なる高次モードが省略される。基本モードの電界分布は、テーパ導波路TPWGの中心軸にピークを有する対称形であり、1次モードの電界分布は、テーパ導波路TPWGの中心軸の両側に極値を有する反対称形を有する。
図4の(b)部を参照すると、光ビームB1M(波長λ2)がテーパ導波路TPWGに入射する。テーパ導波路TPWGは、光ビームB1Mのスポットサイズを変換して、導波モードを生成する。光ビームB2Mが、テーパ導波路TPWGの中心軸に対して軸ずれしているとき、テーパ導波路TPWGは、光ビームB1Mから基本モードだけでなく高次モードを生成する。図4の(b)部を参照すると、テーパ導波路TPWGの付近には、テーパ導波路TPWGの導波モード中の、例えば基本モード及び1次モードの電界分布が示されており、更なる高次モードが省略される。基本モードの電界分布は、テーパ導波路TPWGの中心軸にピークを有する対称形であり、1次モードの電界分布は、テーパ導波路TPWGの中心軸の両側に極値を有する反対称形を有する。
基本モード及び高次モードを含む導波光ビームは、シングルモード導波路SGWGを伝搬して、1×2多モード干渉器M12MIの入力ポートに到達する。1×2多モード干渉器M12MIは、入力ポートに受けた光を第1出力ポート及び第2出力ポートに分岐する。
図4の(a)部における1×2多モード干渉器M12MIの入力ポートでは、波長λ1の導波光ビームの基本モードと1次モードとの位相差△THETAが、+π/2である。導波光ビームの基本モードは、第1出力ポート(X側)及び第2出力ポート(Y側)に均等の強度で分岐される。導波光ビームの1次モードの分岐強度は、入力ポートから離れてある位置、具体的には第1出力ポート(X側)及び第2出力ポート(Y側)の位置において、反対称形を有する。基本モード及び1次モードは、第1出力ポート(X側)及び第2出力ポート(Y側)において合成される。第1及び第2出力ポートにおける合成光ビームは、それぞれ第1及び第2合成強度を有する。第1合成強度(Px)が第2合成強度(Py)より大きい。
一方、図4の(b)部における1×2多モード干渉器M12MIの入力ポートでは、波長λ2の導波光ビームの基本モードと1次モードとの位相差△THETAが、−π/2である。導波光ビームの基本モードは、第1出力ポート(X側)及び第2出力ポート(Y側)に均等の強度で分岐される。導波光ビームの1次モードの分岐強度は、入力ポートから離れてある位置、具体的には第1出力ポート(X側)及び第2出力ポート(Y側)の位置において、反対称形を有する。基本モード及び1次モードは、第1出力ポート(X側)及び第2出力ポート(Y側)において合成される。第1及び第2出力ポートにおける合成光ビームは、それぞれ第1及び第2合成強度を有する。第2合成強度(Py)が第1合成強度(Px)より大きい。
図5の(a)部及び(b)部は、それぞれ、第1及び第2出力ポートにおける規格化強度を1520nmから1580nmの波長範囲において示す。図5の(a)部及び(b)部の各々は、3種の調芯(調芯ずれ0μm、+1μm、−1μm)における規格化強度を示し、図5の(c)部は、第1及び第2出力ポートにおける規格化強度の差を3種の調芯(調芯ずれ0μm、+1μm、−1μm)において示す。図5の(c)部に示されるように、規格化強度の差は、1520nmから1580nmの波長範囲において周期的に変化する。
本実施の形態に係るスポットサイズ変換器13は、奇数次の高次モードを低減できるので、奇数次の高次モードの残留に起因する分岐比における不均衡の発生を低減できる。具体的には、スポットサイズ変換器13によれば、1×2多モード干渉器における規格化強度の差を低減できる。
図6の(a)部、(b)部、(c)部、(d)部、(e)部及び(f)部は、それぞれ、図1におけるVIa−VIa線、VIb−VIb線、VIc−VIc線、VId−VId線、VIe−VIe線、及びVIf−VIf線に沿ってとられた断面を示す図面である。
図6の(a)部、(b)部、(c)部及び(d)部を参照すると、第2半導体導波路構造23、第3半導体導波路構造25、テーパ導波路27及び第1半導体導波路構造21の各々は、第1クラッド層41a、コア層41b及び第2クラッド層41cを含む積層体41を備える。第1クラッド層41a、コア層41b及び第2クラッド層41cは、半導体基板43の主面43a上に設けられており、また半導体基板43の主面43aの法線方向に順に配列されている。必要な場合には、積層体41は、第2クラッド層41c上に設けられたコンタクト層を含むことができる。第2半導体導波路構造23、第3半導体導波路構造25、テーパ導波路17及び第1半導体導波路構造21が共通の積層体41を含み、第1半導体導波路構造21、第2半導体導波路構造23、第3半導体導波路構造25、及びテーパ導波路27は、実質的に同じ厚さを有する。このスポットサイズ変換器13によれば、テーパ導波路27、第2半導体導波路構造23、及び第3半導体導波路構造25が同一の半導体積層構造を有して、縦方向において同一の屈折率プロファイルを提供する。
本実施の形態では、図6の(d)部、(e)部及び(f)部を参照すると、第1半導体導波路構造21、多モード干渉器31、及び第4半導体導波路構造33b(第5半導体導波路構造33c)の各々は、積層体41を備える。第1半導体導波路構造21、多モード干渉器31、及び第4半導体導波路構造33b(第5半導体導波路構造33c)が共通の積層体41を含み、実質的に同じ厚さを有する。このスポットサイズ変換器13によれば、第1半導体導波路構造21、多モード干渉器31、及び第4半導体導波路構造33b(第5半導体導波路構造33c)が同一の半導体積層構造を有して、縦方向において同一の屈折率プロファイルを提供する。
第1半導体導波路構造21、第2半導体導波路構造23、第3半導体導波路構造25、及びテーパ導波路27は、シリコン系無機絶縁膜45で覆われていても良い。このスポットサイズ変換器13によれば、シリコン系無機絶縁膜45の屈折率は、スポットサイズ変換器13を構成する半導体領域の屈折率より小さい。シリコン系無機絶縁膜45は、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物、及びシリコン酸窒化物を包含する。
第2半導体導波路構造23は、外部の光導波路からの光を端面23aにおいて受ける。この受け入れに際して、外部の光導波路からの光の励起により、基本モード及び高次モードを含む光ビームが生成される。この光ビームは、第2半導体導波路構造23から第3半導体導波路構造25に入力する。図7は、第3半導体導波路構造25における基本モード及び高次モードの振る舞いを示す図面である。図7の(a)部は、基本モードから基本モード、1次モード、2次モード及び3次モードへの遷移T00、T01、T02、T03を示す。図7の(b)部は、1次モードから基本モード、1次モード、2次モード、及び3次モードへの遷移T10、T11、T12、T13を示す。図7の(c)部は、2次モードから基本モード、1次モード、2次モード及び3次モードへの遷移T20、T21、T22、T23を示す。図7の(d)部は、3次モードから基本モード、1次モード及び2次モードへの遷移T30、T31、T32、T33を示す。これらの図面において、例えば「0−>2」は基本モードから2次モードへの遷移したモードを表す。
図7における見積もりは、以下のモデルにおいて行われた。
第2半導体導波路構造23の第2幅W23:3.5マイクロメートル。
第3半導体導波路構造25の第3幅W25:9.6マイクロメートル。
第3半導体導波路構造25の第3長さL25:194マイクロメートル。
第3半導体導波路構造25の積層構造:InP/MQW/InP。
MQW:AlGaInAs井戸/AlGaInAsバリア、厚さ0.5マイクロメートル。
InP層:厚さ1.5マイクロメートル。
第2半導体導波路構造23の第2幅W23:3.5マイクロメートル。
第3半導体導波路構造25の第3幅W25:9.6マイクロメートル。
第3半導体導波路構造25の第3長さL25:194マイクロメートル。
第3半導体導波路構造25の積層構造:InP/MQW/InP。
MQW:AlGaInAs井戸/AlGaInAsバリア、厚さ0.5マイクロメートル。
InP層:厚さ1.5マイクロメートル。
第1半導体導波路構造21の第1幅W21及び第2半導体導波路構造23の第2幅W23より大きい第3幅W25の第3半導体導波路構造25は、いずれのモードに対しても1次モードの大きな損失を示し、また3次モードの損失を示す。第3半導体導波路構造25は、第2半導体導波路構造23から受けた光ビーム中のいくつかの高次モードを減衰させる。また、発明者の見積もりによれば、2次モード及び3次モードは、第1幅W21の第1半導体導波路構造21の伝搬において導波路の外側に放射される。テーパ導波路27は、第3半導体導波路構造25からの光ビームを受ける。入射ビーム中の高次モードの一部を減衰させた後に、スポットサイズを変換する。高次モードを減衰させた後にスポットサイズを変換するこの順序によれば、漏洩モードの発生を抑えられる利点がある。漏洩モードとは、放射損失の無い導波モードと放射損失の大きい放射モードの中間の状態のモードである。この漏洩モードには、多少の放射損失があるものの放射モードに比べるとその放射損失は非常に小さいため、多少の損失を伴いながらも導波路に沿って伝搬してしまう。このため、漏洩モードの光が、素子に到達し、素子の予期せぬ動作を引き起こす場合がある。よって漏洩モードは、抑制されるのが望ましい。もし入射ビームが、図4のようなテーパ導波路のみから成るスポットサイズ変換器に結合されると、素子端面への入射時に生じた高次モードは、テーパ導波路で漏洩モードに変換される。この漏洩モードがスポットサイズ通過後の導波路を伝搬すると、上記の通り素子性能上問題と成り得る。これに対し、本発案のように、高次モードを減衰させた後にテーパ導波路を用いてスポットサイズ変換すれば、テーパ導波路における漏洩モードの発生を避けることができる。
図8は、スポットサイズ変換器13の一実施例を示す。スポットサイズ変換器13の実施例は、以下のように、典型的な寸法を示す。
第1幅W21:0.5〜2マイクロメートル、例えば1マイクロメートル。
第2幅W23:1.5〜15マイクロメートル、例えば3.5マイクロメートル。
第2長さL23:5〜100マイクロメートル、例えば40マイクロメートル。
第3幅W25:2〜20マイクロメートル、例えば9.6マイクロメートル。
第3長さL25:20〜400マイクロメートル、例えば194マイクロメートル。
テーパ導波路の長L27:10〜200マイクロメートル、例えば80マイクロメートル。
第1幅W21:0.5〜2マイクロメートル、例えば1マイクロメートル。
第2幅W23:1.5〜15マイクロメートル、例えば3.5マイクロメートル。
第2長さL23:5〜100マイクロメートル、例えば40マイクロメートル。
第3幅W25:2〜20マイクロメートル、例えば9.6マイクロメートル。
第3長さL25:20〜400マイクロメートル、例えば194マイクロメートル。
テーパ導波路の長L27:10〜200マイクロメートル、例えば80マイクロメートル。
実施例に係るスポットサイズ変換器13の作製は、例えば以下のように行われる。InP基板上に半導体積層を形成する。半導体積層の形成のために、下部クラッド層のためのInP層、MQWコア層のためのAlGaInAs井戸層/AlGaInAsバリア層からなる多重量子井戸層、及び上部クラッド層のためのInP層を有機金属気相成長法で成長する。必要な場合には、半導体積層の形成のために、半導体光素子15のコンタクト層のためのInGaAs層を成長することができる。この半導体積層の主面上に、導波路パターンを規定するマスクを形成する。このマスクを用いて半導体積層をエッチングして、半導体メサを形成する。このエッチングの後に、半導体メサの上面及び側面並びにInP基板上に、シリコン系無機絶縁膜を成長する。必要な場合には、半導体光素子15、例えばマッハツェンダ変調器のために必要な電極を形成する工程を追加することができる。
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
以上説明したように、本実施形態によれば、奇数次の高次モードを低減できるスポットサイズ変換器が提供され、また、このスポットサイズ変換器を含む半導体光デバイスが提供される。
11…半導体光デバイス、13…スポットサイズ変換器、15…半導体光素子、B1M…光ビーム、21…第1半導体導波路構造、23…第2半導体導波路構造、25…第3半導体導波路構造、27…テーパ導波路。
Claims (5)
- スポットサイズ変換器であって、
シングルモードの導波を可能にする第1幅を有する第1半導体導波路構造と、
外部光導波路に光学的に結合可能な端面を有しており、前記第1半導体導波路構造の前記第1幅より大きい第2幅の第2半導体導波路構造と、
前記第1半導体導波路構造の前記第1幅及び前記第2半導体導波路構造の前記第2幅より大きい第3幅の第3半導体導波路構造と、
前記第3半導体導波路構造に接続された一端及び前記第1半導体導波路構造に接続された他端を有する単一のテーパ導波路と、
を備え、
前記テーパ導波路の幅は、前記一端から前記他端への方向に徐々に変化し、
前記第2半導体導波路構造は、前記第3半導体導波路構造に光学的に結合される、スポットサイズ変換器。 - 前記テーパ導波路、前記第2半導体導波路構造、及び前記第3半導体導波路構造は、第1クラッド層、コア層及び第2クラッド層を含む積層体を備える、請求項1に記載されたスポットサイズ変換器。
- 前記第1半導体導波路構造、前記テーパ導波路、前記第2半導体導波路構造、及び前記第3半導体導波路構造は、シリコン系無機絶縁膜で覆われる、請求項1又は請求項2に記載されたスポットサイズ変換器。
- 前記第2半導体導波路構造の前記第2幅は、1.5マイクロメートル以上である、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載されたスポットサイズ変換器。
- 半導体光デバイスであって、
基板上に設けられ、請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載されたスポットサイズ変換器と、
前記スポットサイズ変換器に光学的に結合され、前記基板上に設けられた半導体光素子と、
を備える、半導体光デバイス。
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A977 | Report on retrieval |
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A02 | Decision of refusal |
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