JP5087321B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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前記基板上に形成され、電流が供給されることによって発光する領域を有する活性層と、
前記活性層よりも前記基板側に配置される第1のミラー層と、
前記第1のミラー層との間に前記活性層が介在して配置される第2のミラー層と、
半導体積層方向に直交する面での断面の形状が矩形の第1電流狭窄領域を有する第1の電流狭窄層と、
半導体積層方向に直交する面での断面の形状が矩形の第2電流狭窄領域を有する第2の電流狭窄層と、
を備え、
前記第2の電流狭窄層において、前記第2電流狭窄領域は前記第1電流狭窄領域に対して半導体積層方向に直交する面内で45°回転した形状であること、
を特徴とする半導体発光素子。 - 前記第1の電流狭窄層および前記第2の電流狭窄層は、前記活性層とn型の導電型を有する前記第1のミラー層との間に配置されること、
を特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1の電流狭窄層および前記第2の電流狭窄層は、前記活性層とp型の導電型を有する前記第2のミラー層との間に配置されること、
を特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1の電流狭窄層は、前記活性層とn型の導電型を有する前記第1のミラー層との間に配置され、
前記第2の電流狭窄層は、前記活性層とp型の導電型を有する前記第2のミラー層との間に配置されること、
を特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1電流狭窄領域および前記第2電流狭窄領域は、半導体積層方向に直交する面での断面の形状が正方形であること、
を特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の半導体発光素子。 - 前記第2電流狭窄領域は、半導体積層方向に直交する面での断面の面積が前記第1電流狭窄領域の半導体積層方向に直交する面での断面の面積と同一であること、
を特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の半導体発光素子。 - 前記活性層から出力された光は、前記第1のミラー層および前記第2のミラー層により形成される共振器構造によって所定の共振波長を有し、半導体積層方向に前記基板と反対側へ出射されることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の半導体発光素子。
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