JP4049585B2 - 面発光型レーザ素子および面発光型レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム - Google Patents

面発光型レーザ素子および面発光型レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面発光型レーザ素子および面発光型レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システムに関する。
【0002】
【従来の技術】
面発光型レーザは、活性層体積が小さいことから閾値電流が低く高速変調が可能であり、ギガビットイーサ等の通信光源として注目されている。また、基板に垂直な方向にレーザ出力が取り出せることから、2次元アレイ集積が容易で、更にアレイ化した場合でも消費電力が少ないことから並列光インターコネクション用光源としての期待も大きい。
【0003】
従来、面発光型レーザの低閾値化を可能とするものとして、次のようなAl混晶の酸化物による電流狭窄構造が知られている。すなわち、例えば、文献「Electronics Letters 31(1995) p560−562」には、MOCVD法(有機金属気相成長法)によって結晶成長されたInGaAs/GaAs量子井戸活性層と、InGaAs/GaAs量子井戸活性層の上下に設けられたAlAs/GaAsからなる分布ブラッグ反射器とを有する素子の選択酸化電流狭窄構造について、記述がなされている。この従来技術では、素子部の結晶成長の後、素子部表面から基板表面までを直径20μmの円柱形状にエッチングし、80℃に加熱した水を窒素ガスでバブリングして得られた水蒸気雰囲気中において、400℃の温度でアニールを行い、円柱部の側面からAlAs層のみを選択的に酸化し、直径5μmの電流通路を円柱の中央部に残して、円柱周辺部にAlOxによる電流狭窄構造を形成している。なお、酸化に要する時間は5分程度である。AlOxは高い絶縁性を有しているので、酸化が行われなかった領域に効率良く電流を狭窄することができる。上記の素子は、この構造により70μAという極低閾値を実現している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来技術では、Al組成、膜厚、半導体層の界面の状態や微妙な酸化条件の違いにより、再現性良く、均一に酸化を行うことが難しいという問題がある。これを改善するものとして、次のような酸化の自己停止機能を備えた構造が考えられている。
【0005】
すなわち、特開平11−112084では、GaAs基板上のAlGaAs系材料、もしくはInP基板上のAlGaInAsP系材料による面発光型レーザ素子の選択酸化工程の制御性を改善するために、図18のようにAl混晶による酸化層の結晶成長を行った後、電流通電部にあたる前記混晶の一部もしくは全部をエッチング除去し、開口領域にAl含有率が低い他の半導体層の結晶成長を行っている。これは、酸化層であるAl混晶層のAl組成が大きく、また、膜厚が厚い程酸化が容易に進行するという特性を利用したもので、酸化は膜厚の薄い電流通路領域に達すると自己停止し、電流通路の面積,形状を再現性良く均一に制御することができる。
【0006】
また、同様な従来技術として特開平9−186400があり、この従来技術では、InP基板上にAl混晶による選択酸化層の結晶成長の前に、電流通路に酸化膜マスクを形成した後、Al混晶、及び上層の一部の結晶成長を行い、次に、酸化膜マスクと同時に電流通路のAl混晶を除去し、引き続いて上層の結晶成長を行っている。この従来技術では、電流通路のAl混晶が完全に除去されており、酸化は、電流通路に達したところで自己停止し、同様に酸化工程の制御性が向上する。
【0007】
特開平11−112084では、スペーサー層を結晶成長した後、選択酸化層を結晶成長し、電流通路となる領域の酸化層をエッチングにより除去するか、または、酸化されにくい厚さにまでエッチングを行っている。面発光型レーザ素子では、共振器長及び半導体多層膜の厚さを精密に制御する必要がある。しかしながら、特開平11−112084では、エッチング厚さを正確に制御する方法については触れられていない。具体的に、特開平11−112084の構造では、実際には再現性良くエッチング量を制御することは難しく、特性ばらつきの少ない素子を高い歩留りで得るには選択酸化層のエッチング工程の制御性を向上させる必要がある。また、特開平11−112084に記載されているように、AlGaAs材料系によりこのような構造の作製を行う場合には、エッチング,再成長を繰り返したときに、界面の欠陥及び表面酸化が起こり、十分な特性を得ることが難しい。特開平11−112084では、サルファパッシベーションやAsパッシベーション等による表面処理が有効であることが述べられている。しかし、AlGaAsのようなAl含有率の高い混晶では、特に表面の自然酸化等が顕著であり、これらの処理を行った場合でも表面欠陥の影響を十分に低減することは難しい。
【0008】
本発明は、エッチング及び再成長により電流通路と酸化領域にそれぞれ組成の違う半導体層を設けて酸化形状の制御を行う方式の選択酸化電流狭窄型の面発光型レーザ素子において、エッチング工程の制御性,再成長時の結晶性、および発光効率を向上させることが可能であって、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子および面発光型レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システムを提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1記載の発明は、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx1Ga1−x1As選択酸化層(0<x1≦1)を設けた後、電流通路にあたる前記Alx1Ga1−x1As選択酸化層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx1Ga1−x1As層よりもAl組成の小さいAlx2Ga1−x2As層(0≦x2<x1≦1)による電流通路を設け、更に前記Alx1Ga1−x1As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、Al x1 Ga 1−x1 As層の上層にGa y1 In 1−y1 P層(0<y1<1)を設けたことを特徴としている。
【0013】
また、請求項2記載の発明は、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1−x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1−x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1−x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1−x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1−x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1−x4As層の下層および前記Al x5 Ga 1−x5 As層の下層にAlx6Ga1−x6As層(0≦x6<x4<1)を設けたことを特徴としている。
【0014】
また、請求項3記載の発明は、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1−x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1−x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1−x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1−x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1−x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1−x4As層の上層にAlx6Ga1−x6As層(0≦x6<x4<1)を設けたことを特徴としている。
【0015】
また、請求項4記載の発明は、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1−x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1−x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1−x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1−x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1−x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1−x4As層の下層および前記Al x5 Ga 1−x5 As層の下層にGay1In1−y1P層(0<y1<1)を設けたことを特徴としている。
【0016】
また、請求項5記載の発明は、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1−x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1−x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1−x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1−x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1−x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1−x4As層の上層にGay1In1−y1P層(0<y1<1)を設けたことを特徴としている。
【0017】
また、請求項6記載の発明は、請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の面発光型レーザ素子において、電流通路の形状が、矩形または楕円形のように異方性を有していることを特徴としている。
【0018】
また、請求項7記載の発明は、請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の面発光型レーザ素子において、活性層の材料が、III族元素として、Ga,Inのいずれかから、または、全てから構成され、V族元素として、N,As,Sbのいずれかから、または、全てから構成されていることを特徴としている。
【0019】
また、請求項8記載の発明は、請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の面発光型レーザ素子によって構成されていることを特徴とする面発光型レーザアレイである
【0020】
また、請求項9記載の発明は、請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の面発光型レーザ素子、または、請求項8記載の面発光型レーザアレイによって構成されていることを特徴とする光インターコネクションシステムである
【0021】
また、請求項10記載の発明は、請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の面発光型レーザ素子、または、請求項8記載の面発光型レーザアレイによって構成されていることを特徴とする光通信システムである
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を説明する。
【0023】
第1の実施形態
本発明の第1の実施形態は、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx1Ga1-x1As選択酸化層(0<x1≦1)を設けた後、電流通路にあたる前記Alx1Ga1-x1As選択酸化層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx1Ga1-x1As層よりもAl組成の小さいAlx2Ga1-x2As層(0≦x2<x1≦1)による電流通路を設け、更に前記Alx1Ga1-x1As選択酸化層を横方向に酸化して形成した電流狭窄構造が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx1Ga1-x1As層の下層にAlx3Ga1-x3As層(0≦x3<x2<1)を設けたことを特徴としている。
【0024】
Al組成の小さな(0.4程度以下の)AlGaAs層は、塩酸系のエッチャントに対して高いエッチング選択性をもち、Al組成の大きなAlGaAs層のエッチング停止層として機能する。よって、分布ブラッグ反射器の低屈折率層のような他のAlGaAs層上に設けた電流狭窄層をエッチングする場合、Alx3Ga1-x3As層は電流狭窄層をエッチングする際のエッチング停止層として機能する。
【0025】
また、AlGaAs混晶は、Al組成が大きい程表面が自然酸化し易く、又、表面酸化膜が形成された結晶表面への再成長は難しい。従って、上記第1の実施形態の構成とすることで、表面酸化が低減し、電流通路となるエッチング除去部の再成長を容易にし、結晶欠陥を低減する再成長容易層として機能する。
【0026】
本発明の第1の実施形態では、電流通路領域にあたるAlx1Ga1-x1As選択酸化層をエッチング除去する際に、選択酸化層とこれの下層となる分布ブラッグ反射器を構成するAlGaAs層とのエッチング選択性を向上させ、分布ブラッグ反射器の膜厚を精密に制御し、エッチングの面内分布が少なく、信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。更に、エッチング除去部分に再成長される結晶の質を向上させて、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0027】
換言すれば、第1の実施形態では、予め選択酸化層となるAlx1Ga1-x1As混晶を結晶成長した後、電流通路となる領域の前記のAlx1Ga1-x1As混晶をエッチング除去し、これよりもAl組成の小さいAlx2Ga1-x2As混晶をエッチング領域に再成長し選択酸化層の酸化を行う面発光型レーザ素子において、選択酸化層となるAlx1Ga1-x1As混晶の下層に更にAl組成の小さなAlx3Ga1-x3Asを設けることを特徴としている。
【0028】
面発光型レーザ素子の発振波長は、分布ブラッグ反射器(DBR)によって挟まれた活性層と共振器スペーサー層の厚さ(共振器長)によって決まるが、これは均一なDBRが設けられている場合であり、スペーサー層に近い領域では、DBRと共振領域の相互作用が強く、DBRの膜厚にずれがあると発振波長に影響を及ぼす。また、選択酸化によって得られるAl酸化物の屈折率は1.6程度と他の半導体層に比べて小さく、光の回折の影響が大きい。更に、Alの酸化物に起因した表面準位の影響の為に、選択酸化層と活性領域の距離が近い場合は、発光効率を低下させてしまう問題がある。以上から、選択酸化層は、活性領域に直接に接して設けられることは少なく、活性層からみて最初の光の定在波の節の位置にあたる1対目のDBR中(低屈折率層であるAlGaAs層と高屈折率層であるGaAs層の間)に設けられる例が多い。このような構造とすると、光及びキャリアに対する損失が低減できる。しかしながら、この構造において、従来技術のように予め基板全面に結晶成長を行った選択酸化領域をエッチング除去し、エッチング部分に酸化レートの小さい(Al組成の小さい)AlGaAs混晶の結晶成長を行おうとすると、下層がAlGaAs混晶である為に、正確なエッチング膜厚の制御が難しく、また、表面酸化のために再成長が難しいという問題がある。面発光型レーザでは、正確な膜厚の制御が要求されており、このエッチングばらつきを抑えることが発振波長等の素子特性のばらつきを小さくする為に重要である。また、再成長領域は電流通路となる為に、良好な電気特性,高い発光効率を得る為には、表面酸化及び結晶欠陥を低減する必要がある。
【0029】
本発明の第1の実施形態では、選択酸化層のエッチング膜厚を正確に制御する為に、この下層にAl組成の小さなAlx3Ga1-x3Asをエッチング停止層として設ける構成とした。これによって、上述した構造においても正確にエッチング量及びDBRの膜厚を制御することができる。エッチャントに塩酸を用いた場合、Al組成0.4程度以下のAlGaAs混晶はエッチングレートが非常に遅く、AlAs等のAl組成が大きなAlGaAsの選択エッチングが可能である。従って、光学長の狂いが生じない。第1の実施形態の素子の発振波長等の素子特性のばらつきは非常に小さなものであった。また、選択酸化工程において、Al組成の違いにより横方向の酸化は再成長層に達したところで自己停止するので電流狭窄径のばらつきも非常に小さく、素子の発振閾値は揃っていた。
【0030】
また、同時に、再成長工程において最表面がAl組成の小さなAlGaAsで覆われているので、自然酸化が起こりにくく、再成長層の結晶成長が容易であり、品質の低下等はなかった。また、表面酸化膜の影響による電気特性の異常等も見られなかった。特にGaAsの薄膜を設けた場合に、大きなエッチングの選択性、表面酸化の低減が得られる。以上から、素子特性のばらつきが少なく、信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0031】
第2の実施形態
本発明の第2の実施形態は、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx1Ga1-x1As選択酸化層(0<x1≦1)を設けた後、電流通路にあたる前記Alx1Ga1-x1As選択酸化層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx1Ga1-x1As層よりもAl組成の小さいAlx2Ga1-x2As層(0≦x2<x1≦1)による電流通路を設け、更に前記Alx1Ga1-x1As選択酸化層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx1Ga1-x1As層の上層にAlx3Ga1-x3As層(0≦x3<x2<1)を設けたことを特徴としている。
【0032】
この第2の実施形態において、Alx1Ga1-x1As上に設けたGaAs層は、第1の実施形態と同様の理由により、Alx1Ga1-x1As層の表面酸化を防止し、再成長容易層として機能する。
【0033】
本発明の第2の実施形態では、Alx1Ga1-x1As選択酸化層の表面における自然酸化を防止し、この上に再成長を行う結晶の品質を向上させ、歩留り及び信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0034】
換言すれば、第2の実施形態では、選択酸化層となるAlx1Ga1-x1As混晶の上層に更にAl組成の小さなAlx3Ga1-x3Asを設けたことで、第1の実施形態と同様な効果によって、再成長表面の酸化を低減することができる。これによって、電流通路以外の部分への良質な結晶成長が可能となり、20ペア以上の分布ブラッグ反射器(DBR)を結晶性の低下無く容易に結晶成長することができる。以上から、第1の実施形態と同様に信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0035】
第3の実施形態
本発明の第3の実施形態は、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx1Ga1-x1As選択酸化層(0<x1≦1)を設けた後、電流通路にあたる前記Alx1Ga1-x1As選択酸化層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx1Ga1-x1As層よりもAl組成の小さいAlx2Ga1-x2As層(0≦x2<x1≦1)による電流通路を設け、更に前記Alx1Ga1-x1As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、Alx1Ga1-x1As層の下層にGay1In1-y1P層(0<y1<1)を設けたことを特徴としている。
【0036】
ここで、硫酸系エッチャント等を用いた場合に、GaInP混晶は、AlGaAs混晶に対して高いエッチング選択性をもち、エッチング停止層として機能する。よって、分布ブラッグ反射器の低屈折率層となる他のAlGaAs層上の電流狭窄層をエッチング除去する場合、Gay1In1-y1P層は電流狭窄層をエッチングする際のエッチング停止層として機能する。
【0037】
また、AlGaAs層やAlGaAs選択酸化層の界面では、酸化物に起因した非発光再結合準位が多く存在する。Gay1In1-y1P層は組成にAlを含んでおらず、表面酸化が生じにくい。従って、Alx2Ga1-x2As層の再成長が容易になる。また、禁則帯幅も十分に広いことから、Gay1In1-y1P層によって、電子―正孔密度の高い活性領域とAl組成の大きいAlx1Ga1-x1As選択酸化層が直接に接しない構成とすることで、界面における非発光再結合の抑制層としても機能する。
【0038】
本発明の第3の実施形態では、電流通路領域にあたるAlx1Ga1-x1As選択酸化層をエッチング除去する際に、選択酸化層とこれの下層となる分布ブラッグ反射器を構成するAlGaAs層とのエッチングの選択性を向上させ、分布ブラッグ反射器の膜厚を精密に制御し、エッチングの面内分布が少なく、信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。更に、エッチング除去部分に再成長される結晶の質を向上させて、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。また、Al混晶の界面における非発光再結合を低減し、発光効率を向上させることができる。
【0039】
換言すれば、第3の実施形態では、予め選択酸化層となるAlx1Ga1-x1As混晶を結晶成長した後、電流通路となる領域の前記のAlx1Ga1-x1As混晶をエッチング除去し、これよりもAl組成の小さいAlx2Ga1-x2As混晶をエッチング領域に再成長し選択酸化層の酸化を行う面発光型レーザ素子において、選択酸化層となるAlx1Ga1-x1As混晶の下層にGaInP層を設けることを特徴としている。
【0040】
GaInP混晶は、硫酸系エッチャントを用いた場合にAlGaAs混晶に対し高いエッチング選択性を有しており、選択酸化層の下層に設けることによって、エッチング量を精密に制御することが可能となる。従って、光学長の狂いが生じない。第3の実施形態の素子の発振波長等の素子特性のばらつきは非常に小さなものであった。また、選択酸化工程において、Al組成の違いにより横方向の酸化は再成長層に達したところで自己停止するので、電流狭窄径のばらつきも非常に小さく、素子の発振閾値は揃っていた。
【0041】
また、GaInP混晶はAlを含まないことから、表面酸化が起こりにくく、再成長層の結晶成長が容易であり、品質の低下等はなかった。また、表面酸化膜の影響による電気特性の異常等も見られなかった。更に、GaInPはAlを含まずに禁則帯幅が十分大きいので、活性領域とAlGaAs選択酸化層の間に設けることによってAlGaAs表面での非発光再結合が低減し、効果的に発光効率の向上が得られた。以上から、素子特性のばらつきが少なく、信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0042】
第4の実施形態
本発明の第4の実施形態は、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx1Ga1-x1As選択酸化層(0<x1≦1)を設けた後、電流通路にあたる前記Alx1Ga1-x1As選択酸化層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx1Ga1-x1As層よりもAl組成の小さいAlx2Ga1-x2As層(0≦x2<x1≦1)による電流通路を設け、更に前記Alx1Ga1-x1As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、Alx1Ga1-x1As層の上層にGay1In1-y1P層(0<y1<1)を設けたことを特徴としている。
【0043】
ここで、Alx1Ga1-x1As上に設けたGay1In1-y1P層は、第3の実施形態と同様の理由により、Alx1Ga1-x1As層の表面酸化を防止し、再成長容易層として機能する。
【0044】
また第3の実施形態において、Alx1Ga1-x1As層のエッチング除去部分はGay1In1-y1P層であり、他の表面とV族元素が異なる。従って、再成長時の昇温過程,熱処理過程におけるV族雰囲気は、P,As等の置換が生じないように適切に選ぶ必要がある。これに対して、更に第4の実施形態の構成とすると、再成長時の略全ての表面層がGay1In1-y1P混晶となり、再成長時の基板処理が容易になるとともに、結晶品質が向上する。
【0045】
本発明の第4の実施形態では、Alx1Ga1-x1As選択酸化層表面の自然酸化を防止し、この上に再成長を行う結晶の品質を向上させ、歩留り及び信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。更に、再成長表面を燐系混晶とすることで、再成長を容易にすることかできる。以上から、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0046】
換言すれば、第4の実施形態では、選択酸化層となるAlx1Ga1-x1As混晶の上層に更にGaInP層を設けたことによって、第3の実施形態と同様な効果により、再成長表面の酸化を低減することができる。これによって、電流通路以外の部分への良質な結晶成長が可能となり、20ペア以上の分布ブラッグ反射器(DBR)を結晶性の低下無く容易に結晶成長することができる。また、特に第3の実施形態の構造と同時に用いると、エッチング側面を除く再成長表面がV族元素として燐を含む混晶のみとなるので、電流通路部へAlGaAs混晶を再成長させる際のウエハの昇温過程,酸化膜除去工程において、燐雰囲気中のみでの加熱処理を行うことができ、結晶成長が非常に容易になる。以上から、特性ばらつきが小さく、信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0047】
第5の実施形態
本発明の第5の実施形態は、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1−x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1−x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1−x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1−x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1−x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1−x4As層の下層および前記Al x5 Ga 1−x5 As層の下層にAlx6Ga1−x6As層(0≦x6<x4<1)を設けたことを特徴としている。
【0048】
第1の実施形態と同様に、Al組成の小さな(0.4程度以下の)AlGaAs層は、塩酸系のエッチャントに対し、高いエッチング選択性を持ち、Al組成の大きなAlGaAs層のエッチング停止層として機能する。
【0049】
よって、分布ブラッグ反射器の低屈折率層のような他のAlGaAs層上に設けたAlx4Ga1-x4As層をエッチング除去する場合に、第5の実施形態の構成とすることにより、Alx6Ga1-x6As層はAlx4Ga1-x4As層をエッチングする際のエッチング停止層として機能する。
【0050】
また、AlGaAs混晶は、Al組成が大きい程表面が自然酸化し易く、また、表面酸化膜が形成された結晶表面への再成長は難しい。第5の実施形態の構成とし、Alx4Ga1-x4As層よりAl組成の小さなAlx6Ga1-x6As層を設けると、Alx6Ga1-x6As層は再成長容易層としても機能する。
【0051】
本発明の第5の実施形態では、電流狭窄領域にあたるAlx4Ga1-x4As層をエッチング除去する工程において、Alx4Ga1-x4As層とこれの下側に位置する分布ブラッグ反射器を構成するAlGaAs層とのエッチングの選択性を向上させ、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。更に、エッチング除去部分に再成長される結晶の質を向上させて、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0052】
換言すれば、第5の実施形態では、予め電流通路となるAlx4Ga1-x4As混晶を結晶成長した後、電流通路以外の領域のAlx4Ga1-x4As混晶をエッチング除去し、これよりもAl組成の大きいAlx5Ga1-x5As選択酸化層をエッチング領域に再成長した後に選択酸化を行う面発光型レーザ素子において、電流通路となるAlx4Ga1-x4As混晶の下層に更にAl組成の小さなAlx6Ga1-x6Asを設けることを特徴としている。
【0053】
上記の構造に対しては、電流通路となるAlx4Ga1-x4As層としてGaAs層を用いた場合は、下層のDBRの低屈折率層であるAlGaAs層に対して塩酸系エッチャントを用いて選択エッチングが可能となり、エッチング停止層を特別に用意する必要は無い。しかし、下層がAlGaAs層である為に、エッチング表面での自然酸化が生じ、再成長が困難になる場合がある。従って、エッチングの高い選択性を確保し、更に表面酸化の影響を低減する為には、電流通路は分布ブラッグ反射器(DBR)の低屈折率層と同程度のAl組成とし、これの下層にAl組成の小さなAlx6Ga1-x6As層を設けた構造とすることが望ましい。これによって、前述と同じ効果により、精密な膜厚の制御と、結晶性良く再成長を行うことが可能となる。以上から、素子特性のばらつきが少なく、信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0054】
第6の実施形態
本発明の第6の実施形態は、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1-x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1-x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1-x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1-x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1-x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1-x4As層の上層にAlx6Ga1-x6As層(0≦x6<x4<1)を設けたことを特徴としている。
【0055】
ここで、Alx4Ga1-x4As層上に設けたGaAs層は、第5の実施形態と同様の理由により、Alx4Ga1-x4As層の表面酸化を低減し、Alx5Ga1-x5As層を再成長する際の成長容易層として機能する。
【0056】
本発明の第6の実施形態では、電流通路となるAlx4Ga1-x4As層表面における自然酸化を防止し、Alx5Ga1-x5As選択酸化層の再成長工程において結晶の品質を向上させ、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0057】
換言すれば、第6の実施形態では、電流通路となるAlx4Ga1-x4As混晶の上部にこれよりもAl組成の小さいAlx6Ga1-x6As混晶を設けた構造としている。前述の効果により、電流通路における表面酸化が低減し、結晶性良く上部DBRの再成長を行うことができる。以上から、素子特性のばらつきが少なく、信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0058】
第7の実施形態
本発明の第7の実施形態は、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1−x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1−x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1−x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1−x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1−x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1−x4As層の下層および前記Al x5 Ga 1−x5 As層の下層にGay1In1−y1P層(0<y1<1)を設けたことを特徴としている。
【0059】
第3の実施形態と同様に、硫酸系エッチャント等を用いた場合にGaInP混晶は、AlGaAs混晶に対して高いエッチング選択性を持ち、エッチング停止層として機能する。従って、第7の実施形態の構成とすることで、GaInP層は分布ブラッグ反射器の低屈折率層であるAlGaAs層や、高屈折率層であるGaAs層等のAlx4Ga1-x4As層を精度良くエッチングする際のエッチング停止層として機能する。
【0060】
また、AlGaAs層やAlGaAs選択酸化層の界面では、酸化物に起因した非発光再結合準位が多く存在する。GaInP層は組成にAlを含んでおらず、表面酸化が生じにくい、従って、Alx5Ga1-x5As層の再成長が容易になる。また、禁則帯幅も十分に広いことから、Gay1In1-y1P層によって、電子―正孔密度の高い活性領域とAl組成の大きいAlx5Ga1-x5As選択酸化層が直接に接しない構成とすることで、界面における非発光再結合の抑制層としても機能する。
【0061】
本発明の第7の実施形態では、電流狭窄領域にあたるAlx4Ga1-x4As層をエッチング除去する工程において、Alx4Ga1-x4As層とこれの下側に位置する分布ブラッグ反射器を構成するAlGaAs層とのエッチングの選択性を向上させ、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。更に、エッチング除去部分に再成長される結晶の質を向上させて、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。また、Al混晶の界面における非発光再結合を低減し、発光効率を向上させることができる。
【0062】
換言すれば、第7の実施形態では、予め電流通路となるAlx4Ga1-x4As混晶を結晶成長した後、電流通路以外の領域のAlx4Ga1-x4As混晶をエッチング除去し、これよりもAl組成の大きいAlx5Ga1-x5As選択酸化層をエッチング領域に再成長した後に選択酸化を行う面発光型レーザ素子において、電流通路となるAlx4Ga1-x4As混晶の下層にGaInP層を設けることを特徴としている。
【0063】
第7の実施形態では、電流通路となる混晶として、GaAsまたはAlGaAsを用いた場合でも、GaInP混晶は硫酸系エッチャントに対し高い選択性を有している。従って、いずれの混晶に対しても、精密なエッチング量の制御を行うことができる。また前述のようにGaInPにより表面酸化が低減できるので、結晶性良く上層を再成長することができる。
【0064】
また、第3の実施形態と同様の効果により、活性領域とAlGaAs選択酸化層の間に設けることによって、AlGaAs表面での非発光再結合が低減し、効果的に発光効率の向上が得られる。以上から、素子特性のばらつきが少なく、信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0065】
第8の実施形態
本発明の第8の実施形態は、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1-x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1-x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1-x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1-x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1-x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1-x4As層の上層にGay1In1-y1P層(0<y1<1)を設けたことを特徴としている。
【0066】
ここで、Gay1In1-y1P層は、第7の実施形態と同様の理由により、エッチング表面の酸化を防止し、Alx5Ga1-x5As層の再成長容易層として機能する。また、Alx1Ga1-x1As上に設けたGay1In1-y1P層は、第7の実施形態と同様の理由により、Alx1Ga1-x1As層の表面酸化を防止し、再成長容易層として機能する。
【0067】
また第7の実施形態において、Alx1Ga1-x1As層のエッチング除去部分はGay1In1-y1P層であり、他の表面とV族元素が異なる。従って、再成長時の昇温過程,熱処理過程におけるV族雰囲気は、P,As等の置換が生じないように適切に選ぶ必要がある。第7の実施形態に対して、更に第8の実施形態の構成とすると、再成長時の略全ての表面層がGay1In1-y1P混晶となり、再成長時の基板処理が容易になるとともに、結晶品質も向上する。
【0068】
このように、第8の実施形態では、電流通路となるAlx4Ga1-x4As選択酸化層表面における自然酸化を防止し、Alx5Ga1-x5As選択酸化層の再成長工程において結晶の品質を向上させ、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0069】
更に、第7の実施形態において再成長表面を燐系混晶とすることで、再成長を容易にすることができ、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0070】
換言すれば、第8の実施形態では、電流通路となるAlx1Ga1-x1As混晶の上層に更にGaInP層を設けたことによって、第7の実施形態と同様な効果により、再成長表面の酸化を低減することができる。これによって、電流通路部への良質な結晶成長が可能となり、20ペア以上の分布ブラッグ反射器(DBR)を結晶性の低下無く容易に結晶成長することができる。また、特に第7の実施形態の構造と同時に用いると、エッチング側面を除く再成長表面がV族元素として燐を含む混晶のみとなるので、電流通路部へAlGaAs混晶を再成長させる際のウエハの昇温過程,酸化膜除去工程の処理雰囲気を、燐雰囲気のみとすることができ、結晶成長が非常に容易になる。以上から、特性ばらつきが小さく、信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0071】
第9の実施形態
本発明の第9の実施形態は、第1乃至第8の実施形態のいずれかの面発光型レーザ素子において、電流通路の形状が矩形または楕円形のように異方性を有していることを特徴としている。
【0072】
面発光型レーザ素子では、矩形または楕円形の電流狭窄構造を用いると、偏波方向を特定の方向に揃えることが可能になる。よって、第9の実施形態の構成とすると、第1乃至第8の実施形態の信頼性が高い面発光型レーザ素子の偏波方向を揃えることができる。
【0073】
換言すれば、第9の実施形態では、エッチング及び再成長工程に用いるマスク形状を、長方形または楕円のような異方性形状としている。このようなマスク形状を用いることで、電流通路の周りに形成される酸化領域の形状がマスクのような異方性形状となる。酸化領域の屈折率は1.6程度と非常に小さくなるので、発振光を効果的に単一横モード化させるが、これと伴に回折損失を生じさせる原因となる。この際、酸化領域の形状に異方性があり特定の方向の回折損失が大きい場合、発振の偏波は回折損失の小さい方向に揃う。このようなマスク形状を用いて作製を行った素子は、長方形の長辺方向に偏波が揃い、また変調に対しても偏波スイッチングを生じること無く安定に発振する。従って、面発光型レーザ素子の偏波方向を容易に特定の方向に揃えることができる。
【0074】
第10の実施形態
本発明の第10の実施形態は、第1乃至第9の実施形態のいずれかの面発光型レーザ素子において、活性層の材料が、III族元素として、Ga,Inのいずれかから、または、全てから構成され、V族元素として、N,As,Sbのいずれかから、または、全てから構成されていることを特徴としている。
【0075】
第10の実施形態の材料を活性層に用いると、GaAs基板上に光ファイバ通信で重要な波長帯である1.1μm帯から1.6μm帯の面発光型レーザ素子を得ることができる。また、GaAsを基板とした面発光型レーザ素子の場合には、AlGaAs/GaAsによる高品質な分布ブラッグ反射器を用いることができる。これによって、閾値が低く、特性の優れた長波長帯面発光型レーザ素子が得られる。
【0076】
換言すれば、第10の実施形態では、活性層のIII族元素として、Ga,Inのいずれかから、または、全てから選び、V族元素として、N,As,Sbのいずれかから、または、全てから選んでいる。これらの材料を用いることで、GaAs基板上に石英ファイバ通信で重要な波長帯である1.1μmから1.6μmまでの発振波長を持つ面発光型レーザ素子が得られる。GaAs基板上では、特性の優れたAlGaAs混晶による分布ブラッグ反射器(DBR)を用いることができる。更に、これらの材料の中でもGaInAsに数%以下の窒素を微量添加したGaInNAs材料は、GaAsバリア層に対し伝導帯バンド不連続量が大きく、従来のInP基板上の同波長帯の素子と比べ良好な温度特性を有している。第1乃至第9の実施形態によれば、素子特性のばらつきが小さく、更に信頼性の高い光ファイバ通信に好適な面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0077】
第11の実施形態
本発明の第11の実施形態は、第1乃至第10の実施形態のいずれかの面発光型レーザ素子によって面発光レーザアレイを構成したものである。
【0078】
第11の実施形態の面発光型レーザアレイは、酸化領域の面積,形状が揃っており、閾値電流のばらつきが少なく、また、第1乃至第10の実施形態のいずれかの面発光型レーザ素子によって構成されていることにより、信頼性及び歩留りが高いレーザアレイとなる。
【0079】
換言すれば、第11の実施形態では、第1乃至第10の実施形態のいずれかの面発光型レーザ素子によってモノリシックレーザアレイを構成している。本発明の面発光型レーザ素子は、酸化領域の自己停止により再現性良く電流狭窄領域を形成できることから、閾値電流等の素子特性のばらつきが小さく、また、エッチング停止層によりエッチング厚さを精密に制御た結果、光学長のずれ等による発振波長のばらつきが少ない。更に、再成長容易層によって結晶品質の低下を防止したことによって、面内において高い素子の均一性と歩留り及び信頼性を得ることができる。従って、これらを集積することで、均一な素子特性,高い歩留り,信頼性を有するレーザアレイを得ることができる。
【0080】
第12の実施形態
本発明の第12の実施形態は、第1乃至第10の実施形態のいずれかの面発光型レーザ素子、または、第11の実施形態の面発光型レーザアレイによって、光インターコネクションシステムを構成したものである。
【0081】
このような光インターコネクションシステムは、素子特性のばらつきが少なく、信頼性の高い光インターコネクションシステムとして動作する。
【0082】
換言すれば、第12の実施形態の光インターコネクションシステムでは、第1乃至第10の実施形態のいずれかの面発光型レーザ素子、または、第11の実施形態の面発光型レーザアレイを用いることで、素子間の発振閾値電流分布は殆ど無く、素子の駆動制御が非常に容易となる。また、従来に比べ発振閾値電流及び素子抵抗のばらつきが少ないことから、伝送信号のスキューが低減され高速伝送が可能となる。また、電流狭窄形状を長方形等の異方性形状とすることで、偏波が安定に揃って発振する。よって、偏波スイッチングによるノイズも非常に少なく、符号誤り率は非常に低くなる。また、エッチング量を精密に制御した結果、発振波長のばらつきも少なく、更に素子の信頼性も非常に高い。以上のように、高速並列伝送が可能で、信頼性の高いインターコネクションシステムを構成することができる。
【0083】
第13の実施形態
本発明の第13の実施形態は、第1乃至第10の実施形態のいずれかの面発光型レーザ素子、または、第11の実施形態の面発光型レーザアレイによって、光通信システムを構成したものである。
【0084】
このような光通信システムは、素子特性のばらつきが少なく、信頼性の高い光通信システムとして動作する。
【0085】
換言すれば、第13の実施形態の光通信システムでは、第1乃至第10の実施形態のいずれかの面発光型レーザ素子、または、第11の実施形態の面発光型レーザアレイを用いることで、第12の実施形態の作用効果と同様に、発振閾値電流,発振波長のばらつきが殆ど無く、高速伝送に対しても符号誤り率の低い正確な伝送を行なうことができる。また、素子の信頼性も非常に高いので、信頼性の高い光通信システムを構築することができる。
【0086】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【0087】
実施例1
実施例1は、第1及び第2の実施形態の実施例である。図1は実施例1の面発光型レーザ素子を示す図である。図1の面発光型レーザ素子は、GaAs多重量子井戸構造を活性層とした0.85μm帯の面発光型レーザ素子である。図1の素子は、例えばMOCVD法(有機金属気相成長法)によって結晶成長が行われている。この際、III族原料には、トリメチルガリウム,トリメチルアルミニウム,トリメチルインジウムを用い、V族原料には、アルシンガスを用いている。
【0088】
なお、図1において、符号11はn−GaAs基板、符号12はn−GaAsバッファー層、符号13はn−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器、符号14はAl0.15Ga0.85Asスペーサー層、符号15はGaAs/Al0.15Ga0.85As多重量子井戸活性層、符号16はAl0.15Ga0.85Asスペーサー層、符号17はAl0.8Ga0.2As層、符号18はGaAsエッチング停止層、符号19はAlAs層(AlAs選択酸化層)、符号20はGaAs再成長容易層、符号21はGaAs層、符号22はSiO2絶縁膜、符号23はp−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器、符号24は絶縁性樹脂、符号25はp側電極、符号26はn側電極、符号29は電流通路となるGaAs層21の領域である。
【0089】
図2(a)乃至(c)は図1の面発光型レーザ素子の作製工程例を示す図である。図2(a)乃至(c)を参照すると、先ず、n−GaAs(100)基板11上にn−GaAsバッファー層12、及びAl0.8Ga0.2AsとGaAsを1対とするn−分布ブラッグ反射器(DBR)13を36対結晶成長した後、アンドープAl0.15Ga0.85Asスペーサー層14、GaAs/Al0.15Ga0.85As多重量子井戸活性層15、Al0.15Ga0.85Asスペーサー層16を結晶成長する。
【0090】
ここで、DBR13を構成する各層の厚さは、媒質中の発振光の波長の1/4の厚さになるようにしている。また、共振器構造は、1波長共振器構造とし、活性層15は光の定在波の腹に位置するように調整した。
【0091】
次に、上部半導体多層膜反射鏡の一部となるAl0.8Ga0.2As層17を、媒質中の発振光の波長の1/4の厚さに結晶成長し、GaAsエッチング停止層兼再成長容易層18、及び、AlAs選択酸化層19、及びGaAs再成長容易層20を結晶成長する。GaAsエッチング停止層兼再成長容易層18、及びGaAs再成長容易層20の厚さは、それぞれ10nmであり、またAlAs選択酸化層19の厚さは30nmとしている。
【0092】
ここで、AlAs選択酸化層19は、酸化により屈折率が1.6程度まで低減するので、DBR材料との屈折率差による発振光の散乱損失を小さく留める為に定在波の節となる位置に設けている。
【0093】
次に、公知の化学気相堆積法(CVD法)及び写真製版技術を用いて、面発光型レーザ素子の電流通路にあたる領域に5μm×5μmの正方形開口を有するSiO2マスク27を形成し、図2(a)のように、アンモニア水と過酸化水素水の混合液により、GaAs層20のエッチング除去を行っている。この際、アンモニア水と過酸化水素水の混合液はAlAs層19をエッチングしないので、AlAs層19に対し、選択的にGaAs層20の除去を行うことができる。次に、塩酸系エッチャントによってAlAs層19のエッチング除去を行っている。この場合も塩酸系エッチャントはGaAs層20をエッチングしないので、GaAs層20に対し、選択的にエッチングを行うことができる。
【0094】
次に、SiO2マスク27を選択成長マスクとして用いて、エッチングを行った開口部分に、基板表面が平坦になるようにGaAs層21の埋め込み選択成長を行い、次に、SiO2マスク27の除去を行った後、再びGaAs層21の結晶成長を行って、図2(b)に示すように1対のp−分布ブラッグ反射器(DBR)を形成している。ここで、電流通路となる領域のGaAs層21の厚さは、エッチング停止層18と合わせて媒質中における発振光の波長の1/4の厚さとなるように調整している。
【0095】
次に、残るAl0.8Ga0.2As/GaAsを対とした25対のp−分布ブラッグ反射器(DBR)23の結晶成長を行い、上部半導体多層膜反射鏡を形成する。この際、最表面層のGaAs層の一部に高ドープ領域を設け、GaAsコンタクト層とした。次に、AlGaAs層のエッチング除去領域にアラインして、30μm×30μmの方形レジストパターンを形成し、GaAsコンタクト層から共振器スペーサー層までの各層をドライエッチング技術によりエッチング除去した。
【0096】
次に、レジストの除去を行った後、80℃に加熱した水を窒素ガスでバブリングした水蒸気を含む雰囲気中において試料を450℃に加熱し、ドライエッチング側面から円柱の中央部に向かって、横方向にAlAs層19の酸化を行った。酸化は、GaAs層21との界面に達すると自己停止し、GaAs層21からなる電流通路と、その周囲にAlの酸化物からなる電流狭窄構造を形成する。
【0097】
次に、ポリイミド等の絶縁性樹脂24をスピンコートし、円柱部の埋め込みを行った後、円柱上の絶縁性樹脂24、及びSiO2絶縁膜22の除去を行った。次に、AlAs層19のエッチング除去部にアラインして、円柱上に10μm×10μmのレジストパターンを形成し、p側電極材料25の蒸着を行い、アセトン等の溶剤中でレジストを溶解し、光出射部の電極材料のリフトオフを行った後、アニールによってオーミック導通をとった。次に、裏面研磨の後、研磨面にn側電極材料26を蒸着し、同様にアニールによってオーミック導通をとり、図1の面発光型レーザ素子とした(図2(c))。
【0098】
図1の素子では、電流通路領域のAlAs層19がエッチング除去され、GaAs層21が再成長によって設けられているので、酸化工程においてAl含有率による酸化速度の違いから、AlAs層19とGaAs層21との境界において、酸化の進行が自己停止し、非常に再現性良く酸化形状を制御することができる。また、エッチングによりAlAs層19を除去する際に、下層にGaAsによるエッチング停止層18が設けられているので、エッチング深さを精密に制御することができる。従って、分布ブラッグ反射器(DBR)23の膜厚を高い精度,再現性をもって制御できるので、光学長の狂い等は生じない。従って、発振波長等の素子特性のばらつきが小さい。また、再成長工程において最表面がGaAs層で覆われているので、自然酸化が起こりにくく、再成長層の結晶品質の低下等はなかった。また、表面酸化膜の影響による電気特性の異常等も見られなかった。
【0099】
なお、図2(a)乃至(c)は実施例1の作製工程の一例を示したものであり、他の作製工程例も可能である。例えば、図3(a)乃至(c)は他の作製工程を示す図である。図3(a)乃至(c)の作製工程例では、図2(a)乃至(c)のSiO2マスク27のかわりに、レジストマスク28を用いてエッチングを行い、レジスト除去を行った後、素子全面にGaAs層21を結晶成長する(図3(a),(b))。
【0100】
この際、同様に電流通路となる領域のGaAs層21の厚さを媒質中における発振光の波長の1/4の厚さに選んでおくことで、位相条件が満たされる。表面には僅かに凹凸が生じるが、主に発振に寄与するのは電流注入領域であるので、他の部分の影響は少ない。また、この方法では、結晶成長の回数が2回で済むという利点がある。
【0101】
また、図3(a),(b)のようにレジストマスク28を用いる場合も、同様な加工により図3(c)に示すような面発光型レーザ素子とすることができる。図3(c)の素子の発振閾値電流は、いずれもサブミリアンペアであった。
【0102】
なお、上述の各例では、エッチング停止層18にGaAsを用いたが、エッチャントに塩酸を用いる場合、Al組成が0.4程度以下のAlGaAs混晶はエッチングが難しく、AlAsに対して選択エッチングが可能である。従って、エッチング停止層18として、このようなAlGaAs混晶を用いることもできる。また、上述の各例では、選択酸化層19としてAlAs層を用いたが、Al組成の大きい(0.9以上の)AlGaAs層を用いることもできる。また、電流通路に再成長を行う材料として、分布ブラッグ反射器(DBR)23の高屈折率層となるGaAs層を用いたが、低屈折率層として、例えばAl0.8Ga0.2As層等の成長を行っても良い。通常、AlGaAs混晶は、Al組成が0.9以下になると酸化が難しくなる。従って、酸化を自己停止させるにはAl組成が0.9以下のAlGaAs混晶を電流通路に再成長すれば良い。分布ブラッグ反射器(DBR)の低屈折率層として成長するか、高屈折率層として成長するかは、Al組成の大きさ、及び下層のエッチング停止層のAl組成によって判断すればよい。低屈折率として成長する場合には、下層のAlGaAs層と合わせた膜厚が、媒質中の光の波長の1/4の奇数倍となるように、また、高屈折率層として成長する場合には、媒質中の光の波長の1/4の奇数倍の厚さになるように調整すると、分布ブラッグ反射器(DBR)の位相条件が満たされる。
【0103】
実施例2
実施例2は、第3及び第4の実施形態の実施例である。図4は実施例2の面発光型レーザ素子を示す図である。図4の面発光型レーザ素子は、GaInNAs多重量子井戸構造を活性層とした1.3μm帯の面発光型レーザ素子である。図4の素子は、例えばMOCVD法(有機金属気相成長法)によって結晶成長が行われている。この際、III族原料には、トリメチルガリウム,トリメチルアルミニウム,トリメチルインジウムを用い、V族原料には、アルシンガスを用いている。また、窒素材料として、ジメチルヒドラジンを用いている。
【0104】
なお、図4において、符号31はn−GaAs基板、符号32はn−GaAsバッファー層、符号33はn−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器、符号34はGaAsスペーサー層、符号35はGaInNAs/GaAs多重量子井戸活性層、符号36はGaAsスペーサー層、符号37はAl0.8Ga0.2As層、符号38はGaInPエッチング停止層、符号39はAlAs層(AlAs選択酸化層)、符号40はGaInP再成長容易層、符号41はGaAs層、符号42はSiO2絶縁膜、符号43はp−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器、符号44は絶縁性樹脂、符号45はp側電極、符号46はn側電極、符号49は電流通路となるGaAs層41の領域である。
【0105】
図4の面発光型レーザ素子は、実施例1と同様の手法,手順で(例えば、図2(a)乃至(c)と同様の工程で)作製することができる。図5は図4の面発光型レーザ素子の作製工程例を説明するための図である。図5を参照すると、図4の面発光型レーザ素子を作製するには、先ず、n−GaAs(100)基板31上にn−GaAsバッファー層32の結晶成長を行い、Al0.8Ga0.2AsとGaAsを1対とするn−分布ブラッグ反射器(DBR)33を36対結晶成長した後に、アンドープGaAsスペーサー層34、GaInNAs/GaAs多重量子井戸活性層35、GaAsスペーサー層36を結晶成長する。
【0106】
ここで、分布ブラッグ反射器(DBR)33を構成する各層の厚さは、媒質中の発振光の波長の1/4の厚さになるようにしている。また、共振器構造は1波長共振器構造とし、活性層35は光の定在波の腹に位置するように調整した。
【0107】
次いで、上部半導体多層膜反射鏡の一部となるAl0.8Ga0.2As層37を結晶成長し、Ga0.5In0.5Pエッチング停止層兼再成長容易層38、及び、AlAs層39、及びGa0.5In0.5P再成長容易層40を結晶成長した。ここで、Ga0.5In0.5Pエッチング停止層38、及び上部GaInP再成長容易層40の厚さは、それぞれ10nmとし、また、AlAs選択酸化層39の厚さは30nmとした。この際、Ga0.5In0.5Pの屈折率はGaAsに比べて小さいので、DBRを構成する低屈折率層であるAl0.8Ga0.2As層37の厚さとGa0.5In0.5Pエッチング停止層38の厚さとを合わせて、媒質中における発振光の波長の1/4の厚さの奇数倍となるようにした。また、AlAs選択酸化層39は、実施例1と同様に発振光の散乱損失を小さく留める為に定在波の節となる位置に設けている。
【0108】
次に、公知の写真製版技術を用いて、面発光型レーザ素子の電流通路にあたる領域に5μm×5μmの方形開口を有するレジストマスクを形成し、塩酸系エッチャントを用いて、上部Ga0.5In0.5P層40、及びAlAs層39の途中までをエッチング除去した。次に、硫酸系エッチャントを用いてAlAs層39のエッチング除去を行った。この際、硫酸系エッチャントはGa0.5In0.5P層をエッチングしないので、選択的にエッチングを行うことができる。
【0109】
次に、SiO2マスク47を選択成長マスクとして用いて、GaAs層41の結晶成長を行い、1対のp−分布ブラッグ反射器(DBR)43を形成した。この際、再成長によるGaAsの厚さは、1/4nの厚さとした。
【0110】
次に、残るAl0.8Ga0.2As/GaAsを対とした25対のp−分布ブラッグ反射器(DBR)43の結晶成長を行い、上部半導体多層膜反射鏡を形成した。この際、最表面層のGaAs層の一部に高ドープ領域を設け、GaAsコンタクト層とした。
【0111】
次に、AlGaAs層のエッチング除去領域にアラインして、30μm×30μmの方形レジストパターンを形成し、GaAsコンタクト層からn−分布ブラッグ反射器(DBR)の途中までの各層をドライエッチング技術によりエッチング除去した。
【0112】
次に、レジストの除去を行った後、80℃に加熱した水を窒素ガスでバブリングした水蒸気を含む雰囲気中において試料を450℃に加熱し、ドライエッチング側面から円柱の中央部に向かって、横方向にAlAs層39の酸化を行った。酸化はGaAs層41との界面に達すると、自己停止し、GaAs層41からなる電流通路と、その周囲にAlの酸化物からなる電流狭窄構造を形成する。
【0113】
次に、ポリイミド等の絶縁性樹脂44をスピンコートし、円柱部の埋め込みを行った後、円柱上の絶縁性樹脂44の除去を行った。次に、AlAs層39のエッチング除去部にアラインして、円柱上に10μm×10μmのレジストパターンを形成し、p側電極材料45の蒸着を行い、アセトン等の溶剤中でレジストを溶解し、光出射部の電極材料のリフトオフを行い、アニールによってオーミック導通をとった。
【0114】
次に、裏面研磨の後、研磨面にn側電極材料46を蒸着し、同様にアニールによってオーミック導通をとり、図4の面発光型レーザ素子とした。
【0115】
図4の素子では、電流通路領域のAlAs層39がエッチング除去され、GaAs層41が再成長によって設けられているので、酸化工程においてAl含有率による酸化速度の違いから、AlAs層39とGaAs層41との境界において、酸化の進行が自己停止し、再現性良く酸化形状を制御することができる。また、エッチングによりAlAs層39を除去する際に、下層にGa0.5In0.5Pによるエッチング停止層38を設けているので、エッチング深さを精密に制御することができる。従って、分布ブラッグ反射器(DBR)の膜厚を高い精度,再現性をもって制御できるので、光学長の狂い等が生じない。従って、発振波長等の素子特性のばらつきが小さかった。また、再成長工程において最表面がGa0.5In0.5Pで覆われているので、自然酸化が起こりにくく、再成長層の結晶品質の低下等はなかった。また、表面酸化膜の影響による電気特性の異常等も見られなかった。また、選択酸化構造を用いた面発光型レーザ素子では、活性層35の上部にAlAs層39が位置しており、これによって活性領域に高密度にキャリアが閉じ込められる。AlAs層表面ではキャリアの非発光再結合が顕著であるので、従来発光効率の低下等が問題となっていたが、この実施例2では、Alを含まず、AlAsとバンドギャップが同程度のGa0.5In0.5Pエッチング停止層38が選択酸化層39と活性層35との間に設けられているので、非発光再結合が抑制され、特に発光効率の向上が認められた。以上のように、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0116】
また、図4の面発光型レーザ素子では、第10の実施形態の実施例として、活性層35にGaInNAs混晶を用いている。これによって、GaAs基板31上に1.3m帯の発振を得ることができた。GaAs基板31を用いると、半導体多層膜反射鏡である分布ブラッグ反射器(DBR)の材料にAl(Ga)As,GaAsを用いることができるので、反射特性,熱伝導に優れた分布ブラッグ反射器(DBR)を得ることができる。従来、同波長帯では特性の良い面発光型レーザ素子を得ることが困難であった。しかし、この実施例2では、特性に優れ、及び素子間の特性ばらつきが少なく信頼性の高い光通信用途の好適な面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0117】
また、この実施例2の面発光型レーザ素子の作製工程例として、図5を用いて説明した上述のような作製手順の他にも、実施例1の図3(a)乃至(c)のように、レジストマスクを用いてエッチングを行った後、素子全面に再成長層の結晶成長を行っても良い。この方法では、基板に僅かに凹凸が生じるが、主に発振に寄与する領域は電流注入領域であるので、この領域が平坦であれば他の領域の発振への影響は少ない。また、この方法では、結晶成長回数が2回で済むという利点がある。
【0118】
また、この実施例2では、エッチング停止層38,再成長容易層40として、Ga0.5In0.5P層のみを用いた例を示したが、例えば、エッチング停止層38にGa0.5In0.5P層を用い、再成長容易層40にGaAs層を用いるなどのように、実施例1のGaAs層と組み合わせて用いることもできる。
【0119】
また、Ga0.5In0.5P層は、屈折率が小さく、分布ブラッグ反射器(DBR)の低屈折率層としても用いることができるので、図5に示したようなAl0.8Ga0.2Asの結晶成長を行うかわりに、図6に示すように、分布ブラッグ反射器(DBR)の低屈折率層としてGa0.5In0.5P層38の結晶成長を行うこともできる。
【0120】
また、選択酸化層39として、AlAs層を用いたが、AlAs層のかわりに、Al組成の大きい(0.9以上の)AlGaAs層を用いることもできる。また、電流通路に再成長を行う材料として、分布ブラッグ反射器(DBR)の高屈折率層となるGaAs層を用いたが、低屈折率層として、例えばAl0.8Ga0.2As層等の成長を行っても良い。通常、AlGaAs混晶は、Al組成が0.9以下になると酸化が難しくなる。従って、酸化を自己停止させるにはAl組成が0.9以下のAlGaAs混晶を電流通路に再成長すれば良い。分布ブラッグ反射器(DBR)の低屈折率層として成長するか、高屈折率層として成長するかは、Al組成の大きさ、及び下層のエッチング停止層のAl組成によって判断すればよい。低屈折率として成長する場合には、下層の低屈折率層(AlGaAs層、又はGaInP層)と合わせて、媒質中の光の波長の1/4の奇数倍となるように、また、高屈折率層として成長する場合には、媒質中の光の波長の1/4の奇数倍の厚さになるように調整すると、分布ブラッグ反射器(DBR)の位相条件が満たされる。
【0121】
また、上述の例では、GaInNAsを活性層35とした1.3μm帯の面発光型レーザについて説明を行ったが、波長はこれ以外であっても良い。また、活性層35の材料が、GaInNAs以外の面発光型レーザについても同様の効果を得ることができる。
【0122】
実施例3
実施例3は、第5及び第6の実施形態の実施例である。図7は実施例3の面発光型レーザ素子を示す図である。図7の面発光型レーザ素子は、InGaAs多重量子井戸構造を活性層とした0.98μm帯の面発光型レーザ素子である。
【0123】
なお、図7において、符号51はn−GaAs基板、符号52はn−GaAsバッファー層、符号53はn−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器、符号54はGaAsスペーサー層、符号55はGaInAs/AlGaAs多重量子井戸活性層、符号56はGaAsスペーサー層、符号57はAl0.8Ga0.2As層、符号58はGaAsエッチング停止層、符号59はAlAs層(AlAs選択酸化層)、符号60はGaAs再成長容易層、符号61はGaAs層、符号62はSiO2絶縁膜、符号63はp−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器、符号64は絶縁性樹脂、符号65はp側電極、符号66はn側電極、符号69はAlGaAs電流通路である。
【0124】
図7の素子は、実施例1及び実施例2と同様の方法,手順によって作製することができる。ただし、実施例1及び実施例2の面発光型レーザ素子は、電流通路となる領域のAlGaAs層をエッチング除去した後、GaAs層等の再成長を行っているのに対し、実施例3の面発光型レーザ素子では、電流通路となる領域のAlGaAs層を残して他の部分のエッチング除去を行い、選択酸化層を再成長によって形成している。
【0125】
図8(a),(b)は図7(実施例3)の素子の作製工程例を示す図である。図8(a),(b)を参照すると、図7の素子は、実施例1及び実施例2と同様に、図8(a)に示すように、n−GaAs(001)基板51上に、n−GaAsバッファー層52、及びAl0.8Ga0.2AsとGaAsを1対とするn−分布ブラッグ反射器(DBR)53を36対結晶成長し、アンドープGaAsスペーサー層54、GaInAs/AlGaAs多重量子井戸活性層55、GaAsスペーサー層56を結晶成長する。
【0126】
ここで、分布ブラッグ反射器(DBR)53を構成する各層の厚さは、媒質中の発振光の波長の1/4の厚さになるようにしている。また、共振器構造は1波長共振器構造とし、活性層55は光の定在波の腹に位置するように調整した。
【0127】
次に、上部半導体多層膜反射鏡の低屈折率層であるAl0.8Ga0.2As層57の途中までの結晶成長を行い、次に、GaAsエッチング停止層兼再成長容易層58、及び、残りのAl0.8Ga0.2As層69、及びGaAs再成長容易層60を結晶成長する。ここで、GaAsエッチング停止層兼再成長容易層58、及び上部の再成長容易層60の厚さを、それぞれ10nmとした。また、GaAsエッチング停止層58と2層のAl0.8Ga0.2As層57,69の厚さの和が、媒質中の発振光の1/4波長の厚さの奇数倍になるように膜厚を調整している。
【0128】
この実施例3においても、AlAs選択酸化層59は、発振光の散乱損失を小さく留める為に、同ように定在波の節となる位置に設けている。従って、分布ブラッグ反射器(DBR)63の最初のペアの低屈折率層と高屈折率層との間に選択酸化層59を設けるのが適当である。
【0129】
次に、図8(a)に示すように、公知の写真製版技術を用いて、面発光型レーザ素子の電流通路にあたる領域に5μm×5μmの正方形のSiO2マスク67を形成し、アンモニア水と過酸化水素水の混合液により、電流通路以外のGaAs再成長容易層60を、下層のAl0.8Ga0.2As層69に対し選択的にエッチング除去した。次に、塩酸系エッチャントによって下層のGaAsエッチング停止層58に対し選択的にAl0.8Ga0.2As層69のエッチング除去を行った。
【0130】
次に、SiO2マスク67を選択成長マスクとし、図8(b)に示すように、AlAs層59(厚さ30nm)、及びGaAs再成長容易層60の結晶成長を行った後、SiO2マスク67を除去し、分布ブラッグ反射器(DBR)の高屈折率層であるGaAs層61の結晶成長を行って、1対のp−分布ブラッグ反射器(DBR)63を形成した。
【0131】
この際、再成長によるGaAsの厚さは、再成長容易層60と合わせて媒質中の発振光の波長の1/4の奇数倍の厚さとなるようにした。
【0132】
次に、残るAlGaAs/GaAsを対とした25対のp−分布ブラッグ反射器(DBR)63の結晶成長を行い、上部半導体多層膜反射鏡を形成した。ここで、最表面層のGaAs層の一部に高ドープ領域を設け、GaAsコンタクト層とした。次に、実施例1,実施例2と同様の手法,手順によって、図7の面発光型レーザ素子とした。図7の素子の発振閾値電流は、サブミリアンペアであった。
【0133】
なお、上述の作製工程例では、選択成長マスクを用いた再成長による作製方法を示したが、この他にも、実施例1の図3(a)乃至(c)のように、レジストマスクを用いてエッチングを行った後、レジストマスクを除去し、素子全面に再成長を行っても良い。この方法では、基板に僅かに凹凸が生じるが、主に発振に寄与する領域は電流注入領域であるので、この領域が平坦であれば他の領域の発振への影響は少ない。また、この方法では、結晶成長回数が2回で済むという利点がある。
【0134】
図7の素子は、電流通路領域69以外のAlGaAs層がエッチング除去され、AlAs選択酸化層59が再成長によって設けられているので、酸化工程においてAl含有率による酸化速度の違いから、AlAs層59とAlGaAs層69との境界において、酸化の進行が自己停止し、非常に再現性良く酸化形状を制御することができる。また、エッチングによりAlGaAs層を除去する際に、下層にGaAsによるエッチング停止層58を設けているので、エッチング深さを精密に制御することができる。従って、分布ブラッグ反射器(DBR)の膜厚を高い精度,再現性をもって制御できるので、光学長の狂い等が生じない。従って、発振波長等の素子特性のばらつきは小さかった。また、再成長工程において最表面がGaAsで覆われているので、自然酸化が起こりにくく、再成長層の結晶品質の低下等はなかった。また、表面酸化膜の影響による電気特性の異常等も見られなかった。
【0135】
また、この実施例3では、選択酸化層としてAlAs層59の再成長を行っているが、この他にもAl組成の高い(0.9程度以上の)AlGaAs混晶の再成長を行っても良い。
【0136】
また、この実施例3の構造の膜構成以外にも、GaAsスペーサー層56上に分布ブラッグ反射器(DBR)の低屈折率層となるAl0.8Ga0.2As層57の結晶成長を行った後、電流通路となる半導体層としてGaAs層の結晶成長を行う構造についても考えられる。この方法では、エッチング停止層を用いずにAl0.8Ga0.2As層に対してGaAs層のエッチングを行うことができるが、エッチング後の再成長表面がAl0.8Ga0.2As層となるので、表面酸化により再成長が難しくなってしまう。従って、この実施例4のように、Al組成の十分小さなエッチング停止層58を設け、これよりAl組成の大きなAlGaAs混晶層69を電流通路を形成する半導体層として結晶成長する方が、結晶品質の高い素子を得ることができる。
【0137】
実施例4
実施例4は、第7及び第8の実施形態の実施例である。図9は実施例4の面発光型レーザ素子を示す図である。図9の面発光型レーザ素子は、GaInNAs多重量子井戸構造を活性層とした1.3μm帯の面発光型レーザ素子である。
【0138】
なお、図9において、符号71はn−GaAs基板、符号72はn−GaAsバッファー層、符号73はn−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器、符号74はGaAsスペーサー層、符号75はGaInNAs/GaAs多重量子井戸活性層、符号76はGaAsスペーサー層、符号77はAl0.8Ga0.2As層、符号78はGa0.5In0.5Pエッチング停止層、符号79はAlAs層(AlAs選択酸化層)、符号80はGa0.5In0.5P再成長容易層、符号81はGaAs層、符号82はSiO2絶縁膜、符号83はp−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器、符号84は絶縁性樹脂、符号85はp側電極、符号86はn側電極、符号89はAlGaAs電流通路である。
【0139】
図9の素子は、実施例1乃至実施例3と同様の方法,手順によって作製することができる。また、図9の素子は、実施例3の素子と同様に、電流通路となる領域のAlGaAs層を残して他の部分のエッチング除去を行い、選択酸化層を再成長によって形成したものとなっている。
【0140】
図10は図9の素子の作製工程例を説明するための図である。図10を参照すると、図9の素子は、実施例1乃至実施例3と同様に、n−GaAs(001)基板71上に、n−GaAsバッファー層72、及びAl0.8Ga0.2AsとGaAsを1対とするn−分布ブラッグ反射器(DBR)73を36対結晶成長し、アンドープGaAsスペーサー層74、GaInNAs/GaAs多重量子井戸活性層75、GaAsスペーサー層76を結晶成長する。
【0141】
ここで、分布ブラッグ反射器(DBR)を構成する各層の厚さは、媒質中の発振光の波長の1/4の厚さになるようにしている。また、共振器構造は1波長共振器構造とし、活性層75は光の定在波の腹に位置するように調整した。
【0142】
次に、上部半導体多層膜反射鏡の低屈折率層であるAl0.8Ga0.2As層77の途中までの結晶成長を行い、次に、Ga0.5In0.5Pエッチング停止層兼再成長容易層78、及び、残りのAl0.8Ga0.2As層89、及びGa0.5In0.5P再成長容易層80を結晶成長する。
【0143】
ここで、Ga0.5In0.5Pエッチング停止層兼再成長容易層78の厚さはそれぞれ10nmとした。また、Ga0.5In0.5Pエッチング停止層78と2つのAl0.8Ga0.2As層77,89の厚さの和が、媒質中の発振光の波長の1/4の厚さの奇数倍になるように膜厚を調整している。
【0144】
この実施例4においても、選択酸化層79は、発振光の散乱損失を小さく留める為に、定在波の節となる位置に設けている。従って、分布ブラッグ反射器(DBR)83の最初のペアの低屈折率層と高屈折率層との間に選択酸化層79を設けるのが適当である。
【0145】
次に、図10に示すように、公知の写真製版技術を用いて、面発光型レーザ素子の電流通路にあたる領域に5μm×5μmの正方形のSiO2マスク87を形成し、塩酸により、電流通路以外のGaInP層再成長容易層80と下層のAl0.8Ga0.2As層89の途中までをエッチング除去した。次に、硫酸系エッチャントによって下層のGaInPエッチング停止層78に対し選択的にAl0.8Ga0.2As層89のエッチング除去を行った。
【0146】
次に、SiO2マスク87を選択成長マスクとし、AlAs層79(厚さ30nm)、及びGa0.5In0.5P再成長容易層80の結晶成長を行った。次に、SiO2マスク87を除去し、分布ブラッグ反射器(DBR)の高屈折率層であるGaAs層81の結晶成長を行って、1対のp−分布ブラッグ反射器(DBR)83を形成した。
【0147】
この際、再成長によるGaAsの厚さは、媒質中における発振光の波長の1/4の厚さの奇数倍となるようにした。次に、残るAlGaAs/GaAsを対とした25対のp−分布ブラッグ反射器(DBR)83の結晶成長を行い、上部半導体多層膜反射鏡を形成した。そして、最表面層のGaAs層の一部に高ドープ領域を設け、GaAsコンタクト層とした。
【0148】
次に、実施例1,実施例2と同様の手法,手順によって、図9の面発光型レーザ素子とした。図9の素子の発振閾値電流は、サブミリアンペアであった。
【0149】
図9の素子は、電流通路領域89以外のAlGaAs層がエッチング除去され、AlAs選択酸化層79が再成長によって設けられているので、酸化工程においてAl含有率による酸化速度の違いから、AlAs層とGaAs層との境界において、酸化の進行が自己停止し、非常に再現性良く酸化形状を制御することができる。また、エッチングによりAlGaAs層89を除去する際に、下層にGaInPによるエッチング停止層78を設けているので、エッチング深さを精密に制御することができる。従って、分布ブラッグ反射器(DBR)83の膜厚を高い精度,再現性をもって制御できるので、光学長の狂い等が生じない。従って、発振波長等の素子特性のばらつきは小さかった。また、再成長工程において最表面がGaAsで覆われているので、自然酸化が起こりにくく、再成長層の結晶品質の低下等はなかった。また、表面酸化膜の影響による電気特性の異常等も見られなかった。また、選択酸化構造を用いた面発光型レーザ素子では、活性層75の上部にAlAs層79が位置しており、これによって活性領域に高密度にキャリアが閉じ込められる。AlAs層表面ではキャリアの非発光再結合が顕著であるので、従来発光効率の低下等が問題となっていたが、この実施例4では、Alを含まず、AlAsとバンドギャップが同程度のGa0.5In0.5Pエッチング停止層78が選択酸化層79と活性層75との間に設けられているので、非発光再結合が抑制され、特に発光効率の向上が認められた。
【0150】
なお、上述した作製工程例の他にも、実施例1の図3(a)乃至(c)のように、レジストマスクを用いてエッチングを行った後、素子全面に再成長層の結晶成長を行っても良い。この方法では、基板に僅かに凹凸が生じるが、主に発振に寄与する領域は電流注入領域であるので、この領域が平坦であれば他の領域の発振への影響は少ない。また、この方法では、結晶成長回数が2回で済むという利点がある。
【0151】
また、Ga0.5In0.5Pは、GaAsに比べて十分屈折率が小さく、DBRの低屈折率層として用いることができる。従って、図11のように、GaInP層88を分布ブラッグ反射器(DBR)83の低屈折率層の一部として用いることもできる。この場合は、GaInP層80,88とAlGaAs層89の厚さの和が、媒質中における発振光の波長の1/4の厚さの奇数倍となるように調整を行う。
【0152】
以上の各実施例においては、結晶成長法として、MOCVD法を用いるとしたが、この他にも分子線エピタキシー法(MBE法)を用いることもできる。また、P−分布ブラッグ反射器(DBR)のAlGaAs/GaAsの界面には抵抗を低減するためのヘテロスパイク緩衝層が用いられていても良い。ヘテロスパイク緩衝層としては、例えば、低屈折率層のAlGaAsと高屈折率層のGaAsとの中間の組成を持つ単一の組成の層や、一方の層のAl組成から他の層のAl組成へ次第に組成を変化させた複数の層、連続に組成を変化させた層等が挙げられる。また、本発明の素子で、エッチング除去または再成長される選択酸化領域、電流通路となる半導体層の界面にヘテロスパイク緩衝層が用いられていても良い。
【0153】
実施例5
実施例5は、第9の実施形態の実施例である。実施例1乃至実施例4では、電流通路又は電流通路以外のエッチングには、図12に示すような正方形形状のマスクを用いたが、この実施例5では、図13に示す長方形マスクを用いる。
【0154】
実施例5の面発光型レーザ素子は、図13の長方形マスクを用いて作製することによって、電流通路の形状が長方形になり、この電流通路の周囲に酸化領域が形成される。酸化領域の屈折率は1.6程度と非常に小さくなるので、発振光を効果的に単一横モード化させるが、これとともに回折損失を生じさせる原因となる。この際、酸化領域の形状に異方性があり特定の方向の回折損失が大きい場合、発振の偏波は回折損失の小さい方向に揃う。このようなマスク形状を用いて作製した素子は、長方形の長辺方向に偏波が揃い、また変調に対しても偏波スイッチングを生じることなく安定に発振した。
【0155】
実施例6
実施例6は、第11の実施形態の実施例である。図14は、実施例6の面発光レーザアレイ、すなわち、第1乃至第10の実施形態のいずれかの面発光型レーザ素子を2次元に4×4個集積したモノリシックレーザアレイ(面発光レーザアレイ)の上面図である。図14の例では、個々の素子を独立に駆動するために、個別にp側電極配線が設けられている。
【0156】
図14のレーザアレイは、実施例1乃至実施例5と同様の手順,方法で作製することができる。
【0157】
ここで、図14のレーザアレイを構成する個々の素子の電流通路の形状,面積は、実施例1乃至実施例5に記載したように高精度に再現性良く作製されており、従来のように酸化幅の違いによりアレイ内で閾値電流がばらついたり、横モードが不安定になったりすることが無かった。また、エッチング停止層によりエッチング量を精密に制御した結果、光学長の違いによる発振波長のばらつきは無く、また非常に高い歩留りが得られた。また、再成長表面を酸化しにくい半導体層で覆っていることで、再成長層の結晶性の低下が防止され、素子の信頼性も高かった。図14の面発光レーザアレイでは、電流通路の形状を矩形等のように適切に選んだ場合には、特定の方向に偏波が揃って発振した。
【0158】
実施例7
実施例7は第12の実施形態の実施例である。図15は実施例7の機器間並列光インターコネクションシステムの概念図である。図15の光インターコネクションシステムは、機器1と機器2との間を光ファイバアレイ(石英シングルモードファイバアレイ)を用いて接続したものとなっている。送信側である機器1では、第11の実施形態の面発光レーザアレイを用いた1次元面発光レーザアレイモジュールとこれの駆動回路とを備えている。また、受信側である機器2では、フォトダイオードアレイモジュールと信号検出回路とを備えている。
【0159】
図16は面発光レーザアレイモジュールの概要を示す図である。図16の面発光レーザアレイモジュールは、シリコン基板上に、1次元モノリシック面発光レーザアレイと、マイクロレンズアレイと、ファイバアレイとが実装されて構成されている。面発光レーザアレイは、ファイバに対向して設けられており、マイクロレンズアレイを介してシリコン基板に形成したV溝に実装された石英シングルモードファイバと結合している。面発光レーザアレイの発振波長は1.3μm帯であり、石英シングルモードファイバを用いることで高速伝送が行える。
【0160】
また、この実施例7の光インターコネクションシステムは、第11の実施形態の面発光レーザアレイを用いたことで、素子間の発振閾値電流分布が殆ど無く、素子の駆動制御が非常に容易であった。また、従来に比べ発振閾値電流及び素子抵抗のばらつきが少ないことから、伝送信号のスキューが低減され高速伝送が可能な上に、素子の信頼性も非常に高かった。また、第10の実施形態によって電流狭窄形状を異方性形状とした場合には、高次モードの発振、偏波スイッチングによるノイズも非常に少なく、符号誤り率は非常に低かった。以上のように、高速並列伝送が可能で、信頼性の高いインターコネクションシステムを構成することができた。
【0161】
なお、上述の例では、並列光インターコネクションシステムについて説明したが、この他にも、単一素子を用いたシリアル伝送システムを構成することもできる。また、機器間の他にも、ボード間、チップ間、チップ内インターコネクションに応用することもできる。
【0162】
実施例8
実施例8は第13の実施形態の光通信システムの実施例である。図17は実施例8の光LANシステムの概念図である。
【0163】
図17の光LANシステムは、第1乃至第10の実施形態のいずれかのレーザ素子、または、第11の実施形態のレーザアレイを用いて構成されている。すなわち、サーバーとコアスイッチとの間、及び、コアスイッチと各スイッチとの間、及びスイッチと各端末との間の光伝送の光源に、第1乃至第10の実施形態のいずれかのレーザ素子、または、第11の実施形態のレーザアレイが用いられている。
【0164】
また、各機器間は、石英シングルモードファイバまたはマルチモードファイバによって結合されている。
【0165】
このような光LANの物理層としては、例えば1000BASE−LX等のギガビットイーサネットが挙げられる。
【0166】
図17の光LANシステムでは、光源のレーザ素子の特性が揃っており、駆動回路を簡単なものにできた。また、各素子は高速伝送に対しても安定に動作し、符号誤り率の低い正確な伝送が行えた。また、素子の信頼性も非常に高いものであった。以上のように信頼性の高い光通信システムを構築することができた。
【0167】
【発明の効果】
以上に説明したように、請求項1記載の発明によれば、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx1Ga1−x1As選択酸化層(0<x1≦1)を設けた後、電流通路にあたる前記Alx1Ga1−x1As選択酸化層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx1Ga1−x1As層よりもAl組成の小さいAlx2Ga1−x2As層(0≦x2<x1≦1)による電流通路を設け、更に前記Alx1Ga1−x1As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、Al x1 Ga 1−x1 As層の上層にGa y1 In 1−y1 P層(0<y1<1)を設けたので、Al x1 Ga 1−x1 As選択酸化層表面の自然酸化を防止し、この上に再成長を行う結晶の品質を向上させ、歩留り及び信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。更に、再成長表面を燐系混晶とすることで、再成長を容易にすることかできる。以上から、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることかできる
【0171】
また、請求項2記載の発明によれば、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1−x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1−x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1−x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1−x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1−x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1−x4As層の下層および前記Al x5 Ga 1−x5 As層の下層にAlx6Ga1−x6As層(0≦x6<x4<1)を設けたので、電流狭窄領域にあたるAlx4Ga1−x4As層をエッチング除去する工程において、Alx4Ga1−x4As層とこれの下側に位置する分布ブラッグ反射器を構成するAlGaAs層とのエッチングの選択性を向上させ、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。更に、エッチング除去部分に再成長される結晶の質を向上させて、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることかできる。
【0172】
また、請求項3記載の発明によれば、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1−x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1−x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1−x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1−x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1−x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1−x4As層の上層にAlx6Ga1−x6As層(0≦x6<x4<1)を設けたので、電流通路となるAlx4Ga1−x4As層表面における自然酸化を防止し、Alx5Ga1−x5As選択酸化層の再成長工程において結晶の品質を向上させ、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0173】
また、請求項4記載の発明によれば、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1−x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1−x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1−x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1−x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1−x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1−x4As層の下層および前記Al x5 Ga 1−x5 As層の下層にGay1In1−y1P層(0<y1<1)を設けたので、電流狭窄領域にあたるAlx4Ga1−x4As層をエッチング除去する工程において、Alx4Ga1−x4As層とこれの下側に位置する分布ブラッグ反射器を構成するAlGaAs層とのエッチングの選択性を向上させ、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。更に、エッチング除去部分に再成長される結晶の質を向上させて、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。また、Al混晶の界面における非発光再結合を低減し、発光効率を向上させることができる。
【0174】
また、請求項5記載の発明によれば、活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1−x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1−x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1−x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1−x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1−x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1−x4As層の上層にGay1In1−y1P層(0<y1<1)を設けたので、電流通路となるAlx4Ga1−x4As選択酸化層表面における自然酸化を防止し、Alx5Ga1−x5As選択酸化層の再成長工程において結晶の品質を向上させ、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0175】
更に、請求項4において、再成長表面を燐系混晶とすることで、再成長を容易にすることができ、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0176】
また、請求項6記載の発明によれば、請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の面発光型レーザ素子において、電流通路の形状が、矩形または楕円形のように異方性を有しているので、請求項1乃至請求項5のいずれかの面発光型レーザ素子において偏波制御を行うことができる。
【0177】
また、請求項7記載の発明によれば、請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の面発光型レーザ素子において、活性層の材料が、III族元素として、Ga,Inのいずれかから、または、全てから構成され、V族元素として、N,As,Sbのいずれかから、または、全てから構成されているので、請求項1乃至請求項9のいずれかの面発光型レーザ素子において、1.1μmより長波で発振する歩留り,信頼性の高い面発光型レーザ素子を得ることができる。
【0178】
また、請求項8記載の発明によれば、請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の面発光型レーザ素子によって構成されている面発光型レーザアレイであるので、歩留り,信頼性の高い面発光型レーザアレイを得ることができる。
【0179】
また、請求項9記載の発明によれば、請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の面発光型レーザ素子、または、請求項8記載の面発光型レーザアレイによって構成されている光インターコネクションシステムであるので、信頼性の高い光インターコネクションシステムを得ることができる。
【0180】
また、請求項10記載の発明によれば、請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の面発光型レーザ素子、または、請求項8記載の面発光型レーザアレイによって構成されている光通信システムであるので、信頼性の高い光通信システムを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1の面発光型レーザ素子を示す図である。
【図2】図1の面発光型レーザ素子の作製工程例を示す図である。
【図3】図1の面発光型レーザ素子の他の作製工程例を示す図である。
【図4】実施例2の面発光型レーザ素子を示す図である。
【図5】実施例2の面発光型レーザ素子の作製工程例を説明するための図である。
【図6】実施例2の面発光型レーザ素子の他の作製工程例を説明するための図である。
【図7】実施例3の面発光型レーザ素子を示す図である。
【図8】実施例3の面発光型レーザ素子の作製工程例を説明するための図である。
【図9】実施例4の面発光型レーザ素子を示す図である。
【図10】実施例4の面発光型レーザ素子の作製工程例を説明するための図である。
【図11】実施例4の面発光型レーザ素子の他の作製工程例を説明するための図である。
【図12】面発光型レーザ素子を作製するためのマスクを示す図である。
【図13】実施例5のマスクを示す図である。
【図14】実施例6の面発光レーザアレイを示す図である。
【図15】実施例7の機器間並列光インターコネクションシステムの概念図である。
【図16】レーザアレイモジュールの概要を示す図である。
【図17】実施例8の光通信システムを示す図である。
【図18】従来の面発光型レーザ素子を示すである。
【符号の説明】
11 n−GaAs基板
12 n−GaAsバッファー層
13 n−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器
14 Al0.15Ga0.85Asスペーサー層
15 GaAs/Al0.15Ga0.85As多重量子井戸活性層
16 Al0.15Ga0.85Asスペーサー層
17 Al0.8Ga0.2As層
18 GaAsエッチング停止層
19 AlAs層(AlAs選択酸化層)
20 GaAs再成長容易層
21 GaAs層
22 SiO2絶縁膜
23 p−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器
24 絶縁性樹脂
25 p側電極
26 n側電極
31 n−GaAs基板
32 n−GaAsバッファー層
33 n−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器
34 GaAsスペーサー層
35 GaInNAs/GaAs多重量子井戸活性層
36 GaAsスペーサー層
37 Al0.8Ga0.2As層
38 GaInPエッチング停止層
39 AlAs層(AlAs選択酸化層)
40 GaInP再成長容易層
41 GaAs層
42 SiO2絶縁膜
43 p−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器
44 絶縁性樹脂
45 p側電極
46 n側電極
49 電流通路となるGaAs層41の領域
51 n−GaAs基板
52 n−GaAsバッファー層
53 n−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器
54 GaAsスペーサー層
55 GaInAs/AlGaAs多重量子井戸活性層
56 GaAsスペーサー層
57 Al0.8Ga0.2As層
58 GaAsエッチング停止層
59 AlAs層(AlAs選択酸化層)
60 GaAs再成長容易層
61 GaAs層
62 SiO2絶縁膜
63 p−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器
64 絶縁性樹脂
65 p側電極
66 n側電極
69 AlGaAs電流通路
71 n−GaAs基板
72 n−GaAsバッファー層
73 n−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器
74 GaAsスペーサー層
75 GaInNAs/GaAs多重量子井戸活性層
76 GaAsスペーサー層
77 Al0.8Ga0.2As層
78 Ga0.5In0.5Pエッチング停止層
79 AlAs層(AlAs選択酸化層)
80 Ga0.5In0.5P再成長容易層
81 GaAs層
82 SiO2絶縁膜
83 p−Al0.8Ga0.2As/GaAs分布ブラッグ反射器
84 絶縁性樹脂
85 p側電極
86 n側電極
89 AlGaAs電流通路

Claims (10)

  1. 活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx1Ga1−x1As選択酸化層(0<x1≦1)を設けた後、電流通路にあたる前記Alx1Ga1−x1As選択酸化層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx1Ga1−x1As層よりもAl組成の小さいAlx2Ga1−x2As層(0≦x2<x1≦1)による電流通路を設け、更に前記Alx1Ga1−x1As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、Alx1Ga1−x1As層の上層にGay1In1−y1P層(0<y1<1)を設けたことを特徴とする面発光型レーザ素子。
  2. 活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1−x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1−x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1−x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1−x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1−x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1−x4As層の下層および前記Al x5 Ga 1−x5 As層の下層にAlx6Ga1−x6As層(0≦x6<x4<1)を設けたことを特徴とする面発光型レーザ素子。
  3. 活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1−x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1−x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1−x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1−x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1−x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1−x4As層の上層にAlx6Ga1−x6As層(0≦x6<x4<1)を設けたことを特徴とする面発光型レーザ素子。
  4. 活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1−x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1−x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1−x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1−x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1−x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1−x4As層の下層および前記Al x5 Ga 1−x5 As層の下層にGay1In1−y1P層(0<y1<1)を設けたことを特徴とする面発光型レーザ素子。
  5. 活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Alx4Ga1−x4As層(0≦x4<1)を設けた後、電流通路以外の前記Alx4Ga1−x4As層をエッチング除去し、該エッチング領域にAlx4Ga1−x4As層よりもAl組成の大きいAlx5Ga1−x5As層(0≦x4<x5≦1)による選択酸化層を設け、更に前記Alx5Ga1−x5As層を横方向に酸化して形成した電流狭窄領域が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Alx4Ga1−x4As層の上層にGay1In1−y1P層(0<y1<1)を設けたことを特徴とする面発光型レーザ素子。
  6. 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の面発光型レーザ素子において、電流通路の形状が、矩形または楕円形のように異方性を有していることを特徴とする面発光型レーザ素子。
  7. 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の面発光型レーザ素子において、活性層の材料が、III族元素として、Ga,Inのいずれかから、または、全てから構成され、V族元素として、N,As,Sbのいずれかから、または、全てから構成されていることを特徴とする面発光型レーザ素子。
  8. 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の面発光型レーザ素子によって構成されていることを特徴とする面発光型レーザアレイ。
  9. 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の面発光型レーザ素子、または、請求項8記載の面発光型レーザアレイによって構成されていることを特徴とする光インターコネクションシステム。
  10. 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の面発光型レーザ素子、または、請求項8記載の面発光型レーザアレイによって構成されていることを特徴とする光通信システム。
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