本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
[実施の形態1]
図1は、この発明の実施の形態1による面発光レーザ素子の概略断面図である。図1を参照して、この発明による実施の形態1による面発光レーザ素子100は、基板101と、バッファ層102と、反射層103,107と、共振器スペーサー層104,106と、活性層105と、選択酸化層108と、コンタクト層109と、SiO2層110と、絶縁性樹脂111と、p側電極112と、n側電極113とを備える。なお、面発光レーザ素子100は、780nm帯の面発光レーザ素子である。
基板101は、n型ガリウム砒素(n−GaAs)からなる。バッファ層102は、n−GaAsからなり、基板101の一主面に形成される。反射層103は、n−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7Asの対を一周期とした場合、40.5周期の[n−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As]からなり、バッファ層102上に形成される。
共振器スペーサー層104は、ノンドープAl0.6Ga0.4Asからなり、反射層103上に形成される。活性層105は、AlGaAs/Al0.6Ga0.4Asの対を一周期とした場合、3周期の[AlGaAs/Al0.6Ga0.4As]からなる多重量子井戸構造を有し、共振器スペーサー層104上に形成される。そして、AlGaAsは、5.6nmの膜厚を有し、Al0.6Ga0.4Asは、7.8nmの膜厚を有する。
共振器スペーサー層106は、ノンドープAl0.6Ga0.4Asからなり、活性層105上に形成される。反射層107は、p−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7Asの対を一周期とした場合、26周期の[p−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As]からなり、共振器スペーサー層106上に形成される。
選択酸化層108は、p−AlAsからなり、反射層107中に設けられる。そして、選択酸化層108は、非酸化領域108aと酸化領域108bとからなり、20nmの膜厚を有する。
コンタクト層109は、p−GaAsからなり、反射層107上に形成される。SiO2層110は、反射層103の一部の一主面と、共振器スペーサー層104、活性層105、共振器スペーサー層106、反射層107、選択酸化層108およびコンタクト層109の端面とを覆うように形成される。
絶縁性樹脂111は、SiO2層110に接して形成される。p側電極112は、コンタクト層109の一部および絶縁性樹脂111上に形成される。n側電極113は、基板101の裏面に形成される。
そして、反射層103,107の各々は、活性層105で発振した発振光をブラッグの多重反射により反射して活性層105に閉じ込める半導体分布ブラッグ反射器を構成する。
図2は、図1に示す反射層103の一部の断面図である。図2を参照して、反射層103は、高屈折率層1031と、低屈折率層1032と、組成傾斜層1033とを含む。高屈折率層1031は、Al0.3Ga0.7Asからなり、低屈折率層1032は、Al0.9Ga0.1Asからなり、組成傾斜層1033は、低屈折率層1031および高屈折率層1032の一方の組成から他方の組成へ向かって組成を変化させたAlGaAsからなる。
組成傾斜層1033が設けられるのは、低屈折率層1031と高屈折率層1032との間の電気抵抗を低減するためである。
高屈折率層1031は、d1の膜厚を有し、低屈折率層1032は、d2の膜厚を有し、組成傾斜層1033は、d3の膜厚を有する。
組成傾斜層1033を含まない急峻な界面を備えた反射層の場合には、反射層を構成する低屈折率層と高屈折率層の膜厚は、ブラッグの多重反射の位相条件を満たす様に、レーザ発振波長(λ=780nm)に対してλ/4n(nは各半導体層の屈折率)に設定される。
このλ/4nの膜厚は、各半導体層中における発振光の位相変化量がπ/2となる膜厚である。実施の形態1のように、組成傾斜層1033を含む場合では、各半導体層と組成傾斜層1033を含めた厚さが、ブラッグの多重反射の条件を満たすように設定される。
そして、膜厚d3は、たとえば、20nmに設定され、d1+d3およびd2+d3がブラッグの多重反射の条件を満たすように、膜厚d1,d2の各々が設定される。すなわち、反射層103中における発振光の位相変化量がπ/2となるように、d1+d3およびd2+d3の各々が設定される。
なお、反射層107は、反射層103と同じ構造からなる。
図3は、図1に示す面発光レーザ素子100の共振領域の近傍を示す図である。なお、図3においては、面発光レーザ素子100の発振状態における発振光の電界の強度分布も模式的に示している。
図3を参照して、面発光レーザ素子100の共振領域は、共振器スペーサー層104,106と、活性層105とから構成される領域と定義される。振器スペーサー層104,106と、活性層105とからなる共振領域は、これらの半導体層中における発振光の位相変化量が2πとなるように設定されており、一波長共振器構造を形成する。
また、誘導放出確率を高めるために、活性層105は、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)内における中央部に位置し、かつ、発振光の定在波分布における腹に対応する位置に設けられる。
反射層103,107は、低屈折率層1032側がそれぞれ共振器スペーサー層104,106に接するように構成されており、低屈折率層1032と共振器スペーサー層104,106との界面(実施の形態1においては組成傾斜層1033)が発振光の電界の定在波分布における腹となっている。
また、上述したように、d1+d3またはd2+d3は、発振光の位相変化量がπ/2になるように設定されるので、高屈折率層1031と低屈折率層1032との間の組成傾斜膜1033が配置された位置では、腹と節とが交互に現れる。
選択酸化層108は、反射層107において、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から4周期目の低屈折率層1032中に設けられる。より具体的には、選択酸化層108は、発振波の電界の定在波分布における節の位置から活性層105と反対側に発振光の位相変化量がπ/4となる距離(すなわち、低屈折率層1032の屈折率をnとしてλ/8nとなる距離)だけずらせた位置に設けられる。
そして、選択酸化層108を設けた低屈折率層1032の膜厚は、組成傾斜層1033の一部を含めた発振波長に対する位相変化量が3π/2となる膜厚に設定される。このように、反射層107の構成層における発振光の位相変化量がπ/2の奇数倍になる場合、多重反射の位相条件を満たすことができる。
図4は、図1に示す面発光レーザ素子100の共振領域の近傍を示す他の図である。なお、図4においても、面発光レーザ素子100の発振状態における発振光の電界の強度分布も模式的に示している。
図4を参照して、選択酸化層108は、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から4周期目の高屈折率層1031中に設けられる。より具体的には、選択酸化層108は、発振波の電界の定在波分布における4周期目の節と、活性層105から遠ざかる方向において4周期目の節に隣接する腹との間に設けられる。その他は、図3における説明と同じである。
このように、この発明よる面発光レーザ素子100においては、選択酸化層108は、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から4周期目の高屈折率層1031中、または共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から4周期目の低屈折率層1032中に設けられる。
図5、図6および図7は、それぞれ、図1に示す面発光レーザ素子100の作製方法を示す第1から第3の工程図である。図5を参照して、一連の動作が開始されると、有機金属気相成長法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)を用いて、バッファ層102、反射層103、共振器スペーサー層104、活性層105、共振器スペーサー層106、反射層107、選択酸化層108、およびコンタクト層109を基板101上に順次積層する(図5の工程(a)参照)。
この場合、バッファ層102のn−GaAsをトリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)およびセレン化水素(H2Se)を原料として形成し、反射層103のn−Al0.9Ga0.1Asおよびn−Al0.3Ga0.7Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)およびセレン化水素(H2Se)を原料として形成する。
また、共振器スペーサー層104のノンドープAl0.6Ga0.4Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成し、活性層105のAlGaAs/Al0.6Ga0.4Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成する。
さらに、共振器スペーサー層106のノンドープAl0.6Ga0.4Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成し、反射層107のp−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成する。
さらに、選択酸化層108のp−AlAsをトリメチルアルミニウム(TMA)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成し、コンタクト層109のp−GaAsをトリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成する。
その後、コンタクト層109の上にレジストを塗布し、写真製版技術を用いて、コンタクト層109上にレジストパターン120を形成する(図5の工程(b)参照)。この場合、レジストパターン120は、1辺が20μmである正方形の形状を有する。
レジストパターン120を形成すると、その形成したレジストパターン120をマスクとして用いて、共振器スペーサー層104、活性層105、共振器スペーサー層106、反射層107、選択酸化層108およびコンタクト層109の周辺部をドライエッチングにより除去し、さらに、レジストパターン120を除去する(図5の工程(c)参照)。
次に、図6を参照して、図5に示す工程(c)の後、85℃に加熱した水を窒素ガスでバブリングした雰囲気中において、試料を425℃に加熱して、選択酸化層108の周囲を外周部から中央部に向けて酸化し、選択酸化層108中に非酸化領域108aと酸化領域108bとを形成する(図6の工程(d)参照)。この場合、非酸化領域108aは、1辺が4μmである正方形からなる。
その後、気相化学堆積法(CVD:Chemical Vapour Deposition)を用いて、試料の全面にSiO2層110を形成し、写真製版技術を用いて光出射部となる領域およびその周辺領域のSiO2層110を除去する(図6の工程(e)参照)。
次に、試料の全体に絶縁性樹脂111をスピンコートにより塗布し、光出射部となる領域上の絶縁性樹脂111を除去する(図6の工程(f)参照)。
図7を参照して、絶縁性樹脂111を形成した後、光出射部となる領域上に1辺が8μmであるレジストパターンを形成し、試料の全面にp側電極材料を蒸着により形成し、レジストパターン上のp側電極材料をリフトオフにより除去してp側電極112を形成する(図7の工程(g)参照)。そして、基板101の裏面を研磨し、基板101の裏面にn側電極113を形成し、さらに、アニールしてp側電極112およびn側電極113のオーミック導通を取る(図7の工程(h)参照)。これによって、面発光レーザ素子100が作製される。
図8は、選択酸化層108を反射層107中の高屈折率層1031中に配置した場合における有効屈折率差(Δneff)および発振閾値利得と選択酸化層108の位置との関係を示す図である。
図8において、縦軸は、非酸化領域108aと酸化領域108bとの有効屈折率差(Δneff)を非酸化領域108aにおける有効屈折率neffで規格化した値および発振閾値利得を表し、横軸は、選択酸化層108の位置を表す。
また、曲線k1は、Δneff/neffと選択酸化層108の位置との関係を示し、曲線k2は、非酸化領域108aにおける発振閾値利得を示し、曲線k3は、酸化領域108bにおける発振閾値利得を示す。
なお、発振閾値利得は、共振器損失(ミラーの反射損失)に相当するものであり、発振閾値利得が大きい程、共振器損失(ミラーの反射損失)が大きいことを意味する。
図9は、高屈折率層1031中における選択酸化層108の位置を説明するための図である。図9を参照して、選択酸化層108は、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から4周期目の高屈折率層1031中に設けられる。そして、選択酸化層108の位置が“0”である場合、選択酸化層108は、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から4周期目の低屈折率層1032と高屈折率層1031との界面(=発振光の電界の定在波分布において共振領域から4周期目の節)に配置される。
また、選択酸化層108の位置が“0.25”である場合、選択酸化層108は、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から4周期目の高屈折率層1031と5周期目の低屈折率層1032との界面(=発振光の電界の定在波分布において共振領域から5周期目の腹)に配置される。
さらに、選択酸化層108の位置が“0.5”である場合、選択酸化層108は、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から5周期目の低屈折率層1032と5周期目の高屈折率層1031との界面(=発振光の電界の定在波分布において共振領域から5周期目の節)に配置される。
さらに、選択酸化層108の位置が“−0.25”である場合、選択酸化層108は、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から3周期目の高屈折率層1031と4周期目の低屈折率層1032との界面(=発振光の電界の定在波分布において共振領域から4周期目の腹)に配置される。
したがって、選択酸化層108の位置が正であることは、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から4周期目の高屈折率層1031と低屈折率層1032との界面からさらに活性層105の方向と反対方向へ行くことを意味し、選択酸化層108の位置が負であることは、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から4周期目の高屈折率層1031と低屈折率層1032との界面から活性層105へ近づくことを意味する。
また、 “−0.25”の位置および“0.25”の位置は、発振光の電界の定在波分布の腹に相当する位置である。
再び、図8を参照して、Δneff/neffは、選択酸化層108の位置が“0”から正の方向へ移動するに伴って大きくなり、選択酸化層108の位置が約0.25の位置で、極大になる。そして、Δneff/neffは、選択酸化層108の位置が0.25から0.5の方向へ移動するに伴って減少する(曲線k1参照)。
また、非酸化領域108aにおける発振閾値利得は、選択酸化層108の位置が“0”から正の方向へ移動すると、若干、大きくなり、選択酸化層108の位置が“0.125”になると極大になる。そして、非酸化領域108aにおける発振閾値利得は、選択酸化層108の位置が“0.125”から“0.25”へ移動するに伴って小さくなる(曲線k2参照)。
一方、酸化領域108bにおける発振閾値利得は、選択酸化層108の位置が“0”から正の方向へ移動すると、急激に大きくなり、選択酸化層108の位置が“0.125”付近になると、極大になる。そして、酸化領域108bにおける発振閾値利得は、選択酸化層108の位置が“0.125”から“0.25”へ移動するに伴って小さくなる(曲線k3参照)。
したがって、非酸化領域108aにおける発振閾値利得と酸化領域108bにおける発振閾値利得との差は、選択酸化層108の位置が“0”および“0.25”である場合、最小になり、選択酸化層108の位置が“0”から“0.125”へ移動するに伴って大きくなる。そして、非酸化領域108aにおける発振閾値利得と酸化領域108bにおける発振閾値利得との差は、選択酸化層108の位置が“0.125”から“0.25”へ移動するに伴って小さくなる(曲線k2,k3参照)。
そして、上述したように、発振閾値利得が大きい程、共振器損失(ミラーの反射損失)が大きいことを意味するので、選択酸化層108が“0”と“0.125”との間に存在する場合、酸化領域108bは、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)における損失を非酸化領域108aよりも大きくする。
ここで、高次横モードは、基本横モードに比べて、横方向のモード分布が広く、酸化領域108bとの空間的な重なりが大きいので、酸化領域108bにおける発振閾値利得は、高次横モードの発振閾値利得に対応し、非酸化領域108aにおける発振閾値利得は、基本横モードの発振閾値利得に対応している。
そうすると、選択酸化層108が“0”と“0.125”との間に存在する場合、酸化領域108bの発振閾値利得が非酸化領域108aの発振閾値利得よりも大きいことは、高次横モードの損失を基本横モードの損失よりも大きくする、すなわち、高次横モードを抑制することを意味する。
したがって、選択酸化層108を“0”と“0.125”との間に配置することによって、選択酸化層108の酸化領域108bは、高次横モードを抑制する抑制層および活性層105へ電流を注入するときの電流狭窄層として機能する。
図10は、選択酸化層108を反射層107中の低屈折率層1032中に配置した場合における有効屈折率差(Δneff)および発振閾値利得と選択酸化層108の位置との関係を示す図である。
図10において、縦軸は、非酸化領域108aと酸化領域108bとの有効屈折率差(Δneff)を非酸化領域108aにおける有効屈折率neffで規格化した値および発振閾値利得を表し、横軸は、選択酸化層108の位置を表す。
また、曲線k4は、Δneff/neffと選択酸化層108の位置との関係を示し、曲線k5は、非酸化領域108aにおける発振閾値利得を示し、曲線k6は、酸化領域108bにおける発振閾値利得を示す。
なお、図10における曲線k1,k2,k3は、図8に示す曲線k1,k2,k3と同じである。
図11は、低屈折率層1032中における選択酸化層108の位置を説明するための図である。図11を参照して、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から4周期目の低屈折率層1032の膜厚は、この領域における共振光の位相変化量が3π/2となる膜厚(すなわち、3λ/4になる膜厚:λは共振波長、nは低屈折率層1032の屈折率)に設定している。そして、選択酸化層108を高屈折率層1031ではなく、低屈折率層1032中に設けている。
この場合、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から3周期目の高屈折率層1031と4周期目の低屈折率層1032との界面が選択酸化層108の位置“0”になり、その位置“0”から活性層105と反対方向が正の方向であり、その位置“0”から活性層105に近づく方向が負の方向である。
再び、図10を参照して、Δneff/neffは、選択酸化層108の位置が“0”から正の方向へ移動するに伴って大きくなり、選択酸化層108の位置が約0.25の位置で最大になる。そして、Δneff/neffは、選択酸化層108の位置が0.25から0.5の方向へ移動するに伴って減少する(曲線k4参照)。
また、非酸化領域108aにおける発振閾値利得は、選択酸化層108の位置が“0”から正の方向および負の方向へ移動しても、殆ど変化しない(曲線k5参照)。
一方、酸化領域108bにおける発振閾値利得は、選択酸化層108の位置が“0”から正の方向へ移動すると、急激に大きくなり、選択酸化層108の位置が“0.125”付近になると、極大になる。そして、酸化領域108bにおける発振閾値利得は、選択酸化層108の位置が“0.125”から“0.25”へ移動するに伴って小さくなる(曲線k6参照)。
したがって、非酸化領域108aにおける発振閾値利得と酸化領域108bにおける発振閾値利得との差は、選択酸化層108の位置が“0”および“0.25”である場合、最小になり、選択酸化層108の位置が“0”から“0.125”へ移動するに伴って大きくなる。そして、非酸化領域108aにおける発振閾値利得と酸化領域108bにおける発振閾値利得との差は、選択酸化層108の位置が“0.125”から“0.25”へ移動するに伴って小さくなる(曲線k5,k6参照)。
その結果、図8において説明したように、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から4周期目の低屈折率層1032中に配置された選択酸化層108は、高次横モードを抑制する。なお、選択酸化層108は、共振領域から4周期目以外の低屈折率層1032中に配置された場合も高次横モードを抑制する。
そして、選択酸化層108を共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から4周期目の低屈折率層1032中に配置した場合における非酸化領域108aにおける発振閾値利得と酸化領域108bにおける発振閾値利得との差は、選択酸化層108を共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105)から4周期目の高屈折率層1031中に配置した場合における非酸化領域108aにおける発振閾値利得と酸化領域108bにおける発振閾値利得との差よりも大きいので(曲線k2,k3,k5,k6参照)、低屈折率層1032中に配置された選択酸化層108は、高屈折率層1031中に配置された選択酸化層108よりも効果的に高次横モードを抑制する。
なお、選択酸化層108の位置が“0.125”である場合、非酸化領域108aにおける発振閾値利得と酸化領域108bにおける発振閾値利得との差が最大になるので、好ましくは、選択酸化層108は、位置“0”と位置“0.25”との中間点、すなわち、発振光の電界の定在波分布の節に相当する位置と、活性層105と反対方向において、その節に隣接する腹に相当する位置との中間点に配置される。また、低屈折率層1032中に設けた場合の方が、選択酸化層108とのバンド不連続量も小さくできるので、電気抵抗を小さくできる。
図12は、図1に示す面発光レーザ素子100の電流−光出力特性を示す図である。また、図13は、従来の面発光レーザ素子の電流−光出力特性を示す図である。なお、従来の面発光レーザ素子においては、選択酸化層は、発振光の電界の定在波分布における節の位置に形成された。また、面発光レーザ素子100および従来の面発光レーザ素子においては、非酸化領域の一辺の長さを4μmに設定した。
図12および図13において、縦軸は、光出力を表し、横軸は、電流を表す。従来の面発光レーザ素子においては、4mA程度の注入電流において、高次横モードの発振が開始されており、電流−光出力特性にキンクが現れている(図13参照)。
一方、面発光レーザ素子100においては、高次横モードが効果的に抑制され、ほぼピーク出力まで、単一基本横モード発振が得られている(図12参照)。
したがって、選択酸化層108の位置を発振光の電界の定在波分布における節と腹との間に設けることによって、ぼぼピーク出力まで高次横モード発振を抑制しながら単一基本モード発振を実現できる。
図14は、図1に示す面発光レーザ素子100における基本横モード出力とピーク出力との比を非酸化領域108aの面積に対してプロットした図である。また、図15は、従来の面発光レーザ素子における基本横モード出力とピーク出力との比を非酸化領域の面積に対してプロットした図である。
図14および図15において、縦軸は、基本横モード出力/ピーク出力を表し、横軸は、非酸化領域の面積を表す。なお、図14および図15における基本横モード出力とは、高次横モード抑圧比(SMSR)が20dBとなる時の出力と定義している。すなわち、ピーク出力において、単一基本横モード発振(SMSR>20dB)である場合、縦軸の基本横モード出力/ピーク出力は“1”となる。
従来の面発光レーザ素子においては、非選択領域の面積が大きくなるに従って、基本横モード出力/ピーク出力は、急激に低下する。そして、ピーク出力まで単一基本横モード発振が可能な非酸化領域の面積は4μm2程度までであった(図15参照)。
一方、面発光レーザ素子100においては、基本横モード出力/ピーク出力は、非酸化領域108aの面積が4〜18.5μm2の範囲では“1”であり、非酸化領域108aの面積が4〜20μm2の範囲において単一基本横モード発振(SMSR>20dB)が可能である(図14参照)。
このように、より大きな非酸化領域108aの面積においても、単一基本横モード発振を得ることができ、従来の面発光レーザ素子における非酸化領域の面積を飛躍的に大きくできた。その結果、面発光レーザ素子100の発光強度を強くできる。
図16は、図1に示す面発光レーザ素子100の共振領域の近傍を示すさらに他の図である。図16を参照して、選択酸化層108は、反射層107中において、共振領域(=共振器スペーサー層104,106および活性層105からなる)から2周期目の低屈折率層1032中に設けられてもよい。すなわち、選択酸化層108は、発振光の電界の定在波分布における活性層105から2周期目の節に相当する位置から、活性層105と反対方向において、発振光の位相変化量がπ/8(=λ/16n)となる距離だけ移動した位置に配置されてもよい。
選択酸化層108が図16に示す配置位置に配置された面発光レーザ素子100も、選択酸化層108が図3に示す配置位置に配置された面発光レーザ素子100と同様に、非酸化領域108aの面積を大きくできるとともに、単一基本横モード発振を得ることができる。また、選択酸化層108の位置の調整は、制御性に優れたMOCVD成長によって、非常に容易に行うことができる。
図17は、図1に示す面発光レーザ素子100を用いた面発光レーザアレイの平面図である。図17を参照して、面発光レーザアレイ300は、24個の面発光レーザ素子100を所定の間隔で略菱形に配列した構造からなる。
上述したように、面発光レーザ素子100は、高次横モード発振を抑制して単一基本横モード発振をほぼピーク出力まで得ることができるので、面発光レーザアレイ300も、ほぼピーク出力まで単一基本横モード発振による発振光を出射できる。
また、面発光レーザ素子100は、非酸化領域108aの面積を約20μm2まで大きくできるので、面発光レーザアレイ300は、より高出力の発振光を出射できる。
図18は、図1に示す面発光レーザ素子100または図17に示す面発光レーザアレイ300を用いた電子写真システムの概略図である。図18を参照して、電子写真システム400は、感光ドラム401と、光学走査系402と、書き込み光源403と、同期制御回路404とを備える。
感光ドラム401は、同期制御回路404からの制御に従って、光学走査系402からの成形ビームによって潜像を形成する。光学走査系402は、ポリゴンミラーおよびレンズ収束系からなり、同期制御回路404からの制御に従って、書き込み光源403からのレーザ光を感光ドラム401上に集光する。
書き込み光源403は、面発光レーザ素子100または面発光レーザアレイ300からなり、同期制御回路404からの制御に従って単一基本横モードのレーザ光を発振し、その発振したレーザ光を光学走査系402へ出射する。同期制御回路404は、感光ドラム401、光学走査系402および書き込み光源403を制御する。
上述したように、面発光レーザ素子100および面発光レーザアレイ300は、単一基本横モードのレーザ光を高出力で発振可能であるので、電子写真システム400においては、高速書き込みが可能であり、さらに、高精細な画像を得ることができる。
図19は、図1に示す面発光レーザ素子100を用いた光通信システムの概略図である。図19を参照して、光通信システム500は、機器510,520と、光ファイバアレイ530とを備える。
機器510は、駆動回路511と、レーザアレイモジュール512とを含む。駆動回路511は、レーザアレイモジュール512を駆動する。レーザアレイモジュール512は、面発光レーザ素子100を1次元に配列したアレイモジュールからなる。そして、1次元に配列された複数の面発光レーザ素子100は、光ファイバアレイ530の各光ファイバに連結されている。
レーザアレイモジュール512は、駆動回路511によって駆動されると、単一基本横モード成分からなるレーザ光を発振し、送信信号を光信号に変換して光ファイバアレイ530を介して機器520へ送信する。なお、光通信システム500においては、1次元に配列された複数の面発光レーザ素子100は、「面発光レーザアレイ」を構成する。
機器520は、フォトダイオードアレイモジュール521と、信号検出回路522とを含む。フォトダイオードアレイモジュール521は、1次元に配列された複数のフォトダイオードからなる。そして、複数のフォトダイオードは、光ファイバアレイ530の各ファイバに連結されている。したがって、フォトダイオードアレイモジュール521の各フォトダイオードは、各光ファイバを介してレーザアレイモジュール512の各面発光レーザ素子100に接続されている。
フォトダイオードアレイモジュール521は、光ファイバアレイ530から光信号を受信し、その受信した光信号を電気信号に変換する。そして、フォトダイオードアレイモジュール521は、その変換した電気信号を受信信号として信号検出回路522へ出力する。信号検出回路522は、フォトダイオードアレイモジュール521から受信信号を受け、その受けた受信信号を検出する。
光ファイバアレイ530は、機器510のレーザアレイモジュール512を機器520のフォトダイオードアレイモジュール521に連結する。
上述したように、面発光レーザ素子100は、単一基本横モードで高出力なレーザ光を出射できるので、機器510は、伝送誤りを少なくして信号を機器520へ送信できる。その結果、光通信システム500の信頼性を向上できる。
なお、光通信システム500においては、並列光インターコネクションシステムを例に説明したが、この発明による光通信システムは、これに限られず、単一の面発光レーザ素子100を用いたシリアル伝送システムであってもよい。
また、機器間の他にも、ボード間、チップ間およびチップ内インターコネクション等に応用してもよい。
なお、選択酸化層108の酸化領域108bは、「電流狭窄層」および「抑制層」を構成する。
[実施の形態2]
図20は、実施の形態2による面発光レーザ素子の概略断面図である。図20を参照して、実施の形態2による面発光レーザ素子200は、基板201と、バッファ層202と、反射層203,207と、共振器スペーサー層204,206と、活性層205と、選択酸化層208と、コンタクト層209と、SiO2層210と、絶縁性樹脂211と、p側電極212と、n側電極213とを備える。なお、面発光レーザ素子200は、980nm帯の面発光レーザ素子である。
基板201は、n−GaAsからなる。バッファ層202は、n−GaAsからなり、基板201の一主面に形成される。反射層203は、n−Al0.9Ga0.1As/GaAsの対を一周期とした場合、35.5周期の[n−Al0.9Ga0.1As/GaAs]からなり、バッファ層202上に形成される。
共振器スペーサー層204は、ノンドープGaAsからなり、反射層203上に形成される。活性層205は、InGaAs/GaAsを一対とした多重量子井戸構造を有し、共振器スペーサー層204上に形成される。
共振器スペーサー層206は、ノンドープGaAsからなり、活性層205上に形成される。反射層207は、p−Al0.9Ga0.1As/GaAsの対を一周期とした場合、24周期の[p−Al0.9Ga0.1As/GaAs]からなり、共振器スペーサー層206上に形成される。
選択酸化層208は、p−AlAsからなり、反射層207中に設けられる。そして、選択酸化層208は、非酸化領域208aと酸化領域208bとからなる。
コンタクト層209は、p−GaAsからなり、反射層207上に形成される。SiO2層210は、反射層203の一部の一主面と、共振器スペーサー層204、活性層205、共振器スペーサー層206、反射層207、選択酸化層208およびコンタクト層209の端面とを覆うように形成される。
絶縁性樹脂211は、SiO2層210に接して形成される。p側電極212は、コンタクト層209の一部および絶縁性樹脂211上に形成される。n側電極213は、基板201の裏面に形成される。
そして、反射層203,207の各々は、活性層205で発振した発振光をブラッグの多重反射により反射して活性層205に閉じ込める半導体分布ブラッグ反射器を構成する。
面発光レーザ素子200においても、反射層203,207の各々は、反射層203,207中における低屈折率層(Al0.9Ga0.1As)および高屈折率層(GaAs)の一方の組成から他方の組成へ向かって組成が変化したAlGaAsからなる組成傾斜層を含む。そして、組成傾斜層は、20nmの膜厚を有し、この膜厚は、低屈折率層(Al0.9Ga0.1As)および高屈折率層(GaAs)のそれぞれと、組成傾斜層の一部とを合わせた領域における発振光の位相変化量がπ/2となる膜厚に設定されており、発振光に対するブラッグの多重反射の位相条件を満たしている。
図21は、図20に示す面発光レーザ素子200の共振領域の近傍を示す図である。なお、図21においては、面発光レーザ素子200の発振状態における発振光の電界の強度分布も模式的に示している。
図21を参照して、面発光レーザ素子200の共振領域は、共振器スペーサー層204,206と、活性層205とから構成される領域と定義される。振器スペーサー層204,206と、活性層205とからなる共振領域は、これらの半導体層中における発振光の位相変化量が2πとなるように設定されており、一波長共振器構造を形成する。
また、誘導放出確率を高めるために、活性層205は、共振領域(=共振器スペーサー層204,206および活性層205)内における中央部に位置し、かつ、発振光の定在波分布における腹に対応する位置に設けられる。
反射層203,207は、低屈折率層2032側がそれぞれ共振器スペーサー層204,206に接するように構成されており、低屈折率層2032と共振器スペーサー層204,206との界面(実施の形態2においては組成傾斜層2033)が発振光の電界の定在波分布における腹となっている。
また、実施の形態1と同じように、高屈折率層2031と低屈折率層2032との間の組成傾斜膜2033が配置された位置では、腹と節とが交互に現れる。
選択酸化層208は、反射層207において、共振領域(=共振器スペーサー層204,206および活性層205)から1周期目の高屈折率層2032中に設けられる。より具体的には、選択酸化層208は、発振波の電界の定在波分布における節の位置から活性層205と反対側に発振光の位相変化量が3π/10となる距離(すなわち、高屈折率層2032の屈折率をnとして3λ/20nとなる距離)だけずらせた位置に設けられる。この選択酸化層208の位置は、高屈折率層2031の中央(節からの発振光の位相変化量がπ/4となる位置)よりも定在波分布の腹側に変位させた位置である。
図20に示す面発光レーザ素子100は、図5、図6および図7に示す工程(a)〜工程(h)に従って作製される。この場合、基板101、バッファ層102、反射層103,107、共振器スペーサー層104,106、活性層105、選択酸化層108、コンタクト層109、SiO2層110、絶縁性樹脂111、p側電極112、およびn側電極113をそれぞれ基板201、バッファ層202、反射層203,207、共振器スペーサー層204,206、活性層205、選択酸化層208、コンタクト層209、SiO2層210、絶縁性樹脂211、p側電極212、およびn側電極213に読み替えればよい。
また、図5に示す工程(a)においては、バッファ層202のn−GaAsをトリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)およびセレン化水素(H2Se)を原料として形成し、反射層203のn−Al0.9Ga0.1Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)およびセレン化水素(H2Se)を原料として形成し、反射層203のn−GaAsをトリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)およびセレン化水素(H2Se)を原料として形成する。
また、共振器スペーサー層204のノンドープGaAsをトリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成し、活性層205のInGaAsをトリメチルインジウム(TMI)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成し、活性層205のGaAsをトリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成する。
さらに、共振器スペーサー層206のノンドープGaAsをトリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成し、反射層107のp−Al0.9Ga0.1Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成し、反射層108のp−GaAsをトリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成する。
さらに、選択酸化層208のp−AlAsをトリメチルアルミニウム(TMA)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成し、コンタクト層209のp−GaAsをトリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成する。
さらに、面発光レーザ素子200の作製においては、光出射部に相当する領域は、一辺が25μmの正方形の形状からなり、選択酸化層208の非酸化領域208aは、一辺の長さが5μmに設定された。
その他は、図5、図6および図7に示す作製方法において説明したとおりである。
面発光レーザ素子200は、面発光レーザ素子100と同じように、ピーク出力まで単一基本横モードで発振でき、従来の面発光レーザ素子の単一基本横モードの出力に比べて高い出力を得ることができる。
図22は、図20に示す面発光レーザ素子200を用いた面発光レーザアレイの平面図である。図22を参照して、面発光レーザアレイ300Aは、24個の面発光レーザ素子200を所定の間隔で略菱形に配列した構造からなる。
上述したように、面発光レーザ素子200は、高次横モード発振を抑制して単一基本横モード発振をほぼピーク出力まで得ることができるので、面発光レーザアレイ300Aも、ほぼピーク出力まで単一基本横モード発振による発振光を出射できる。
また、面発光レーザ素子200は、非酸化領域208aの面積を面発光レーザ素子100の非酸化領域108aと同じように大きくできるので、面発光レーザアレイ300Aは、より高出力の発振光を出射できる。
図23は、図20に示す面発光レーザ素子200または図22に示す面発光レーザアレイ300Aを用いた電子写真システムの概略図である。図23を参照して、電子写真システム400Aは、図18に示す電子写真システム400の書き込み光源403を書き込み光源403Aに代えたものであり、その他は、電子写真システム400と同じである。
書き込み光源403Aは、面発光レーザ素子200または面発光レーザアレイ300Aからなり、同期制御回路404からの制御に従って単一基本横モードのレーザ光を発振し、その発振したレーザ光を光学走査系402へ出射する。
上述したように、面発光レーザ素子200および面発光レーザアレイ300Aは、単一基本横モードのレーザ光を高出力で発振可能であるので、電子写真システム400Aにおいては、高速書き込みが可能であり、さらに、高精細な画像を得ることができる。
その他は、電子写真システム400と同じである。
図24は、図20に示す面発光レーザ素子200を用いた光通信システムの概略図である。図24を参照して、光通信システム500Aは、図19に示す光通信システム500のレーザアレイモジュール512をレーザアレイモジュール512Aに代えたものであり、その他は、光通信システム500と同じである。
レーザアレイモジュール512Aは、面発光レーザ素子200を1次元に配列したアレイモジュールからなる。そして、1次元に配列された複数の面発光レーザ素子200は、光ファイバアレイ530の各光ファイバに連結されている。
レーザアレイモジュール512Aは、駆動回路511によって駆動されると、単一基本横モード成分からなるレーザ光を発振し、送信信号を光信号に変換して光ファイバアレイ530を介して機器520へ送信する。なお、光通信システム500Aにおいては、1次元に配列された複数の面発光レーザ素子200は、「面発光レーザアレイ」を構成する。
上述したように、面発光レーザ素子200は、単一基本横モードで高出力なレーザ光を出射できるので、機器510は、伝送誤りを少なくして信号を機器520へ送信できる。その結果、光通信システム500Aの信頼性を向上できる。
なお、選択酸化層208の酸化領域208bは、「電流狭窄層」および「抑制層」を構成する。
その他は、光通信システム500と同じである。
[実施の形態3]
図25は、実施の形態3による面発光レーザ素子の概略断面図である。図25を参照して、実施の形態3による面発光レーザ素子600は、基板601と、バッファ層602と、反射層603,607と、共振器スペーサー層604,606と、活性層605と、選択酸化層608,609と、コンタクト層610と、SiO2層611と、絶縁性樹脂612と、p側電極613と、n側電極614とを備える。なお、面発光レーザ素子600は、780nm帯の面発光レーザ素子である。
基板601は、n−GaAsからなる。バッファ層602は、n−GaAsからなり、基板601の一主面に形成される。反射層603は、n−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7Asの対を一周期とした場合、41.5周期の[n−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As]からなり、バッファ層602上に形成される。
共振器スペーサー層604は、ノンドープAl0.6Ga0.4Asからなり、反射層603上に形成される。活性層605は、AlGaAs/Al0.6Ga0.4Asの対を一周期とした場合、3周期の[AlGaAs/Al0.6Ga0.4As]からなる多重量子井戸構造を有し、共振器スペーサー層604上に形成される。
共振器スペーサー層606は、ノンドープAl0.4Ga0.6Asからなり、活性層605上に形成される。反射層607は、p−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7Asの対を一周期とした場合、24周期の[p−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As]からなり、共振器スペーサー層606上に形成される。
選択酸化層608は、p−AlAsからなり、反射層607中に設けられる。そして、選択酸化層608は、非酸化領域608aと酸化領域608bとからなり、20nmの膜厚を有する。選択酸化層609は、p−AlAsからなり、反射層607中に設けられる。そして、選択酸化層609は、非酸化領域609aと酸化領域609bとからなり、20nmの膜厚を有する。非酸化領域608a,609aの各々は、一辺が4μmである略正方形からなる。そして、選択酸化層609は、選択酸化層608よりも活性層605から遠い位置に配置される。
コンタクト層610は、p−GaAsからなり、反射層607上に形成される。SiO2層611は、反射層603の一部の一主面と、共振器スペーサー層604、活性層605、共振器スペーサー層606、反射層607、選択酸化層608,609およびコンタクト層610の端面とを覆うように形成される。この場合、SiO2層611が形成されていない開口部は、一辺が8μmである略正方形からなる。
絶縁性樹脂612は、SiO2層611に接して形成される。p側電極613は、コンタクト層610の一部および絶縁性樹脂612上に形成される。n側電極614は、基板601の裏面に形成される。
そして、反射層603,607の各々は、活性層605で発振した発振光をブラッグの多重反射により反射して活性層605に閉じ込める半導体分布ブラッグ反射器を構成する。
図26は、図25に示す面発光レーザ素子600の共振領域の近傍を示す図である。なお、図26においては、面発光レーザ素子600の発振状態における発振光の電界の強度分布も模式的に示している。また、図26における黒丸は、反射層607を構成する多層膜の周期的繰り返しを表すものであり、以下の図においても、同様の意味を有する。
図26を参照して、反射層603,607の各々は、高屈折率層6031と、低屈折率層6032と、組成傾斜層6033とを含む。反射層603において、高屈折率層6031は、n−Al0.3Ga0.7Asからなり、低屈折率層6032は、n−Al0.9Ga0.1Asからなり、組成傾斜層6033は、低屈折率層6031および高屈折率層6032の一方の組成から他方の組成へ向かって組成を変化させたn−AlGaAsからなる。
また、反射層607において、高屈折率層6031は、p−Al0.3Ga0.7Asからなり、低屈折率層6032は、p−Al0.9Ga0.1Asからなり、組成傾斜層6033は、低屈折率層6031および高屈折率層6032の一方の組成から他方の組成へ向かって組成を変化させたp−AlGaAsからなる。
面発光レーザ素子600の共振領域は、共振器スペーサー層604,606と、活性層605とから構成される領域と定義される。共振器スペーサー層604,606と、活性層605とからなる共振領域は、これらの半導体層中における発振光の位相変化量が2πとなるように設けられており、一波長共振器構造を形成する。
また、誘導放出確率を高めるために、活性層605は、共振領域(共振器スペーサー層604,606および活性層605)内における中央部に位置し、かつ、発振光の定在波分布における腹に対応する位置に設けられる。
反射層603,607は、低屈折率層6032側がそれぞれ共振器スペーサー層604,606に接するように構成されており、低屈折率層6032と共振器スペーサー層604,606との界面(実施の形態3においては組成傾斜層6033)が発振光の定在波分布における腹となっている。
また、実施の形態1と同じように、高屈折率層6031と低屈折率層6032との間の組成傾斜膜6033が配置された位置では、腹と節とが交互に現れる。
選択酸化層608は、共振領域(=共振器スペーサー層604,606および活性層605)から2周期目の低屈折率層6032中に設けられる。より具体的には、選択酸化層608は、発振光の電界の定在波分布における2周期目の節に対応する位置に設けられる。選択酸化層608が設けられた低屈折率層6032の厚さは、低屈折率層6032の一方側に接する組成傾斜層6033の中央部から低屈折率層6032の他方側に接する組成傾斜層6033の中央部までの領域(図2に示す膜厚d2の領域)における発振光の位相変化量が3π/2になるように設定される。そして、選択酸化層608は、活性層605へ注入する電流を制限する電流狭窄層として機能する。
選択酸化層609は、共振領域(=共振器スペーサー層604,606および活性層605)から15周期目の低屈折率層6032中に設けられる。より具体的には、選択酸化層609は、発振光の電界の定在波分布における15周期目の節に対応する位置から、活性層605と反対側となる方向に発振光の位相変化量がπ/4となる距離(低屈折率層6032の屈折率をnとしてλ/8nとなる距離)だけずらせた位置に設けられる。選択酸化層609が設けられた低屈折率層6032の厚さは、選択酸化層608が設けられた低屈折率層6032の厚さと同じ厚さに設定される。そして、選択酸化層609は、実施の形態1における選択酸化層108と同じように、発振光の高次横モードを抑制する抑制層として機能する。
このように、面発光レーザ素子600においては、2つの選択酸化層608,609が設けられ、高次横モードを抑制する抑制層として機能する選択酸化層609は、電流狭窄層として機能する選択酸化層608よりも活性層605から遠い位置に設けられる。
図27は、抑制層として機能する選択酸化層609を低屈折率層6032中に配置した場合における選択酸化層609の位置と、利得比および有効屈折率差との関係を示す図である。また、図28は、抑制層として機能する選択酸化層609を低屈折率層6032中に配置した場合における選択酸化層609の位置と、発振閾値利得との関係を示す図である。
図27において、縦軸は、選択酸化層609における非酸化領域609aの発振閾値利得Gnonoxに対する酸化領域609bの発振閾値利得Goxの利得比と、有効屈折率差とを表し、横軸は、抑制層(=選択酸化層609)の反射層607中の位置(周期)を表し、周期数が大きい程、抑制層(=選択酸化層609)が活性層605から離れた位置に配置されることを表す。また、曲線k7は、選択酸化層609の位置と利得比との関係を示し、曲線k8は、選択酸化層609の位置と有効屈折率差との関係を示す。
図28において、縦軸は、発振閾値利得を表し、横軸は、抑制層(=選択酸化層609)の反射層607中の位置(周期)を表す。また、曲線k9は、選択酸化層609の非酸化領域609aにおける発振閾値利得を示し、曲線k10は、選択酸化層609の酸化領域609bにおける発振閾値利得を示す。
図27を参照して、有効屈折率差は、抑制層(=選択酸化層609)が配置される反射層607の周期数が大きくなるに従って大きく低下する(曲線k8参照)。そして、有効屈折率差が小さくなると、抑制層(=選択酸化層609)による回折損失が小さくなる。
一方、利得比は、抑制層(=選択酸化層609)の位置が変化しても殆ど変化せず、約1.37倍程度の利得比が得られる(曲線k7参照)。また、図28に示すように、非酸化領域609aおよび酸化領域609bの発振閾値利得の絶対値自体も殆ど変化しない(曲線k9,k10参照)。
図27に示す利得比(曲線k7)が約1.37倍になるのは、図28に示すように酸化領域609bの発振閾値利得(曲線k10)が非酸化領域609aの発振閾値利得(曲線k9)よりも大きいためである。そして、発振閾値利得が大きい程、回折損失が大きくなる。また、高次横モードは、基本横モードに比べて横方向のモード分布が広く、酸化領域609bとの空間的な重なりが大きいので、酸化領域609bにおける発振閾値利得は、高次横モードの発振閾値利得に対応し、非酸化領域609aにおける発振閾値利得は、基本横モードの発振閾値利得に対応している。
そうすると、抑制層(=選択酸化層609)を活性層605から相対的に遠い位置に配置することにより、高次横モードの抑圧比を高く保持したまま、抑制層(=選択酸化層609)による回折損失を大幅に小さくできる。
上述したように、高次横モードを抑制する抑制層として機能する選択酸化層609は、電流狭窄層として機能する選択酸化層608よりも活性層605から遠い位置に設けられるが、これにより、面発光レーザ素子600における閾値電流を低くできる。
抑制層と電流狭窄層とを1つの選択酸化層で兼用した場合、抑制層(=電流狭窄層)を活性層605から遠ざけることにより、抑制層(=電流狭窄層)を通過した後のキャリアの再拡散等の影響によって、閾値電流が増加する。これを防止するためには、電流狭窄層を活性層605の近くに配置する必要がある。
したがって、実施の形態3においては、電流狭窄層および抑制層を異なる選択酸化層608,609で形成し、電流狭窄層として機能する選択酸化層608を活性層605から近い位置(共振領域から2周期目の低屈折率層6032中)に配置し、抑制層として機能する選択酸化層609を活性層605から遠い位置(共振領域から15周期目の低屈折率層6032中)に配置することにしたものである。
このように、面発光レーザ素子600においては、抑制層(=選択酸化層609)と活性層605との距離は、電流狭窄層(=選択酸化層608)と活性層605との距離よりも大きいことを特徴とする。
そして、この特徴により、面発光レーザ素子600において、低閾値電流を保ち、かつ、回折損失が小さく(=スロープ効率が高く)、高出力な単一基本モード発振を実現できる。
また、面発光レーザ素子600においては、選択酸化層608は、発振光の電界の定在波分布の節に対応する位置に設けられることを特徴とする。
この特徴により、選択酸化層608による発振光の回折損失を低く抑えることができる。その結果、面発光レーザ素子600における出力を高くできる。
面発光レーザ素子600は、図5、図6および図7に示す工程(a)〜工程(h)に従って作製される。この場合、基板101、バッファ層102、反射層103,107、共振器スペーサー層104,106、活性層105、選択酸化層108、コンタクト層109、SiO2層110、絶縁性樹脂111、p側電極112、およびn側電極113をそれぞれ基板601、バッファ層602、反射層603,607、共振器スペーサー層604,606、活性層605、選択酸化層608,609、コンタクト層610、SiO2層611、絶縁性樹脂612、p側電極613、およびn側電極614に読み替えればよい。
上記においては、選択酸化層608の非酸化領域608aの面積は、選択酸化領域609の非酸化領域609aの面積と同じであると説明したが、この発明においては、これに限らず、選択酸化層608の非酸化領域608aの面積が選択酸化領域609の非酸化領域609aの面積と異なるようにしてもよい。
高次横モードの抑制効果は、抑制層(=選択酸化層609)の非酸化領域609aの面積によって略決定される。したがって、電流狭窄層(=選択酸化層608)の非酸化領域608aの面積を抑制層(=選択酸化層609)の非酸化領域609aの面積よりも大きく設定すると、活性層605への電流注入領域(発振領域)の面積が大きくなるので、高次横モードを抑制したまま、更に高出力な発振光を得ることができる。
この場合、選択酸化層608,609は、Al組成の大きなAlxGa1−xAs(0.9≦x≦1)によって形成することができる。AlGaAsおよびAlAsからなる選択酸化層は、膜厚が厚い程、またはAl組成が大きい程、大きな酸化速度を有するので、Al組成または膜厚を調整することにより、一度の酸化によって非酸化領域の面積が異なる2つの選択酸化層608,609を形成することができる。
面発光レーザ素子600は、図17に示す面発光レーザアレイ300に用いられる。また、面発光レーザ素子600および面発光レーザ素子600を用いた面発光レーザアレイ300は、図18に示す電子写真システム400および図19に示す光通信システム500に用いられる。
[実施の形態4]
図29は、実施の形態4による面発光レーザ素子の概略断面図である。図29を参照して、実施の形態4による面発光レーザ素子700は、基板701と、バッファ層702と、反射層703,707と、共振器スペーサー層704,706と、活性層705と、高抵抗領域708a,708bと、選択酸化層709と、コンタクト層710と、SiO2層711と、絶縁性樹脂712と、p側電極713と、n側電極714とを備える。なお、面発光レーザ素子700は、780nm帯の面発光レーザ素子である。
面発光レーザ素子700は、図25に示す面発光レーザ素子600の選択酸化層608を高抵抗領域708a,708bに代えたものであり、基板701、バッファ層702、反射層703,707、共振器スペーサー層704,706、活性層705、選択酸化層709、コンタクト層710、SiO2層711、絶縁性樹脂712、p側電極713およびn側電極714は、それぞれ、基板601、バッファ層602、反射層603,607、共振器スペーサー層604,606と、活性層605、選択酸化層609、コンタクト層610、SiO2層611、絶縁性樹脂612、p側電極613およびn側電極614と同じである。
したがって、反射層703,707の各々は、活性層705で発振した発振光をブラッグの多重反射により反射して活性層705に閉じ込める半導体分布ブラッグ反射器を構成する。また、選択酸化層709は、発振光の高次横モードを抑制する抑制層として機能する。
また、高抵抗領域708a,708bは、高抵抗領域708a,708b間の半導体層(=反射層703,707、共振器スペーサー層704,706および活性層705)の抵抗よりも高い抵抗を有する。
図30は、図29に示す面発光レーザ素子700の共振領域(=共振器スペーサー層704,706および活性層705からなる)の近傍を示す図である。なお、図30においては、面発光レーザ素子700の発振状態における発振光の電界の強度分布も模式的に示している。
図30を参照して、反射層703,707の各々は、高屈折率層7031と、低屈折率層7032と、組成傾斜層7033とを含む。反射層703において、高屈折率層7031は、n−Al0.3Ga0.7Asからなり、低屈折率層7032は、n−Al0.9Ga0.1Asからなり、組成傾斜層7033は、低屈折率層7031および高屈折率層7032の一方の組成から他方の組成へ向かって組成を変化させたn−AlGaAsからなる。
また、反射層707において、高屈折率層7031は、p−Al0.3Ga0.7Asからなり、低屈折率層7032は、p−Al0.9Ga0.1Asからなり、組成傾斜層7033は、低屈折率層7031および高屈折率層7032の一方の組成から他方の組成へ向かって組成を変化させたp−AlGaAsからなる。
面発光レーザ素子700の共振領域は、共振器スペーサー層704,706と、活性層705とから構成される領域と定義される。共振器スペーサー層704,706と、活性層705とからなる共振領域は、これらの半導体層中における発振光の位相変化量が2πとなるように設けられており、一波長共振器構造を形成する。
また、誘導放出確率を高めるために、活性層705は、共振領域(共振器スペーサー層704,706および活性層705)内における中央部に位置し、かつ、発振光の定在波分布における腹に対応する位置に設けられる。
反射層703,707は、低屈折率層7032側がそれぞれ共振器スペーサー層704,706に接するように構成されており、低屈折率層7032と共振器スペーサー層704,706との界面(実施の形態4においては組成傾斜層7033)が発振光の定在波分布における腹となっている。
また、実施の形態1と同じように、高屈折率層7031と低屈折率層7032との間の組成傾斜膜7033が配置された位置では、腹と節とが交互に現れる。
選択酸化層709は、共振領域(=共振器スペーサー層704,706および活性層705)から15周期目の低屈折率層7032中に設けられる。より具体的には、選択酸化層709は、発振光の電界の定在波分布における15周期目の節に対応する位置から、活性層705と反対側となる方向に発振光の位相変化量がπ/5となる距離(低屈折率層7032の屈折率をnとしてλ/10nとなる距離)だけずらせた位置に設けられる。
選択酸化層709が設けられた低屈折率層7032の厚さは、低屈折率層7032の一方側に接する組成傾斜層7033の中央部から低屈折率層7032の他方側に接する組成傾斜層7033の中央部までの領域(図2に示す膜厚d2の領域)における発振光の位相変化量が3π/2になるように設定される。そして、選択酸化層709は、発振光の高次横モードを抑制する抑制層として機能する。
面発光レーザ素子700においては、高抵抗領域708a,708bによって活性層705へ注入する電流を制限する。すなわち、高抵抗領域708a,708bは、電流狭窄層として機能する。そして、高抵抗領域708a,708bは、水素イオンを反射層703,707、共振器スペーサー層704,706および活性層705の一部に注入することによって形成される。
水素イオンの注入によって形成された高抵抗領域708a,708bは、水素イオンが注入されていない領域に対して屈折率差を殆ど生じないので、電流狭窄層(=高抵抗領域708a,708b)による回折損失等の影響を除去できる。
また、面発光レーザ素子700においては、高抵抗領域708a,708bは、反射層703,707、共振器スペーサー層704,706および活性層705の一部に水素イオンを注入することによって形成されるので、抑制層(=選択酸化層709)は、電流狭窄層(=高抵抗領域708a,708b)よりも活性層705から遠い位置に設けられる。
その結果、面発光レーザ素子700において、低閾値電流を保ち、かつ、回折損失が小さく(スロープ効率が高く)、高出力な単一基本モード発振を実現できる。
なお、面発光レーザ素子700においては、反射層707、選択酸化層709およびコンタクト層710の周辺部をエッチングしてメサ構造体を形成するので、高抵抗領域708a,708bは、活性層705を面発光レーザ素子700に隣接する面発光レーザ素子の活性層と分離する機能も果たす。
面発光レーザ素子700を用いた面発光レーザアレイを形成する場合、複数の面発光レーザ素子700を同時に基板701に形成する。このため、高抵抗領域708a,708bが存在しない場合、複数の面発光レーザ素子700の活性層705は、相互に繋がった状態となるが、高抵抗領域708a,708bを形成することにより、複数の面発光レーザ素子700の活性層705を相互に分離できる。
図31、図32、図33および図34は、それぞれ、図29に示す面発光レーザ素子700の作製方法を示す第1から第4の工程図である。図31を参照して、一連の動作が開始されると、MOCVD法を用いて、バッファ層702、反射層703、共振器スペーサー層704、活性層705、共振器スペーサー層706、反射層707、選択酸化層709、およびコンタクト層710を基板701上に順次積層する(図31の工程(a1)参照)。
この場合、バッファ層702のn−GaAsをトリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)およびセレン化水素(H2Se)を原料として形成し、反射層703のn−Al0.9Ga0.1Asおよびn−Al0.3Ga0.7Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)およびセレン化水素(H2Se)を原料として形成する。
また、共振器スペーサー層704のノンドープAl0.6Ga0.4Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成し、活性層705のAlGaAs/Al0.6Ga0.4Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成する。
さらに、共振器スペーサー層706のノンドープAl0.6Ga0.4Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成し、反射層707のp−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成する。
さらに、選択酸化層709のp−AlAsをトリメチルアルミニウム(TMA)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成し、コンタクト層710のp−GaAsをトリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成する。
その後、コンタクト層710の上にレジストを塗布し、写真製版技術を用いて、コンタクト層710上にレジストパターン130を形成する(図31の工程(b1)参照)。この場合、レジストパターン130は、1辺が4μmである正方形の形状を有する。
レジストパターン130を形成すると、その形成したレジストパターン130をマスクとして水素イオン(H+)を反射層703,707、共振器スペーサー層704,706および活性層705の一部にイオン注入し、高抵抗領域708a,708bを形成する。そして、レジストパターン130を除去する(図31の(c1)参照)。
引き続いて、図32を参照して、高抵抗領域708a,708bを形成すると、コンタクト層710の上にレジストを塗布し、写真製版技術を用いて、コンタクト層710上にレジストパターン120を形成する(図32の工程(d1)参照)。この場合、レジストパターン120は、1辺が20μmである正方形の形状を有する。
レジストパターン120を形成すると、その形成したレジストパターン120をマスクとして用いて、反射層707、選択酸化層709およびコンタクト層710の周辺部をドライエッチングにより除去し、さらに、レジストパターン120を除去する(図32の工程(e1)参照)。
その後、85℃に加熱した水を窒素ガスでバブリングした雰囲気中において、試料を425℃に加熱して、選択酸化層709の周囲を外周部から中央部に向けて酸化し、選択酸化層709中に非酸化領域709aと酸化領域709bとを形成する(図32の工程(f1)参照)。この場合、非酸化領域709aは、1辺が4μmである正方形からなる。
図33を参照して、非酸化領域709aと酸化領域709bとを形成した後、CVD法を用いて、試料の全面にSiO2層711を形成し、写真製版技術を用いて光出射部となる領域およびその周辺領域のSiO2層711を除去する(図33の工程(g1)参照)。
次に、試料の全体に絶縁性樹脂712をスピンコートにより塗布し、光出射部となる領域上の絶縁性樹脂712を除去する(図33の工程(h1)参照)。
図34を参照して、絶縁性樹脂712を形成した後、光出射部となる領域上に1辺が8μmであるレジストパターンを形成し、試料の全面にp側電極材料を蒸着により形成し、レジストパターン上のp側電極材料をリフトオフにより除去してp側電極713を形成する(図34の工程(i1)参照)。そして、基板701の裏面を研磨し、基板701の裏面にn側電極714を形成し、さらに、アニールしてp側電極713およびn側電極714のオーミック導通を取る(図34の工程(j1)参照)。これによって、面発光レーザ素子700が作製される。
面発光レーザ素子700は、図17に示す面発光レーザアレイ300に用いられる。また、面発光レーザ素子700および面発光レーザ素子700を用いた面発光レーザアレイ300は、図18に示す電子写真システム400および図19に示す光通信システム500に用いられる。
[実施の形態5]
図35は、実施の形態5による面発光レーザ素子の概略断面図である。図35を参照して、実施の形態5による面発光レーザ素子800は、基板801と、バッファ層802と、反射層803,807と、共振器スペーサー層804,806と、活性層805と、選択酸化層808,814と、コンタクト層809と、エッチングストップ層810と、SiO2層811と、絶縁性樹脂812と、p側電極813と、n側電極815とを備える。なお、面発光レーザ素子800は、980nm帯の面発光レーザ素子である。
基板801は、n−GaAsからなる。バッファ層802は、n−GaAsからなり、基板801の一主面に形成される。反射層803は、n−Al0.9Ga0.1As/GaAsの対を一周期とした場合、35.5周期の[n−Al0.9Ga0.1As/GaAs]からなり、バッファ層802上に形成される。
共振器スペーサー層804は、ノンドープAl0.2Ga0.8Asからなり、反射層803上に形成される。活性層805は、InGaAs/GaAsを一対とした多重量子井戸構造を有し、共振器スペーサー層804上に形成される。
共振器スペーサー層806は、ノンドープAl0.2Ga0.8Asからなり、活性層805上に形成される。反射層807は、p−Al0.9Ga0.1As/GaAsの対を一周期とした場合、24周期の[p−Al0.9Ga0.1As/GaAs]からなり、共振器スペーサー層806上に形成される。この場合、反射層807は、サイズが異なる2つの反射層807A,807Bからなる。そして、反射層807Aは、反射層807Bよりもサイズが大きく、共振器スペーサー層806に接して形成され、反射層807Bは、コンタクト層809およびエッチングストップ層810を介して反射層807A上に形成される。
選択酸化層808は、膜厚20nmのp−AlAsからなり、反射層807(807A)中に設けられる。そして、選択酸化層808は、非酸化領域808aと酸化領域808bとからなる。この場合、非酸化領域808aは、一辺が6μmである正方形からなる。
選択酸化層814は、膜厚20nmのp−AlGaAsからなり、反射層807(807B)中に設けられる。そして、選択酸化層814は、非酸化領域814aと酸化領域814bとからなる。この場合、非酸化領域814aは、一辺が5μmである正方形からなる。
このように、選択酸化層808の非酸化領域808aは、選択酸化層814の非酸化領域814aよりも大きい面積を有する。
コンタクト層809は、20nmの膜厚を有するp−GaAsからなり、反射層807(807A)上に形成される。そして、p−GaAsにおけるカーボン(C)のドーピング量は、1×1019cm−3程度である。エッチングストップ層810は、20nmの膜厚を有するp−GaInPからなり、コンタクト層809の一部の上に形成される。そして、エッチングストップ層810は、反射層807(807B)および選択酸化層814からなるメサ構造体をエッチングによって形成するときのエッチングを停止する機能を果たす。
SiO2層811は、反射層803の一部の一主面と、共振器スペーサー層804、活性層805、共振器スペーサー層806、反射層807(807A)および選択酸化層808の端面と、コンタクト層809の一部とを覆うように形成される。
絶縁性樹脂812は、SiO2層811に接して形成される。p側電極813は、コンタクト層809の一部および絶縁性樹脂812上に形成される。n側電極815は、基板801の裏面に形成される。
そして、反射層803,807の各々は、活性層805で発振した発振光をブラッグの多重反射により反射して活性層805に閉じ込める半導体分布ブラッグ反射器を構成する。
図36は、図35に示す面発光レーザ素子800の共振領域の近傍を示す図である。なお、図36においては、面発光レーザ素子800の発振状態における発振光の電界の強度分布も模式的に示している。
図36を参照して、反射層803,807の各々は、高屈折率層8031と、低屈折率層8032と、組成傾斜層8033とを含む。反射層803において、高屈折率層8031は、n−GaAsからなり、低屈折率層8032は、n−Al0.9Ga0.1Asからなり、組成傾斜層8033は、低屈折率層8031および高屈折率層8032の一方の組成から他方の組成へ向かって組成を変化させたn−AlGaAsからなる。
また、反射層807において、高屈折率層8031は、p−GaAsからなり、低屈折率層8032は、p−Al0.9Ga0.1Asからなり、組成傾斜層8033は、低屈折率層8031および高屈折率層8032の一方の組成から他方の組成へ向かって組成を変化させたp−AlGaAsからなる。
面発光レーザ素子800の共振領域は、共振器スペーサー層804,806と、活性層805とから構成される領域と定義される。共振器スペーサー層804,806と、活性層805とからなる共振領域は、これらの半導体層中における発振光の位相変化量が2πとなるように設けられており、一波長共振器構造を形成する。
また、誘導放出確率を高めるために、活性層805は、共振領域(共振器スペーサー層804,806および活性層805)内における中央部に位置し、かつ、発振光の定在波分布における腹に対応する位置に設けられる。
反射層803,807は、低屈折率層8032側がそれぞれ共振器スペーサー層804,806に接するように構成されており、低屈折率層8032と共振器スペーサー層804,806との界面(実施の形態5においては組成傾斜層8033)が発振光の定在波分布における腹となっている。
また、実施の形態1と同じように、高屈折率層8031と低屈折率層8032との間の組成傾斜膜8033が配置された位置では、腹と節とが交互に現れる。
選択酸化層808は、共振領域(=共振器スペーサー層804,806および活性層805)から3周期目の低屈折率層8032中に設けられる。より具体的には、選択酸化層808は、発振光の電界の定在波分布における3周期目の節に対応する位置に設けられる。選択酸化層808が設けられた低屈折率層8032の厚さは、低屈折率層8032の一方側に接する組成傾斜層8033の中央部から低屈折率層8032の他方側に接する組成傾斜層8033の中央部までの領域(図2に示す膜厚d2の領域)における発振光の位相変化量が3π/2になるように設定される。そして、選択酸化層808は、活性層805へ注入する電流を制限する電流狭窄層として機能する。
選択酸化層814は、共振領域(=共振器スペーサー層804,806および活性層805)から18周期目の低屈折率層8032中に設けられる。より具体的には、選択酸化層814は、発振光の電界の定在波分布における18周期目の節に対応する位置から、活性層805と反対側となる方向に発振光の位相変化量がπ/5となる距離(低屈折率層8032の屈折率をnとしてλ/10nとなる距離)だけずらせた位置に設けられる。選択酸化層814が設けられた低屈折率層8032の厚さは、選択酸化層808が設けられた低屈折率層8032の厚さと同じ厚さに設定される。そして、選択酸化層814は、実施の形態1における選択酸化層108と同じように、発振光の高次横モードを抑制する抑制層として機能する。
このように、面発光レーザ素子800においては、2つの選択酸化層808,814が設けられ、高次横モードを抑制する抑制層として機能する選択酸化層814は、電流狭窄層として機能する選択酸化層808よりも活性層805から遠い位置に設けられる。
面発光レーザ素子800においては、コンタクト層809は、反射層807において、活性層805から4周期目の高屈折率層8031中に設けられる。そして、コンタクト層809、エッチングストップ層810および高屈折率層8031からなる領域の発振光に対する位相変化量が3π/2となるように、コンタクト層809、エッチングストップ層810および高屈折率層8031が形成される。
図37から図40は、それぞれ、図35に示す面発光レーザ素子800の作製方法を説明する第1から第4の工程図である。図37を参照して、一連の動作が開始されると、MOCVD法を用いて、バッファ層802、反射層803、共振器スペーサー層804、活性層805、共振器スペーサー層806、反射層807、選択酸化層808、コンタクト層809、エッチングストップ層810および選択酸化層814を基板801上に順次積層する(図37の工程(a2)参照)。
この場合、バッファ層802のn−GaAsをトリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)およびセレン化水素(H2Se)を原料として形成し、反射層803のn−Al0.9Ga0.1Asおよびn−GaAsをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)およびセレン化水素(H2Se)を原料として形成する。
また、共振器スペーサー層804のノンドープAl0.2Ga0.8Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成し、活性層805のInGaAs/GaAsをトリメチルインジウム(TMI)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成する。
さらに、共振器スペーサー層806のノンドープAl0.2Ga0.8Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成し、反射層807のp−Al0.9Ga0.1As/GaAsをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成する。
さらに、選択酸化層808のp−AlAsをトリメチルアルミニウム(TMA)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成し、コンタクト層809のp−GaAsをトリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成する。
さらに、エッチングストップ層810のp−GaInPをトリメチルガリウム(TMG)、トリメチルインジウム(TMI)、ホスフィン(PH3)およびシクロジフェニルマグネシウム(CPMg2)を原料として形成する。
さらに、選択酸化層814のp−AlGaAsをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成する。
その後、反射層807の上にレジストを塗布し、写真製版技術を用いて、反射層807上にレジストパターン120を形成する(図37の工程(b2)参照)。この場合、レジストパターン120は、1辺が20μmである正方形の形状を有する。
レジストパターン120を形成すると、その形成したレジストパターン120をマスクとして用いて、反射層807および選択酸化層814の周辺部をドライエッチングによって除去する。この場合、エッチングは、エッチング深さがエッチングストップ層810に達する前に停止される。そして、その後、硫酸系のエッチャント(H2SO4+H2+H2O)を用いてエッチングストップ層810までの各層をウエットエッチングにより除去する。エッチング後、レジストパターン120を除去すると、選択酸化層814の端面が露出した1段目のメサ構造体が形成される(図37の(c2)参照)。
引き続いて、図38を参照して、1段目のメサ構造体が形成されると、その形成されたメサ構造体およびエッチングストップ層810の上にレジストを塗布し、写真製版技術を用いて、メサ構造体およびエッチングストップ層810上にレジストパターン140を形成する(図38の工程(d2)参照)。この場合、レジストパターン140は、1辺が50μmである正方形の形状を有する。
レジストパターン140を形成すると、その形成したレジストパターン140をマスクとして用いて、エッチングストップ層810、コンタクト層809、反射層807、選択酸化層808、共振器スペーサー層806、活性層805および共振器スペーサー層804の周辺部と、反射層803の一部とをドライエッチングにより除去し、さらに、レジストパターン140を除去する(図38の工程(e2)参照)。これによって、2段目のメサ構造体が形成される。
その後、85℃に加熱した水を窒素ガスでバブリングした雰囲気中において、試料を425℃に加熱して、選択酸化層808,814の周囲を外周部から中央部に向けて酸化し、選択酸化層808中に非酸化領域808aと酸化領域808bとを形成し、選択酸化層814中に非酸化領域814aと酸化領域814bとを形成する(図38の工程(f2)参照)。この場合、選択酸化層808を構成するp−AlAsと、選択酸化層814を構成するp−AlGaAsとのAl組成を調整することにより、1辺が6μmである正方形からなる非酸化領域808aと、1辺が5μmである正方形からなる非酸化領域814aとを同時に形成できる。
図39を参照して、非酸化領域808a,814aと酸化領域808b,814bとを形成した後、CVD法を用いて、試料の全面にSiO2層811を形成し、写真製版技術を用いて光出射部となる領域およびその周辺領域のSiO2層811を除去する。その後、試料の全体に絶縁性樹脂812をスピンコートにより塗布し、光出射部となる領域上の絶縁性樹脂812を除去する(図39の工程(g2)参照)。
引き続いて、絶縁性樹脂812をマスクとして2段目のメサ構造体の最表面層となっているエッチングストップ層810の一部を塩酸系のエッチャント(HCl+H2O)によりエッチングする(図39の工程(h2)参照)。
図40を参照して、エッチングストップ層810の一部を除去した後、光出射部となる領域上にレジストパターンを形成し、試料の全面にp側電極材料を蒸着により形成し、レジストパターン上のp側電極材料をリフトオフにより除去してp側電極813を形成する(図40の工程(i2)参照)。そして、基板801の裏面を研磨し、基板801の裏面にn側電極815を形成し、さらに、アニールしてp側電極813およびn側電極815のオーミック導通を取る(図40の工程(j2)参照)。これによって、面発光レーザ素子800が作製される。
面発光レーザ素子800においては、キャリアは、コンタクト809から選択酸化層808の非酸化領域808aを通って活性層805へ注入され、選択酸化層814の非酸化領域814aを通って活性層805へ注入されることはない。したがって、面発光レーザ素子800においては、キャリアが2つの選択酸化層の非酸化領域を通って活性層へ注入される場合よりも素子抵抗が低くなる。その結果、面発光レーザ素子800における発熱が低く抑えられ、熱による出力の飽和点も向上でき、高出力な発振光を得ることができる。
また、面発光レーザ素子800においては、電流狭窄層として機能する選択酸化層808が共振領域(=共振器スペーサー層804,806および活性層805)から3周期目の低屈折率層8032中に設けられるので、閾値電流が低く保たれ、回折損失が低く(スロープ効率が高く)、高出力な単一基本モード発振を得ることができる。
なお、上記においては、電流狭窄層は、選択酸化層808からなると説明したが、この発明においては、これに限らず、電流狭窄層は、実施の形態4において説明した高抵抗領域708a,708bにより構成されていてもよい。
面発光レーザ素子800は、図22に示す面発光レーザアレイ300Aに用いられる。また、面発光レーザ素子800および面発光レーザ素子800を用いた面発光レーザアレイ300Aは、図23に示す電子写真システム400Aおよび図24に示す光通信システム500Aに用いられる。
[実施の形態6]
図41は、実施の形態6による面発光レーザ素子の概略断面図である。図41を参照して、実施の形態6による面発光レーザ素子900は、基板901と、バッファ層902と、反射層903,907と、共振器スペーサー層904,906と、活性層905と、選択酸化層908,909と、コンタクト層910と、SiO2層911と、絶縁性樹脂912と、n側電極913と、p側電極914とを備える。なお、面発光レーザ素子900は、780nm帯の面発光レーザ素子である。
基板901は、p−GaAsからなる。バッファ層902は、p−GaAsからなり、基板901の一主面に形成される。反射層903は、p−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7Asの対を一周期とした場合、41.5周期の[p−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As]からなり、バッファ層902上に形成される。
共振器スペーサー層904は、ノンドープAl0.6Ga0.4Asからなり、反射層903上に形成される。活性層905は、AlGaAs/Al0.6Ga0.4Asの対を一周期とした場合、3周期の[AlGaAs/Al0.6Ga0.4As]からなる多重量子井戸構造を有し、共振器スペーサー層904上に形成される。
共振器スペーサー層906は、ノンドープAl0.4Ga0.6Asからなり、活性層905上に形成される。反射層907は、n−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7Asの対を一周期とした場合、24周期の[n−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As]からなり、共振器スペーサー層906上に形成される。
選択酸化層908は、p−AlGaAsからなり、反射層903中に設けられる。そして、選択酸化層908は、非酸化領域908aと酸化領域908bとからなり、20nmの膜厚を有する。選択酸化層909は、n−AlAsからなり、反射層907中に設けられる。そして、選択酸化層909は、非酸化領域909aと酸化領域909bとからなり、20nmの膜厚を有する。非酸化領域908aは、一辺が5μmである略正方形からなり、非酸化領域909aは、一辺が4μmである略正方形からなる。そして、選択酸化層909は、選択酸化層908よりも活性層905から遠い位置に配置される。
コンタクト層910は、n−GaAsからなり、反射層907上に形成される。SiO2層911は、反射層903の一部の一主面と、共振器スペーサー層904、活性層905、共振器スペーサー層906、反射層907、選択酸化層908,909およびコンタクト層910の端面とを覆うように形成される。
絶縁性樹脂912は、SiO2層911に接して形成される。n側電極913は、コンタクト層910の一部および絶縁性樹脂912上に形成される。この場合、n側電極913が形成されていない開口部は、一辺が8μmである略正方形からなる。p側電極914は、基板901の裏面に形成される。
そして、反射層903,907の各々は、活性層905で発振した発振光をブラッグの多重反射により反射して活性層905に閉じ込める半導体分布ブラッグ反射器を構成する。
図42は、図41に示す面発光レーザ素子900の共振領域の近傍を示す図である。なお、図42においては、面発光レーザ素子900の発振状態における発振光の電界の強度分布も模式的に示している。
図42を参照して、反射層903,907の各々は、高屈折率層9031と、低屈折率層9032と、組成傾斜層9033とを含む。反射層903において、高屈折率層9031は、p−Al0.3Ga0.7Asからなり、低屈折率層9032は、p−Al0.9Ga0.1Asからなり、組成傾斜層9033は、高屈折率層9031および低屈折率層9032の一方の組成から他方の組成へ向かって組成を変化させたp−AlGaAsからなる。
また、反射層907において、高屈折率層9031は、n−Al0.3Ga0.7Asからなり、低屈折率層9032は、n−Al0.9Ga0.1Asからなり、組成傾斜層9033は、低屈折率層9031および高屈折率層9032の一方の組成から他方の組成へ向かって組成を変化させたn−AlGaAsからなる。
面発光レーザ素子900の共振領域は、共振器スペーサー層904,906と、活性層905とから構成される領域と定義される。共振器スペーサー層904,906と、活性層905とからなる共振領域は、これらの半導体層中における発振光の位相変化量が2πとなるように設けられており、一波長共振器構造を形成する。
また、誘導放出確率を高めるために、活性層905は、共振領域(共振器スペーサー層904,906および活性層905)内における中央部に位置し、かつ、発振光の定在波分布における腹に対応する位置に設けられる。
反射層903,907は、低屈折率層9032側がそれぞれ共振器スペーサー層904,906に接するように構成されており、低屈折率層9032と共振器スペーサー層904,906との界面(実施の形態6においては組成傾斜層9033)が発振光の定在波分布における腹となっている。
また、実施の形態1と同じように、高屈折率層9031と低屈折率層9032との間の組成傾斜膜9033が配置された位置では、腹と節とが交互に現れる。
選択酸化層908は、共振領域(=共振器スペーサー層904,906および活性層905)から2周期目の低屈折率層9032(p−Al0.9Ga0.1As)中に設けられる。より具体的には、選択酸化層908は、発振光の電界の定在波分布における2周期目の節に対応する位置に設けられる。選択酸化層908が設けられた低屈折率層9032の厚さは、低屈折率層9032の一方側に接する組成傾斜層9033の中央部から低屈折率層9032の他方側に接する組成傾斜層9033の中央部までの領域(図2に示す膜厚d2の領域)における発振光の位相変化量が3π/2になるように設定される。そして、選択酸化層908は、活性層905へ注入する電流を制限する電流狭窄層として機能する。
選択酸化層909は、共振領域(=共振器スペーサー層904,906および活性層905)から20周期目の低屈折率層9032中に設けられる。より具体的には、選択酸化層909は、発振光の電界の定在波分布における20周期目の節に対応する位置から、活性層905と反対側となる方向に発振光の位相変化量がπ/4となる距離(低屈折率層9032の屈折率をnとしてλ/8nとなる距離)だけずらせた位置に設けられる。選択酸化層909が設けられた低屈折率層9032の厚さは、選択酸化層908が設けられた低屈折率層9032の厚さと同じ厚さに設定される。そして、選択酸化層909は、実施の形態1における選択酸化層108と同じように、発振光の高次横モードを抑制する抑制層として機能する。
このように、面発光レーザ素子900においては、2つの選択酸化層908,909が設けられ、電流狭窄層として機能する選択酸化層908は、活性層905よりも基板901側に設けられた反射層903中に配置され、高次横モードを抑制する抑制層として機能する選択酸化層909は、活性層905に対して基板901と反対側に設けられた反射層907中に配置される。すなわち、選択酸化層908,909は、活性層905に対して互いに反対側に配置される。
また、面発光レーザ素子900においても、高次横モードを抑制する抑制層として機能する選択酸化層909は、電流狭窄層として機能する選択酸化層908よりも活性層905から遠い位置に設けられる。
図43、図44および図45は、それぞれ、図41に示す面発光レーザ素子900の作製方法を示す第1から第3の工程図である。図43を参照して、一連の動作が開始されると、MOCVD法を用いて、バッファ層902、反射層903、選択酸化層908、共振器スペーサー層904、活性層905、共振器スペーサー層906、反射層907、選択酸化層909、およびコンタクト層910を基板901上に順次積層する(図43の工程(a3)参照)。
この場合、バッファ層902のp−GaAsをトリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成し、反射層903のp−Al0.9Ga0.1Asおよびp−Al0.3Ga0.7Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成する。
また、共振器スペーサー層904のノンドープAl0.6Ga0.4Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成し、活性層105のAlGaAs/Al0.6Ga0.4Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成する。
さらに、共振器スペーサー層906のノンドープAl0.6Ga0.4Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成し、反射層907のn−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)およびセレン化水素(H2Se)を原料として形成する。
さらに、選択酸化層908のp−AlGaAsをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成し、選択酸化層909のn−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7Asのn−Al0.9Ga0.1Asおよびn−Al0.3Ga0.7Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)およびセレン化水素(H2Se)を原料として形成する。
コンタクト層910のn−GaAsをトリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)およびセレン化水素(H2Se)を原料として形成する。
その後、コンタクト層910の上にレジストを塗布し、写真製版技術を用いて、コンタクト層910上にレジストパターン120を形成する(図43の工程(b3)参照)。この場合、レジストパターン120は、1辺が20μmである正方形の形状を有する。
レジストパターン120を形成すると、その形成したレジストパターン120をマスクとして用いて、反射層903の一部と、共振器スペーサー層904、活性層905、共振器スペーサー層906、反射層907、選択酸化層908,909およびコンタクト層910の周辺部とをドライエッチングにより除去し、さらに、レジストパターン120を除去する(図43の工程(c3)参照)。
次に、図44を参照して、図43に示す工程(c3)の後、85℃に加熱した水を窒素ガスでバブリングした雰囲気中において、試料を425℃に加熱して、選択酸化層908,909の周囲を外周部から中央部に向けて酸化し、選択酸化層908中に非酸化領域908aと酸化領域908bとを形成し、選択酸化層909中に非酸化領域909aと酸化領域909bとを形成する(図44の工程(d3)参照)。
この場合、選択酸化層908を構成するp−AlGaAsと、選択酸化層909を構成するn−AlAsとのAl組成を調整することにより、1辺が5μmである正方形からなる非酸化領域908aと、1辺が4μmである正方形からなる非酸化領域909aとを同時に形成できる。
その後、CVD法を用いて、試料の全面にSiO2層911を形成し、写真製版技術を用いて光出射部となる領域およびその周辺領域のSiO2層911を除去する(図44の工程(e3)参照)。
次に、試料の全体に絶縁性樹脂912をスピンコートにより塗布し、光出射部となる領域上の絶縁性樹脂912を除去する(図44の工程(f3)参照)。
図45を参照して、絶縁性樹脂912を形成した後、光出射部となる領域上に1辺が8μmであるレジストパターンを形成し、試料の全面にn側電極材料を蒸着により形成し、レジストパターン上のn側電極材料をリフトオフにより除去してn側電極913を形成する(図45の工程(g3)参照)。そして、基板901の裏面を研磨し、基板901の裏面にp側電極914を形成し、さらに、アニールしてn側電極913およびp側電極914のオーミック導通を取る(図45の工程(h3)参照)。これによって、面発光レーザ素子900が作製される。
面発光レーザ素子900においては、高次横モードを抑制する抑制層(=選択酸化層909をn型の半導体(n−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As)からなる反射層907中に設け、活性層905へ注入する電流を制限する電流狭窄層(=選択酸化層908)をp型の半導体(p−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As)からなる反射層903中に設ける構成が採用されている。
移動度が低い正孔の方が電子よりも再拡散し難くなるため、電流狭窄層によるキャリアの狭窄効率は高くなることが一般に知られている。したがって、電流狭窄層をp型の半導体からなる反射層中に設けることが好適である。しかし、移動度が低いことに起因して、正孔が多数キャリアとなるp型半導体は高抵抗になるという問題がある。また、高次横モードを抑制する抑制層は、発振光に対して作用を及ぼすものであり、活性層905の両側に配置された反射層903,907のいずれに設けても同じ作用・効果を得ることができる。
そこで、実施の形態6による面発光レーザ素子900においては、p型の半導体(p−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As)からなる反射層903に電流狭窄層として機能する選択酸化層908を設け、高次横モードを抑制する抑制層として機能する選択酸化層909をn型の半導体(n−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As)からなる反射層907に設けることにより、2つの選択酸化層を1つの反射層中に設けた場合の抵抗の増加を抑制することにしたものである。
このように、面発光レーザ素子900においては、p型の半導体(p−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As)からなる反射層903に、1つの選択酸化層908を設けたので、低い素子抵抗を得ることができる。また、閾値電流が低く保たれ、回折損失が小さく(=スロープ効率が高く)、高出力な単一基本モード発振を実現できる。
面発光レーザ素子900は、図17に示す面発光レーザアレイ300に用いられる。また、面発光レーザ素子900および面発光レーザ素子900を用いた面発光レーザアレイ300は、図18に示す電子写真システム400および図19に示す光通信システム500に用いられる。
[実施の形態7]
図46は、実施の形態7による面発光レーザ素子の概略断面図である。図46を参照して、実施の形態7による面発光レーザ素子1000は、基板1001と、バッファ層1002と、反射層1003,1007,1020と、共振器スペーサー層1004,1006と、活性層1005と、選択酸化層1008と、コンタクト層1009と、SiO2層1011と、絶縁性樹脂1012と、p側電極1013と、抑制層1017と、n側電極1018とを備える。なお、面発光レーザ素子1000は、780nm帯の面発光レーザ素子である。
基板1001は、n−GaAsからなる。バッファ層1002は、n−GaAsからなり、基板1001の一主面に形成される。反射層1003は、n−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7Asの対を一周期とした場合、40.5周期の[n−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As]からなり、バッファ層1002上に形成される。
共振器スペーサー層1004は、ノンドープAl0.6Ga0.4Asからなり、反射層1003上に形成される。活性層1005は、Al0.15Ga0.85As/Al0.6Ga0.4Asを一対とした多重量子井戸構造を有し、共振器スペーサー層1004上に形成される。
共振器スペーサー層1006は、ノンドープAl0.6Ga0.4Asからなり、活性層1005上に形成される。反射層1007は、p−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7Asの対を一周期とした場合、26周期の[p−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As]からなり、共振器スペーサー層1006上に形成される。
選択酸化層1008は、膜厚20nmのp−AlAsからなり、反射層1007中に設けられる。そして、選択酸化層1008は、非酸化領域1008aと酸化領域1008bとからなる。この場合、非酸化領域1008aは、一辺が6μmである正方形からなる。
コンタクト層1009は、20nmの膜厚を有するp−GaAsからなり、反射層1007上に形成される。SiO2層1011は、反射層1003の一部の一主面と、共振器スペーサー層1004、活性層1005、共振器スペーサー層1006、反射層1007および選択酸化層1008の端面と、コンタクト層1009の一部とを覆うように形成される。
絶縁性樹脂1012は、SiO2層1011に接して形成される。p側電極1013は、コンタクト層1009の一部および絶縁性樹脂1012上に形成される。
反射層1020は、低屈折率層1014と、高屈折率層1015とからなる。低屈折率層1014は、たとえば、SiO2からなり、高屈折率層1015は、たとえば、TiOxからなる。そして、SiO2は、1.6の屈折率nを有し、TiOxは、3.0の屈折率を有する。
抑制層1017は、反射層1020の高屈折率層1015中に設けられる。そして、抑制層1017は、20nmのSiO2からなり、その中央部に開口部1017aを有する。この開口部1017aは、一辺が4μmである正方形からなる。
このように、選択酸化層1008の非酸化領域1008aは、抑制層1017の開口部1017aよりも大きい面積を有する。n側電極1018は、基板801の裏面に形成される。
そして、反射層1003,1007,1020の各々は、活性層1005で発振した発振光をブラッグの多重反射により反射して活性層1005に閉じ込める半導体分布ブラッグ反射器を構成する。
図47は、図46に示す面発光レーザ素子1000の共振領域の近傍を示す図である。なお、図47においては、面発光レーザ素子1000の発振状態における発振光の電界の強度分布も模式的に示している。
図47を参照して、反射層1003,1007の各々は、高屈折率層1031と、低屈折率層1032と、組成傾斜層1033とを含む。反射層1003において、高屈折率層1031は、n−Al0.3Ga0.7Asからなり、低屈折率層1032は、n−Al0.9Ga0.1Asからなり、組成傾斜層1033は、低屈折率層1031および高屈折率層1032の一方の組成から他方の組成へ向かって組成を変化させたn−AlGaAsからなる。
また、反射層1007において、高屈折率層1031は、p−Al0.3Ga0.7Asからなり、低屈折率層1032は、p−Al0.9Ga0.1Asからなり、組成傾斜層1033は、低屈折率層1031および高屈折率層1032の一方の組成から他方の組成へ向かって組成を変化させたp−AlGaAsからなる。
面発光レーザ素子1000の共振領域は、共振器スペーサー層1004,1006と、活性層1005とから構成される領域と定義される。共振器スペーサー層1004,1006と、活性層1005とからなる共振領域は、これらの半導体層中における発振光の位相変化量が2πとなるように設けられており、一波長共振器構造を形成する。
また、誘導放出確率を高めるために、活性層1005は、共振領域(共振器スペーサー層1004,1006および活性層1005)内における中央部に位置し、かつ、発振光の定在波分布における腹に対応する位置に設けられる。
反射層1003,1007は、低屈折率層1032側がそれぞれ共振器スペーサー層1004,1006に接するように構成されており、低屈折率層1032と共振器スペーサー層1004,1006との界面(実施の形態7においては組成傾斜層1033)が発振光の定在波分布における腹となっている。
また、実施の形態1と同じように、高屈折率層1031と低屈折率層1032との間の組成傾斜膜1033が配置された位置では、腹と節とが交互に現れる。
選択酸化層1008は、共振領域(=共振器スペーサー層1004,1006および活性層1005)から4周期目の低屈折率層1032中に設けられる。選択酸化層1008が設けられた低屈折率層1032の厚さは、低屈折率層1032の一方側に接する組成傾斜層1033の中央部から低屈折率層1032の他方側に接する組成傾斜層1033の中央部までの領域(図2に示す膜厚d2の領域)における発振光の位相変化量が3π/2になるように設定される。このように、反射層1007中の構成層における位相変化量がπ/2の奇数倍となる場合には、多重反射の位相条件を同様に満たすことができる。そして、選択酸化層1008は、活性層1005へ注入する電流を制限する電流狭窄層として機能する。
反射層1020の低屈折率層1014は、λ/4n(nは、SiO2の屈折率)の膜厚を有し、高屈折率層1015は、3λ/8n(nは、TiOxの屈折率)の膜厚を有する。なお、高屈折率層1015は、λ/4の奇数倍の膜厚を有していればよい。
抑制層1017は、反射層1020の高屈折率層1015中に設けられる。より具体的には、抑制層1017は、高屈折率層1015中において、発振光の定在波分布の節の位置から発振光の位相に換算してπ/4(厚さにしてλ/8n(nは、TiOxの屈折率))だけ変位させた位置に設けられる。このように抑制層1017を配置することによって、抑制層1017は、高次横モードを抑制することができる。
このように、面発光レーザ素子1000においては、p型半導体からなる反射層1007および誘電体からなる反射層1020が活性層1005に対して基板1001と反対側に設けられ、選択酸化層1008は、反射層1007中に配置され、抑制層1017は、反射層1020中に配置される。そして、抑制層1017は、反射層1020の積層方向において接する誘電体(=高屈折率層1015)と異なる屈折率を有する。
図48から図51は、それぞれ、図46に示す面発光レーザ素子1000の作製方法を説明する第1から第4の工程図である。図48を参照して、一連の動作が開始されると、MOCVD法を用いて、バッファ層1002、反射層1003、共振器スペーサー層1004、活性層1005、共振器スペーサー層1006、反射層1007、選択酸化層1008およびコンタクト層1009を基板1001上に順次積層する(図48の工程(a4)参照)。
この場合、バッファ層1002のn−GaAsをトリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)およびセレン化水素(H2Se)を原料として形成し、反射層1003のn−Al0.9Ga0.1Asおよびn−Al0.3Ga0.7Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)およびセレン化水素(H2Se)を原料として形成する。
また、共振器スペーサー層1004のノンドープAl0.6Ga0.4Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成し、活性層1005のAl0.15Ga0.85As/Al0.6Ga0.4Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成する。
さらに、共振器スペーサー層1006のノンドープAl0.6Ga0.4Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)およびアルシン(AsH3)を原料として形成し、反射層1007のp−Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7Asをトリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成する。
さらに、選択酸化層1008のp−AlAsをトリメチルアルミニウム(TMA)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成し、コンタクト層1009のp−GaAsをトリメチルガリウム(TMG)、アルシン(AsH3)および四臭化炭素(CBr4)を原料として形成する。
その後、コンタクト層1009の上にレジストを塗布し、写真製版技術を用いて、コンタクト層1009上にレジストパターン120を形成する(図48の工程(b4)参照)。この場合、レジストパターン120は、1辺が20μmである正方形の形状を有する。
レジストパターン120を形成すると、その形成したレジストパターン120をマスクとして用いて、コンタクト層1009、選択酸化層1008、反射層1007、共振器スペーサー層1006、活性層1005、共振器スペーサー層1004、および反射層1003の一部の周辺部をドライエッチングによって除去する。エッチング後、レジストパターン120を除去すると、選択酸化層1008の端面が露出したメサ構造体が形成される。
その後、85℃に加熱した水を窒素ガスでバブリングした雰囲気中において、試料を425℃に加熱して、選択酸化層1008の周囲を外周部から中央部に向けて酸化し、選択酸化層1008中に非酸化領域1008aと酸化領域1008bとを形成する(図48の(c4)参照)。
図49を参照して、非酸化領域1008aと酸化領域1008bとを形成した後、CVD法を用いて、試料の全面にSiO2層1011を形成し、写真製版技術を用いて光出射部となる領域およびその周辺領域のSiO2層1011を除去する。その後、試料の全体に絶縁性樹脂1012をスピンコートにより塗布し、光出射部となる領域上の絶縁性樹脂1012を除去する(図49の工程(d4)参照)。
引き続いて、光出射部となる領域上に8μm角のレジストパターンを形成し、試料の全面にp側電極材料を蒸着により形成し、レジストパターン上のp側電極材料をリフトオフにより除去してp側電極1013を形成する。そして、基板1001の裏面を研磨し、基板1001の裏面にn側電極1018を形成し、さらに、アニールしてp側電極1013およびn側電極1018のオーミック導通を取る(図49の工程(e4)参照)。
その後、電子ビーム蒸着によって、SiO2からなる低屈折率層1014およびTiOxからなる高屈折率層1015を、順次、試料の全面に形成する(図49の(f4)参照)。
図50を参照して、低屈折率層1014および高屈折率層1015を形成した後、電子ビーム蒸着によって、20nmのSiO2層1030を試料の全面に形成する(図50の(g4)参照)。その後、4μm角の開口部を有するレジストパターンをSiO2層1030上に形成し、開口部の領域のSiO2層1030をバッファード弗酸(BHF)によって除去する。TiOxは、バッファード弗酸(BHF)によって侵食されないので、開口部の領域のSiO2層1030のみを除去できる。これによって、抑制層1017が形成される(図50の(h4)参照)。
図51を参照して、抑制層1017を形成した後、電子ビーム蒸着によってTiOxからなる高屈折率層1015を抑制層1017上に形成する。これによって、面発光レーザ素子1000が完成する(図51の(i4)参照)。
面発光レーザ素子1000においては、p型半導体からなる反射層1007および誘電体(SiO2およびTiOx)からなる反射層1020が活性層1005に対して基板1001と反対側に設けられる。そして、活性層1005へ注入する電流を制限する選択酸化層1008が反射層1007中に設けられ、高次横モードを抑制する抑制層1017が反射層1020中に設けられる。その結果、選択酸化層1008は、横モード特性を考慮して設ける必要がない。したがって、活性層1005へ電流を注入するときの電気抵抗および発振閾値を低減するように選択酸化層1008を形成することができる。
特に、従来の面発光レーザ素子においては、単一基本横モード発振を得るために、高抵抗になる問題があったが、面発光レーザ素子1000では、上述したように、導通領域の面積を広く設定でき、単一基本横モード発振を保ったまま、抵抗を容易に低減できる。
図52は、図46に示す面発光レーザ素子1000の共振領域の近傍を示す他の図である。面発光レーザ素子1000は、反射層1020に代えて反射層1020Aを備えていてもよい。反射層1020Aは、反射層1020の高屈折率層1015を高屈折率層1015Aに代えたものであり、その他は、反射層1020と同じである。
高屈折率層1015Aは、TiOxからなり、λ/4n(nは、TiOxの屈折率)の膜厚を有する。そして、抑制層1017は、発振光の定在波分布の節の位置から、活性層1005と反対側に発振光の位相変化がπ/4となる距離だけずらせて配置される。
抑制層1017を高屈折率層1015A中に配置する場合、低屈折率層1014上にλ/10n(nは、TiOxの屈折率)の膜厚を有するTiOxを電子ビーム蒸着によって形成し、その後、20nmのSiO2層を電子ビーム蒸着によって形成し、20nmのSiO2層のうち、中央部の4.5μm角の大きさを有する領域をバッファード弗酸(BHF)によって除去して開口部1017aを作成する。そして、3λ/20n(nは、TiOxの屈折率)の膜厚を有するTiOxを電子ビーム蒸着によって形成する。これによって、λ/4n(nは、TiOxの屈折率)の膜厚を有する高屈折率層1015Aが形成される。
上記においては、抑制層1017の開口部1017aの大きさは、選択酸化層1008の非酸化領域1008aの大きさよりも小さい4μmであると説明したが、この発明においては、これに限らず、抑制層1017の開口部1017aの大きさは、選択酸化層1008の非酸化領域1008aの大きさより大きくしてもよい。
また、面発光レーザ素子1000においては、p側電極1013は、好ましくは、選択酸化層1008の酸化領域1008bの面積と同じ大きさを有する。すなわち、p側電極1013は、酸化領域1008bに対応する位置に設けられる。
さらに、抑制層1017は、発振光の定在波分布の節の位置から、活性層1005と反対側に発振光の位相変化がπ/4となる距離だけずらせて配置されたが、この発明においては、これに限らず、抑制層1017は、発振光の定在波分布の節の位置と、活性層1005と反対側に隣接する腹の位置との間であれば、任意の位置に設けられる。
さらに、上記においては、電流狭窄層は、選択酸化層1008からなると説明したが、この発明においては、これに限らず、電流狭窄層は、実施の形態4において説明した高抵抗領域708a,708bにより構成されていてもよい。
さらに、上記においては、反射層1020は、SiO2およびTiOxからなると説明したが、実施の形態7においては、これに限らず、エッチング耐性が大きく異なる2つの誘電体であれば、SiO2およびTiOx以外の誘電体からなっていてもよい。
面発光レーザ素子1000は、図22に示す面発光レーザアレイ300Aに用いられる。また、面発光レーザ素子1000および面発光レーザ素子1000を用いた面発光レーザアレイ300Aは、図23に示す電子写真システム400Aおよび図24に示す光通信システム500Aに用いられる。
実施の形態7においては、反射層1007は、「第1の反射層」を構成し、反射層1020は、「第2の反射層」を構成する。
さらに、上記においては、面発光レーザ素子100,200,600,700,800,900,1000を構成する各半導体層の形成方法としてMOCVD法を用いると説明したが、この発明においては、これに限らず、分子線結晶成長法(MBE:Molecular Beam Epitaxy)等のその他の結晶成長法を用いてもよい。
さらに、面発光レーザ素子100,200,600,700,800,900,1000の発振波長は、780nmおよび980nm以外の波長であってもよい。たとえば、AlGaInP系材料を活性層105,205,605,705,805,905,1005に用いることによって、680nm帯よりも短波長の発光を得ることができる。また、AlGaAs系材料を活性層105,205,605,705,805,905,1005に用いることによって、780nm帯の他に850nm帯の発光を得ることができる。さらに、GaInNAsSb系材料を活性層105,205,605,705,805,905,1005に用いることによって、1.1μm帯よりも長波長帯の発光を得ることができる。この場合、各波長帯に応じて、反射層103,107;203,207;603,607;703,707;803,807;903,907,1007の材料および積層周期数を適切に選択することにより、高次横モード発振を抑制し、ほぼピーク出力まで単一基本横モード発振が可能な面発光レーザ素子を作製することができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。