JP4124017B2 - 面発光型半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、面発光型半導体レーザ素子の製造方法に関し、更に詳細には、面内均一性に優れた構造の電流狭窄層を備えた面発光型半導体レーザ素子の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
面発光型半導体レーザ素子は、基板上に化合物半導体層の多層膜からなる一対の反射鏡と、反射鏡の間に設けられた活性層(発光層)とを備え、基板に対して直交する方向にレーザ光を出射する半導体レーザ素子であって、実装上の利点が大きいので、研究、開発が盛んに行われている。
面発光型半導体レーザ素子では、注入電流−光出力効率を高めるために、電極から注入された電流の流路を狭窄して活性層の発光領域に電流を強制的に集中して注入する電流狭窄構造が設けられている。なかでも、高Al含有層を酸化したAl酸化層からなる酸化狭窄型の電流狭窄層が、形成の容易性から注目されている。
【0003】
例えば、特開2001−284727号公報は、単一横モードで、真円に近いビーム形状のレーザ光を効率良く出射する面発光型半導体レーザ素子の構成を提案している(図2)。
【0004】
ここで、特開2001−284727号公報を参照しつつ、図4により従来の一般的な酸化狭窄型の電流狭窄構造を有する面発光型半導体レーザ素子の構成を説明する。図4は従来の一般的な酸化狭窄型の電流狭窄構造を有する面発光型半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
従来の面発光型半導体レーザ素子10は、図4に示すように、n型半導体基板12上に、n型化合物半導体層の多層膜からなる下部反射鏡14、下部クラッド層16、活性層18、上部クラッド層20、p型化合物半導体層の多層膜からなる上部反射鏡22、及びp型コンタクト層24の積層構造を備えている。
【0005】
積層構造のうち、コンタクト層24、上部反射鏡22、上部クラッド層20、活性層18、下部クラッド層16、及び下部反射鏡14の極く上部は、メサポスト26として形成されている。
また、p型コンタクト層24上にはp側電極28が、n型半導体基板12の裏面にはn側電極30が設けてあり、メサポスト26の側面及びメサポスト脇の下部反射鏡14上には、絶縁膜32が成膜されている。
【0006】
上部反射鏡22中の活性層18に近い層には、上部反射鏡22を構成する化合物半導体層に代えて、電流狭窄層34が形成されている。電流狭窄層34は、中央領域に存在する高Al含有層34Aと、高Al含有層34Aを取り囲むメサポスト26の外周に沿って環状に形成されたAl酸化層34Bとから構成されている。
【0007】
Al酸化層34Bは、例えばAlAs層、高Al組成のAlGaAs(Al組成>0.95)層などの高Al含有層を選択的に酸化してなるAlOx 層であって、電気抵抗の高い電流狭窄領域を構成しており、高Al含有層34Aは、未酸化のAlAs層または高Al組成のAlGaAs(Al組成>0.95)層であって、Al酸化層34Bに比べて電気抵抗が低く、電流注入領域を構成している。
以上の構成により、p側電極28からn側電極30に向けて注入された電流は電流狭窄領域34Bで絞られて電流注入領域34Aを通り活性層18の発光領域に局所的に集中して流入し、活性層18中にキャリアの反転分布を生じさせ、レーザ発振を起こすことが出来る。
【0008】
面発光型半導体レーザ素子10を製造する際には、先ず、n型半導体基板12上に、下部反射鏡14、下部クラッド層16、活性層18、上部クラッド層20、高Al含有層を含む上部反射鏡22、及びp型コンタクト層24の積層構造を形成し、次いで積層構造をエッチングしてメサポスト26を形成する。
次いで、メサポスト26を形成した積層構造を水蒸気雰囲気の電気炉中に送入し、400℃程度に加熱することによりメサポスト26の外周から内方に高Al含有層を酸化して、環状のAl酸化層34Bを形成すると共に中央領域に未酸化の高Al含有層34Aを残して電流注入領域にする。
【0009】
【特許文献1】
特開2001−284727号公報(第5頁、図1)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、AlAs層等の高Al含有層は、酸化されてなくても、本来的に電気抵抗が大きいので、面発光型半導体レーザ素子のデバイス抵抗を決める上で、未酸化の高Al含有層(電流注入領域)の面積を所定の面積に制御する必要がある。
従って、電流注入領域の面積を所定の面積に制御するため、Al酸化層の酸化幅、つまりメサポストの外周に沿った環状酸化膜の酸化幅を制御することが必要になる。また、面発光型半導体レーザ素子の出射光の横モードを制御する上でも、Al酸化層の酸化幅の制御は必須である。
【0011】
AlAs層等の高Al含有層を酸化する際には、上述のように、化合物半導体層の積層構造をエッチングしてエアポスト型のメサポストを形成し、メサポストの側面から内方に高Al含有層の水蒸気酸化反応を進行させている。
しかし、従来の方法では、反応時間の時間制御により酸化幅の制御を行っているので、酸化幅の繰り返し再現性や面内均一性は必ずしも満足できるものではなく、通常、酸化幅の繰り返し再現性が±1μm程度、また面内分布も±1μm程度であった。
デバイス抵抗値や横モード制御のためには、通常、数μm〜十数μmの範囲の所定値に酸化幅を設定する必要があるものの、酸化幅の繰り返し再現性が±1μm程度であり、また面内分布が±1μm程度であるために、正確な酸化幅を有する電流狭窄領域、つまり所定の面積の電流注入領域を有する電流狭窄層を形成することは難しかった。
これでは、面発光型半導体レーザ素子のレーザ特性がばらついて、製品歩留りの向上が難しい。
【0012】
そこで、本発明の目的は、繰り返し再現性及び制御性の良好な構成の酸化狭窄型電流狭窄層を備えた面発光型半導体レーザ素子の製造方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、繰り返し再現性及び制御性の良好な構成の酸化狭窄型電流狭窄層を実現するための研究の過程で、AlAs層の水蒸気酸化反応の酸化速度とAlAs層の膜厚との関係に注目した。
そして、AlAs層の水蒸気酸化反応の酸化速度は、図5に示すように、AlAs層の膜厚に依存し、AlAs層の膜厚が40nmより薄くなると急激に遅くなることに着目した。図5はAlAs層の膜厚(nm)を横軸に、AlAs層の膜厚70nmとしたときのAlAs層の酸化速度を1として規格化したAlAs層の酸化速度を縦軸に示している。四角形に付した数字は規格化されたAlAs層の酸化速度を示している。
そして、本発明者は、以下に説明するように、AlAs層の膜厚が40nm程度であることと、及び図5から判るように、膜厚40nmを境にしてAlAs層の酸化速度が急激に変化することにより、電流狭窄層の酸化幅のばらつきが生じることを見い出した。
【0014】
通常、AlAs層の膜厚は、水蒸気酸化の際のAl酸化層の体積膨張に起因するストレスの発生を抑制してメサ剥がれを防止するために、40nm以下の膜厚にすることが必要である。しかし、良好な膜厚面内均一性で40nm以下の薄膜のAlAs層を成膜することが技術的に難しいために、AlAs層の膜厚の面内均一性が悪い。
そのために、AlAs層の膜厚に依存するAlAs層の酸化速度の面内均一性が悪くなり、しかも、膜厚40nmを境にしてAlAs層の酸化速度が急激に変化することにより、良好な酸化幅の面内均一性でAlAs層を酸化することが難しい。その結果、面発光型半導体レーザ素子のデバイス特性がばらつき、製造歩留りの向上が難しい。
【0015】
ところで、AlAs層やAlGaAs層等の高Al含有層の水蒸気酸化反応の酸化速度は、膜厚と共に高Al含有層の不純物濃度にも大きく影響を受ける。例えば、高Al含有層に注入されている不純物がn型のドーパントのSiやSeであると、不純物濃度が高いほど高Al含有層の酸化速度は遅くなり、逆に、高Al含有層に注入されている不純物がp型ドーパントのZnであると、不純物濃度が高いほど酸化速度は速くなる傾向を示す。
【0016】
そして、通常のMOCVD法の成長条件下では、(100)面に対して微傾斜している微傾斜基板上の高Al含有層に取り込まれる、SiやSe等のn型ドーパントの量、或いはZn等のp型ドーパントの量は、(100)面上の高Al含有層に取り込まれる量に比べて、少ない傾向がある。
一方、段差部を介して下段部上に(100)面を上面とする上段部を有する段差基板上に高Al含有層をエピタキシャル成長させると、段差部は(100)面に対して微傾斜しているので、段差部に成長する結晶の成長方向は(100)面に対して微傾斜する。
従って、段差基板上に高Al含有層を成長させながら不純物を注入すると、段差部に成長する高Al含有層の結晶は、上段部上の平らな(100)面に成長する高Al含有層の結晶に比べて不純物濃度が低くなる。
【0017】
例えば、段差基板上に高Al含有層を成長させる際、成長中の高Al含有層に微量のn型不純物を注入すると、不純物濃度は
(上段部上の(100)面に成長する高Al含有層のn型不純物濃度)
>(段差部上に成長する高Al含有層のn型不純物濃度)
となる。
【0018】
よって、高Al含有層を水蒸気酸化すると、上段部の(100)面に成長した高Al含有層のn型不純物濃度が段差部の傾斜層上に成長した高Al含有層のn型不純物濃度より高いので、水蒸気酸化の酸化速度は、
(上段部上の(100)面に成長する高Al含有層の酸化速度)
<(段差部に成長する高Al含有層の酸化速度)
となる。つまり、段差部に成長する高Al含有層の酸化速度が、上段部の(100)面に成長する高Al含有層の酸化速度に比べて速い。
【0019】
そこで、高Al含有層の成膜に際してn型不純物を注入し、上段部の(100)面上の高Al含有層を電流注入領域とし、段差部上の高Al含有層を酸化してAl酸化層からなる電流狭窄領域とすれば、段差部上の高Al含有層が比較的速やかに酸化されて、上段部上の高Al含有層まで酸化が進行したとき、酸化速度が突如遅くなる。よって、高Al含有層の酸化の進行が自律的に抑制され、酸化反応の時間的制御に対するマージンが増大する。
これにより、ウエハ面内の高Al含有層の膜厚分布が多少悪くても、高Al含有層の酸化の時間制御が容易になるので、従来に比べて、Al酸化層の酸化幅を格段に良好な面内均一性で制御することができる。
【0020】
そこで、本発明者は、以下のようにして、電流狭窄層の酸化幅を制御することを考えた。
先ず、図6に示すように、(100)面を主面とするGaAs基板をエッチングして、電流狭窄層の電流狭窄径(電流注入領域の径)と同じ大きさで段差が数μm〜サブμm程度の上段部36aと、段差部36bを介して上段部36aを環状に取り巻く下段部36cとを有する段差基板36を形成する。
次いで、段差基板36上に高Al含有層を有する積層構造を形成する。高Al含有層の成膜に際し、成膜中の高Al含有層にn型不純物を注入して段差部36bの高Al含有層と上段部36aの(100)面上の高Al含有層との間にn型不純物の濃度差を設ける。
これにより、段差部の高Al含有層と上段部の高Al含有層の酸化速度の間に酸化反応の反応速度差を生じさせ、Al酸化層の酸化幅を制御する。
【0021】
本発明者は、フォトリソグラフィ処理とエッチング加工により段差基板を形成することにより、段差部形成の繰り返し再現性が高くなること、従ってAl酸化層の酸化幅の繰り返し再現性を±0.1μm程度に向上させることができることを実験で確認し、本発明を発明するに到った。
【0022】
上記目的を達成するために、上述の知見に基づいて、本発明に係る面発光型半導体レーザ素子の製造方法は、下部反射鏡、発光層、及び電流狭窄層を有する上部反射鏡を基板上に備える面発光型半導体レーザ素子の製造方法において、
(100)面を主面とする基板をエッチングして、電流狭窄層の電流注入領域と同じ形状で同じ大きさの(100)面を上面に有する上段部と、段差部と、(100)面を有し、段差部を介して上段部を取り囲む環状の下段部とを有する段差基板を形成する工程と、
段差基板上に、順次、下部反射鏡、発光層、及び高Al含有層を有する上部反射鏡を構成する化合物半導体層をエピタキシャル成長させ、段差基板の上段部上及び下段部上では平坦層として、段差部上では平坦層に連続する傾斜層として成長した、各化合物半導体層の積層構造を形成する工程と
を備え、高Al含有層を成長させる際にはn型不純物を注入し、
更に、形成した積層構造のうち上部反射鏡、発光層、及び下部反射鏡の極く上部をエッチングしてメサポストを形成する工程と、
上部反射鏡の高Al含有層を水蒸気酸化して、メサポストの側面から内方に延在する環状のAl酸化層を形成すると共に、段差基板の上段部上に対応する中央領域に未酸化の状態で高Al含有層を残留させる工程と
を有することを特徴としている。
【0023】
積層構造の形成工程では、成長中の高Al含有層中にn型不純物を注入する際、上段部上に平坦層として成長する高Al含有層のn型不純物の不純物濃度が、段差部上に傾斜層として成長する高Al含有層のn型不純物の不純物濃度より高くなる。
【0024】
本発明方法では、電流狭窄領域形成層である高Al含有層の成膜に際してn型不純物を注入し、高Al含有層の酸化反応速度がn型不純物濃度に依存していることを利用して、上段部上の高Al含有層の酸化の進行を自律的に制御している。
更に説明すると、高Al含有層の成膜に際してn型不純物を注入すると、段差部上の高Al含有層のn型不純物濃度は上段部上の高Al含有層のn型不純物濃度より低くなるので、段差部上の高Al含有層の酸化反応速度は上段部上の高Al含有層の酸化反応速度より速くなる。
従って、段差部上の高Al含有層が比較的速やかに酸化されて、上段部上の高Al含有層まで酸化が進行したとき、酸化速度が突如遅くなる。よって、高Al含有層の酸化の進行が自律的に抑制され、酸化反応の時間的制御に対するマージンが増大する。
結果的に、上段部上の高Al含有層の酸化の時間制御が容易になるので、ウエハ面内の高Al含有層の膜厚分布が多少悪くても、従来に比べて、上段部の外側のAl酸化層の酸化幅を格段に良好な面内均一性で制御することができる。
よって、上段部(100)面上の高Al含有層を電流注入領域とし、段差部上のAl酸化層を電流狭窄領域とすることにより、制御された電流注入領域を有する電流狭窄層を形成することができる。
また、フォトリソグラフィ処理とエッチング加工により段差基板を形成することにより、段差部形成の繰り返し再現性が高くなり、従ってAl酸化層の酸化幅の繰り返し再現性を±0.1μm程度に向上させることができる。
【0025】
本発明により製造された面発光型半導体レーザ素子は、上段部と、段差部と、段差部を介して上段部の周りに上段部より低い下段部とを有する段差基板上に、下部反射鏡、発光層、及び電流狭窄層を有する上部反射鏡を備える面発光型半導体レーザ素子であって、電流狭窄層は、段差基板の上段部の平面形状と同じ形状で、かつ同じ大きさの未酸化の高Al含有層からなる電流注入領域を段差基板の上段部の上方に有し、かつ電流注入領域の周りに高Al含有層を酸化した環状のAl酸化層を電流狭窄領域として有し、高Al含有層は、n型不純物が1×10 17 cm −3 以上1×10 18 cm −3 以下の不純物濃度で注入されている。
【0026】
この面発光型レーザ素子では、電流狭窄領域形成層である高Al含有層の成膜に際してn型不純物を注入し、高Al含有層の酸化反応速度がn型不純物濃度に依存していることを利用して、上段部上の高Al含有層の酸化の進行を自律的に制御している。
更に説明すると、高Al含有層の成膜に際してn型不純物を注入すると、上段部上の例えば(100)面上の高Al含有層のn型不純物濃度は、段差部上の高Al含有層のn型不純物濃度より高くなる。従って、高Al含有層の水蒸気酸化に際し、上段部上の高Al含有層の酸化反応速度が段差部上の高Al含有層の酸化反応速度より遅くなるので、段差部上の高Al含有層が比較的速やかに酸化されて、上段部上の高Al含有層まで酸化が進行したとき、酸化速度が突如遅くなる。結果的に、上段部上の高Al含有層の酸化の進行が自律的に抑制され、反応時間の時間的制御のマージンが増大する。
これにより、上段部上の高Al含有層の酸化の時間制御が容易になるので、ウエハ面内の高Al含有層の膜厚分布が多少悪くても、従来に比べて、上段部の外側のAl酸化層の酸化幅を格段に良好な面内均一性で制御することができる。
よって、上段部上の例えば(100)面上の高Al含有層を電流注入領域とし、段差部上のAl酸化層を電流狭窄領域とすることにより、制御された電流注入領域を有する電流狭窄層を形成することができる。
【0027】
本発明で製造される面発光型レーザ素子の好適な実施態様では、段差基板の上段部は、段差部を介して下段部上0.1μm以上5μm以下の高さにある。また、上段部及び下段部が、それぞれ、上面として(100)面を有する。これにより、積層構造を構成する各化合物半導体層は、段差基板の上段部上及び下段部上では平坦層として、段差部上では平坦層に連続する傾斜層として成長する。本発明では、具体的には、段差基板がGaAs基板であって、高Al含有層がAl x Ga (1−x) As層(1≧x>0.95)である。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下に、添付図面を参照して、実施形態例に基づいて本発明をより詳細に説明する。尚、以下の実施形態例で示した導電型、膜種、膜厚、成膜方法、その他寸法等は、本発明の理解を容易にするための例示であって、本発明はこれら例示に限定されるものではない。
面発光型半導体レーザ素子の実施形態例
本実施形態例は本発明に係る面発光型半導体レーザ素子の実施形態の一例であって、図1は本実施形態例の面発光型半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
本実施形態例の面発光型半導体レーザ素子40は、n型GaAs段差基板42上に、下部反射鏡44、膜厚100nmのノンドープAl0.5 Ga0.5 As下部クラッド層46、活性層48、膜厚100nmのノンドープAl0.5 Ga0.5 As上部クラッド層50、上部反射鏡52、及び不純物濃度が1×1019/cm3 以上のp型GaAsコンタクト層54の積層構造を備えている。
【0029】
n型GaAs段差基板42は、直径が10μmの円形(100)面上段部42aと、高さ1μmの段差部42bと、段差部42bを介して上段部42aを取り囲む環状の(100)面下段部42cとから構成されている。
このため、段差基板42上にエピタキシャル成長させた各化合物半導体層は、それぞれ、図1に示すように、上段部42a上及び下段部42c上に成長した平坦層と、平坦層に連続して段差部42b上に成長した傾斜層とになる。
【0030】
活性層48は、膜厚10nmのノンドープAl0.3 Ga0.7 As光ガイド層と、膜厚7nmのノンドープGaAs層及び膜厚5nmのノンドープAl0.3 Ga0.7 As層からなる3重の多重量子井戸構造と、膜厚10nmのノンドープAl0.3 Ga0.7 As光ガイド層とから構成されている。
【0031】
下部反射鏡44は、n型Al0.2 Ga0.8 As層とn型Al0.92Ga0.08As層のペアであって、かつAl0.2 Ga0.8 As層とAl0.92Ga0.08As層の間にはAl組成が0.2から0.92に増大する膜厚100Åの中間層を有する構成の複数ペアの多層膜として形成され、各層のn型不純物濃度は約2×1018/cm3 である。
上部反射鏡52は、p型Al0.2 Ga0.8 As層とp型Al0.92Ga0.08As層のペアであって、かつAl0.2 Ga0.8 As層とAl0.92Ga0.08As層の間にはAl組成が0.2から0.92に増大する膜厚100Åの中間層を有する構成の複数ペアの多層膜として形成され、各層のp型不純物濃度は約2×1018/cm3 である。
【0032】
積層構造のうち、p型GaAsコンタクト層54、上部反射鏡52、上部クラッド層50、活性層48、下部クラッド層46、及び下部反射鏡44の極く上部は、メサポスト56として形成されている。
また、p型コンタクト層54上にはp側電極58、n型GaAs段差基板42の裏面にはn側電極60が設けてあり、メサポスト56の側面及びメサポスト脇の下部反射鏡44上には、絶縁膜62が成膜されている。
【0033】
また、上部反射鏡52では、上部クラッド層50から上方に2ペアを介した位置に、上部反射鏡52を構成するAlGaAs層に代えて電流狭窄層64が設けられている。
電流狭窄層64は、上部反射鏡52を構成するAlGaAs層に代えて成膜された膜厚30nmのAlAs層を水蒸気酸化した際に中央に残留させた未酸化のAlAs層64Aと、AlAs層64の外側にあってメサポスト56の側面から内方にAlAs層を水蒸気酸化してなる環状のAl酸化層64Bとから構成されている。また、AlAs層の成膜の際には、n型不純物として例えばSiが不純物濃度1×1018cm-3で注入されている。
未酸化のAlAs層64Aは、直径がGaAs段差基板42の上段部42aの直径に等しい円形領域であって、電流注入領域として機能する。また、Al酸化層64Bは電気抵抗の高い電流狭窄領域として機能する。
【0034】
本実施形態例では、GaAs段差基板42上に電流狭窄層64としてAlAs層を成長させ、成長中にn型不純物としてSiを注入している。これにより、段差部42b上のAlAs層と上段部42a上のAlAs層との間でn型の不純物濃度が異なり、上段部42a上のAlAs層の不純物濃度が段差部42b上のAlAs層の不純物濃度より大きい。
従って、上段部42a上のAlAs層の酸化速度が段差部42b上のAlAs層の酸化速度に比べて遅くなるので、酸化反応が上段部42a上のAlAs層に到達したとき、酸化反応があたかも停止したようになり、上段部42a上のAlAs層の酸化の進行が自律的に抑制される。従って、酸化反応の時間的制御が容易になる。
よって、AlAs層の酸化反応を時間制御することにより、上段部42a上の円形のAlAs層を正確な形状、面積で未酸化の状態に維持することができる。これにより、酸化幅の面内均一性を高めることができる。
そこで、上段部42aのAlAs層64Aを電流注入領域とし、段差部42b上のAl酸化層64Bを電流狭窄領域とすることにより、制御された電流注入領域を有する電流狭窄層が形成される。
【0035】
面発光型半導体レーザ素子の製造方法の実施形態例
本実施形態例は本発明に係る面発光型半導体レーザ素子の製造方法を実施形態例の面発光型半導体レーザ素子の製造に適用した実施形態の一例である。図2(a)から(c)及び図3(d)から(f)は、それぞれ、本実施形態例の方法に従って面発光型半導体レーザ素子を製造する際の各工程を説明する基板断面図である。
本実施形態例では、先ず、図2(a)に示すように、(100)面を主面とすn型GaAs基板66上に直径10μmの円形パターンを有するエッチングマスク68を形成する。
次いで、エッチングマスク68を使ったドライエッチング法によりn型GaAs基板66をエッチングして、図2(b)に示すように、直径が10μmの円形(100)面上段部42aと、高さ1μmの段差部42bと、段差部42bを介して上段部42aを取り囲む環状の(100)面下段部42cとを有するn型GaAs段差基板42を形成する。
【0036】
次に、n型GaAs段差基板42上に、MOCVD法により、順次、下部反射鏡44、膜厚100nmのノンドープAl0.5 Ga0.5 As下部クラッド層46、活性層48、膜厚100nmのノンドープAl0.5 Ga0.5 As上部クラッド層50、上部反射鏡52、及び不純物濃度が1×1019/cm3 以上のp型GaAsコンタクト層54を成長させて、図2(c)に示すように、積層構造70を形成する。
本実施形態例では、段差基板42上に各化合物半導体層をエピタキシャル成長させているので、図2(c)に示すように、上段部42a上及び下段部42c上では平坦層として成長し、段差部42b上では平坦層に連続する傾斜層として成長する。
【0037】
下部反射鏡44の形成では、n型Al0.2 Ga0.8 As層とn型Al0.92Ga0.08As層のペアであって、かつAl0.2 Ga0.8 As層とAl0.92Ga0.08As層の間にはAl組成が0.2から0.92に増大する膜厚100Åの中間層を有する構成の複数ペアの多層膜をエピタキシャル成長させる。また、各層のn型不純物濃度は約2×1018/cm3 とする。
活性層48の形成では、下部クラッド層46上に、順次、膜厚10nmのノンドープAl0.3 Ga0.7 As光ガイド層、膜厚7nmのノンドープGaAs層及び膜厚5nmのノンドープAl0.3 Ga0.7 As層とからなる3重の多重量子井戸構造、及び膜厚10nmのノンドープAl0.3 Ga0.7 As光ガイド層をエピタキシャル成長させる。
【0038】
上部反射鏡52の形成では、p型Al0.2 Ga0.8 As層とp型Al0.92Ga0.08As層のペアであって、かつAl0.2 Ga0.8 As層とAl0.92Ga0.08As層の間にはAl組成が0.2から0.92に増大する膜厚100Åの中間層を有する構成の複数ペアの多層膜をエピタキシャル成長させる。また、各層のp型不純物濃度は約2×1018/cm3 とする。
また、上部反射鏡52の形成では、上部クラッド層50から上方に2ペアを介した位置に、上部反射鏡52を構成するAlGaAs層に代えてAlAs層72をエピタキシャル成長させる。そして、AlAs層72の成膜の際には、n型不純物としてSiを不純物濃度1×1018cm-3で注入する。
【0039】
次いで、積層構造70のうち、p型GaAsコンタクト層54、AlAs層72を含む上部反射鏡52、上部クラッド層50、活性層48、下部クラッド層46、及び下部反射鏡44の極く上部をエッチングして、図3(d)に示すように、メサポスト56を形成する。
【0040】
次いで、酸化温度400℃〜450℃、水蒸気流量0.5g/min、N2 キャリアガス流量10〜20リットル/minの条件で水蒸気酸化をメサポスト56を形成した積層構造70に施す。
これにより、図3(e)に示すように、AlAs72層は、メサポスト56の側面から内方に水蒸気酸化されて、GaAs段差基板42の下段部42c及び段差部42b上のAlAs層72は環状のAl酸化層64Bとなり、上段部42a上のAlAs層72は未酸化の状態で中央に残留するAlAs層64Aとなる。未酸化のAlAs層64Aは、直径がGaAs段差基板42の上段部42aの直径に等しい円形領域であって、電流注入領域として機能する。また、Al酸化層58Bは電気抵抗の高い電流狭窄領域として機能する。
【0041】
次いで、基板全面に絶縁膜62を成膜し、続いてメサポスト56上の絶縁膜62を除去してp型GaAsコンタクト層54を露出させ、p型GaAsコンタクト層54上にp側電極58を、n型GaAs段差基板42の裏面を研磨して所定の基板厚さに調整した後、n側電極60を形成する。
【0042】
本実施形態例では、GaAs段差基板42上に電流狭窄層64としてAlAs層を成長させ、成長中にn型不純物としてSiを注入している。これにより、段差部42b上のAlAs層と上段部42a上のAlAs層との間でn型の不純物濃度が異なり、上段部42a上のAlAs層の不純物濃度が段差部42b上のAlAs層の不純物濃度より大きい。
従って、上段部42a上のAlAs層の酸化速度が段差部42b上のAlAs層の酸化速度に比べて遅くなるので、酸化反応が上段部42a上のAlAs層に到達したとき、酸化反応があたかも停止したようになり、上段部42a上のAlAs層の酸化の進行が自律的に抑制される。よって、酸化反応の時間的制御が容易になる。
従って、AlAs層の酸化反応を時間制御することにより、上段部42a上の円形のAlAs層64Aを正確な形状、面積で未酸化の状態に維持することができる。
そこで、上段部42aのAlAs層64Aを電流注入領域とし、段差部42b上のAl酸化層64Bを電流狭窄領域とすることにより、制御された電流注入領域を有する電流狭窄層を形成することができる。
【0043】
【発明の効果】
本発明では、電流狭窄領域形成層である高Al含有層の成膜に際してn型不純物を注入し、高Al含有層の酸化反応速度がn型不純物濃度に依存していることを利用して、上段部上の高Al含有層の酸化の進行を自律的に制御している。
これにより、上段部上の高Al含有層の酸化反応の時間的制御が容易になるので、ウエハ面内の高Al含有層の膜厚分布が多少悪くても、従来に比べて、上段部の外側のAl酸化層の酸化幅を格段に良好な面内均一性で制御することができる。
よって、上段部上の高Al含有層を電流注入領域とし、段差部上のAl酸化層を電流狭窄領域とすることにより、制御された電流注入領域を有する電流狭窄層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態例の面発光型半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
【図2】図2(a)から(c)は、それぞれ、実施形態例の方法に従って面発光型半導体レーザ素子を製造する際の各工程を説明する基板断面図である。
【図3】図3(d)から(f)は、それぞれ、図2(c)に続いて、実施形態例の方法に従って面発光型半導体レーザ素子を製造する際の各工程を説明する基板断面図である。
【図4】従来の面発光型半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
【図5】AlAs層の膜厚とAlAs層の酸化速度との関係を示すグラフである。
【図6】段差基板の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
10……従来の面発光型半導体レーザ素子、12……n型半導体基板、14……下部反射鏡、16……下部クラッド層、18……活性層、20……上部クラッド層、22……上部反射鏡、24……p型コンタクト層、26……メサポスト、28……p側電極、30……n側電極、32……絶縁膜、34……電流狭窄層、34A……高Al含有層(電流注入領域)、34B……Al酸化層(電流狭窄領域)、36……段差基板、40……実施形態例の面発光型半導体レーザ素子、40a……上段部、40b……段差部、40c……下段部、42……n型GaAs段差基板、44……n型下部反射鏡、46……ノンドープAl0.5 Ga0.5 As下部クラッド層、48……活性層、50……ノンドープAl0.5 Ga0.5 As上部クラッド層、52……p型上部反射鏡、54……p型GaAsコンタクト層、56……メサポスト、58……p側電極、60……n側電極、62……絶縁膜、64……電流狭窄層、64A……AlAs層(電流注入領域)、64B……Al酸化層(電流狭窄領域)、68……エッチングマスク、70……積層構造、72……AlAs層。
Claims (2)
- 下部反射鏡、発光層、及び電流狭窄層を有する上部反射鏡を基板上に備える面発光型半導体レーザ素子の製造方法において、
(100)面を主面とする基板をエッチングして、電流狭窄層の電流注入領域と同じ形状で同じ大きさの(100)面を上面に有する上段部と、段差部と、(100)面を有し、段差部を介して上段部を取り囲む環状の下段部とを有する段差基板を形成する工程と、
段差基板上に、順次、下部反射鏡、発光層、及び高Al含有層を有する上部反射鏡をそれぞれ構成する化合物半導体層をエピタキシャル成長させ、段差基板の上段部上及び下段部上では平坦層として、段差部上では平坦層に連続する傾斜層として成長した、各化合物半導体層の積層構造を形成する工程とを備え、高Al含有層を成長させる際にはn型不純物を注入し、更に、形成した積層構造のうち上部反射鏡、発光層、及び下部反射鏡の極く上部をエッチングしてメサポストを形成する工程と、
上部反射鏡の高Al含有層を水蒸気酸化して、メサポストの側面から内方に延在する環状のAl酸化層を形成すると共に、段差基板の上段部に対応する中央領域に未酸化の状態で高Al含有層を残留させる工程と
を有することを特徴とする面発光型半導体レーザ素子の製造方法。 - 積層構造の形成工程では、成長中の高Al含有層中にn型不純物を注入する際、上段部上に平坦層として成長する高Al含有層のn型不純物の不純物濃度が、段差部上に傾斜層として成長する高Al含有層のn型不純物の不純物濃度より高くなることを特徴とする請求項1に記載の面発光型半導体レーザ素子の製造方法。
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