JP3857283B2 - 面発光レーザ作製用酸化装置 - Google Patents
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Description
最初にAlAsの酸化容易性に着眼したのは、非特許文献1である。
基板の周りに存在する水蒸気を除去するために、水蒸気供給を停止し、窒素ガスをチャンバに吹き込んでより急速に酸化を停止させることができる。
酸化炉チャンバ8は、酸化雰囲気を形成するためのチャンバでありSUSなどで作られる。酸化炉チャンバ8の内部には抵抗加熱ヒータ9を内蔵した加熱ステージ7が設けられる。
2 ランプヒータ
3 石英管酸化炉
4 水蒸気
5 GaAs基板
6 基板ホルダー
7 加熱ステージ
8 酸化炉チャンバ
9 抵抗加熱ヒータ
20 水蒸気導入管
21、22 配管
23、24 バルブ
25、26 配管
27 ノズル
28 水蒸気
30 パージガス導入系
31 配管
32 バルブ
33 配管
34 ノズル
35 排気口
36 ピン
37 穴
38 拡大穴
39 ピン頭部
40 凹部
41 配管系
42 窪部
43 コンダクタンスバルブ
44 真空ポンプ遮断バルブ
45 真空ポンプ
46 開放バルブ
47 ピン伸縮機構
48 パージガス
49 配管
50 配管系
52 圧力計
53 バラストバルブ
54 マスフローコントローラ
59 マスフローコントローラ
60 気化器
61、62 配管
63、64 バルブ
65、66 配管
67 ノズル
68 チャンバ
69 サセプタ
70 回転軸
72 排気口
73 ロータリポンプ
74 バルブ
76 水蒸気トラップ
80 n型GaAs基板
82 n−Al0.8Ga0.2As/GaAs井戸層/障壁層
83 Al0.2Ga0.8Asスペーサ層
84 In0.2Ga0.8As/GaAs層
85 Al0.2Ga0.8Asスペーサ層
86 AlAs層
87 AlxOy
88 p−Al0.8Ga0.2As/GaAs井戸層/障壁層
90 p電極
92 n電極
93 基準面
94 メサ
Claims (3)
- 面発光レーザを作製するために、GaAs、InGaAs、AlGaAs、AlAs層をエピタキシャル成長しメサ型にエッチングして素子部分の側面を露呈させさたGaAs基板を側面からAlAs膜だけを酸化して中心部にAlAsを一部残し周辺部を酸化するための酸化装置であって、酸化炉チャンバと、チャンバ内に設けられ抵抗加熱ヒータを有する加熱ステージと、基板を保持し加熱ステージの上に戴置するカーボン或いはAlN製の基板ホルダーと、基板ホルダーの戴置位置の下に加熱ステージを貫いて上下動可能に設けられ基板ホルダーを押し上げることができる3本以上のピンと、チャンバに水蒸気含有ガスを供給する水蒸気供給装置と、基板ホルダーをピンによって押し上げた位置において基板に水蒸気除去/冷却ガスを吹き付けるパージガス供給系と、チャンバ内部の圧力を制御する圧力制御装置とを含む事を特徴とする面発光レーザ作製用酸化装置。
- 酸化終了時には、ヒータ加熱および水蒸気含有ガス供給を停止し、ピンによって基板ホルダーを押し上げ、加熱ステージから基板ホルダーを切り離し、水蒸気除去/冷却ガスを基板に吹き付け水蒸気を除去し基板を冷却し酸化進行を急停止するようにした事を特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ作製用酸化装置。
- 酸化膜の酸化距離制御をより安定化させるため、酸化炉内を圧力調整し、減圧、大気圧、または加圧状態で酸化するようにした事を特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ作製用酸化装置。
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