JP2011061083A - 半導体レーザ - Google Patents

Abstract

【課題】電流狭窄層の剥離を防止することの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層１５内に、電流狭窄層１８およびバッファ層１９が設けられている。バッファ層１９は、電流狭窄層１８に接して形成されている。バッファ層１９は、上部ＤＢＲ層１５および下部ＤＢＲ層１１よりも酸化速度が速く、かつ被酸化層１８Ｄ（図示せず）よりも酸化速度が遅くなるような材料および厚さによって構成された被酸化層１９Ｄ（図示せず）を酸化することにより形成されている。バッファ層１９の厚さｄ₁は、１０ｎｍ以上となっており、電流狭窄層１８内に残留する酸化種を十分に取り込めるだけの厚さとなっている。
【選択図】図１

Description

本発明は、積層方向にレーザ光を射出する半導体レーザに関する。

面発光型の半導体レーザは、端面発光型の半導体レーザと比べて低消費電力であり、かつ、直接変調可能であることから、近年、安価な光通信用光源として使われている。

面発光型半導体レーザでは、一般に、基板上に、下部ＤＢＲ層、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、上部ＤＢＲ層およびコンタクト層をこの順に積層してなる柱状のメサが設けられている。下部ＤＢＲ層および上部ＤＢＲ層のいずれか一方には、活性層への電流注入効率を高め、しきい値電流を下げるために、電流注入領域を狭めた構造を有する電流狭窄層が設けられている。メサの上面および基板の裏面にはそれぞれ、電極が設けられている。この半導体レーザでは、電極から注入された電流が電流狭窄層により狭窄されたのち活性層に注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、下部ＤＢＲ層および上部ＤＢＲ層により反射され、所定の波長でレーザ発振が生じ、メサの上面からレーザ光として射出される。

ところで、上記した面発光型の半導体レーザでは、電流狭窄層周辺の不安定性が信頼性を低下させることがある。例えば、製造過程において酸化処理を行って電流狭窄層を作成した後に、電極が半導体とオーミックコンタクトするようにするために、アロイ（熱処理）を行う。このとき、電流狭窄層が剥離することがある。電流狭窄層の剥離は、酸化処理によって生じた歪や、電流狭窄層内に残留する酸化種（例えば、酸素、水分）に起因して生じると考えられる。

上記の問題に対して、従来から様々な解決法が提案されている。例えば、特許文献１には、電流狭窄層の上下に隣接して、Ｉｎを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体層を設け、全体の歪を補正することが記載されている。

特開２００４−１７９６４０号公報

しかし、特許文献１に記載の方法では、電流狭窄層内に残留する酸化種が意図しない部分と反応してレーザの品質が劣化することに対する対策にはならない。また、本来、ＡｌＧａＡｓだけで形成される積層構造に、ＩｎやＰなどを高精度に少量添加することは簡単ではない。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、電流狭窄層の剥離を防止することの可能な半導体レーザを提供することにある。

本発明の半導体レーザは、第１多層膜反射鏡、活性層、および第２多層膜反射鏡をこの順に有するメサ部を備えたものである。メサ部は、さらに、活性層へ注入される電流を狭窄する電流狭窄層、および電流狭窄層に隣接するバッファ層を有している。ここで、電流狭窄層は、Ａｌを含む第１被酸化層を酸化することにより形成されたものである。バッファ層は、第１多層膜反射鏡および第２多層膜反射鏡よりも酸化速度が速く、かつ被酸化層よりも酸化速度が遅くなるような材料および厚さによって構成された第２被酸化層を酸化することにより形成されたものである。バッファ層の厚さは、１０ｎｍ以上となっている。

本発明の半導体レーザでは、電流狭窄層に隣接してバッファ層が形成されている。これにより、例えば、製造過程において、第１被酸化層に対して酸化処理を行って電流狭窄層を作成した後に、素子に対して熱処理を行ったときに、電流狭窄層内に残留する酸化種がバッファ層に拡散し、そこで安定化する。これにより、電流狭窄層内に残留する酸化種が意図しない部分と反応する虞をなくすることができる。

本発明の半導体レーザによれば、電流狭窄層内に残留する酸化種が意図しない部分と反応しないようにしたので、電流狭窄層の剥離を防止することができる。

本発明の一実施の形態に係る面発光型の半導体レーザの断面図である。 図１の半導体レーザの製造過程の一例を説明するための断面図である。 図２に続く工程について説明するための断面図である。 図１の半導体レーザの製造過程におけるアロイ温度と、歩留りとの関係を表す関係図である。 図１の半導体レーザのスペクトル分布の一例を表すスペクトル図である。 図１の半導体レーザの製造過程における酸化温度と、ＲＭＳ幅との関係を表す関係図である。

以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。

１．実施の形態（図１〜図６）
○バッファ層が酸化狭窄層の直上に設けられている例
○バッファ層および電流狭窄層が上部ＤＢＲ層内に設けられている例
２．変形例（図なし）
○バッファ層が酸化狭窄層の直下、または上下に設けられている例
○バッファ層および電流狭窄層が上部ＤＢＲ層以外の部位に設けられている例

＜実施の形態＞
図１（Ａ）は、本発明の一実施の形態に係る面発光型の半導体レーザ１の断面構成の一例を表したものである。図１（Ｂ）は、図１の半導体レーザ１の要部を拡大して表したものである。なお、図１、図２は模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。

半導体レーザ１は、基板１０の一面側に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、上部ＤＢＲ層１５およびコンタクト層１６をこの順に含む半導体層２０を備えている。この半導体層２０の上部、具体的には、下部ＤＢＲ層１１の一部、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、上部ＤＢＲ層１５およびコンタクト層１６は、柱状のメサ部１７となっている。

なお、本実施の形態では、下部ＤＢＲ層１１が本発明の「第１多層膜反射鏡」の一具体例に相当する。上部ＤＢＲ層１５が本発明の「第２多層膜反射鏡」の一具体例に相当する。

基板１０は、例えばｎ型ＧａＡｓ基板である。なお、ｎ型不純物としては、例えば、ケイ素（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）などが挙げられる。半導体層２０は、例えば、ＡｌＧａＡｓ系の化合物半導体によりそれぞれ構成されている。なお、ＡｌＧａＡｓ系の化合物半導体とは、短周期型周期表における３Ｂ族元素のうち少なくともアルミニウム（Ａｌ）およびガリウム（Ｇａ）と、短周期型周期表における５Ｂ族元素のうち少なくともヒ素（Ａｓ）とを含む化合物半導体のことをいう。

下部ＤＢＲ層１１は、低屈折率層（図示せず）および高屈折率層（図示せず）を交互に積層して形成されたものである。この低屈折率層は、例えば厚さがλ₀／４ｎ₁ （λ₀は発振波長、ｎ₁ は屈折率）のｎ型Ａｌ_x1Ｇａ_1-x1Ａｓ（０＜ｘ１＜１）により構成されている。高屈折率層は、例えば厚さがλ₀／４ｎ₂(ｎ₂ は屈折率）のｎ型Ａｌ_x2Ｇａ_1-x2Ａｓ（０＜ｘ２＜ｘ１）により構成されている。

下部スペーサ層１２は、例えばｎ型Ａｌ_x3Ｇａ_1-x3Ａｓ（０＜ｘ３＜１）により構成されている。活性層１３は、例えばアンドープのＡｌ_x4Ｇａ_1-x4Ａｓ（０＜ｘ４＜１）により構成されている。この活性層１３では、後述の電流注入領域１８Ａとの対向領域が発光領域１３Ａとなる。上部スペーサ層１４は、例えばｐ型Ａｌ_x5Ｇａ_1-x5Ａｓ（０≦ｘ５＜１）により構成されている。なお、ｐ型不純物としては、例えば、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）などが挙げられる。

上部ＤＢＲ層１５は、低屈折率層（図示せず）および高屈折率層（図示せず）を交互に積層して形成されている。低屈折率層は、例えば厚さがλ₀／４ｎ₃（ｎ₃ は屈折率）のｐ型Ａｌ_x6Ｇａ_1-x6Ａｓ（０＜ｘ６＜１）により構成されている。高屈折率層は、例えば厚さがλ₀／４ｎ₄（ｎ₄ は屈折率）のｐ型Ａｌ_x7Ｇａ_1-x7Ａｓ（０＜ｘ７＜ｘ６）により構成されている。コンタクト層１６は、例えばｐ型Ａｌ_x8Ｇａ_1-x8Ａｓ（０＜ｘ８＜１）により構成されている。

また、この半導体レーザ１には、さらに、電流狭窄層１８およびバッファ層１９が設けられている。電流狭窄層１８およびバッファ層１９は、上部ＤＢＲ層１５内に設けられている。

電流狭窄層１８は、バッファ層１９との関係で、活性層１３から離れた位置に形成されている。電流狭窄層１８は、例えば、上部ＤＢＲ層１５内において、活性層１３側から数えて例えば数層離れた低屈折率層の部位に、低屈折率層に代わって設けられている。電流狭窄層１８は、電流注入領域１８Ａと、電流狭窄領域１８Ｂとを有している。電流注入領域１８Ａは、面内の中央領域に形成されている。電流狭窄領域１８Ｂは、電流注入領域１８Ａの周縁、すなわち電流狭窄層１８の外縁領域に形成されており、環状の形状となっている。なお、本実施の形態では、電流注入領域１８Ａが本発明の「第１未酸化領域」の一具体例に相当する。電流狭窄領域１８Ｂが本発明の「第１酸化領域」の一具体例に相当する。

電流注入領域１８Ａは、例えば、ｐ型Ａｌ_x9Ｇａ_1-x9Ａｓ（０．９８≦ｘ９≦１）によって構成されている。電流狭窄領域１８Ｂは、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃）を含んで構成され、後述するように、例えば、ｐ型Ａｌ_x9Ｇａ_1-x9Ａｓによって構成された被酸化層１８Ｄをメサ部１７の側面から酸化することにより得られたものである。これにより、電流狭窄層１８は電流を狭窄する機能を有している。

バッファ層１９は、電流狭窄層１８との関係で、活性層１３寄りに形成されている。バッファ層１９は、電流狭窄層１８に隣接して形成されている。バッファ層１９は、例えば、図１（Ｂ）に示したように、電流狭窄層１８のうち活性層１３側の面（下面）に接して形成されている。なお、電流狭窄層１８とバッファ層１９との間に、例えば数ｎｍ程度の厚さの薄い層が設けられていてもよい。バッファ層１９は、例えば、上部ＤＢＲ層１５内において、電流狭窄層１８から数えて例えば数層離れた高屈折率層の部位に、高屈折率層に代わって設けられている。

バッファ層１９は、未酸化領域１９Ａと、酸化領域１９Ｂとを有している。未酸化領域１９Ａは、主に面内の中央領域に形成されており、例えば、電流注入領域１８Ａと接する部位に形成されている。酸化領域１９Ｂは、未酸化領域１９Ａの周縁に形成されており、環状の形状となっている。酸化領域１９Ｂは、主に面内の外縁領域に形成されており、例えば、電流狭窄領域１８Ｂと接する部位に形成されている。酸化領域１９Ｂは、バッファ層１９の外縁に相当する部分以外の部分において、電流狭窄層１８側に偏って形成されている。なお、本実施の形態では、未酸化領域１９Ａが本発明の「第２未酸化領域」の一具体例に相当する。酸化領域１９Ｂが本発明の「第２酸化領域」の一具体例に相当する。

未酸化領域１９Ａは、Ａｌを含む半導体材料によって構成されており、例えば、ｐ型Ａｌ_x10Ｇａ_1-x10Ａｓ（０．８５＜ｘ１０≦０．９８）またはｐ型ＩｎＡｌ_x11ＧａＡｓ（０．８５＜ｘ１１≦０．９８）によって構成されている。酸化領域１９Ｂは、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃）を含んで構成され、後述するように、例えば、ｐ型Ａｌ_x10Ｇａ_1-x10Ａｓまたはｐ型ＩｎＡｌ_x11ＧａＡｓによって構成された被酸化層１９Ｄをメサ部１７の側面側および被酸化層１８Ｄ側から酸化することにより得られたものである。被酸化層１９Ｄは、下部ＤＢＲ層１１および上部ＤＢＲ層１５よりも酸化速度が速く、かつ被酸化層１８Ｄよりも酸化速度が遅くなるような材料および厚さによって構成されている。

バッファ層１９（被酸化層１９Ｄ）の厚さｄ₁は、１０ｎｍ以上となっており、製造過程において電流狭窄層１８内に残留する酸化種を十分に取り込めるだけの厚さとなっている。バッファ層１９の厚さｄ₁は、電流狭窄層１８（被酸化層１８Ｄ）の厚さｄ₂と同等か、またはそれよりも厚くなっていることが好ましい。ただし、バッファ層１９の厚さｄ₁があまり厚くなるとＤＢＲ構造に影響が及ぶので、バッファ層１９の厚さｄ₁は、５０ｎｍ以下となっていることが好ましい。酸化領域１９Ｂのうち電流狭窄層１８側に偏って形成されている部分の厚さｄ₃は、特に限定されないが、少なくともバッファ層１９の厚さｄ₁よりも薄くなっている。

メサ部１７の上面（コンタクト層１６の上面）には、少なくとも電流注入領域１８Ａとの対向領域に開口（光射出口２１Ａ）を有する環状の上部電極２１が形成されている。また、メサ部１７の側面および周辺の表面には、絶縁層（図示せず）が形成されている。絶縁層のうちメサ部１７の周辺に対応する表面上には、ワイヤ（図示せず）をボンディングするための電極パッド（図示せず）と、接続部（図示せず）とが設けられている。電極パッドと上部電極２１とが接続部を介して互いに電気的に接続されている。また、基板１０の裏面には、下部電極２２が設けられている。

ここで、上部電極２１、電極パッドおよび接続部は、例えば、チタン（Ｔｉ），白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）をこの順に積層して構成されたものであり、メサ部１７上部のコンタクト層１６と電気的に接続されている。下部電極２２は、例えば、金（Ａｕ）とゲルマニウム（Ｇｅ）との合金，ニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）とを基板１０側から順に積層した構造を有しており、基板１０と電気的に接続されている。

[製造方法]
次に、図２、図３を参照して、本実施の形態の半導体レーザ１の製造方法の一例について説明する。図２、図３は、その製造方法を工程順に表したものである。

ここでは、ＧａＡｓからなる基板１０上の化合物半導体層を、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属化学気相成長）法により形成する。この際、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、アルシン (ＡｓＨ３)を用い、ドナー不純物の原料としては、例えば、Ｈ₂Ｓｅを用い、アクセプタ不純物の原料としては、例えば、ジメチルジンク（ＤＭＺ）を用いる。

具体的には、まず、基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、上部ＤＢＲ層１５およびコンタクト層１６をこの順に積層する（図２）。このとき、上部ＤＢＲ層１５内に、被酸化層１８Ｄ，被酸化層１９Ｄを、被酸化層１９Ｄが被酸化層１８Ｄよりも活性層寄りとなるように、形成しておく。

なお、被酸化層１８Ｄは、後述の酸化工程で酸化されることにより、電流狭窄層１８になる層であり、例えば、ＡｌＡｓによって構成されている。また、被酸化層１９Ｄは、後述の酸化工程で酸化されることにより、バッファ層１９になる層であり、例えば、Ａｌ_0.90ＧａＡｓによって構成されている。ここで、被酸化層１９Ｄは、上述したように、下部ＤＢＲ層１１および上部ＤＢＲ層１５よりも酸化速度が速く、かつ被酸化層１８Ｄよりも酸化速度が遅くなるような材料および厚さによって構成されている。

次に、コンタクト層１６の表面に、メサ部１７の径と等しい径の円形状のレジスト層（図示せず）を形成する。次に、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により、上記のレジスト層をマスクとして、下部ＤＢＲ層１１の一部、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、上部ＤＢＲ層１５、コンタクト層１６、被酸化層１８Ｄおよび被酸化層１９Ｄを選択的に除去する。これにより、円形状のレジスト層（図示せず）の直下にメサ部１７が形成される（図３）。このとき、メサ部１７の側面に被酸化層１８Ｄおよび被酸化層１９Ｄが露出している。その後、上記したレジスト層を除去する。

次に、水蒸気雰囲気中において、高温で酸化処理を行い、メサ部１７の側面から被酸化層１８Ｄおよび被酸化層１９Ｄに含まれるＡｌを同時に酸化する。このとき、被酸化層１８Ｄは被酸化層１９Ｄよりも酸化され易いことから、被酸化層１９Ｄは、被酸化層１８Ｄ側からも酸化される。これにより、メサ部１７内において、被酸化層１８Ｄの外縁領域が絶縁層（酸化アルミニウム）となり、電流狭窄層１８が形成される（図１（Ｂ）参照）。さらに、メサ部１７内において、被酸化層１９Ｄの外縁領域と、被酸化層１９Ｄのうち、中央部分を除く被酸化層１９Ｄの近傍とが絶縁層（酸化アルミニウム）となり、バッファ層１９が形成される（図１（Ｂ）参照）。

次に、表面全体に、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ₂）などの絶縁性無機材料からなる絶縁層（図示せず）を形成する。続いて、メサ部１７の上面に環状の開口を有するレジスト層（図示せず）を表面全体に形成したのち、例えばＲＩＥ法により、レジスト層をマスクとして、絶縁層を選択的に除去する。これにより、上部電極２１の形成される部分に開口（図示せず）が形成される。その後、レジスト層を除去する。

次に、例えば真空蒸着法により、表面全体に前述の金属材料を積層させる。その後、例えば選択エッチングにより、絶縁層の開口を埋め込むようにして環状の上部電極２１を形成すると共に、絶縁層のうちメサ部１７の周辺に対応する表面に電極パッド（図示せず）を形成し、さらに、これらの間に接続部（図示せず）を形成する。さらに、基板１０の裏面を適宜研磨してその厚さを調整した後、この基板１０の裏面に下部電極２２を形成する（図１（Ａ））。その後、例えば、３００℃〜３５０℃の範囲内でアロイ（熱処理）を行い、上部電極２１とコンタクト層１６とを互いにオーミックコンタクトさせる。このようにして、本実施の形態の半導体レーザ１が製造される。

[作用・効果]
次に、図４、図５、図６を参照しつつ、本実施の形態の半導体レーザ１の作用および効果について説明する。図４は、半導体レーザ１の製造過程におけるアロイ温度と、歩留りとの関係を表したものである。図５（Ａ），（Ｂ）は、半導体レーザ１のスペクトル分布の一例を表すスペクトル図である。図５（Ａ）は、厚さｄ₃が厚くなっているときの結果であり、図５（Ｂ）は、厚さｄ₃が薄くなっているときの結果である。図６は、半導体レーザ１の製造過程における酸化温度と、スペクトル幅Ｗとの関係を表したものである。

本実施の形態の半導体レーザ１では、下部電極２２と上部電極２１との間に所定の電圧が印加されると、電流狭窄層１８における電流注入領域１８Ａと、バッファ層１９における未酸化領域１９Ａとを通して活性層１３に電流が注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、一対の下部ＤＢＲ層１１および上部ＤＢＲ層１５により反射され、所定の波長λ₀でレーザ発振を生じ、ビーム光が光射出口２１Ａから外部に射出される。

ところで、本実施の形態では、電流狭窄層１８に隣接してバッファ層１９が形成されている。バッファ層１９の厚さｄ₁は、１０μｍ以上となっており、製造過程において電流狭窄層１８内に残留する酸化種を十分に取り込めるだけの厚さとなっている。これにより、例えば、製造過程において、被酸化層１８Ｄに対して酸化処理を行って電流狭窄層１８を作成した後に、素子に対してアロイ（熱処理）を行ったときに、電流狭窄層１８内に残留する酸化種がバッファ層１９に拡散し、そこで安定化する。これにより、電流狭窄層１８内に残留する酸化種が意図しない部分と反応する虞をなくすることができるので、電流狭窄層１８の剥離を防止することができる。

例えば、図４に示したように、電流狭窄層１８に隣接して、厚さｄ₁が１０ｎｍ以上のバッファ層１９を設けることにより、通常、アロイ（熱処理）として使用される温度における歩留りを高くすることができる。

また、本実施の形態では、電流狭窄層１８に隣接してバッファ層１９が形成されていることから、半導体レーザ１内の光場が電流狭窄領域１８Ｂおよび酸化領域１９Ｂを感じる。そのため、酸化領域１９Ｂの厚さｄ₃を変えることにより、半導体レーザ１内の光場に与える影響を制御することができ、例えば、光射出口２１Ａから射出されたビーム光のスペクトル幅Ｗを制御することができる。

例えば、図５（Ａ）に示したように、酸化領域１９Ｂの厚さｄ₃を厚くすることにより、スペクトル幅Ｗを広くすることができ、その逆に、例えば、図５（Ｂ）に示したように、酸化領域１９Ｂの厚さｄ₃を薄くすることにより、スペクトル幅Ｗを狭くすることができる。また、例えば、図６に示したように、製造過程における酸化温度を低くしたり高くしたりして、酸化領域１９Ｂの厚さｄ₃を薄くしたり厚くしたりすることにより、スペクトル幅Ｗを狭くしたり広くしたりすることができる。

＜変形例＞
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。

例えば、上記実施の形態では、電流狭窄層１８およびバッファ層１９は、上部ＤＢＲ層１５内に形成されていたが、それ以外の場所に形成されていてもよい。電流狭窄層１８およびバッファ層１９は、例えば、上部スペーサ層１４内に形成されていたり、上部スペーサ層１４と上部ＤＢＲ層１５との間に形成されていたりしていてもよい。また、電流狭窄層１８およびバッファ層１９は、例えば、下部ＤＢＲ層１１内に形成されていたり、下部スペーサ層１２内に形成されていたり、下部スペーサ層１２と下部ＤＢＲ層１１との間に形成されていたりしていてもよい。

また、上記実施の形態では、バッファ層１９は、電流狭窄層１８との関係で、活性層１３寄りに設けられていたが、その逆に活性層１３から離れて設けられていてもよい。また、上記実施の形態では、バッファ層１９は１つだけ設けられていたが、必要に応じて、電流狭窄層１８の上下に設けられていてもよい。

また、上記実施の形態では、ＡｌＧａＡｓ系の化合物半導体レーザを例にして本発明を説明したが、他の化合物半導体レーザ、例えば、酸化可能な化合物半導体からなる半導体レーザにも適用可能である。

１…半導体レーザ、１０…基板、１１…下部ＤＢＲ層、１２…下部スペーサ層、１３…活性層、１３Ａ…発光領域、１４…上部スペーサ層、１５…上部ＤＢＲ層、１６…コンタクト層、１７…メサ部、１８…電流狭窄層、１８Ａ…電流注入領域、１８Ｂ…電流狭窄領域、１８Ｄ，１９Ｄ…被酸化層、１９…バッファ層、１９Ａ…未酸化領域、１９Ｂ…酸化領域、２０…半導体層、２１…上部電極、２１Ａ…光射出口、２２…下部電極、ｄ₁，ｄ₂，ｄ₃…厚さ、Ｗ…スペクトル幅。

Claims (6)

1. 第１多層膜反射鏡、活性層、および第２多層膜反射鏡をこの順に有すると共に、前記活性層へ注入される電流を狭窄する電流狭窄層、および前記電流狭窄層に隣接するバッファ層を有するメサ部を備え、
   前記電流狭窄層は、Ａｌを含む第１被酸化層を酸化することにより形成されたものであり、
   前記バッファ層は、前記第１多層膜反射鏡および前記第２多層膜反射鏡よりも酸化速度が速く、かつ前記第１被酸化層よりも酸化速度が遅くなるような材料および厚さによって構成された第２被酸化層を酸化することにより形成されたものであり、
   前記バッファ層の厚さは、１０ｎｍ以上となっている
   半導体レーザ。
2. 前記電流狭窄層は、ＡｌＡｓによって構成され、
   前記バッファ層は、Ａｌを含む半導体材料によって構成されている
   請求項１に記載の半導体レーザ。
3. 前記バッファ層は、ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓによって構成されている
   請求項２に記載の半導体レーザ。
4. 前記バッファ層は、前記電流狭窄層の上面および下面の少なくとも一方に接して形成されている
   請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
5. 前記電流狭窄層は、第１未酸化領域と、前記第１未酸化領域の周縁に形成された環状の第１酸化領域とを有し、
   前記バッファ層は、少なくとも前記第１未酸化領域と接する部位に第２未酸化領域を有し、前記第１酸化領域と接する部位に第２酸化領域を有する
   請求項４に記載の半導体レーザ。
6. 前記第２酸化領域は、前記電流狭窄層側に偏って形成されている
   請求項５に記載の半導体レーザ。

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