JP4124017B2 - 面発光型半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents

面発光型半導体レーザ素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4124017B2
JP4124017B2 JP2003133306A JP2003133306A JP4124017B2 JP 4124017 B2 JP4124017 B2 JP 4124017B2 JP 2003133306 A JP2003133306 A JP 2003133306A JP 2003133306 A JP2003133306 A JP 2003133306A JP 4124017 B2 JP4124017 B2 JP 4124017B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
step portion
substrate
oxidation
type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2003133306A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004335964A (ja
Inventor
勇一 黒水
啓修 成井
義則 山内
嘉幸 田中
義昭 渡部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2003133306A priority Critical patent/JP4124017B2/ja
Priority to US10/835,692 priority patent/US7006544B2/en
Priority to TW093112424A priority patent/TWI247465B/zh
Priority to KR1020040032307A priority patent/KR101013422B1/ko
Priority to DE602004005527T priority patent/DE602004005527T2/de
Priority to EP04011116A priority patent/EP1478065B1/en
Priority to CNB2004100684356A priority patent/CN100340038C/zh
Publication of JP2004335964A publication Critical patent/JP2004335964A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4124017B2 publication Critical patent/JP4124017B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H01S5/18311Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00Functional characteristics
    • H01S2301/16Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
    • H01S2301/166Single transverse or lateral mode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0207Substrates having a special shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面発光型半導体レーザ素子の製造方法に関し、更に詳細には、面内均一性に優れた構造の電流狭窄層を備えた面発光型半導体レーザ素子の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
面発光型半導体レーザ素子は、基板上に化合物半導体層の多層膜からなる一対の反射鏡と、反射鏡の間に設けられた活性層(発光層)とを備え、基板に対して直交する方向にレーザ光を出射する半導体レーザ素子であって、実装上の利点が大きいので、研究、開発が盛んに行われている。
面発光型半導体レーザ素子では、注入電流−光出力効率を高めるために、電極から注入された電流の流路を狭窄して活性層の発光領域に電流を強制的に集中して注入する電流狭窄構造が設けられている。なかでも、高Al含有層を酸化したAl酸化層からなる酸化狭窄型の電流狭窄層が、形成の容易性から注目されている。
【0003】
例えば、特開2001−284727号公報は、単一横モードで、真円に近いビーム形状のレーザ光を効率良く出射する面発光型半導体レーザ素子の構成を提案している(図2)。
【0004】
ここで、特開2001−284727号公報を参照しつつ、図4により従来の一般的な酸化狭窄型の電流狭窄構造を有する面発光型半導体レーザ素子の構成を説明する。図4は従来の一般的な酸化狭窄型の電流狭窄構造を有する面発光型半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
従来の面発光型半導体レーザ素子10は、図4に示すように、n型半導体基板12上に、n型化合物半導体層の多層膜からなる下部反射鏡14、下部クラッド層16、活性層18、上部クラッド層20、p型化合物半導体層の多層膜からなる上部反射鏡22、及びp型コンタクト層24の積層構造を備えている。
【0005】
積層構造のうち、コンタクト層24、上部反射鏡22、上部クラッド層20、活性層18、下部クラッド層16、及び下部反射鏡14の極く上部は、メサポスト26として形成されている。
また、p型コンタクト層24上にはp側電極28が、n型半導体基板12の裏面にはn側電極30が設けてあり、メサポスト26の側面及びメサポスト脇の下部反射鏡14上には、絶縁膜32が成膜されている。
【0006】
上部反射鏡22中の活性層18に近い層には、上部反射鏡22を構成する化合物半導体層に代えて、電流狭窄層34が形成されている。電流狭窄層34は、中央領域に存在する高Al含有層34Aと、高Al含有層34Aを取り囲むメサポスト26の外周に沿って環状に形成されたAl酸化層34Bとから構成されている。
【0007】
Al酸化層34Bは、例えばAlAs層、高Al組成のAlGaAs(Al組成>0.95)層などの高Al含有層を選択的に酸化してなるAlOx 層であって、電気抵抗の高い電流狭窄領域を構成しており、高Al含有層34Aは、未酸化のAlAs層または高Al組成のAlGaAs(Al組成>0.95)層であって、Al酸化層34Bに比べて電気抵抗が低く、電流注入領域を構成している。
以上の構成により、p側電極28からn側電極30に向けて注入された電流は電流狭窄領域34Bで絞られて電流注入領域34Aを通り活性層18の発光領域に局所的に集中して流入し、活性層18中にキャリアの反転分布を生じさせ、レーザ発振を起こすことが出来る。
【0008】
面発光型半導体レーザ素子10を製造する際には、先ず、n型半導体基板12上に、下部反射鏡14、下部クラッド層16、活性層18、上部クラッド層20、高Al含有層を含む上部反射鏡22、及びp型コンタクト層24の積層構造を形成し、次いで積層構造をエッチングしてメサポスト26を形成する。
次いで、メサポスト26を形成した積層構造を水蒸気雰囲気の電気炉中に送入し、400℃程度に加熱することによりメサポスト26の外周から内方に高Al含有層を酸化して、環状のAl酸化層34Bを形成すると共に中央領域に未酸化の高Al含有層34Aを残して電流注入領域にする。
【0009】
【特許文献1】
特開2001−284727号公報(第5頁、図1)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、AlAs層等の高Al含有層は、酸化されてなくても、本来的に電気抵抗が大きいので、面発光型半導体レーザ素子のデバイス抵抗を決める上で、未酸化の高Al含有層(電流注入領域)の面積を所定の面積に制御する必要がある。
従って、電流注入領域の面積を所定の面積に制御するため、Al酸化層の酸化幅、つまりメサポストの外周に沿った環状酸化膜の酸化幅を制御することが必要になる。また、面発光型半導体レーザ素子の出射光の横モードを制御する上でも、Al酸化層の酸化幅の制御は必須である。
【0011】
AlAs層等の高Al含有層を酸化する際には、上述のように、化合物半導体層の積層構造をエッチングしてエアポスト型のメサポストを形成し、メサポストの側面から内方に高Al含有層の水蒸気酸化反応を進行させている。
しかし、従来の方法では、反応時間の時間制御により酸化幅の制御を行っているので、酸化幅の繰り返し再現性や面内均一性は必ずしも満足できるものではなく、通常、酸化幅の繰り返し再現性が±1μm程度、また面内分布も±1μm程度であった。
デバイス抵抗値や横モード制御のためには、通常、数μm〜十数μmの範囲の所定値に酸化幅を設定する必要があるものの、酸化幅の繰り返し再現性が±1μm程度であり、また面内分布が±1μm程度であるために、正確な酸化幅を有する電流狭窄領域、つまり所定の面積の電流注入領域を有する電流狭窄層を形成することは難しかった。
これでは、面発光型半導体レーザ素子のレーザ特性がばらついて、製品歩留りの向上が難しい。
【0012】
そこで、本発明の目的は、繰り返し再現性及び制御性の良好な構成の酸化狭窄型電流狭窄層を備えた面発光型半導体レーザ素子の製造方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、繰り返し再現性及び制御性の良好な構成の酸化狭窄型電流狭窄層を実現するための研究の過程で、AlAs層の水蒸気酸化反応の酸化速度とAlAs層の膜厚との関係に注目した。
そして、AlAs層の水蒸気酸化反応の酸化速度は、図5に示すように、AlAs層の膜厚に依存し、AlAs層の膜厚が40nmより薄くなると急激に遅くなることに着目した。図5はAlAs層の膜厚(nm)を横軸に、AlAs層の膜厚70nmとしたときのAlAs層の酸化速度を1として規格化したAlAs層の酸化速度を縦軸に示している。四角形に付した数字は規格化されたAlAs層の酸化速度を示している。
そして、本発明者は、以下に説明するように、AlAs層の膜厚が40nm程度であることと、及び図5から判るように、膜厚40nmを境にしてAlAs層の酸化速度が急激に変化することにより、電流狭窄層の酸化幅のばらつきが生じることを見い出した。
【0014】
通常、AlAs層の膜厚は、水蒸気酸化の際のAl酸化層の体積膨張に起因するストレスの発生を抑制してメサ剥がれを防止するために、40nm以下の膜厚にすることが必要である。しかし、良好な膜厚面内均一性で40nm以下の薄膜のAlAs層を成膜することが技術的に難しいために、AlAs層の膜厚の面内均一性が悪い。
そのために、AlAs層の膜厚に依存するAlAs層の酸化速度の面内均一性が悪くなり、しかも、膜厚40nmを境にしてAlAs層の酸化速度が急激に変化することにより、良好な酸化幅の面内均一性でAlAs層を酸化することが難しい。その結果、面発光型半導体レーザ素子のデバイス特性がばらつき、製造歩留りの向上が難しい。
【0015】
ところで、AlAs層やAlGaAs層等の高Al含有層の水蒸気酸化反応の酸化速度は、膜厚と共に高Al含有層の不純物濃度にも大きく影響を受ける。例えば、高Al含有層に注入されている不純物がn型のドーパントのSiやSeであると、不純物濃度が高いほど高Al含有層の酸化速度は遅くなり、逆に、高Al含有層に注入されている不純物がp型ドーパントのZnであると、不純物濃度が高いほど酸化速度は速くなる傾向を示す。
【0016】
そして、通常のMOCVD法の成長条件下では、(100)面に対して微傾斜している微傾斜基板上の高Al含有層に取り込まれる、SiやSe等のn型ドーパントの量、或いはZn等のp型ドーパントの量は、(100)面上の高Al含有層に取り込まれる量に比べて、少ない傾向がある。
一方、段差部を介して下段部上に(100)面を上面とする上段部を有する段差基板上に高Al含有層をエピタキシャル成長させると、段差部は(100)面に対して微傾斜しているので、段差部に成長する結晶の成長方向は(100)面に対して微傾斜する。
従って、段差基板上に高Al含有層を成長させながら不純物を注入すると、段差部に成長する高Al含有層の結晶は、上段部上の平らな(100)面に成長する高Al含有層の結晶に比べて不純物濃度が低くなる。
【0017】
例えば、段差基板上に高Al含有層を成長させる際、成長中の高Al含有層に微量のn型不純物を注入すると、不純物濃度は
(上段部上の(100)面に成長する高Al含有層のn型不純物濃度)
>(段差部上に成長する高Al含有層のn型不純物濃度)
となる。
【0018】
よって、高Al含有層を水蒸気酸化すると、上段部の(100)面に成長した高Al含有層のn型不純物濃度が段差部の傾斜層上に成長した高Al含有層のn型不純物濃度より高いので、水蒸気酸化の酸化速度は、
(上段部上の(100)面に成長する高Al含有層の酸化速度)
<(段差部に成長する高Al含有層の酸化速度)
となる。つまり、段差部に成長する高Al含有層の酸化速度が、上段部の(100)面に成長する高Al含有層の酸化速度に比べて速い。
【0019】
そこで、高Al含有層の成膜に際してn型不純物を注入し、上段部の(100)面上の高Al含有層を電流注入領域とし、段差部上の高Al含有層を酸化してAl酸化層からなる電流狭窄領域とすれば、段差部上の高Al含有層が比較的速やかに酸化されて、上段部上の高Al含有層まで酸化が進行したとき、酸化速度が突如遅くなる。よって、高Al含有層の酸化の進行が自律的に抑制され、酸化反応の時間的制御に対するマージンが増大する。
これにより、ウエハ面内の高Al含有層の膜厚分布が多少悪くても、高Al含有層の酸化の時間制御が容易になるので、従来に比べて、Al酸化層の酸化幅を格段に良好な面内均一性で制御することができる。
【0020】
そこで、本発明者は、以下のようにして、電流狭窄層の酸化幅を制御することを考えた。
先ず、図6に示すように、(100)面を主面とするGaAs基板をエッチングして、電流狭窄層の電流狭窄径(電流注入領域の径)と同じ大きさで段差が数μm〜サブμm程度の上段部36aと、段差部36bを介して上段部36aを環状に取り巻く下段部36cとを有する段差基板36を形成する。
次いで、段差基板36上に高Al含有層を有する積層構造を形成する。高Al含有層の成膜に際し、成膜中の高Al含有層にn型不純物を注入して段差部36bの高Al含有層と上段部36aの(100)面上の高Al含有層との間にn型不純物の濃度差を設ける。
これにより、段差部の高Al含有層と上段部の高Al含有層の酸化速度の間に酸化反応の反応速度差を生じさせ、Al酸化層の酸化幅を制御する。
【0021】
本発明者は、フォトリソグラフィ処理とエッチング加工により段差基板を形成することにより、段差部形成の繰り返し再現性が高くなること、従ってAl酸化層の酸化幅の繰り返し再現性を±0.1μm程度に向上させることができることを実験で確認し、本発明を発明するに到った。
【0022】
上記目的を達成するために、上述の知見に基づいて、本発明に係る面発光型半導体レーザ素子の製造方法は、下部反射鏡、発光層、及び電流狭窄層を有する上部反射鏡を基板上に備える面発光型半導体レーザ素子の製造方法において、
(100)面を主面とする基板をエッチングして、電流狭窄層の電流注入領域と同じ形状で同じ大きさの(100)面を上面に有する上段部と、段差部と、(100)面を有し、段差部を介して上段部を取り囲む環状の下段部とを有する段差基板を形成する工程と、
段差基板上に、順次、下部反射鏡、発光層、及び高Al含有層を有する上部反射鏡を構成する化合物半導体層をエピタキシャル成長させ、段差基板の上段部上及び下段部上では平坦層として、段差部上では平坦層に連続する傾斜層として成長した、各化合物半導体層の積層構造を形成する工程と
を備え、高Al含有層を成長させる際にはn型不純物を注入し、
更に、形成した積層構造のうち上部反射鏡、発光層、及び下部反射鏡の極く上部をエッチングしてメサポストを形成する工程と、
上部反射鏡の高Al含有層を水蒸気酸化して、メサポストの側面から内方に延在する環状のAl酸化層を形成すると共に、段差基板の上段部上に対応する中央領域に未酸化の状態で高Al含有層を残留させる工程と
を有することを特徴としている。
【0023】
積層構造の形成工程では、成長中の高Al含有層中にn型不純物を注入する際、上段部上に平坦層として成長する高Al含有層のn型不純物の不純物濃度が、段差部上に傾斜層として成長する高Al含有層のn型不純物の不純物濃度より高くなる。
【0024】
本発明方法では、電流狭窄領域形成層である高Al含有層の成膜に際してn型不純物を注入し、高Al含有層の酸化反応速度がn型不純物濃度に依存していることを利用して、上段部上の高Al含有層の酸化の進行を自律的に制御している。
更に説明すると、高Al含有層の成膜に際してn型不純物を注入すると、段差部上の高Al含有層のn型不純物濃度は上段部上の高Al含有層のn型不純物濃度より低くなるので、段差部上の高Al含有層の酸化反応速度は上段部上の高Al含有層の酸化反応速度より速くなる。
従って、段差部上の高Al含有層が比較的速やかに酸化されて、上段部上の高Al含有層まで酸化が進行したとき、酸化速度が突如遅くなる。よって、高Al含有層の酸化の進行が自律的に抑制され、酸化反応の時間的制御に対するマージンが増大する。
結果的に、上段部上の高Al含有層の酸化の時間制御が容易になるので、ウエハ面内の高Al含有層の膜厚分布が多少悪くても、従来に比べて、上段部の外側のAl酸化層の酸化幅を格段に良好な面内均一性で制御することができる。
よって、上段部(100)面上の高Al含有層を電流注入領域とし、段差部上のAl酸化層を電流狭窄領域とすることにより、制御された電流注入領域を有する電流狭窄層を形成することができる。
また、フォトリソグラフィ処理とエッチング加工により段差基板を形成することにより、段差部形成の繰り返し再現性が高くなり、従ってAl酸化層の酸化幅の繰り返し再現性を±0.1μm程度に向上させることができる。
【0025】
本発明により製造された面発光型半導体レーザ素子は、上段部と、段差部と、段差部を介して上段部の周りに上段部より低い下段部とを有する段差基板上に、下部反射鏡、発光層、及び電流狭窄層を有する上部反射鏡を備える面発光型半導体レーザ素子であって、電流狭窄層は、段差基板の上段部の平面形状と同じ形状で、かつ同じ大きさの未酸化の高Al含有層からなる電流注入領域を段差基板の上段部の上方に有し、かつ電流注入領域の周りに高Al含有層を酸化した環状のAl酸化層を電流狭窄領域として有し、高Al含有層は、n型不純物が1×10 17 cm −3 以上1×10 18 cm −3 以下の不純物濃度で注入されている。
【0026】
この面発光型レーザ素子では、電流狭窄領域形成層である高Al含有層の成膜に際してn型不純物を注入し、高Al含有層の酸化反応速度がn型不純物濃度に依存していることを利用して、上段部上の高Al含有層の酸化の進行を自律的に制御している。
更に説明すると、高Al含有層の成膜に際してn型不純物を注入すると、上段部上の例えば(100)面上の高Al含有層のn型不純物濃度は、段差部上の高Al含有層のn型不純物濃度より高くなる。従って、高Al含有層の水蒸気酸化に際し、上段部上の高Al含有層の酸化反応速度が段差部上の高Al含有層の酸化反応速度より遅くなるので、段差部上の高Al含有層が比較的速やかに酸化されて、上段部上の高Al含有層まで酸化が進行したとき、酸化速度が突如遅くなる。結果的に、上段部上の高Al含有層の酸化の進行が自律的に抑制され、反応時間の時間的制御のマージンが増大する。
これにより、上段部上の高Al含有層の酸化の時間制御が容易になるので、ウエハ面内の高Al含有層の膜厚分布が多少悪くても、従来に比べて、上段部の外側のAl酸化層の酸化幅を格段に良好な面内均一性で制御することができる。
よって、上段部上の例えば(100)面上の高Al含有層を電流注入領域とし、段差部上のAl酸化層を電流狭窄領域とすることにより、制御された電流注入領域を有する電流狭窄層を形成することができる。
【0027】
本発明で製造される面発光型レーザ素子の好適な実施態様では、段差基板の上段部は、段差部を介して下段部上0.1μm以上5μm以下の高さにある。また、上段部及び下段部が、それぞれ、上面として(100)面を有する。これにより、積層構造を構成する各化合物半導体層は、段差基板の上段部上及び下段部上では平坦層として、段差部上では平坦層に連続する傾斜層として成長する。本発明では、具体的には、段差基板がGaAs基板であって、高Al含有層がAl Ga (1−x) As層(1≧x>0.95)である。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下に、添付図面を参照して、実施形態例に基づいて本発明をより詳細に説明する。尚、以下の実施形態例で示した導電型、膜種、膜厚、成膜方法、その他寸法等は、本発明の理解を容易にするための例示であって、本発明はこれら例示に限定されるものではない。
面発光型半導体レーザ素子の実施形態例
本実施形態例は本発明に係る面発光型半導体レーザ素子の実施形態の一例であって、図1は本実施形態例の面発光型半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
本実施形態例の面発光型半導体レーザ素子40は、n型GaAs段差基板42上に、下部反射鏡44、膜厚100nmのノンドープAl0.5 Ga0.5 As下部クラッド層46、活性層48、膜厚100nmのノンドープAl0.5 Ga0.5 As上部クラッド層50、上部反射鏡52、及び不純物濃度が1×1019/cm3 以上のp型GaAsコンタクト層54の積層構造を備えている。
【0029】
n型GaAs段差基板42は、直径が10μmの円形(100)面上段部42aと、高さ1μmの段差部42bと、段差部42bを介して上段部42aを取り囲む環状の(100)面下段部42cとから構成されている。
このため、段差基板42上にエピタキシャル成長させた各化合物半導体層は、それぞれ、図1に示すように、上段部42a上及び下段部42c上に成長した平坦層と、平坦層に連続して段差部42b上に成長した傾斜層とになる。
【0030】
活性層48は、膜厚10nmのノンドープAl0.3 Ga0.7 As光ガイド層と、膜厚7nmのノンドープGaAs層及び膜厚5nmのノンドープAl0.3 Ga0.7 As層からなる3重の多重量子井戸構造と、膜厚10nmのノンドープAl0.3 Ga0.7 As光ガイド層とから構成されている。
【0031】
下部反射鏡44は、n型Al0.2 Ga0.8 As層とn型Al0.92Ga0.08As層のペアであって、かつAl0.2 Ga0.8 As層とAl0.92Ga0.08As層の間にはAl組成が0.2から0.92に増大する膜厚100Åの中間層を有する構成の複数ペアの多層膜として形成され、各層のn型不純物濃度は約2×1018/cm3 である。
上部反射鏡52は、p型Al0.2 Ga0.8 As層とp型Al0.92Ga0.08As層のペアであって、かつAl0.2 Ga0.8 As層とAl0.92Ga0.08As層の間にはAl組成が0.2から0.92に増大する膜厚100Åの中間層を有する構成の複数ペアの多層膜として形成され、各層のp型不純物濃度は約2×1018/cm3 である。
【0032】
積層構造のうち、p型GaAsコンタクト層54、上部反射鏡52、上部クラッド層50、活性層48、下部クラッド層46、及び下部反射鏡44の極く上部は、メサポスト56として形成されている。
また、p型コンタクト層54上にはp側電極58、n型GaAs段差基板42の裏面にはn側電極60が設けてあり、メサポスト56の側面及びメサポスト脇の下部反射鏡44上には、絶縁膜62が成膜されている。
【0033】
また、上部反射鏡52では、上部クラッド層50から上方に2ペアを介した位置に、上部反射鏡52を構成するAlGaAs層に代えて電流狭窄層64が設けられている。
電流狭窄層64は、上部反射鏡52を構成するAlGaAs層に代えて成膜された膜厚30nmのAlAs層を水蒸気酸化した際に中央に残留させた未酸化のAlAs層64Aと、AlAs層64の外側にあってメサポスト56の側面から内方にAlAs層を水蒸気酸化してなる環状のAl酸化層64Bとから構成されている。また、AlAs層の成膜の際には、n型不純物として例えばSiが不純物濃度1×1018cm-3で注入されている。
未酸化のAlAs層64Aは、直径がGaAs段差基板42の上段部42aの直径に等しい円形領域であって、電流注入領域として機能する。また、Al酸化層64Bは電気抵抗の高い電流狭窄領域として機能する。
【0034】
本実施形態例では、GaAs段差基板42上に電流狭窄層64としてAlAs層を成長させ、成長中にn型不純物としてSiを注入している。これにより、段差部42b上のAlAs層と上段部42a上のAlAs層との間でn型の不純物濃度が異なり、上段部42a上のAlAs層の不純物濃度が段差部42b上のAlAs層の不純物濃度より大きい。
従って、上段部42a上のAlAs層の酸化速度が段差部42b上のAlAs層の酸化速度に比べて遅くなるので、酸化反応が上段部42a上のAlAs層に到達したとき、酸化反応があたかも停止したようになり、上段部42a上のAlAs層の酸化の進行が自律的に抑制される。従って、酸化反応の時間的制御が容易になる。
よって、AlAs層の酸化反応を時間制御することにより、上段部42a上の円形のAlAs層を正確な形状、面積で未酸化の状態に維持することができる。これにより、酸化幅の面内均一性を高めることができる。
そこで、上段部42aのAlAs層64Aを電流注入領域とし、段差部42b上のAl酸化層64Bを電流狭窄領域とすることにより、制御された電流注入領域を有する電流狭窄層が形成される。
【0035】
面発光型半導体レーザ素子の製造方法の実施形態例
本実施形態例は本発明に係る面発光型半導体レーザ素子の製造方法を実施形態例の面発光型半導体レーザ素子の製造に適用した実施形態の一例である。図2(a)から(c)及び図3(d)から(f)は、それぞれ、本実施形態例の方法に従って面発光型半導体レーザ素子を製造する際の各工程を説明する基板断面図である。
本実施形態例では、先ず、図2(a)に示すように、(100)面を主面とすn型GaAs基板66上に直径10μmの円形パターンを有するエッチングマスク68を形成する。
次いで、エッチングマスク68を使ったドライエッチング法によりn型GaAs基板66をエッチングして、図2(b)に示すように、直径が10μmの円形(100)面上段部42aと、高さ1μmの段差部42bと、段差部42bを介して上段部42aを取り囲む環状の(100)面下段部42cとを有するn型GaAs段差基板42を形成する。
【0036】
次に、n型GaAs段差基板42上に、MOCVD法により、順次、下部反射鏡44、膜厚100nmのノンドープAl0.5 Ga0.5 As下部クラッド層46、活性層48、膜厚100nmのノンドープAl0.5 Ga0.5 As上部クラッド層50、上部反射鏡52、及び不純物濃度が1×1019/cm3 以上のp型GaAsコンタクト層54を成長させて、図2(c)に示すように、積層構造70を形成する。
本実施形態例では、段差基板42上に各化合物半導体層をエピタキシャル成長させているので、図2(c)に示すように、上段部42a上及び下段部42c上では平坦層として成長し、段差部42b上では平坦層に連続する傾斜層として成長する。
【0037】
下部反射鏡44の形成では、n型Al0.2 Ga0.8 As層とn型Al0.92Ga0.08As層のペアであって、かつAl0.2 Ga0.8 As層とAl0.92Ga0.08As層の間にはAl組成が0.2から0.92に増大する膜厚100Åの中間層を有する構成の複数ペアの多層膜をエピタキシャル成長させる。また、各層のn型不純物濃度は約2×1018/cm3 とする。
活性層48の形成では、下部クラッド層46上に、順次、膜厚10nmのノンドープAl0.3 Ga0.7 As光ガイド層、膜厚7nmのノンドープGaAs層及び膜厚5nmのノンドープAl0.3 Ga0.7 As層とからなる3重の多重量子井戸構造、及び膜厚10nmのノンドープAl0.3 Ga0.7 As光ガイド層をエピタキシャル成長させる。
【0038】
上部反射鏡52の形成では、p型Al0.2 Ga0.8 As層とp型Al0.92Ga0.08As層のペアであって、かつAl0.2 Ga0.8 As層とAl0.92Ga0.08As層の間にはAl組成が0.2から0.92に増大する膜厚100Åの中間層を有する構成の複数ペアの多層膜をエピタキシャル成長させる。また、各層のp型不純物濃度は約2×1018/cm3 とする。
また、上部反射鏡52の形成では、上部クラッド層50から上方に2ペアを介した位置に、上部反射鏡52を構成するAlGaAs層に代えてAlAs層72をエピタキシャル成長させる。そして、AlAs層72の成膜の際には、n型不純物としてSiを不純物濃度1×1018cm-3で注入する。
【0039】
次いで、積層構造70のうち、p型GaAsコンタクト層54、AlAs層72を含む上部反射鏡52、上部クラッド層50、活性層48、下部クラッド層46、及び下部反射鏡44の極く上部をエッチングして、図3(d)に示すように、メサポスト56を形成する。
【0040】
次いで、酸化温度400℃〜450℃、水蒸気流量0.5g/min、N2 キャリアガス流量10〜20リットル/minの条件で水蒸気酸化をメサポスト56を形成した積層構造70に施す。
これにより、図3(e)に示すように、AlAs72層は、メサポスト56の側面から内方に水蒸気酸化されて、GaAs段差基板42の下段部42c及び段差部42b上のAlAs層72は環状のAl酸化層64Bとなり、上段部42a上のAlAs層72は未酸化の状態で中央に残留するAlAs層64Aとなる。未酸化のAlAs層64Aは、直径がGaAs段差基板42の上段部42aの直径に等しい円形領域であって、電流注入領域として機能する。また、Al酸化層58Bは電気抵抗の高い電流狭窄領域として機能する。
【0041】
次いで、基板全面に絶縁膜62を成膜し、続いてメサポスト56上の絶縁膜62を除去してp型GaAsコンタクト層54を露出させ、p型GaAsコンタクト層54上にp側電極58を、n型GaAs段差基板42の裏面を研磨して所定の基板厚さに調整した後、n側電極60を形成する。
【0042】
本実施形態例では、GaAs段差基板42上に電流狭窄層64としてAlAs層を成長させ、成長中にn型不純物としてSiを注入している。これにより、段差部42b上のAlAs層と上段部42a上のAlAs層との間でn型の不純物濃度が異なり、上段部42a上のAlAs層の不純物濃度が段差部42b上のAlAs層の不純物濃度より大きい。
従って、上段部42a上のAlAs層の酸化速度が段差部42b上のAlAs層の酸化速度に比べて遅くなるので、酸化反応が上段部42a上のAlAs層に到達したとき、酸化反応があたかも停止したようになり、上段部42a上のAlAs層の酸化の進行が自律的に抑制される。よって、酸化反応の時間的制御が容易になる。
従って、AlAs層の酸化反応を時間制御することにより、上段部42a上の円形のAlAs層64Aを正確な形状、面積で未酸化の状態に維持することができる。
そこで、上段部42aのAlAs層64Aを電流注入領域とし、段差部42b上のAl酸化層64Bを電流狭窄領域とすることにより、制御された電流注入領域を有する電流狭窄層を形成することができる。
【0043】
【発明の効果】
本発明では、電流狭窄領域形成層である高Al含有層の成膜に際してn型不純物を注入し、高Al含有層の酸化反応速度がn型不純物濃度に依存していることを利用して、上段部上の高Al含有層の酸化の進行を自律的に制御している。
これにより、上段部上の高Al含有層の酸化反応の時間的制御が容易になるので、ウエハ面内の高Al含有層の膜厚分布が多少悪くても、従来に比べて、上段部の外側のAl酸化層の酸化幅を格段に良好な面内均一性で制御することができる。
よって、上段部上の高Al含有層を電流注入領域とし、段差部上のAl酸化層を電流狭窄領域とすることにより、制御された電流注入領域を有する電流狭窄層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態例の面発光型半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
【図2】図2(a)から(c)は、それぞれ、実施形態例の方法に従って面発光型半導体レーザ素子を製造する際の各工程を説明する基板断面図である。
【図3】図3(d)から(f)は、それぞれ、図2(c)に続いて、実施形態例の方法に従って面発光型半導体レーザ素子を製造する際の各工程を説明する基板断面図である。
【図4】従来の面発光型半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
【図5】AlAs層の膜厚とAlAs層の酸化速度との関係を示すグラフである。
【図6】段差基板の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
10……従来の面発光型半導体レーザ素子、12……n型半導体基板、14……下部反射鏡、16……下部クラッド層、18……活性層、20……上部クラッド層、22……上部反射鏡、24……p型コンタクト層、26……メサポスト、28……p側電極、30……n側電極、32……絶縁膜、34……電流狭窄層、34A……高Al含有層(電流注入領域)、34B……Al酸化層(電流狭窄領域)、36……段差基板、40……実施形態例の面発光型半導体レーザ素子、40a……上段部、40b……段差部、40c……下段部、42……n型GaAs段差基板、44……n型下部反射鏡、46……ノンドープAl0.5 Ga0.5 As下部クラッド層、48……活性層、50……ノンドープAl0.5 Ga0.5 As上部クラッド層、52……p型上部反射鏡、54……p型GaAsコンタクト層、56……メサポスト、58……p側電極、60……n側電極、62……絶縁膜、64……電流狭窄層、64A……AlAs層(電流注入領域)、64B……Al酸化層(電流狭窄領域)、68……エッチングマスク、70……積層構造、72……AlAs層。

Claims (2)

  1. 下部反射鏡、発光層、及び電流狭窄層を有する上部反射鏡を基板上に備える面発光型半導体レーザ素子の製造方法において、
    (100)面を主面とする基板をエッチングして、電流狭窄層の電流注入領域と同じ形状で同じ大きさの(100)面を上面に有する上段部と、段差部と、(100)面を有し、段差部を介して上段部を取り囲む環状の下段部とを有する段差基板を形成する工程と、
    段差基板上に、順次、下部反射鏡、発光層、及び高Al含有層を有する上部反射鏡をそれぞれ構成する化合物半導体層をエピタキシャル成長させ、段差基板の上段部上及び下段部上では平坦層として、段差部上では平坦層に連続する傾斜層として成長した、各化合物半導体層の積層構造を形成する工程とを備え、高Al含有層を成長させる際にはn型不純物を注入し、更に、形成した積層構造のうち上部反射鏡、発光層、及び下部反射鏡の極く上部をエッチングしてメサポストを形成する工程と、
    上部反射鏡の高Al含有層を水蒸気酸化して、メサポストの側面から内方に延在する環状のAl酸化層を形成すると共に、段差基板の上段部に対応する中央領域に未酸化の状態で高Al含有層を残留させる工程と
    を有することを特徴とする面発光型半導体レーザ素子の製造方法。
  2. 積層構造の形成工程では、成長中の高Al含有層中にn型不純物を注入する際、上段部上に平坦層として成長する高Al含有層のn型不純物の不純物濃度が、段差部上に傾斜層として成長する高Al含有層のn型不純物の不純物濃度より高くなることを特徴とする請求項に記載の面発光型半導体レーザ素子の製造方法。
JP2003133306A 2003-05-12 2003-05-12 面発光型半導体レーザ素子の製造方法 Expired - Lifetime JP4124017B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003133306A JP4124017B2 (ja) 2003-05-12 2003-05-12 面発光型半導体レーザ素子の製造方法
US10/835,692 US7006544B2 (en) 2003-05-12 2004-04-30 Plane emission type semiconductor laser device and method of manufacturing the same
TW093112424A TWI247465B (en) 2003-05-12 2004-05-03 Plane emission type semiconductor laser device and method of manufacturing the same
KR1020040032307A KR101013422B1 (ko) 2003-05-12 2004-05-07 면발광형 반도체 레이저소자 및 그 제조방법
DE602004005527T DE602004005527T2 (de) 2003-05-12 2004-05-10 Oberflächenemittierender Halbleiterlaser und dessen Herstellungsverfahren
EP04011116A EP1478065B1 (en) 2003-05-12 2004-05-10 Plane emission type semiconductor laser device and method of manufacturing the same
CNB2004100684356A CN100340038C (zh) 2003-05-12 2004-05-12 平面发射型半导体激光器件及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003133306A JP4124017B2 (ja) 2003-05-12 2003-05-12 面発光型半導体レーザ素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004335964A JP2004335964A (ja) 2004-11-25
JP4124017B2 true JP4124017B2 (ja) 2008-07-23

Family

ID=33028323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003133306A Expired - Lifetime JP4124017B2 (ja) 2003-05-12 2003-05-12 面発光型半導体レーザ素子の製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7006544B2 (ja)
EP (1) EP1478065B1 (ja)
JP (1) JP4124017B2 (ja)
KR (1) KR101013422B1 (ja)
CN (1) CN100340038C (ja)
DE (1) DE602004005527T2 (ja)
TW (1) TWI247465B (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3838218B2 (ja) 2003-05-19 2006-10-25 ソニー株式会社 面発光型半導体レーザ素子及びその製造方法
KR100726324B1 (ko) 2005-12-05 2007-06-11 주식회사 레이칸 산화막 구경을 갖는 장파장 표면방출 레이저 소자 및 그제조방법
JP4974981B2 (ja) * 2007-09-21 2012-07-11 キヤノン株式会社 垂直共振器型面発光レーザ素子、及び該垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた画像形成装置
JP2012019040A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 面発光レーザ
JP6782082B2 (ja) * 2016-03-11 2020-11-11 古河電気工業株式会社 半導体光素子、およびその製造方法
JP2020092145A (ja) 2018-12-04 2020-06-11 株式会社東芝 量子カスケードレーザおよびその製造方法
EP4207516A4 (en) 2020-10-27 2024-02-14 Sony Group Corp SURFACE-EMITTED LASER AND SURFACE-EMITTED LASER ARRAY

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2716693B2 (ja) * 1985-02-08 1998-02-18 ソニー株式会社 半導体レーザー
JPH01109786A (ja) * 1987-10-22 1989-04-26 Sharp Corp 半導体レーザ素子
JPH0529713A (ja) 1991-07-22 1993-02-05 Sharp Corp 半導体レーザ素子
JPH0555711A (ja) * 1991-08-22 1993-03-05 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ素子とその製造方法
KR100259009B1 (ko) 1993-09-23 2000-06-15 윤종용 레이저 다이오드
JP3360105B2 (ja) * 1994-03-04 2002-12-24 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
KR960009300A (ko) * 1994-08-31 1996-03-22 김광호 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
US5493577A (en) * 1994-12-21 1996-02-20 Sandia Corporation Efficient semiconductor light-emitting device and method
US5881085A (en) * 1996-07-25 1999-03-09 Picolight, Incorporated Lens comprising at least one oxidized layer and method for forming same
US5848086A (en) * 1996-12-09 1998-12-08 Motorola, Inc. Electrically confined VCSEL
JP2953450B2 (ja) 1997-12-19 1999-09-27 日本電気株式会社 半導体レーザの製造方法および半導体レーザ
US6075804A (en) * 1998-01-28 2000-06-13 Picolight Incorporated Semiconductor device having an oxide defined aperture
JP3713956B2 (ja) * 1998-05-29 2005-11-09 富士ゼロックス株式会社 面発光型半導体レーザ素子の製造方法
JP3770305B2 (ja) * 2000-03-29 2006-04-26 セイコーエプソン株式会社 面発光型半導体レーザおよびその製造方法
SG102589A1 (en) * 2000-08-16 2004-03-26 Inst Materials Research & Eng Buried hetero-structure opto-electronic device
US6674785B2 (en) * 2000-09-21 2004-01-06 Ricoh Company, Ltd. Vertical-cavity, surface-emission type laser diode and fabrication process thereof
US6803604B2 (en) * 2001-03-13 2004-10-12 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor optical modulator, an optical amplifier and an integrated semiconductor light-emitting device
JP2002353563A (ja) * 2001-05-24 2002-12-06 Rohm Co Ltd 半導体発光素子およびその製法
US6839369B2 (en) * 2001-06-26 2005-01-04 The Furukawa Electric Co., Ltd. Surface emitting semiconductor laser device

Also Published As

Publication number Publication date
DE602004005527T2 (de) 2007-12-27
US20040228380A1 (en) 2004-11-18
TW200425605A (en) 2004-11-16
KR101013422B1 (ko) 2011-02-14
CN100340038C (zh) 2007-09-26
DE602004005527D1 (de) 2007-05-10
JP2004335964A (ja) 2004-11-25
EP1478065A1 (en) 2004-11-17
KR20040097898A (ko) 2004-11-18
US7006544B2 (en) 2006-02-28
CN1574525A (zh) 2005-02-02
TWI247465B (en) 2006-01-11
EP1478065B1 (en) 2007-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6320893B1 (en) Surface emitting semiconductor laser
US5416044A (en) Method for producing a surface-emitting laser
JP4184769B2 (ja) 面発光型半導体レーザ及びその製造方法
US5956363A (en) Long wavelength vertical cavity surface emitting laser with oxidation layers and method of fabrication
US20110261852A1 (en) Semiconductor laser element and manufacturing method thereof
JP4141172B2 (ja) 面発光半導体レーザ素子の製造方法および面発光半導体レーザ素子および光伝送システム
JP2012114185A (ja) 垂直共振器型面発光レーザおよび垂直共振器型面発光レーザアレイ
US20030086463A1 (en) Long wavelength VCSEL having oxide-aperture and method for fabricating the same
JP2006286758A (ja) 面型光半導体素子
JP4124017B2 (ja) 面発光型半導体レーザ素子の製造方法
JP4876428B2 (ja) 半導体発光素子
US7817691B2 (en) Light emitting device
JPWO2005074080A1 (ja) 面発光レーザ及びその製造方法
JP3459003B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
WO2015011966A1 (ja) 垂直共振器型面発光レーザおよびその製造方法
JP2009088333A (ja) 面発光型半導体レーザーアレイおよびその製造方法
JP2953450B2 (ja) 半導体レーザの製造方法および半導体レーザ
JP2011061083A (ja) 半導体レーザ
JP4378955B2 (ja) ブロードエリア型半導体レーザおよびその製造方法
JP2006253340A (ja) 面発光レーザ素子およびその製造方法および面発光レーザアレイおよび電子写真システムおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム
JPH09266350A (ja) 半導体レーザの製造方法
JP2003115635A (ja) 面発光型半導体レーザ素子
JP3358197B2 (ja) 半導体レーザ
JP3546630B2 (ja) 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2006228959A (ja) 面発光半導体レーザ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040908

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20071101

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071211

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080212

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080415

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080428

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4124017

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term