JP5536823B2 - 光変調導波路 - Google Patents
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Description
101、201、301 基板
102 n−InPクラッド層
103 光導波層
104 SI−InPクラッド層
105 n−InPクラッド層
106 シグナル電極
107 グランド電極
202、206 n−GaN電極層
203 第1のi−AlGaNクラッド層
204 i−GaN光導波層
205 第2のi−AlGaNクラッド層
207、208、305、306 電極
302 第1の窒化物系半導体層
303 第2の窒化物系半導体層
304 窒化物系半導体光導波層
Claims (2)
- 第1の窒化物系半導体層と、第2の窒化物系半導体層と、窒化物系半導体光導波層とが基板のC面上に形成され、前記第1の窒化物系半導体層及び前記第2の窒化物系半導体層上にそれぞれ電極が形成された光変調導波路であって、
前記窒化物系半導体光導波層は、前記第1の窒化物系半導体層と前記第2の窒化物系半導体層との間に挟み込まれるように形成され、
前記窒化物系半導体光導波層と前記第1の窒化物系半導体層との界面、及び前記窒化物系半導体光導波層と前記第2の窒化物系半導体層との界面は、a面又はm面であることを特徴とする光変調導波路。 - 基板のC面上に、窒化物系半導体光導波層、第1の選択成長マスク層及びドライエッチングマスク層を順次積層するステップと、
前記ドライエッチングマスク層上に、a軸又はm軸方向の光導波路パターンを形成するように第1のフォトレジストを形成するステップと、
前記第1のフォトレジストが形成されている部分以外の部分の前記第1の選択成長マスク層及び前記ドライエッチングマスク層を除去した後、前記第1のフォトレジストを除去するステップと、
前記ドライエッチングマスク層をマスクとして前記窒化物系半導体光導波層を前記基板までエッチングし、前記ドライエッチングマスク層を除去するステップと、
前記窒化物系半導体光導波層をa軸又はm軸方向に覆うように第2のフォトレジストを形成した後、第2の選択成長マスク層を堆積するステップと、
前記第2のフォトレジスト及び前記第2のフォトレジスト上の前記第2の選択成長マスク層を除去するステップと、
選択成長を用いて、前記第2のフォトレジストを除去することによって露出した部分に窒化物半導体を形成して前記窒化物系半導体光導波層のメサ側面を前記窒化物系半導体で埋め込むことにより、前記窒化物系半導体光導波層が第1の窒化物系半導体層と第2の窒化物系半導体層との間に挟み込まれるように前記第1の窒化物系半導体層及び前記第2の窒化物系半導体層を形成するステップと、
前記第1の選択成長マスク層及び前記第2の選択成長マスク層を除去するステップと、
前記第1の窒化物系半導体層及び前記第2の窒化物系半導体層上にそれぞれ電極を形成するステップと
を備えることを特徴とする光変調導波路の作製方法。
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