TW201607190A - 垂直共振腔面射型雷射之製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 84
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 42
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 42
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 14
- 239000008213 purified water Substances 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 21
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000008236 heating water Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
在藉由加熱水蒸氣氧化之方法形成電流狹窄層時，相較於以往使基板內之氧化分布均勻化。
在垂直共振腔面射型雷射之製造方法，藉由加工包含被氧化層之積層體使被氧化層之側面露出後，藉由加熱水蒸氣氧化步驟形成電流狹窄層。加熱水蒸氣氧化步驟，包含：在設在能使內部氣密之腔室101之內部之載台102載置具有加工後之積層體之基板110之步驟；在腔室101外部之純水槽122，藉由在真空環境氣氛中加熱純水產生水蒸氣氣體之步驟；以及以控制流量之方式將水蒸氣氣體往成為真空環境氣氛之腔室101內供應之步驟。
Description
本發明係關於一種垂直共振腔面射型雷射之製造方法。
垂直共振腔面射型雷射(VCSEL：Vertical Cavity Surface Emitting Laser)係藉由在與基板面垂直方向形成光共振器往與基板面垂直方向輸出雷射光之雷射裝置。一般而言，在VCSEL，為了使電流集中在發光區域，形成電流狹窄構造。
作為電流狹窄構造，大多情形，利用藉由使AlAs(砷化鋁)層之外周側氧化形成之開口構造。具體而言，將形成有以AlAs層在側面露出之方式加工成平台型之積層體(氧化對象物)之基板保持在400~500℃之加熱水蒸氣中來執行AlAs層之氧化。此情形，較佳為，基板內之溫度分布為±1℃以內。
作為使基板內之溫度分布均勻化之方法，已知有日本特開2011-18876號公報(專利文獻1)記載之方法。在此文獻之方法，仿效形成有氧化對象物之基板在加熱氧化時之彎曲，將供載置基板之散熱板之上部表面加工成球面狀。
專利文獻1：日本特開2011-18876號公報
上述日本特開2011-18876號公報(專利文獻1)記載之方法具
有以下問題。首先，基板之彎曲量因基板溫度而不同，因此不易正確地掌握加熱氧化時之彎曲量。再者，基板之彎曲量亦因形成在基板上之磊晶膜之構造或其成長條件而不同，因此就各產品之種類(型號)而大幅不同。因此，為了實現上述文獻之方法，必須就各產品之種類準備上部表面之曲率不同之散熱板，而此有其困難性。
本發明係為了藉決上述問題而構成，其目的在於，在垂直共振腔面射型雷射之製造上，在藉由加熱水蒸氣氧化之方法形成電流狹窄層時，相較於以往使基板內之溫度分布及氧化對象物之氧化分布均勻化。
本發明一形態之垂直共振腔面射型雷射之製造方法，具備：在基板上形成包含第1及第2反射鏡層、活性層、以及作為電流狹窄構造之被氧化層之積層體之步驟；以至少被氧化層之側面露出之方式將積層體加工成平台狀之步驟；以及將積層體加工成平台狀後，藉由從側面氧化被氧化層形成電流狹窄構造之步驟。該形成電流狹窄構造之步驟，包含：在設在能使內部氣密之腔室之內部之載台載置具有加工後之積層體之基板之步驟；在腔室外部之純水槽，藉由在真空環境氣氛中加熱純水產生水蒸氣氣體之步驟；以及以控制流量之方式將水蒸氣氣體往成為真空環境氣氛之腔室內供應之步驟。
根據上述製造方法，將藉由在真空環境氣氛中加熱純水產生之水蒸氣氣體作為氧化氣體供應至腔室內，因此相較於將氮氣般之惰性氣體作為載體吹送氧化氣體之習知方法，與惰性氣體不存在之量對應地，氣體之擴散效率變高，能對積層體之被氧化層均勻地供應氧化氣體。又，由於沒有強力地吹送氧化氣體，因此可抑制基板溫度降低之產生、伴隨而來
之溫度分布不均之產生等，能使被氧化層之氧化之進行比例均勻化。藉此，能使氧化對象物之氧化分布均勻化。
較佳為，載台，包含：加熱手段，用以加熱基板；以及支承構件，在基板之周緣部分之三點支承基板。
在上述構成，由於在基板之周緣部分之三點藉由支承構件支承基板，因此能使載台與基板之接觸面積成為最小，可將因熱傳導透過載台散出之熱量抑制在最小限。又，由於為真空環境氣氛中，因此透過氧化氣體之熱傳導亦較小，因此在載台與基板之間主要為輻射熱，可抑制起因於基板彎曲之在基板表面之溫度分布不均之產生等，藉由使積層體之被氧化層之氧化之進行比例均勻化，能以高水準穩定品質。
較佳為，該形成電流狹窄構造之步驟，進一步具備藉由紅外線從設在腔室頂面之觀察窗確認積層體之被氧化層之氧化之進行比例之步驟。
在上述構成，由於腔室內為真空環境氣氛，因此不會產生氧化氣體之對流，熱不易從頂面具備之觀察窗散出。是以，可避免載置於載台之基板表面之溫度分布不均。又，不需要具備在氧化進行時與進行比例觀察時用以改變載台與觀察窗之距離而使載台上下動之機構等，可謀求整體之製造成本之降低。
是以，根據本發明，在垂直共振腔面射型雷射之製造上，在藉由加熱氧化之方法形成電流狹窄層時，相較於以往能使基板內之溫度分布及氧化對象物之氧化分布均勻化。
1‧‧‧VCSEL
10‧‧‧基板
11,15‧‧‧半導體多層膜反射鏡層(DBR層)
12,14‧‧‧包覆層
13‧‧‧活性層
16‧‧‧電流狹窄層
17‧‧‧氧化部
18‧‧‧未氧化部
19‧‧‧接觸電極層(陽極電極層)
20‧‧‧背面電極層(陰極電極層)
21‧‧‧耐濕膜(絕緣膜)
22‧‧‧聚醯亞胺圖案
23‧‧‧焊墊電極
25‧‧‧高阻抗區域
30‧‧‧N型摻雜區域
31‧‧‧P型摻雜區域
101‧‧‧腔室
102‧‧‧載台
108‧‧‧紅外線顯微鏡
110‧‧‧基板
113‧‧‧觀察窗
120‧‧‧氧化氣體供應部
130‧‧‧支承構件
151‧‧‧供應口
圖1係以示意方式顯示VCSEL之構成之俯視圖。
圖2係以示意方式顯示沿著圖1之II-II線之剖面構造之圖。
圖3係將圖2之一部分放大之圖。
圖4係圖3之各層之Al組成之分布圖。
圖5係以示意方式顯示VCSEL之製程中多層磊晶膜之剖面圖。
圖6係以示意方式顯示VCSEL之製程中平台柱構造之形成之剖面圖。
圖7係以示意方式顯示VCSEL之製程中電流狹窄層之外周部之氧化之剖面圖。
圖8係以示意方式顯示VCSEL之製程中耐濕膜之形成之剖面圖。
圖9係以示意方式顯示VCSEL之製程中接觸電極之形成之剖面圖。
圖10係以示意方式顯示VCSEL之製程中聚醯亞胺圖案之形成之剖面圖。
圖11係以示意方式顯示VCSEL之製程中焊墊電極之形成之剖面圖。
圖12係顯示VCSEL之製程之流程圖。
圖13係以示意方式顯示氧化爐之構成之剖面圖。
圖14係顯示加熱水蒸氣氧化步驟(圖12之步驟S140)之順序之流程圖。
圖15(a)、(b)係以示意方式放大顯示圖13所示之載台2之主要部位之剖面圖。
以下，參照圖式詳細說明實施形態。以下，在說明VCSEL之構成及其製造方法後，詳細說明本發明特徵之氧化方法。此外，在以下
說明，會有對相同或相當之部分賦予相同參照符號而不重複其說明之情形。
(VCSEL之構成)
圖1係以示意方式顯示VCSEL之構成之俯視圖。圖2係以示意方式顯示沿著圖1之II-II線之剖面構造之圖。圖3係將圖2之一部分放大之圖。此外，圖2及圖3所示之剖面圖係示意圖，圖中之各層之厚度與實際元件之厚度並無比例關係。又，圖2與圖3之各層之厚度彼此亦無比例關係。
參照圖1~圖3，VCSEL1包含基板10、半導體多層膜反射鏡層11,15、包覆層12,14、活性層13、設在半導體多層膜反射鏡層15之內部之電流狹窄層16、陽極電極層19、陰極電極層20。
本實施形態中，作為基板10使用顯示N型導電型之GaAs(砷化鎵)半導體基板。在基板10之背面形成陰極電極層(背面電極層)20。此外，雖與圖1~圖3之情形不同，但作為基板10亦可使用顯示半絕緣性之未摻雜之GaAs基板。此情形，陰極電極層20形成在DBR層11之表面。
在基板10上形成以顯示N型導電型之化合物半導體構成之半導體多層膜反射鏡(DBR：Distributed Bragg Reflector)層11。DBR層11包含例如Al0.15Ga0.85As與Al0.9Ga0.1As以光學膜厚λ/4交互積層之構造。為了賦予N型導電型而摻雜有Si(矽)，其濃度為例如2~3×1018(cm-3)。Si配位在Ga(Al)側而容易成為施體。
此外，AlxGa(1-x)As(砷化鋁鎵)為GaAs與AlAs之混晶半導體，Al組成(X)愈高則能量帶隙愈寬，折射率愈低。由於格子常數幾乎不會依據Al組成(X)變化，因此能使各種Al組成(X)之AlxGa(1-x)As膜在GaAs基板上磊晶成長。本說明書中，在未特定Al組成(X)之情形，會有記載成AlGaAs之
情形。
在DBR層11之上形成產生雷射光之活性區域。活性區域由包覆層12,14與被包覆層12,14所夾之具有光學增益之活性層13構成。在活性層13形成量子井層與障壁層多重積層之多重量子井(MQW：Mutiple Quantum Well)。活性層13為未導入雜質之未摻雜區域。
包覆層12,14，依據元件電阻值之設計，可為未摻雜亦可為局部摻雜。本實施形態中，在與N型及P型DBR層11,15相接之包覆層12,14之一部分摻雜有顯示與相鄰之DBR層11,15相同導電型之雜質。
在活性區域之上形成以顯示P型導電型之化合物半導體構成之上層側之DBR層15。上層側之DBR層15與下層側之DBR層11一起構成光共振器。DBR層15，除了電流狹窄層16外，與下層側(基板側)之DBR層11相同，包含例如Al0.15Ga0.85As與Al0.9Ga0.1As以光學膜厚λ/4(λ表示雷射光之波長)交互積層之構造。為了賦予P型導電型而摻雜有C(碳)，其濃度為例如2~3×1018(cm-3)。C配位在As側而容易成為受體。
此處，亦可使導電型與上述相反，設基板10為P型半導體基板、下層側之DBR層11之導電型為P型、上層側之DBR層15之導電型為N型。此外，本說明書中，在記載為第1及第2導電型之情形，第1及第2導電型中一方為P型，另一方為N型。
再者，在上層側之DBR層15之一部分，高效率地將電流注入活性區域，形成具有透鏡效應之電流狹窄層16。如圖3所示，電流狹窄層16具有中心部分之未氧化部18與其周圍之大致絕緣體之氧化部17。此構造係藉由以0.95≦X≦1之AlxGa(1-x)As形成待作為電流狹窄層16之被氧化
層(X=1之情形，亦即包含AlAs)，將包含被氧化層之磊晶多層膜加工成平台柱形狀後，在加熱水蒸汽環境氣氛下從周圍選擇性地氧化被氧化層而獲得。由於僅中心部分之未氧化部18成為電流路徑，因此可高效率地將電流注入活性區域。
如圖1、圖2所示，在具有平台柱構造之磊晶多層膜上形成有防濕用之絕緣膜21(亦稱為耐濕膜)。在平台柱上部之絕緣膜21形成使DBR層15之表面露出之開口。在露出之DBR層15之表面連接有陽極電極層19(環狀電擊層)。在陽極電極層19連接有接合用之焊墊電極23。在焊墊電極23與DBR層11之間，為了降低寄生電容，設有聚醯亞胺圖案22。
(Al組成分布)
圖4係圖3之各層之Al組成之分布圖。圖4之縱軸表示AlxGa(1-x)As之Al含有量(X)，橫軸以任意單位(AU)表示VCSEL之深度方向。X=0之情形意指GaAs，X=1之情形意指AlAs。
參照圖4，在DBR層11,15，Al含有量較多之低折射率層與Al含有量較少之高折射率層交互地積層。DBR層11,15中與包覆層12,14相鄰之區域相當於第一個低折射率層。圖4之情形，電流狹窄層16形成在DBR層15之第一個低折射率層內與活性層13分離最遠之位置。亦可將電流狹窄層16配置在第一個低折射率層內更下層側(例如，與包覆層14相鄰之位置)。P型摻雜區域31從DBR層15到達包覆層14之一部分。
此外，電流狹窄層16雖形成在構成DBR層15之第一個低折射率層之內部，但亦可配置在包覆層14之內部等更接近活性層13之位置。是以，一般而言，電流狹窄層16配置在DBR層15之內部或DBR層
15與活性層13之間。或者，電流狹窄層16亦可配置在較活性層13靠基板10側，亦可配置在DBR層11之內部或DBR層11與活性層13之間。
(VCSEL之製程)
圖5~圖11係以示意方式顯示VCSEL之製程之剖面圖。圖12係顯示VCSEL之製程之流程圖。以下，參照圖5~圖12說明圖1~圖4所示之VCSEL1之製作方法。
參照圖5，在半導體基板10(此處，N型GaAs基板)上形成多層之磊晶膜11~16。磊晶膜之形成以MQCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)或MBE(Molecular Beam Epitaxy)等之方法為佳。
具體而言，在GaAs基板10上，首先形成顯示N型導電型之DBR層11(圖12之步驟S100)。DBR層11，以高折射區域、低折射區域分別成為λ/4之光學膜厚為一組，形成30~40層。作為高折射材料可利用AlxGa(1-x)As中X=0.1程度者，作為低折射材料可利用AlxGa(1-x)As中X=0.9程度者。為了獲得N型導電型，將Si導入2×1018(cm-3)程度以作為雜質。
接著，在N型DBR層11上，以被包覆層12,14所夾之形式形成包含量子井(QW：Quantum Well)之活性層13(圖12之步驟S105~S115)。活性層13及包覆層12,14可依據振盪波長適當地調整其膜厚及材料。例如，作為活性層13之材料可利用GaAs，調整成振盪波長成為850nm。
接著，在包覆層14之上形成P型DBR層15,15A(圖12之步驟S120~S130)。P型DBR層15,15A亦與N型DBR層11同樣地，以高折射區域及低折射區域分別成為λ/4之光學膜厚為一組，形成20層程度。作為高折射材料可利用AlxGa(1-x)As中X=0.1程度者，作為低折射材料可利用
AlxGa(1-x)As中X=0.9程度者。為了獲得P型導電型，將C導入2×1018(cm-3)程度以作為雜質。
然而，在圖1~圖4所示之構造之情形，在與包覆層14相接之第一個低折射率層形成待作為電流狹窄層16之被氧化層。具體而言，例如，在包覆層14之上一邊導入2~3×1018(cm-3)程度之C(碳)一邊形成AlxGa(1-x)As層15A(其中，X=0.65)，接著，藉由使Al組成X增加至0.95以上，一邊導入2~3×1018(cm-3)程度之C(碳)一邊形成AlxGa(1-x)As層(其中，0.95≦X≦1)以作為被氧化層(圖12之步驟S125)。
待作為電流狹窄層16之被氧化層，由於因進行氧化處理時之體積收縮產生變形，因此為了抑制變形之影響，較佳為40nm以下。此被氧化層，如圖4所說明，可形成在第一個低折射率層中接近上層之位置，亦可形成在接近下層之位置。
參照圖6，如上述，為了形成電流狹窄構造，將形成在基板10上之磊晶多層膜(積層體)加工成例如30μm之平台柱圖案(圖12之步驟S135)。平台柱圖案係以光微影及乾式蝕刻之方法形成。乾式蝕刻必須進行至至少待作為電流狹窄層16之被氧化層之側面露出為止，圖6之情形，進行至下層側之DBR層11之表面露出之深度為止。
參照圖7，接著，藉由將加工成平台柱圖案之具有磊晶多層膜之基板在水蒸氣環境氣氛中加熱至450℃以上，對待作為電流狹窄層16之被氧化層從其外周部選擇性地進行氧化，藉此形成氧化部17(圖12之步驟S140)。氧化時間調整成中心部分之未氧化部18成為10μm。此外，平台柱圖案之剖面形狀及電流狹窄層16之形狀並未特別限定，除了圓形以外
亦可為正方形或長方形等。
參照圖8，接著，作為耐濕膜21，形成氮化矽膜或氧化矽膜(圖12之步驟S145)。耐濕膜21之形成可適用CVD或濺鍍等方法。在平台柱之上部以光微影及乾式蝕刻之方法形成接觸電極層用之開口(圖12之步驟S150)。
參照圖9，接著，在平台柱上部之開口部，藉由例如光微影及蒸鍍形成P型接觸電極層(陽極電極層)19(圖12之步驟S155)。作為P型接觸電極層19，可利用例如由Ti(鈦)、Pt(鉑)、及Au(金)構成之積層膜。
參照圖10，接著，為了焊墊電極23下之電容降低，形成聚醯亞胺圖案22(圖12之步驟S160)。參照圖11，接著，以例如光微影及濺鍍製膜之方法形成與P型接觸電極層19連接之焊墊電極23(圖12之步驟S165)。
之後，如圖1~圖3所示，在調整基板10之厚度後形成背面電極層20(圖12之步驟S170)。作為背面電極層20，可使用例如由Au、Ge、及Ni構成之積層膜。再者，藉由進行用以達成各電極層19,20與半導體層之歐姆接觸之退火處理(圖12之步驟S175)，完成VCSEL1。
(電流狹窄構造之形成方法之詳細)
接著，說明本發明之特徵部分即加熱水蒸氣氧化進行之電流狹窄層之形成方法(圖12之步驟S140)。
圖13係以示意方式顯示氧化爐之構成之剖面圖。參照圖13，氧化爐150具備能使內部氣密之腔室101、及在腔室101內載置具有加工後之積層體之基板110之載台102。在載台102設有加熱器等之加熱手段。
載台102係藉由固定構件129固定在腔室101內。
在腔室101之壁面設有氧化氣體供應管105。在藉由泵126之抽真空使腔室101內成為真空狀態後，將水蒸氣氣體作為氧化氣體從供應口151往腔室101內供應。
氧化氣體供應部120係設在腔室101之外部，以至少氧化氣供應管105、泵126、閥121a~121d、純水槽122、電熱帶123,124、控制器125構成。水蒸氣氣體作為氧化氣體從氧化氣體供應部120之氧化氣供應管105之供應口151往腔室101內供應。
氧化爐150進一步包含設在載台102之加熱手段、及控制閥121a~121d、電熱帶123,124、控制器125、泵126、及紅外線顯微鏡108等之動作之控制部140。控制部140係以電腦為基本構成。
圖14係顯示加熱水蒸氣氧化步驟(圖12之步驟S140)之順序之流程圖。圖14之各步驟中步驟S205~S240可在控制部140之控制下執行。
參照圖13及圖14，首先，將積層體加工成平台柱形狀之基板110載置在腔室101內之載台102後(步驟S200)，開啟閥121b，以泵126吸入管內部之空氣，藉此使純水槽122內為真空狀態(步驟S205)。接著，藉由電熱帶123加熱儲存在純水槽122之純水，產生水蒸氣氣體(步驟S210)。
接著，關閉閥121b，開啟閥121a，藉此使腔室101內為真空狀態(步驟S215)。接著，藉由加熱器等將基板110加熱至既定溫度後(步驟S220)，開啟閥121c,121d，藉此將水蒸氣氣體往腔室101內引導(步驟S225)。
將上述各閥之關閉就順序(表1)綜合顯示。此外，在(表1)，
在純水加熱開始時閥121b雖為「閉」，但其原因在於，若純水槽122內一旦成為真空狀態，則在純水加熱開始時閥121b亦可關閉。
水蒸氣氣體之流量被控制器125調整(流量控制)。又，為了防止回復成水(水蒸氣氣體之液化)，較佳為，在主要部位預先設置加熱帶124。
藉由往腔室101內引導之水蒸氣氣體，基板110上之積層體之被氧化層從周圍氧化。由於腔室101內為真空狀態，因此不易引起對流造成之熱移動。藉由將載台102與基板110之間隙維持在數mm前後，對流造成之熱移動變更小。其結果，由於輻射造成之熱移動佔了大半，因此不取決於載台102表面之溫度分布、基板110之彎曲、載台102表面之平面度等即可容易地使在基板110表面之溫度分布均勻化。
又，雖在腔室101之頂面設有觀察窗113，但幾乎不會引起對流造成之熱移動，因此即使是載台102與觀察窗113接近之情形，亦不會
產生基板110之溫度分布之不均。又，由於腔室101內為真空狀態，因此不會產生氧化氣體之對流，基板110之熱從觀察窗113散出之可能性較小。亦即，亦可將基板110配置成接近觀察窗113，因此即使是氧化處理中，亦可透過紅外線顯微鏡108從觀察窗113確認基板110之氧化之進行比例(步驟S230)。又，由於不須具備使載台102上下動之機構等，可謀求成本降低，且亦可縮短整體之氧化時間。
在經過既定氧化時間後(或達到既定氧化量後)，停止水蒸氣氣體之供應(步驟S235)。之後，基板110冷卻至接近室溫(步驟S240)，從氧化爐腔室159內被取出(步驟S245)。
此外，本實施形態之氧化裝置之載台102，較佳為，具備在基板110之外周部分之三點支承基板110之支承構件。藉由以三點支承基板110，能使載台102與基板110之接觸面積成為最小。藉此，基板110之加熱，相較於載台102與基板110之接觸造成之熱傳導，主要成為從載台102往基板110之輻射造成之熱移動。其結果，能使基板110之溫度分布變均勻，可確保氧化穩定進行。
圖15係以示意方式放大顯示圖13所示之載台102之主要部位之剖面圖。圖15(a)係顯示載置在載台102之基板110之俯視圖，圖15(b)係顯示載置在載台102之基板110之前視圖。
如圖15所示，基板110具備在周緣部分之三點支承基板110之三個支承構件130。由於基板110之平面形狀為圓形，因此較佳為，三個支承構件130在周緣部分以等角度間隔設置、亦即以三個支承構件130構成之中心角分別為120度之方式設置。其原因在於，藉由將支承構件130以等
角度間隔設置，可穩定地支承基板110。
又，即使在基板110產生彎曲之情形，在產生彎曲之部分與未產生彎曲之部分，在基板110表面之溫度分布皆未產生不均。是以，在基板110表面之溫度分布不會因在基板110產生之彎曲產生不均，能均勻地進行氧化。
(效果)
根據以上實施形態，由於將藉由在真空環境氣氛中加熱純水產生之水蒸氣氣體作為氧化氣體供應至腔室內，因此相較於將氮氣般之惰性氣體作為載體吹送氧化氣體之習知方法，與惰性氣體不存在之量對應地，氣體之擴散效率變高，能對積層體之被氧化層均勻地供應氧化氣體。又，由於沒有強力地吹送氧化氣體，因此可抑制基板溫度降低之產生、伴隨而來之溫度分布不均之產生等，能使被氧化層之氧化之進行比例均勻化。藉此，能使氧化對象物之氧化分布均勻化。
(變形例)
在上述實施形態，將包含DBR層11,15、包覆層12,14、活性層13、及待作為電流狹窄層16之被氧化層之積層體加工成平台柱狀。替代此，亦可將積層體加工成凹陷構造。凹陷構造之情形，亦藉由從待作為電流狹窄層16之被氧化層之側面進行氧化，以包圍未氧化部之方式形成氧化部。
本說明書揭示之實施形態之所有方面僅為例示，應認為未加以任何限制。本發明之範圍並非由上述說明所示，而是由申請專利範圍所示，意圖包含在申請專利範圍與均等意義範圍內之所有變更。
101‧‧‧腔室
102‧‧‧載台
105‧‧‧氧化氣體供應管
108‧‧‧紅外線顯微鏡
110‧‧‧基板
113‧‧‧觀察窗
120‧‧‧氧化氣體供應部
121a~121d‧‧‧閥
122‧‧‧純水槽
123,124‧‧‧電熱帶
125‧‧‧控制器
126‧‧‧泵
129‧‧‧固定構件
140‧‧‧控制部
150‧‧‧氧化爐
151‧‧‧供應口
Claims (3)
- 一種垂直共振腔面射型雷射之製造方法，具備：在基板上形成包含第1及第2反射鏡層、活性層、以及作為電流狹窄構造之被氧化層之積層體之步驟；加工該積層體使至少該被氧化層之側面露出之步驟；以及加工該積層體後，藉由從側面氧化該被氧化層以形成電流狹窄構造之步驟；該形成電流狹窄構造之步驟，包含：於設在能使內部氣密之腔室之內部之載台，載置具有加工後之該積層體之該基板之步驟；在該腔室外部之純水槽，藉由在真空環境氣氛中加熱純水以產生水蒸氣氣體之步驟；以及以控制流量之方式將該水蒸氣氣體供應至作成真空環境氣氛之該腔室內之步驟。
- 如申請專利範圍第1項之垂直共振腔面射型雷射之製造方法，其中，該載台，包含：加熱手段，用以加熱該基板；以及支承構件，在該基板之周緣部分之三點支承該基板。
- 如申請專利範圍第1或2項之垂直共振腔面射型雷射之製造方法，其中，該形成電流狹窄構造之步驟，進一步具備從設在該腔室頂面之觀察窗透過紅外線確認該積層體之被氧化層之氧化進行程度之步驟。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014147680 | 2014-07-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201607190A true TW201607190A (zh) | 2016-02-16 |
Family
ID=55078407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW104119961A TW201607190A (zh) | 2014-07-18 | 2015-06-22 | 垂直共振腔面射型雷射之製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TW201607190A (zh) |
| WO (1) | WO2016009911A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2015-06-22 TW TW104119961A patent/TW201607190A/zh unknown
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2016009911A1 (ja) | 2016-01-21 |
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