JP4876428B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
上記実施の形態と同様にして、半導体レーザを作製した。その際、N2 にバブリングされた水蒸気により未酸化層71を酸化させて電流狭窄層51を形成し、酸化温度450℃、流量は1l/min、酸化時間は10minとした。同一酸化条件で更に2個の半導体レーザを作製した。得られた3個の半導体レーザ(サンプル1〜3)について、非導電領域51Bの幅w1を計測した。その結果を表1に示す。
図17に示した従来構造の半導体レーザ、すなわち、第1p型クラッド層115Aと第2p型クラッド層115Bの間に電流狭窄層120のみを配置し、中間層を設けないものを作製した。酸化の条件は実施例と同様にして、3個の半導体レーザを作製した。得られた3個の半導体レーザ(サンプル1〜3)について、上記実施例と同様にして非導電領域151Bの幅w0を計測した。その結果を表1に併せて示す。
Claims (5)
- 基板上に、第1半導体層,活性層および第2半導体層を含む積層構造を有し、前記第2半導体層中に、前記活性層の電流注入領域を制限する電流狭窄部を備えた半導体発光素子であって、
前記電流狭窄部は、前記活性層の電流注入領域に対応した導電領域および前記活性層の電流注入領域以外の領域に対応した非導電領域を有する電流狭窄層と、前記電流狭窄層と前記第2半導体層との間に前記電流狭窄層を挟んで設けられ、前記電流狭窄層と前記第2半導体層とが直に接することによる前記両層間での混晶の発生を抑制する中間層とを有し、
前記第2半導体層はAlGaInP混晶により構成され、前記活性層はAlGaInP混晶またはGaInP混晶により構成され、前記中間層はAlGaAs混晶により構成され、前記電流狭窄層の導電領域はAlAsまたはAlGaAs混晶により構成され、前記電流狭窄層の非導電領域は、アルミニウム(Al)を含む絶縁性酸化物により構成され、
前記中間層に含まれるアルミニウムの組成は、0.4以上0.9以下である
半導体発光素子。 - 前記活性層で発生した光は、前記活性層と前記電流狭窄部との積層方向に対して垂直な方向に出射する
請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記電流狭窄層の導電領域および前記活性層の電流注入領域は帯状に形成され、前記非導電領域は前記導電領域の両側に帯状に形成された
請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記活性層で発生した光は、前記活性層と前記電流狭窄層との積層方向と同一方向に出射する
請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記電流狭窄層の導電領域および前記活性層の電流注入領域は円形に形成され、前記非導電領域は前記導電領域の周囲に環状に形成された
請求項1記載の半導体発光素子。
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